发明创造名称：侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构及方法
外观设计名称：
决定号：183854
决定日：2019-07-11
委内编号：1F262832
优先权日：
申请（专利）号：201510700193.6
申请日：2015-10-23
复审请求人：宁波芯健半导体有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗崇举
合议组组长：杨丽丽
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L23/31,H01L23/28,H01L21/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且其在该对比文件中所起作用与其在该权利要求中为实际解决其技术问题所起的作用相同，另一部分区别技术特征属于本领域的常用技术手段，在上述最接近现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510700193.6，名称为“侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构及方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为宁波芯健半导体有限公司，申请日为2015年10月23日，公开日为2016年02月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月03日发出驳回决定，以本申请权利要求1-9不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，其具体理由是：（1）独立权利要求1请求保护一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其与对比文件1（CN1333919A，公开日为2002年01月30日）的区别在于：晶圆的电极面上设有第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起。该区别特征被对比文件2（CN102280433A，公开日为2011年12月14日）公开，权利要求1相对于对比文件1和对比文件2的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。（3）独立权利要求5请求保护一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其与对比文件2的区别在于：在晶圆的背面和侧壁制作第二绝缘保护层，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起，使得晶圆的侧面和背面完全被绝缘层保护。该区别特征被对比文件1公开，权利要求5相对于对比文件2和对比文件1的结合不具备创造性。（4）从属权利要求6-9的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2015年10月23日提交的权利要求第1-9项、说明书第0001-0041段、说明书附图图1-11、说明书摘要以及摘要附图。
驳回决定针对的权利要求书如下：
“1. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，包括晶圆(100)，所述晶圆(100)的电极面上设有第一绝缘保护层(200)，所述第一绝缘保护层(200)在电极导通部(101)处设有缺口，其特征在于，所述晶圆(100)的侧壁和背面设有第二绝缘保护层(700)，所述第二绝缘保护层(700)与第一绝缘保护层(200)连在一起。
2. 根据权利要求1所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘保护层(200)的厚度为0.5-15μm。
3. 根据权利要求1所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其特征在于，所述第二绝缘保护层(700)的厚度为3-50μm。
4. 根据权利要求1所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其特征在于，所述电极导通部(101)上设有导电线路层(300)，所述导电线路层(300)上设有用于导电的凸点(400)。
5. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在晶圆的电极面制作第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口；
(2)在晶圆的划片槽区域进行预切割，切割出一沟槽；
(3)在晶圆的电极面上进行贴膜，通过磨片工艺将晶圆背面减薄到预定的厚度，并让单颗芯片分离开来；
(4)在晶圆的背面和侧壁制作第二绝缘保护层，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起，使得晶圆的侧面和背面完全被绝缘层保护；
(5)将晶圆与膜进行分离，得到单颗背面带有绝缘保护的芯片封装结构。
6. 根据权利要求5所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述步骤(1)和步骤(2)之间还包括在电极导通部上制作导电线路层，并在导电线路层上制作用于导电的凸点的步骤。
7. 根据权利要求5所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述第一绝缘保护层的厚度为0.5-15μm。
8. 根据权利要求5所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述第二绝缘保护层的厚度为3-50μm。
9. 根据权利要求5所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述沟槽的深度为15-500μm。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月15日向国家知识产权局提出复审请求，同时修改了权利要求书，其中在独立权利要求1中进一步限定“所述电极导通部（101）的下部延伸至所述晶圆（100）内部”、“（所述第二绝缘保护层（700）与第一绝缘保护层（200）连在一起）且部分重叠”，在独立权利要求5中进一步限定“所述电极导通部的下部延伸至所述晶圆内部，所述第一绝缘保护层填充晶圆的切片槽”、“所述沟槽的宽度小于所述切片槽的宽度”、（第二绝缘保护层与第一绝缘保护层“部分重叠”。复审请求人陈述意见认为：对比文件2仅公开了在晶圆正面设置延伸至端面的钝化层，本领域技术人员即使结合对比文件和公知常识，通过推导也无法得出正面保护层与侧面保护层相连并部分重叠的技术方案。对比文件2的电极衬垫不能相当于本申请的电极导通部。
复审请求人于2018年10月15日提交的权利要求1和5为：
“1. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，包括晶圆(100)，所述晶圆(100)的电极面上设有第一绝缘保护层(200)，所述第一绝缘保护层(200)在电极导通部(101)处设有缺口，其特征在于，所述电极导通部(101)的下部延伸至所述晶圆(100)内部，所述晶圆(100)的侧壁和背面设有第二绝缘保护层(700)，所述第二绝缘保护层(700)与第一绝缘保护层(200)连在一起且部分重叠。”
“5. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在晶圆的电极面制作第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，所述电极导通部的下部延伸至所述晶圆内部，所述第一绝缘保护层填充晶圆的划片槽；
(2)在晶圆的划片槽区域进行预切割，切割出一沟槽，所述沟槽的宽度小于所述切片槽的宽度；
(3)在晶圆的电极面上进行贴膜，通过磨片工艺将晶圆背面减薄到预定的厚度，并让单颗芯片分离开来；
(4)在晶圆的背面和侧壁制作第二绝缘保护层，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起且部分重叠，使得晶圆的侧面和背面完全被绝缘层保护；
(5)将晶圆与膜进行分离，得到单颗背面带有绝缘保护的芯片封装结构。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件2第73段明确公开了“所述钝化层101用于保护下方的芯片以及部分芯片焊垫 102”，且与本申请的作用相同。（2）对比文件1和本申请的侧面和背面保护层均是在切片之后将芯片放置在载体上的时候形成的，工艺步骤相同；对比文件1和对比文件2之间工艺顺序并无冲突，正面保护层的边缘刚好与侧面保护层连接，因此本领域技术人员能够得到正面的保护层与侧面的保护层相连。（3）正面保护层与侧面保护层相连并部分重叠以提升密封性能是本领域技术人员容易得到的常规结构。（4）嵌入衬底的电极衬垫也是半导体领域的常规结构。因此坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月28日发出复审通知书，引用与驳回决定相同的对比文件，指出权利要求1-9不符合专利法第22条第3款的规定。具体理由为：（1）独立权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。（3）独立权利要求5相对于对比文件1、对比文件2和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）从属权利要求6-9的附加技术特征或被对比文件1、对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此均不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年04月12日提交了复审程序意见陈述书，同时修改了权利要求书，其修改涉及：在独立权利要求1中补入技术特征“所述第一绝缘保护层(200)的外侧面与所述晶圆(100)的侧壁齐平，所述晶圆(100)的侧壁上开设有与所述第一绝缘保护层(200)的端部形状相匹配的台阶；所述电极导通部(101)上设有导电线路层(300)，所述导电线路层(300)的一端填充所述缺口且与所述电极导通部(101)连接，所述导电线路层(300)的另一端上设有用于导电的凸点(400)”；在独立权利要求4（原独立权利要求5）中补入技术特征“其中，所述步骤(1)和步骤(2)之间还包括在电极导通部上制作导电线路层，并在导电线路层上制作用于导电的凸点的步骤；其中，所述导电线路层的一端填充所述缺口且与所述电极导通部连接，所述导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点”，并将其中的步骤（2）“在晶圆的划片槽区域进行预切割，切割出一沟槽，所述沟槽的宽度小于所述切片槽的宽度”修改为“在晶圆的划片槽区域及填充在划片槽内的第一绝缘保护层处进行预切割，切割出一沟槽，所述沟槽的宽度小于所述划片槽的宽度，所述沟槽的深度大于所述划片槽的深度”；删除了原从属权利要求4和6。复审请求人陈述意见认为：（1）本申请通过将第一绝缘保护层填充至宽而浅的切片槽中，之后对切片槽和第一绝缘保护层进行切割，形成窄而深的沟槽，可以减少在切割分离芯片的过程中引入新的切割应力，提高芯片的强度，避免芯片制作过程中出现裂片的问题。（2）本申请通过设置第一绝缘保护层，并与第二绝缘保护层连接和部分重叠，使得芯片的密封性更佳，不存在间隙，避免芯片制作过程中裂片。（3）本申请通过第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，电极导通部的下部延伸至晶圆内部，且导电线路层的一端填充缺口且与电极导通部连接，导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点，使得封装厚度可以降低，实现晶圆薄化。
复审请求人于2019年04月12日提交的权利要求书为：
“1. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，包括晶圆(100)，所述晶圆(100)的电极面上设有第一绝缘保护层(200)，所述第一绝缘保护层(200)在电极导通部(101)处设有缺口，其特征在于，所述电极导通部(101)的下部延伸至所述晶圆(100)内部，所述晶圆(100)的侧壁和背面设有第二绝缘保护层(700)，所述第二绝缘保护层(700)与第一绝缘保护层(200)连在一起且部分重叠；
所述第一绝缘保护层(200)的外侧面与所述晶圆(100)的侧壁齐平，所述晶圆(100)的侧壁上开设有与所述第一绝缘保护层(200)的端部形状相匹配的台阶；
所述电极导通部(101)上设有导电线路层(300)，所述导电线路层(300)的一端填充所述缺口且与所述电极导通部(101)连接，所述导电线路层(300)的另一端上设有用于导电的凸点(400)。
2. 根据权利要求1所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其特征在于，所述第一绝缘保护层(200)的厚度为0.5-15μm。
3. 根据权利要求1所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构，其特征在于，所述第二绝缘保护层(700)的厚度为3-50μm。
4. 一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在晶圆的电极面制作第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，所述电极导通部的下部延伸至所述晶圆内部，所述第一绝缘保护层填充晶圆的划片槽；
(2)在晶圆的划片槽区域及填充在划片槽内的第一绝缘保护层处进行预切割，切割出一沟槽，所述沟槽的宽度小于所述划片槽的宽度，所述沟槽的深度大于所述划片槽的深度；
(3)在晶圆的电极面上进行贴膜，通过磨片工艺将晶圆背面减薄到预定的厚度，并让单颗芯片分离开来；
(4)在晶圆的背面和侧壁制作第二绝缘保护层，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起且部分重叠，使得晶圆的侧面和背面完全被绝缘层保护；
(5)将晶圆与膜进行分离，得到单颗背面带有绝缘保护的芯片封装结构；
其中，所述步骤(1)和步骤(2)之间还包括在电极导通部上制作导电线路层，并在导电线路层上制作用于导电的凸点的步骤；其中，所述导电线路层的一端填充所述缺口且与所述电极导通部连接，所述导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点。
5. 根据权利要求4所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述第一绝缘保护层的厚度为0.5-15μm。
6. 根据权利要求4所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述第二绝缘保护层的厚度为3-50μm。
7. 根据权利要求4所述的侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法，其特征在于，所述沟槽的深度为15-500μm。”
在上述程序的基础上，合议组经仔细阅卷并充分合议后，认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年04月12日答复复审通知书时提交了权利要求书修改替换页（共包括权利要求第1-7项），经审查，其修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定针对的审查文本为：复审请求人于2019年04月12日提交的权利要求第1-7项；于申请日2015年10月23日提交的说明书第0001-0041段、说明书附图图1-11、说明书摘要以及摘要附图。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征被另一篇对比文件公开，且其在该对比文件中所起作用与其在该权利要求中为实际解决其技术问题所起的作用相同，另一部分区别技术特征属于本领域的常用技术手段，在上述最接近现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定引用与驳回决定和复审通知书相同的对比文件，为：
对比文件1：公开号为CN1333919A，公开日为2002年01月30日；
对比文件2：公开号为CN102280433A，公开日为2011年12月14日。
1、关于权利要求1
权利要求1请求保护一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装结构。对比文件1公开了一种集成电路芯片保护方法，其中公开了该集成电路芯片保护器件的结构，并具体公开了（参见说明书4页第29行至第6页第25行，附图1-7）如下技术特征：切割其上设有集成电路芯片100的硅晶片10；把分开的芯片100（相当于晶圆）用粘接剂固定在一起；把集成电路芯片100工作面朝下方放在支架110上；给放在支架110上的芯片100的背面104上加绝缘材料150；绝缘材料150沿芯片100的侧面106流动以覆盖和保护侧面（相当于所述晶圆的侧壁和背面设有第二绝缘保护层）。
该权利要求与对比文件1的区别技术特征为：晶圆的电极面上设有第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，电极导通部的下部延伸至晶圆内部，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起且部分重叠，第一绝缘保护层的外侧面与晶圆的侧壁齐平，晶圆的侧壁上开设有与所述第一绝缘保护层的端部形状相匹配的台阶；电极导通部上设有导电线路层，导电线路层的一端填充缺口且与电极导通部连接，导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点。基于上述区别技术特征，该权利要求相比于对比文件1实际解决的技术问题为：保护芯片正面并电连接。
对比文件2公开了一种晶圆级芯片封装结构，并具体公开了（参见说明书第0070-0087段，附图3-8）如下技术特征：提供初始晶圆107，初始晶圆107一侧的表面上形成有多个芯片焊垫102；初始晶圆107内通常形成有多个芯片，相邻的芯片之间具有切割道，切割道用于将初始晶圆107切割为多个分离的芯片；芯片焊垫102（相当于导电线路层）用于芯片与外部电连接；在初始晶圆107形成有芯片焊垫102一侧的表面还形成有钝化层101（相当于晶圆的电极面上设有第一绝缘保护层）；钝化层101用于保护下方的芯片及部分芯片焊垫102；钝化层101部分覆盖芯片焊垫102，裸露的部分芯片焊垫102用于与后续形成的焊球（相当于导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点）电连接（相当于第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，导电线路层的一端填充缺口）。可见，部分区别技术特征已被对比文件2公开，且其在该对比文件中所起的作用与该技术特征在该权利要求中为实际解决其技术问题所起的作用相同，均为保护芯片正面，因此本领域技术人员从对比文件2中得到切割晶圆前在其正面形成第一绝缘保护层的技术启示以改进对比文件1的技术方案是显而易见的。由于对比文件2也公开了芯片之间具有切割道，因此芯片正面保护层的材料进入切割道，从而在切割后附着与芯片侧面是显而易见的。在此基础上，芯片侧面的保护层与其正面的保护层接触并部分重叠则属于常规结构，可见，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起且部分重叠属于本领域技术人员在此基础上进行的常规改进。另外，常规芯片中均会包括电路及其连接端子，芯片正面具有电极导通部并且该电极导通部的下部延伸至晶圆内部、上部与芯片焊垫连接属于本领域技术人员熟知的知识，可见，电极导通部的下部延伸至晶圆内部且上部与导电线路层连接属于本领域的常规技术手段。另外，在将晶圆切割成分立芯片时，先进行预切割再进行完全切割属于常规手段，本领域技术人员在对比文件2的基础上可以选择预切割后即形成保护层，也可以选择完全切割后再形成保护层，上述两种技术手段对本领域技术人员而言都是显而易见的，在进行预切割后即形成保护层时，保护层的外侧面与晶圆的侧壁齐平，晶圆的侧壁上开设有与保护层的端部形状相匹配的台阶是本领域技术人员在对比文件2基础上进行的常规改进。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、关于权利要求2-3
权利要求2-3对权利要求1进一步限定。对比文件1公开了（参见说明书第6页第24-25行）：沉积在芯片侧面上的绝缘材料层的厚度为5-10微米（与第二绝缘保护层厚度的数值范围3-50微米部分重叠）。同时，在半导体领域，本领域技术人员根据器件需要，采用常规实验手段，通过有限试验得到第一绝缘保护层的厚度为0.5-15μm是显而易见的，不需要付出创造性劳动。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的常用技术手段，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于权利要求4
权利要求4请求保护一种侧壁及背面带有绝缘保护的芯片封装方法。对比文件1公开了一种集成电路芯片保护方法，并具体公开了（参见说明书4页第29行至第6页第25行，附图1-7）如下技术特征：切割其上设有集成电路芯片100的硅晶片10；把分开的芯片100（相当于晶圆）用粘接剂固定在一起；把集成电路芯片100工作面朝下方放在支架110上（相当于在晶圆的电极面进行贴膜）；支架110由另外的能降解的粘接剂构成；给放在支架110上的芯片100的背面104上加绝缘材料150；绝缘材料150沿芯片100的侧面106流动以覆盖和保护侧面（相当于在晶圆的侧壁和背面制作第二绝缘保护层，使得晶圆的侧面和背面完全被绝缘层保护）；施加绝缘材料150后，取下芯片100；芯片100从支架100脱离取下（相当于将晶圆与膜进行分离，得到单颗背面带有绝缘保护的芯片封装结构）。
该权利要求与对比文件1的区别技术特征为：在晶圆的电极面制作第一绝缘保护层，第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，电极导通部的下部延伸至晶圆内部，第一绝缘保护层填充晶圆的划片槽；在电极导通部上制作导电线路层，在导电线路层上制作用于导电的凸点；其中导电线路层的一端填充缺口且与电极导通部连接，导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点；在晶圆的切片槽区域及填充在划片槽内的第一绝缘保护层处进行预切割，切割出沟槽，沟槽的宽度小于划片槽的宽度，沟槽的深度大于划片槽的深度；贴膜后通过磨片工艺将晶圆背面减薄到预定的厚度让单颗芯片分离开来。基于上述区别技术特征，该权利要求相比于对比文件1实际解决的技术问题为：保护芯片正面并电连接。
对比文件2公开了一种晶圆级芯片封装结构，并具体公开了（参见说明书第0070-0087段，附图3-8）如下技术特征：提供初始晶圆107，初始晶圆107一侧的表面上形成有多个芯片焊垫102；初始晶圆107内通常形成有多个芯片，相邻的芯片之间具有切割道，切割道用于将初始晶圆107切割为多个分离的芯片（相当于在晶圆的切片槽区域切割，切割出一沟槽）；芯片焊垫102（相当于导电线路层）用于芯片与外部电连接；在初始晶圆107形成有芯片焊垫102一侧的表面还形成有钝化层101（相当于在晶圆的电极面制作第一绝缘保护层）；钝化层101用于保护下方的芯片及部分芯片焊垫102；钝化层101部分覆盖芯片焊垫102，裸露的部分芯片焊垫102用于与后续形成的焊球（相当于导电线路层的另一端上设有用于导电的凸点）电连接（相当于第一绝缘保护层在电极导通部处设有缺口，导电线路层的一端填充缺口；对初始晶圆107远离芯片焊垫102的一侧的表面进行减薄，形成减薄晶圆100；减薄晶圆100的厚度范围为30-70微米。可见，部分区别技术特征已被对比文件2公开，且其在该对比文件中所起的作用与该技术特征在该权利要求中为实际解决其技术问题所起的作用相同，均为保护芯片正面，因此本领域技术人员从对比文件2中得到切割晶圆前在其正面形成第一绝缘保护层的技术启示以改进对比文件1的技术方案是显而易见的。对比文件2公开了芯片之间具有切割道，而在将晶圆切割成分立芯片时，先进行预切割再进行完全切割属于本领域的常规技术手段，本领域技术人员在对比文件2的基础上可以选择预切割后即形成保护层，也可以选择完全切割后再形成保护层，上述两种技术手段对本领域技术人员而言都是显而易见的，在进行预切割后即形成保护层时，第一绝缘保护层填充在划片槽内，第一绝缘保护层填充切割道从而在切割后附着于芯片侧面，后续用于完全切割的切割沟槽小于划片槽的宽度，深度大于划片槽的深度是本领域技术人员在对比文件2基础上进行的常规改进。在此基础上，芯片侧面的保护层与其正面的保护层接触并部分重叠则属于常规结构，可见，第二绝缘保护层与第一绝缘保护层连在一起且部分重叠属于本领域技术人员在此基础上进行的常规改进。另外，常规芯片中均会包括电路及其连接端子，芯片正面具有电极导通部并且该电极导通部的下部延伸至晶圆内部、上部与芯片焊垫连接属于本领域技术人员熟知的知识，可见，电极导通部的下部延伸至晶圆内部且上部与导电线路层连接属于本领域的常规技术手段。
由此可知，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域常用技术手段得到该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、关于权利要求5-7
权利要求5-7对权利要求4进一步限定。对比文件1公开了（参见说明书第6页第24-25行）：沉积在芯片侧面上的绝缘材料层的厚度为5-10微米（与第二绝缘保护层厚度的数值范围3-50微米部分重叠）。同时，在半导体领域，本领域技术人员根据器件需要，采用常规实验手段，通过有限试验得到第一绝缘保护层的厚度为0.5-15μm，沟槽深度15-500微米是显而易见的，不需要付出创造性劳动。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的常用技术手段，因此当其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人在答复复审通知书时陈述的意见，合议组的意见如下：
本申请解决芯片侧面没有保护导致漏电失效的技术问题，采用在芯片侧壁及背面设置绝缘保护层的技术方案，达到了防止芯片在封装或贴装过程中漏电的技术效果。同时，在本申请中，由于背面和侧面通过一体化的第二绝缘保护层进行完全保护，没有间隙，在制作过程中不易裂片。对比文件1公开了在芯片侧壁及背面形成绝缘保护层的技术方案，可以解决相同的技术问题，同样可以达到防止芯片封装过程中漏电以及制作过程中裂片的技术效果，且其中形成绝缘保护层的方法也相同，可见本申请的技术构思已被对比文件1公开。
权利要求1与对比文件1的区别包括在芯片正面也具有绝缘保护层，在此基础上还包括切割分离芯片之前在预切割槽内填充了绝缘保护层，正面和侧面的绝缘保护层部分重叠；另外权利要求1还包括电极导通部。然而，对比文件2公开了在芯片正面设置绝缘保护层，可见，主要区别已被对比文件2公开。
关于绝缘保护层填充至切片槽中：在将晶圆切割成分立芯片时，先进行预切割再进行完全切割属于本领域的常规技术手段，本领域技术人员在对比文件2的基础上可以选择预切割后即形成正面绝缘保护层，也可以选择完全切割后再形成正面绝缘保护层，上述两种技术手段对本领域技术人员而言都是显而易见的；在进行预切割后即形成绝缘保护层时，绝缘保护层将填充至切片槽内，这是本领域技术人员在对比文件2基础上进行的常规改进。至于后续为完全切割晶片形成分立芯片的沟槽是窄而深的沟槽是本领域技术人员熟知的，属于本领域的常用技术手段。
关于第一和第二绝缘保护层部分重叠：该技术特征实际上是因为形成第一绝缘保护层时其填充进入切片槽，后续切割时在切片槽内保留了部分第一绝缘保护层所带来的结构特征，然而，对比文件2已经公开了芯片正面具有切片槽，尽管对比文件2没有公开明确记载绝缘保护层填充切片槽，但是，通常来说，除了特殊情况要避免保护层进入切片槽之外，形成绝缘保护层时其进入切片槽是常规情况，同时，切割晶片时形成的沟槽比切片槽窄也是本领域技术人员熟知的技术手段。在此基础上，填充进入切片槽的第一绝缘保护层在切割后仍有部分保留在沟槽内，在芯片侧面形成第二绝缘保护层时二者即部分重叠，上述技术特征对本领域技术人员而言是显而易见的。
关于电极导通部：尽管对比文件1和对比文件2均未公开该技术特征，但是，芯片上具有电路和/或器件，电路和/或器件上具有连接端子是本领域技术人员熟知的知识，为了使连接端子与外部电连接，在其上方形成焊垫再形成焊球也是本领域技术人员熟知的知识，这是一个常规芯片所具有的基本部件。因此芯片正面具有电极导通部，电极导通部的下部延伸至晶圆内部属于本领域的公知常识。
综上，复审请求人陈述的理由不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月03日针对201510700193.6号发明专利申请作出的驳回决定。
根据专利法第41条第2款的规定，如对本复审请求审查决定不服，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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