发明创造名称：包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件
外观设计名称：
决定号：183884
决定日：2019-07-14
委内编号：1F264568
优先权日：2013-05-20
申请（专利）号：201480028867.6
申请日：2014-05-12
复审请求人：高通股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗崇举
合议组组长：杨丽丽
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L23/31,H01L21/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果上述区别技术特征属于本领域常用技术手段，在上述对比文件的基础上结合本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480028867.6，名称为“包括用于顶侧和侧壁保护的模塑的半导体器件”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为高通股份有限公司，申请日为2014年05月12日，优先权日为2013年05月20日，进入中国国家阶段日为2015年11月18日，公开日为2016年01月06日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月23日发出驳回决定，以本申请权利要求1-33不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，其具体理由是：（1）独立权利要求1请求保护一种半导体器件，其与对比文件1（CN101685794A，公开日为2010年03月31日）的区别在于：（i）覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间；（ii）所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。区别特征（i）被对比文件2（CN101552248A，公开日为2009年10月07日）公开；区别特征（ii）中部分被对比文件3（US2006/0079025A1，公开日为2006年04月13日）公开，部分属于本领域公知常识；因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-11的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此也均不具备创造性。（3）独立权利要求12请求保护一种设备，其与对比文件1的区别在于：（i）覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间；（ii）所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。区别特征（i）被对比文件2公开；区别特征（ii）中部分被对比文件3公开，部分属于本领域公知常识；因此权利要求12相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）从属权利要求13-21的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此也均不具备创造性。（5）独立权利要求22请求保护一种用于提供半导体器件的方法，其与对比文件1的区别在于：（i）覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间；（ii）所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。区别特征（i）被对比文件2公开；区别特征（ii）中部分被对比文件3公开，部分属于本领域公知常识；因此权利要求22相对于对比文件1、对比文件2、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）从属权利要求23-33的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此也均不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2017年09月28日提交的权利要求第1-33项；于进入中国国家阶段日2015年11月18日提交的说明书第0001-0125段、说明书附图图1-12、说明书摘要及摘要附图。
驳回决定针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中上述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。
2. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层是环氧树脂层。
3. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层是透明环氧树脂层。
4. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的所述第一表面是所述半导体器件的顶侧。
5. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半 导体器件的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层的至少一者的侧部被用所述模塑层覆盖。
6. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述钝化层的侧部被用所述模塑层覆盖。
7. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
8. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
9. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片和/或中介体中的一者。
10. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
11. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层由第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。
12. 一种设备，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多层金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上并且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
用于保护所述设备防止其在切割工艺期间破裂的装置，所述用于保护的装置覆盖所述设备的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述设备的至少侧部、以及所述UBM层的一部分，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述用于保护所述设备的装置之间，
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述用于保护的装置的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述用于保护的装置的一部分。
13. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置是环氧树脂层。
14. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置是透明环氧树脂层。
15. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述设备的所述第一表面是所述设备的顶侧。
16. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆盖所述设备的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
17. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆 盖所述设备的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
18. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆盖所述设备的所述至少侧部，从而所述第二绝缘层的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
19. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
20. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述设备被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。
21. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置用第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。
22. 一种用于提供半导体器件的方法，包括：
提供基板；
提供耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
提供耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
提供在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
提供在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
提供位于所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
提供位于所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
提供在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第 一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
提供覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间，
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。
23. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层是环氧树脂层。
24. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层是透明环氧树脂层。
25. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的所述第一表面是所述半导体器件的顶侧。
26. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层的至少一者的侧部被用所述模塑层覆盖。
27. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述钝化层的侧部被用所述模塑层覆盖。
28. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
29. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖了所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第二绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
30. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
31. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片和/或中介体中的一者。
32. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
33. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层由第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月02日向国家知识产权局提出复审请求，同时提交了权利要求书修改替换页，在独立权利要求1、22中补入技术特征“所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触”，在独立权利要求12中补入技术特征“所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述用于保护所述设备的装置直接接触”。复审请求人陈述意见认为：对比文件1-3均没有公开“第二绝缘层”，也没有公开“所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分”。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人于2018年11月02日提交的权利要求1、12、22为：
“1. 一种半导体器件，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。”
“12. 一种设备，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多层金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上并且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
用于保护所述设备防止其在切割工艺期间破裂的装置，所述用于保护的装置覆盖所述设备的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述设备的至少侧部、以及所述UBM层的一部分，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述用于保护所述设备的装置之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述用于保护所述设备的装置直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述用于保护的装置的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述用于保护的装置的一部分。”
“22. 一种用于提供半导体器件的方法，包括：
提供基板；
提供耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
提供耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
提供在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
提供在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
提供位于所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
提供位于所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层 进一步包括由凹槽形成的侧部；
提供在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；以及
提供覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月12日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1公开了以下技术特征（参见说明书第4-6页，说明书附图1-14）：并且绝缘膜50（相当于第二绝缘层）与重新分布金属层44（相当于第一金属重分布层）和直接接触。对比文件2公开了以下技术特征（参见说明书第5-6页，说明书附图1、3）：上层保护膜(绝缘膜)9（相当于第二绝缘层）与密封膜15（相当于模塑层）直接接触。将对比文件2中的密封膜15（相当于模塑层）用于对比文件1对其改进得到所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触是显而易见的。（2）对比文件1公开了以下技术特征（参见说明书第4-6页，说明书附图1-14）：包括半导体衬底20（相当于基板）；耦合到所述半导体衬底20的多个金属间电介质(IMD)（相当于介电层）以及IMD中的金属线和通孔（相当于金属层）。可见对比文件1公开了权利要求1中布置多个金属层和介电层。因此坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月04日发出复审通知书，引用驳回决定中部分对比文件，指出权利要求1-33不符合专利法第22条第3款的规定。具体理由为：（1）独立权利要求1相对于对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-11的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。（3）独立权利要求12相对于对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）从属权利要求13-21的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。（5）独立权利要求22相对于对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）从属权利要求23-33的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年04月18日提交了复审程序意见陈述书，同时提交了权利要求书修改替换页（共包括权利要求第1-33项）；其修改涉及：在独立权利要求1、22中补入技术特征“耦合到所述UBM层的焊球”，将其中“覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层的一部分的模塑层”均修改为“覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层和所述焊球的一部分的模塑层，其中所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖”；在独立权利要求12中补入技术特征“耦合到所述UBM层的焊球”，将其中“所述用于保护的装置覆盖所述设备的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述设备的至少侧部、以及所述UBM层的一部分”修改为“所述用于保护的装置覆盖所述设备的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述设备的至少侧部、以及所述UBM层和所述焊球的一部分，其中所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖”。复审请求人陈述意见认为：（1）对比文件2没有公开“第二绝缘层”；本领域技术人员在对比文件2的基础上没有动机想到“在形成焊球之后形成模塑层”；（2）对比文件2没有公开“所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖”；因此权利要求1以及12、22具备创造性。
复审请求人于2019年04月18日提交的权利要求书为：
“1. 一种半导体器件，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；
耦合到所述UBM层的焊球；以及
覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层和所述焊球的一部分的模塑层，其中所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。
2. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层是环氧树脂层。
3. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层是透明环氧树脂层。
4. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的所述 第一表面是所述半导体器件的顶侧。
5. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层的至少一者的侧部被用所述模塑层覆盖。
6. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述钝化层的侧部被用所述模塑层覆盖。
7. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
8. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
9. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片和/或中介体中的一者。
10. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入到音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
11. 如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述模塑层由第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。
12. 一种设备，包括：
基板；
耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
耦合到所述多层金属层之一的焊盘；
在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
在所述钝化层之上并且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
在所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
在所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；
耦合到所述UBM层的焊球；以及
用于保护所述设备防止其在切割工艺期间破裂的装置，所述用于保护的装置覆盖所述设备的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述设备的至少侧部、以及所述UBM层和所述焊球的一部分，其中所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述用于保护所述设备的装置之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述用于保护所述设备的装置直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述用于保护的装置的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述用于保护的装置的一部分。
13. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置是环氧树脂层。
14. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置是透明环氧树脂层。
15. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述设备的所述第一表面是所述设备的顶侧。
16. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆盖所述设备的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层中的至少一者的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
17. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆盖所述设备的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
18. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置覆盖所述设备的所述至少侧部，从而所述第二绝缘层的侧部被用所述用于保护的装置覆盖。
19. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
20. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述设备被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。
21. 如权利要求12所述的设备，其特征在于，所述用于保护的装置用第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。
22. 一种用于提供半导体器件的方法，包括：
提供基板；
提供耦合到所述基板的多个金属层和介电层；
提供耦合到所述多个金属层之一的焊盘；
提供在所述多个金属层和介电层的表面上并且耦合到所述焊盘的钝化层；
提供在所述钝化层之上且耦合到所述焊盘的第一金属重分布层；
提供位于所述钝化层与所述第一金属重分布层之间的第一绝缘层；
提供位于所述第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其中所述第二绝缘层进一步包括由凹槽形成的侧部；
提供在所述第二绝缘层之上的、经由所述第二绝缘层中的腔耦合到所述第一金属重分布层的凸块下金属化(UBM)层；
提供在所述UBM层上的焊球；以及
提供覆盖所述半导体器件的第一表面、包括所述第二绝缘层的所述侧部的所述半导体器件的至少侧部、以及所述UBM层和所述焊球的一部分的模塑层，其中所述UBM层的上表面被所述焊球和所述模塑层覆盖，
其中所述第二绝缘层在所述第一金属重分布层与所述模塑层之间，并且所述第二绝缘层与所述第一金属重分布层和所述模塑层直接接触；
其中所述第二绝缘层的所述侧部与包括所述模塑层的外部侧壁和所述多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开所述模塑层的一部分。
23. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层是环氧树脂层。
24. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层是透明环氧树脂层。
25. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件的所述第一表面是所述半导体器件的顶侧。
26. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述多个金属层和介电层的至少一者的侧部被用所述模塑层覆盖。
27. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述钝化层的侧部被用所述模塑层覆盖。
28. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第一绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
29. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层覆盖了所述半导体器件的所述至少侧部，从而所述第二绝缘层的侧部被用所述模塑层覆盖。
30. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层是至少聚酰亚胺层、聚苯并噁唑(PbO)层和/或聚合物层中的一者。
31. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件是至少管芯、管芯封装、集成电路(IC)、晶片和/或中介体中的一者。
32. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
33. 如权利要求22所述的方法，其特征在于，所述模塑层由第一材料制成，所述多个介电层中的至少一个介电层由第二材料制成，并且所述第一材料比所述第二材料不易碎裂。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年04月18日答复复审通知书时提交了权利要求书修改替换页（共包括权利要求第1-33项），经审查，其修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定依据的审查文本为：复审请求人于2019年04月18日提交的权利要求第1-33项；于进入中国国家阶段日2015年11月18日提交的说明书第0001-0125段、说明书附图图1-12、说明书摘要及摘要附图。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果上述区别技术特征属于本领域常用技术手段，在上述对比文件的基础上结合本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定引用与复审通知书相同的对比文件，其为驳回决定中部分对比文件，即：
对比文件2：公开号为CN101552248A，公开日为2009年10月07日。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种半导体器件，对比文件2公开了一种半导体器件，并具体公开了（参见说明书第5页第3段至第7页第1段、图1）如下技术特征：具备硅基板1；在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；设有与上述集成电路的各元件连接的连接焊盘2；在硅基板1的上表面除了连接焊盘2的外侧的周边部以外的区域上，设有用于连接上述集成电路的各元件的低介电常数膜布线层叠构造部3，包括多层低介电常数膜4与布线5（相当于耦合到基板的多个金属层和介电层）；最上层的布线5的连接焊盘部5a配置在最上层的低介电常数膜4的上表面周边部（相当于耦合到多个金属层之一的焊盘）；在最上层的布线5及最上层的低介电常数膜4的上表面，设有钝化膜7（相当于在多个金属层和介电层的表面上并且耦合到焊盘的钝化层）；在钝化膜7上设有开口部8；在钝化膜7的上表面设有上层绝缘膜9（相当于在钝化层与第一重分布层之间的第一绝缘层）；上层绝缘膜9上设有开口部10；上层绝缘膜9的上表面，设有上层布线11（相当于在钝化层上且耦合到焊盘的第一金属重分布层）；在上层布线11的连接焊盘部上表面，设有柱状电极14（相当于耦合到第一金属重分布层的UBM层）；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15（相当于覆盖半导体器件的第一表面，半导体器件的至少侧部以及UBM层的一部分的模塑层），以使其上表面比柱状电极14的上表面高；在密封膜的阶差部16内及其上侧，焊锡球17（相当于耦合到UBM层的焊球）设置为连接至柱状电极14的上表面（相当于UBM的上表面被焊球覆盖）；低介电常数膜布线层叠构造部3及钝化膜7的侧面实质上形成一个面，并有密封膜15覆盖。
由上述对比可知，权利要求1与对比文件2相比，其区别技术特征为：包括在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部；UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔；半导体器件的侧部包括第二绝缘层的侧部；UBM的上表面被模塑层覆盖；第二绝缘层在第一金属重分布层与模塑层之间并且与二者直接接触；第二绝缘层的侧部与包括模塑层外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开模塑层的一部分。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：覆盖并绝缘金属重分布层。
从发明构思的角度看，关于本申请，其要解决现有技术中管芯中低k电介质受应力影响容易破裂进而导致管芯破裂的技术问题；采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中，模塑层还覆盖切割槽的侧壁；可以达到防止管芯破裂的技术效果。关于对比文件2，其解决现有技术中半导体装置中低介电常数膜机械强度低和容易受到水分影响的技术问题，也采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中模塑层也覆盖切割槽的侧壁，也可以达到防止管芯破裂的技术效果，另外可以达到防止水气影响的技术效果。可见，本申请的发明构思已被对比文件2公开。
本申请与对比文件2的主要区别在于，形成模塑层和形成焊球的顺序不同。具体的，本申请是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、第二绝缘层、UBM层以及焊球，最后形成模塑层，而对比文件2是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、UBM层后先形成模塑层，最后形成焊球。对比文件2的技术方案中由于先形成模塑层，因此模塑层可以同时起到第二绝缘层的作用，因此不需要在金属重分布层上再形成第二绝缘层。然而，是否形成第二绝缘层并不影响该技术方案解决其技术问题，进而达到其技术效果。
本领域技术人员选择在形成焊球之后再形成模塑层是在对比文件2的基础上进行的常规改进，可以预期其技术效果。在此基础上，需先在金属重分布层上形成第二绝缘层，其与金属重分布层接触，与后续形成的模塑层也接触，UBM则经由其上开口与金属重分布层耦合且被模塑层覆盖，该第二绝缘层与第一绝缘层一样也可以具有切割槽经过的侧壁，在后续形成模塑层时模塑层将与该侧壁接触。因此权利要求1与对比文件2的区别，即该半导体器件包括在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部，UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔，半导体器件的侧部包括第二绝缘层的侧部，UBM的上表面被模塑层覆盖，第二绝缘层在第一金属重分布层与模塑层之间并且与二者直接接触，第二绝缘层的侧部与包括模塑层外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开模塑层的一部分等上述区别技术特征均为本领域技术人员在对比文件2基础上结合本领域常用技术手段进行的常规改进。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域常用技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-11对权利要求1进一步限定。对比文件2公开了（参见说明书第5页第3段至第7页第1段、图1）：在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；在钝化膜7的上表面形成由聚酰亚胺类树脂构成的上层绝缘膜9；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15。对比文件2也公开了半导体装置为便携式电子设备。本领域技术人员根据对比文件2公开的内容可以直接地、毫无疑义地确定密封膜覆盖半导体器件的至少侧部，从而金属层和介电层的至少一者，钝化膜的侧部以及上层绝缘膜的侧部被密封膜覆盖，密封膜和至少一个介电层的材料不同，且密封膜的材料比至少一介电层的材料不易碎裂。而用透明环氧树脂作为模塑层属于本领域的常用技术手段。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域的常用技术手段，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。
3、权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12请求保护一种设备，对比文件2公开了一种半导体器件，并具体公开了（参见说明书第5页第3段至第7页第1段、图1）如下技术特征：具备硅基板1；在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；设有与上述集成电路的各元件连接的连接焊盘2；在硅基板1的上表面除了连接焊盘2的外侧的周边部以外的区域上，设有用于连接上述集成电路的各元件的低介电常数膜布线层叠构造部3，包括多层低介电常数膜4与布线5（相当于耦合到基板的多个金属层和介电层）；最上层的布线5的连接焊盘部5a配置在最上层的低介电常数膜4的上表面周边部（相当于耦合到多个金属层之一的焊盘）；在最上层的布线5及最上层的低介电常数膜4的上表面，设有钝化膜7（相当于在多个金属层和介电层的表面上并且耦合到焊盘的钝化层）；在钝化膜7上设有开口部8；在钝化膜7的上表面设有上层绝缘膜9（相当于在钝化层与第一重分布层之间的第一绝缘层）；上层绝缘膜9上设有开口部10；上层绝缘膜9的上表面，设有上层布线11（相当于在钝化层上且耦合到焊盘的第一金属重分布层）；在上层布线11的连接焊盘部上表面，设有柱状电极14（相当于耦合到第一金属重分布层的UBM层）；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15（相当于覆盖设备的第一表面，设备的至少侧部以及UBM层的一部分的用于保护设备防止其在切割工艺期间破裂的装置），以使其上表面比柱状电极14的上表面高；在密封膜的阶差部16内及其上侧，焊锡球17（相当于耦合到UBM层的焊球）设置为连接至柱状电极14的上表面（相当于UBM的上表面被焊球覆盖）；低介电常数膜布线层叠构造部3及钝化膜7的侧面实质上形成一个面，并有密封膜15覆盖。
由上述对比可知，权利要求12与对比文件2相比其区别技术特征为：包括在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部；UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔；设备的侧部包括第二绝缘层的侧部；UBM的上表面被模塑层覆盖；第二绝缘层在第一金属重分布层与保护设备的装置之间并且与二者直接接触；第二绝缘层的侧部与包括保护设备的装置外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开用于保护的装置的一部分。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：覆盖并绝缘金属重分布层。
从发明构思的角度看，关于本申请，其要解决现有技术中管芯中低k电介质受应力影响容易破裂进而导致管芯破裂的技术问题；采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中，模塑层还覆盖切割槽的侧壁；可以达到防止管芯破裂的技术效果。关于对比文件2，其解决现有技术中半导体装置中低介电常数膜机械强度低和容易受到水分影响的技术问题，也采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中模塑层也覆盖切割槽的侧壁；也可以达到防止管芯破裂的技术效果，另外可以达到防止水气影响的技术效果。可见，本申请的发明构思已被对比文件2公开。
本申请与对比文件2的主要区别在于，形成模塑层和形成焊球的顺序不同。具体的，本申请是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、第二绝缘层、UBM层以及焊球，最后形成模塑层，而对比文件2是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、UBM层后先形成模塑层，最后形成焊球。对比文件2的技术方案中由于先形成模塑层，因此模塑层可以同时起到第二绝缘层的作用，因此不需要在金属重分布层上再形成第二绝缘层。然而，是否形成第二绝缘层并不影响该技术方案解决其技术问题，进而达到其技术效果。
本领域技术人员选择在形成焊球之后再形成模塑层、也就是用于保护设备防止其在切割工艺期间破裂的装置是在对比文件2的基础上进行的常规改进，可以预期其技术效果。在此基础上，需先在金属重分布层上形成第二绝缘层，其与金属重分布层接触，与后续形成的模塑层也接触，UBM则经由其上开口与金属重分布层耦合且被模塑层覆盖，该第二绝缘层与第一绝缘层一样也可以具有切割槽经过的侧壁，在后续形成模塑层时模塑层将与该侧壁接触。因此权利要求1与对比文件2的区别，即该设备包括在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部，UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔，设备的侧部包括第二绝缘层的侧部，UBM的上表面被模塑层覆盖，第二绝缘层在第一金属重分布层与用于保护的设备之间并且与二者直接接触，第二绝缘层的侧部与包括用于保护的设备外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开用于保护的设备的一部分等上述区别技术特征均为本领域技术人员在对比文件2基础上结合本领域常用技术手段进行的常规改进。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域常用技术手段得到权利要求12请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求12不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求13-21不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13-21对权利要求12进一步限定。对比文件2公开了（参见说明书第5页第3段至第7页第1段、图1）：在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；在钝化膜7的上表面形成由聚酰亚胺类树脂构成的上层绝缘膜9；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15。对比文件2也公开了半导体装置为便携式电子设备。本领域技术人员根据对比文件2公开的内容可以直接地、毫无疑义地确定密封膜覆盖半导体器件的至少侧部，从而金属层和介电层的至少一者，钝化膜的侧部以及上层绝缘膜的侧部被密封膜覆盖，密封膜和至少一个介电层的材料不同，且密封膜的材料比至少一介电层的材料不易碎裂。而用透明环氧树脂作为模塑层、即用于保护的装置属于本领域的常用技术手段。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域的常用技术手段，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。
5、权利要求22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求22请求保护一种提供半导体器件的方法，对比文件2公开了一种半导体装置及其制造方法，并具体公开了（参见说明书第5页第3段至第9页第6段、图1-12）如下技术特征：准备硅基板1（相当于提供基板）；在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；设有与上述集成电路的各元件连接的连接焊盘2；在硅基板1的上表面除了连接焊盘2的外侧的周边部以外的区域上，设有用于连接上述集成电路的各元件的低介电常数膜布线层叠构造部3，包括多层低介电常数膜4与布线5（相当于提供耦合到基板的多个金属层和介电层）；最上层的布线5的连接焊盘部5a配置在最上层的低介电常数膜4的上表面周边部（相当于提供耦合到多个金属层之一的焊盘）；在最上层的布线5及最上层的低介电常数膜4的上表面，设有钝化膜7（相当于提供在多个金属层和介电层的表面上并且耦合到焊盘的钝化层）；在钝化膜7上设有开口部8；在钝化膜7的上表面设有上层绝缘膜9（相当于在钝化层与第一重分布层之间的第一绝缘层）；上层绝缘膜9上设有开口部10；上层绝缘膜9的上表面，设有上层布线11（相当于提供在钝化层上且耦合到焊盘的第一金属重分布层）；在上层布线11的连接焊盘部上表面，设有柱状电极14（相当于提供耦合到第一金属重分布层的UBM层）；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15（相当于提供覆盖半导体器件的第一表面，半导体器件的至少侧部以及UBM层的一部分的模塑层），以使其上表面比柱状电极14的上表面高；在密封膜的阶差部16内及其上侧，焊锡球17（相当于耦合到UBM层的焊球）设置为连接至柱状电极14的上表面（相当于UBM的上表面被焊球覆盖）；低介电常数膜布线层叠构造部3及钝化膜7的侧面实质上形成一个面，并有密封膜15覆盖。
由上述对比可知，权利要求22与对比文件2相比其区别技术特征为：提供在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部；UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔；半导体器件的侧部包括第二绝缘层的侧部；UBM的上表面被模塑层覆盖；第二绝缘层在第一金属重分布层与模塑层之间并且与二者直接接触；第二绝缘层的侧部与包括模塑层外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开模塑层的一部分。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：覆盖并绝缘金属重分布层。
从发明构思的角度看，关于本申请，其要解决现有技术中管芯中低k电介质受应力影响容易破裂进而导致管芯破裂的技术问题；采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中，模塑层还覆盖切割槽的侧壁；可以达到防止管芯破裂的技术效果。关于对比文件2，其解决现有技术中半导体装置中低介电常数膜机械强度低和容易受到水分影响的技术问题，也采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中模塑层也覆盖切割槽的侧壁；也可以达到防止管芯破裂的技术效果，另外可以达到防止水气影响的技术效果。可见，本申请的发明构思已被对比文件2公开。
本申请与对比文件2的主要区别在于，形成模塑层和形成焊球的顺序不同。具体的，本申请是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、第二绝缘层、UBM层以及焊球，最后形成模塑层，而对比文件2是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、UBM层后先形成模塑层，最后形成焊球。对比文件2的技术方案中由于先形成模塑层，因此模塑层可以同时起到第二绝缘层的作用，因此不需要在金属重分布层上再形成第二绝缘层。然而，是否形成第二绝缘层并不影响该技术方案解决其技术问题，进而达到其技术效果。
本领域技术人员选择在形成焊球之后再形成模塑层是在对比文件2的基础上进行的常规改进，可以预期其技术效果。在此基础上，需先在金属重分布层上形成第二绝缘层，其与金属重分布层接触，与后续形成的模塑层也接触，UBM则经由其上开口与金属重分布层耦合且被模塑层覆盖，该第二绝缘层与第一绝缘层一样也可以具有切割槽经过的侧壁，在后续形成模塑层时模塑层将与该侧壁接触。因此权利要求1与对比文件2的区别，即该半导体器件包括在第一金属重分布层之上的第二绝缘层，其包括由凹槽形成的侧部，UBM层在第二绝缘层之上并经由其中的腔，半导体器件的侧部包括第二绝缘层的侧部，UBM的上表面被模塑层覆盖，第二绝缘层在第一金属重分布层与模塑层之间并且与二者直接接触，第二绝缘层的侧部与包括模塑层外部侧壁和多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开模塑层的一部分等上述区别技术特征均为本领域技术人员在对比文件2基础上结合本领域常用技术手段进行的常规改进。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域常用技术手段得到权利要求22请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求22不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求23-33不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求23-33对权利要求1进一步限定。对比文件2公开了（参见说明书第5页第3段至第7页第1段、图1）：在硅基板1的上表面，设有预定功能的集成电路，包括晶体管、二极管、电阻、电容器等元件；在钝化膜7的上表面形成由聚酰亚胺类树脂构成的上层绝缘膜9；在硅基板1、低介电常数膜布线层叠构造部3、钝化膜7及上层绝缘膜9的周侧面以及包括上层布线11在内的上层绝缘膜9的上表面，设置由环氧树脂构成的密封膜15。对比文件2也公开了半导体装置为便携式电子设备。本领域技术人员根据对比文件2公开的内容可以直接地、毫无疑义地确定密封膜覆盖半导体器件的至少侧部，从而金属层和介电层的至少一者，钝化膜的侧部以及上层绝缘膜的侧部被密封膜覆盖，密封膜和至少一个介电层的材料不同，且密封膜的材料比至少一介电层的材料不易碎裂。另外，在本领域技术人员对对比文件2的技术方案进行常规改进形成第二绝缘层的基础上，第二绝缘层的侧部被模塑层覆盖属于本领域的常用技术手段。同时，用透明环氧树脂作为模塑层也属于本领域的常用技术手段。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域的常用技术手段，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。
三、关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人在答复复审通知书时陈述的意见，合议组认为：
从发明构思的角度看，本申请要解决现有技术中管芯中低k电介质受应力影响容易破裂进而导致管芯破裂的技术问题；采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中，模塑层还覆盖切割槽的侧壁；可以达到防止管芯破裂的技术效果。对比文件2解决现有技术中半导体装置中低介电常数膜机械强度低和容易受到水分影响的技术问题，也采用了在管芯上方形成模塑层的技术方案，其中模塑层也覆盖切割槽的侧壁；也可以达到防止管芯破裂的技术效果，另外可以达到防止水气影响的技术效果。可见，本申请的发明构思已被对比文件2公开。
本申请与对比文件2的区别在于：本申请在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、第二绝缘层、UBM层以及焊球，最后形成模塑层，而对比文件2是在形成焊盘、第一绝缘层、金属重分布层、UBM层后先形成模塑层，最后形成焊球。对比文件2的技术方案中由于先形成模塑层，因此模塑层可以同时起到第二绝缘层的作用，因此不需要在金属重分布层上再形成第二绝缘层。而在本领域中先形成焊球再形成模塑层属于常规工艺，因此本领域技术人员在对比文件2的基础上进行改进，想到先形成焊球再形成模塑层是显而易见的，并可以预期其技术效果。在此基础上，需先在金属重分布层上形成第二绝缘层，该第二绝缘层与第一绝缘层一样具有切割槽经过的侧壁，在后续形成模塑层时模塑层将与该侧壁接触。同时，模塑层覆盖焊球下方的UBM层也是芯片中常规结构，属于本领域的常用技术手段。因此权利要求1与对比文件2的区别特征，即该半导体器件包括第二绝缘层、第二绝缘层的侧部包括模塑层外部侧壁、多个金属层和介电层的外部侧壁两者的平面间隔开模塑层的一部分以及UBM上表面被模塑层覆盖均为本领域技术人员在对比文件2基础上结合本领域常用技术手段进行的常规改进。
可见，权利要求1相对于对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备创造性。基于类似理由，权利要求12和22也均不具备创造性。
因此，复审请求人陈述的理由相对于现有证据不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月23日针对201480028867.6号发明专利申请作出的驳回决定。
根据专利法第41条第2款的规定，如对本复审请求审查决定不服，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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