发明创造名称：晶体管结构及其制作方法
外观设计名称：
决定号：183758
决定日：2019-07-10
委内编号：1F261450
优先权日：2014-02-18
申请（专利）号：201410077873.2
申请日：2014-03-05
复审请求人：纬创资通股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：马泽宇
合议组组长：罗慧晶
参审员：周忠堂
国际分类号：H01L29/786,H01L23/552,H01L21/336
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，然而，上述区别特征是本领域的技术人员基于本领域的公知常识所容易想到的，则该权利要求所请求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410077873.2，名称为“晶体管结构及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为纬创资通股份有限公司，申请日为2014年03月05日，优先权日为2014年02月18日，公开日为2015年08月19日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年07月17日发出驳回决定，以权利要求9不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定为由驳回了本发明专利申请。驳回决定在其他说明部分继续指出：权利要求1-8，10-24不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。驳回决定所依据的文本为申请人于2018年06月20日提交的权利要求第1-24项，于申请日2014年03月05日提交的说明书第1-14页、说明书附图第1-4页、说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种晶体管结构，包括：
栅极，配置于一基板上；
绝缘层；
图案化半导体层，位于该栅极与该基板之间，该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
源极以及一漏极，彼此分离，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；以及
光吸收层，直接接触该栅极，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长，且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。
2. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该光吸收层的吸收光谱波长由290nm至900nm。
3. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该光吸收层的片电阻值介于1012欧姆/单位面积至1015欧姆/单位面积之间。
4. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该光吸收层的材质包括黑色光致抗蚀剂或可吸收光线波长的深色材料，其中黑色光致抗蚀剂中的添加物包括染料、碳黑以及钛金属上述材料的任一。
5. 如权利要求1所述的晶体管结构，还包括一保护层，覆盖该栅极以及该绝缘层，该栅极位于该保护层与该绝缘层之间。
6. 如权利要求5所述的晶体管结构，其中该保护层位于该光吸收层与该基板之间。
7. 如权利要求5所述的晶体管结构，其中该绝缘层具有第一开口，该保护层具有第二开口，该第一开口与该第二开口连通以暴露出该漏极的一部分。
8. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该绝缘层具有开口，该开口暴露出该漏极的一部分。
9. 一种晶体管结构，包括：
栅极，配置于一基板上；
绝缘层；
图案化半导体层，该栅极位于该图案化半导体层与该基板之间，该栅极的面积重叠该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
源极以及一漏极，彼此分离，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；以及
光吸收层，其下表面仅直接接触该图案化半导体层，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长，且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。
10. 如权利要求9所述的晶体管结构，还包括保护层，该保护层覆盖该图案化半导体层、该源极以及部分该漏极。
11. 如权利要求10所述的晶体管结构，其中该保护层位于该光吸收层与该基板之间。
12. 如权利要求10所述的晶体管结构，其中该保护层具有开口，该开口暴露另一部分该漏极。
13. 如权利要求1或9所述的晶体管结构，其中该图案化半导体层的材质包括有机半导体材料或无机半导体材料。
14. 如权利要求1或9所述的晶体管结构，其中该图案化半导体层的材质包括氧化物半导体材料。
15. 如权利要求1或9所述的晶体管结构，其中该基板为可挠性基板。
16. 如权利要求1或9所述的晶体管结构，其中该源极与该漏极接触于该图案化半导体层的接近该基板的一侧。
17. 如权利要求1或9所述的晶体管结构，其中该源极与该漏极接触于该图案化半导体层的远离该基板的一侧。
18. 一种晶体管结构的制作方法，包括：
在一基板上形成一栅极；
形成一绝缘层以及一图案化半导体层，该图案化半导体层位于该栅极与该基板之间，该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
形成彼此分离的一源极以及一漏极，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；以及
形成一光吸收层，使其直接接触该栅极，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长，且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。
19. 如权利要求18所述的晶体管结构的制作方法，其中该光吸收层是以干式制作工艺以及湿式制作工艺其中一者制作的。
20. 如权利要求19所述的晶体管结构的制作方法，其中该湿式制作工艺包括在该基板上进行涂布法。
21. 如权利要求19所述的晶体管结构的制作方法，其中该湿式制作工艺包括在卷对卷设备中进行涂布法。
22. 如权利要求19所述的晶体管结构的制作方法，其中该干式制作工艺包括物理沉积法以及化学沉积法其中一者。
23. 如权利要求18所述的晶体管结构的制作方法，其中该图案化半导体层以干式制作工艺以及湿式制作工艺其中一者制作的。
24. 如权利要求23所述的晶体管结构的制作方法，其中该干式制作工艺在一真空设备中进行。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件1：CN101897031A，公开日为2010年11月24日；
对比文件2：US2007/0090365A1，公开日为2007年04月26日。
驳回决定指出：独立权利要求9与对比文件2的区别在于：光吸收层，其下表面仅直接接触该图案化半导体层；光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。基于上述区别技术特征，确定其实际解决的技术问题是如何获得具有光吸收层的底栅底接触薄膜晶体管。而上述区别技术特征是本领域的公知常识。因此，权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定在其他部分继续指出：（1）独立权利要求1与对比文件2的区别在于：图案化半导体层，位于该栅极与该基板之间；该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积；光吸收层，直接接触该栅极，且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。基于上述区别技术特征，确定其实际解决的技术问题是如何获得具有光吸收层的顶栅型薄膜晶体管。上述区别技术特征是本领域的公知常识。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）独立权利要求18与对比文件2的区别在于：图案化半导体层位于该栅极与该基板之间；该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积；形成一光吸收层，使其直接接触该栅极，且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐。基于该区别技术特征，确定其实际解决的技术问题是如何获得具有光吸收层的顶栅型薄膜晶体管。上述区别技术特征是本领域的公知常识。因此，权利要求18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）权利要求2，14-15，17的附加技术特征被对比文件2所公开，权利要求3-8，12，16，19-24的附加技术特征属于本领域的公知常识，权利要求10-11的附加技术特征被对比文件1所公开并给出结合启示，权利要求13的部分附加技术特征被对比文件2所公开，剩余的部分附加技术特征属于本领域的公知常识，因此，权利要求2-8，10-17，19-24不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年09月21日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-24项），修改内容包括将独立权利要求9中的“且该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐”修改为“且该光吸收层的轮廓与该图案化半导体层的轮廓切齐”。
提交复审请求时新修改的权利要求9内容如下：
“9. 一种晶体管结构，包括：
栅极，配置于一基板上；
绝缘层；
图案化半导体层，该栅极位于该图案化半导体层与该基板之间，该栅极的面积重叠该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
源极以及一漏极，彼此分离，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；以及
光吸收层，其下表面仅直接接触该图案化半导体层，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长，且该光吸收层的轮廓与该图案化半导体层的轮廓切齐。”
复审请求人认为：1、对于权利要求1，权利要求1与对比文件2的区别技术特征“该光吸收层的轮廓与该栅极的轮廓切齐”并非本领域的公知常识，由于对比文件2中栅极6006的面积小于有源层6002的面积，在此基础之上，若将遮光层6007与栅极6006的轮廓切齐，遮光层6007将无法防止入射光进入有源层6002未被遮蔽的部分，这将与对比文件2的发明目的相违背。由于本申请中“光吸收层的轮廓与栅极的轮廓切齐”的结构特点并结合“光吸收层直接接触栅极”的位置特点，进而本申请在晶体管的制作过程中，可利用相同的光掩模图案化两个材料层来形成光吸收层与栅极，从而获得“减少一道光掩模的使用、简化制作工艺、节约制作成本”等预料不到的技术效果。2、对于权利要求9，其与对比文件2的区别技术特征在于“光吸收层的下表面仅直接接触该图案化半导体层，且该光吸收层的轮廓与该图案化半导体层的轮廓切齐”。上述区别技术特征并非本领域的公知常识。由于本申请具有“光吸收层的下表面仅直接接触该图案化半导体层，且该光吸收层的轮廓与该图案化半导体层的轮廓切齐”的结构特点，进而本申请在晶体管的制作过程中，可利用相同的光掩模图案化两个材料层来形成光吸收层与图案化半导体层，从而获得“减少一道光掩模的使用、简化制作工艺、节约制作成本”等预料不到的技术效果。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年09月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：驳回决定中引用对比文件2的第二实施例所对应的图4A作为最接近的现有技术来评述权利要求1，并未引用对比文件2图6的内容作为最接近的现有技术；独立权利要求1，9，18和对比文件2的区别技术特征均属于本领域的公知常识；权利要求1和9为产品权利要求，并不包含具体的制备方法，复审请求人认定的预料不到的技术效果并不成立。因而，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求6，11，17不符合专利法第33条的规定；权利要求1-3，5，7-9，13-16，18-24相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备创造性；权利要求4，10，12相对于对比文件2，对比文件1和本领域公知常识的结合不具备创造性；假设复审请求人克服了权利要求6，11，17不符合专利法第33条的规定的问题，由于权利要求6和17的附加技术特征属于本领域的公知常识，权利要求11的附加技术特征被对比文件1所公开并给出结合启示，权利要求6，11，17也不具备专利法第22条第3条规定的创造性。
复审请求人于2019年03月28日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-20项）。修改内容包括：在权利要求1中将具体限定图案化半导体层和光吸收层的部分技术特征删除，增加“以及保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间”的技术特征，并进行适应性文字修改。在权利要求18中将具体限定图案化半导体层和光吸收层的部分技术特征删除，增加“以及形成一保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间”的技术特征, 并进行适应性文字修改。将权利要求5修改为“6.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该保护层覆盖该栅极以及该绝缘层”。新增权利要求5“5.如权利要求1所述的晶体管结构，其中该图案化半导体层位于该栅极与该基板之间”。删除原权利要求6，9-12，并对权利要求7，13-24的序号和/或引用关系进行适应性修改。
答复复审通知书时新修改的权利要求1，5-6，14内容如下：
“1. 一种晶体管结构，包括：
栅极，配置于一基板上；
绝缘层；
图案化半导体层，该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
源极以及漏极，彼此分离，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；
光吸收层，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长；以及
保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间。”
“5. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该图案化半导体层位于该栅极与该基板之间。
6. 如权利要求1所述的晶体管结构，其中该保护层覆盖该栅极以及该绝缘层。”
“14. 一种晶体管结构的制作方法，包括：
在一基板上形成一栅极；
形成一绝缘层以及一图案化半导体层，该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积，该绝缘层位于该栅极与该图案化半导体层之间；
形成彼此分离的一源极以及一漏极，且该源极与该漏极接触于该图案化半导体层；
形成一光吸收层，该图案化半导体层位于该光吸收层以及该基板之间，且该光吸收层的面积覆盖该图案化半导体层的面积，其中该光吸收层的吸收光谱波长涵盖该图案化半导体层的吸收光谱波长；以及
形成一保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间。”
复审请求人认为：（1）修改后的权利要求1符合专利法第33条的规定；（2）由于本申请具有“保护层”以及其设置特点，即栅极位于该保护层与绝缘层之间，且保护层位于光吸收层与基板之间，也就是说，在保护层上形成该光吸收层，故不会影响栅极，起到保护栅极结构的功效，并且可在光吸收层150为导体的情况下，电绝缘光吸收层与栅极，从而保持晶体管良好的性能。因此，权利要求1及其从属权利要求2-13具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）权利要求14及其从属权利要求15-20也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年03月28日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-20项。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：复审请求人于2019年03月28日提交的权利要求第1-20项，于申请日2014年03月05日提交的说明书第1-14页、说明书附图第1-4页、说明书摘要和摘要附图。
关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，然而，上述区别特征是本领域的技术人员基于本领域的公知常识所容易想到的，则该权利要求所请求保护的技术方案不具备创造性。
本复审请求审查决定引用与驳回决定和复审通知书相同的对比文件，即：
对比文件1：CN101897031A，公开日为2010年11月24日；
对比文件2：US2007/0090365A1，公开日为2007年04月26日。
2-1、权利要求1请求保护一种晶体管结构，对比文件2公开了一种场效应晶体管，并具体公开了以下内容（参见说明书第43-52段，图4A）：包括：栅极1060，配置于基板1000上；绝缘层1050；图案化的有源层1020（即图案化半导体层），绝缘层1050位于栅极1060和图案化的有源层1020之间；源极1030和漏极1040，彼此分离且接触于所述图案化的有源层1020；遮光层4090，可以通过吸收光线实现光的遮蔽，相当于光吸收层，所述图案化的有源层1020位于遮光层4090和基板1000之间，且该遮光层4090的面积覆盖所述图案化的有源层1020的面积，其中，所述遮蔽层4090的吸收光谱波长覆盖400-800nm，其涵盖了所述图案化的有源层1020的吸收光谱波长。
由此可见，权利要求1和对比文件2的区别技术特征在于：保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间；栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积。
基于上述区别技术特征可以确定权利要求1实际所要解决的问题分别是：如何形成顶栅型晶体管并对其进行保护以及如何进一步提高遮光效果。
顶栅结构和底栅结构均属于薄膜晶体管的常规结构，在对比文件2所公开的底栅结构晶体管的基础之上，本领域的技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得顶栅结构晶体管，其中，栅极位于栅绝缘层之上；在晶体管结构的上面形成保护层以对其进行保护也属于本领域惯用的技术手段，在形成保护层时，本领域的技术人员容易想到使其形成在光吸收层和晶体管结构之间或者使其形成在光吸收层之上，这并不需要付出创造性的劳动即可获得。本领域的技术人员在将保护层形成在光吸收层和顶栅结构晶体管之间时，栅极即位于保护层和栅绝缘层之间，保护层即位于光吸收层和基板之间。
在薄膜晶体管中，覆盖于图案化半导体层之上的各层薄膜（比如底栅结构晶体管中形成于有源层之上的源极和漏极、顶栅结构晶体管中形成于有源层之上的栅极等）常常对光线具有一定的吸收或遮挡作用，出于提高上述各层薄膜遮光效果的考虑，本领域的技术人员容易想到增大其面积以使其在更大区域上起到遮光作用。对于顶栅结构晶体管而言，本领域的技术人员将容易想到增大栅极的面积以提高其遮光效果，具体地使栅极的面积完全遮挡图案化半导体层的面积属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域惯用的技术手段得出权利要求1所请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2引用权利要求1，为了获得更好的光吸收效果，本领域的技术人员容易想到使光吸收层具有更宽的吸收波长范围，具体地选择其吸收光谱波长的范围是290nm至900nm属于本领域的常规选择。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求3引用权利要求1，对比文件2已经公开了（参见说明书第75段）：遮光层可由橡胶形成。在对比文件2的基础之上，本领域的技术人员容易选取光吸收层的片电阻为1012-1015欧姆/单位面积，这并不需要付出创造性的劳动即可获得。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求4引用权利要求1，对比文件1公开了一种晶体管结构，其包括遮光层（参见说明书第172-175段）：所述遮光层优选使用在波长500nm以下区域具有很大的吸收的材料，比如将碳或Ti分散于光致抗蚀剂的树脂团块，从而对比文件1给出了采用添加有碳或Ti的光致抗蚀剂形成遮光层的技术启示。另外，选择深色或黑色的光致抗蚀剂形成遮光层以及采用染料或碳黑作为添加剂均属于本领域的常规技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5、权利要求5-6均引用权利要求1，在对比文件2所公开的底栅结构晶体管的基础之上，本领域的技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得顶栅结构晶体管，即使图案化半导体层位于栅极和基板之间；另外，在晶体管结构的上面形成保护层以对晶体管结构进行保护也属于本领域惯用的技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求5-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6、权利要求7引用权利要求6，权利要求8引用权利要求1，在栅绝缘层和保护层上设置开口以露出部分漏极从而方便像素电极和漏极电连接属于本领域惯用的技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求7-8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-7、权利要求9-11均引用权利要求1，对比文件2已经公开了（参见说明书93、95、113段）：有源层为非晶氧化物层，具体可以为In-Ga-Zn系非晶氧化物；基板1000可以为可挠性基板。采用有机半导体材料形成晶体管的有源层属于本领域惯用的技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求9-11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-8、权利要求12-13均引用权利要求1，对比文件2已经公开了（参见图4A）：源极1030和漏极1040接触于图案化的有源层1020远离基板1000的一侧。使源、漏极接触于有源层的下表面（即接近基板的一侧）属于本领域惯用的技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求12-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-9、权利要求14请求保护一种晶体管结构的制作方法，对比文件2公开了一种场效应晶体管的制作方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第43-52段，图4A）：包括：在基板1000上形成栅极1060；形成绝缘层1050和图案化的有源层1020（即图案化半导体层），绝缘层1050位于栅极1060和图案化的有源层1020之间；形成彼此分离的源极1030和漏极1040，该源极1030和漏极1040接触于所述图案化的有源层1020；以及形成遮光层4090，所述遮光层4090可以通过吸收光线实现光的遮蔽，相当于光吸收层。图案化的有源层1020位于遮光层4090和基板1000之间，且遮光层4090的面积覆盖所述图案化的有源层1020的面积，其中，所述遮蔽层4090的吸收光谱波长覆盖400-800nm，其涵盖了所述图案化的有源层1020的吸收光谱波长。
由此可见，权利要求14和对比文件2的区别技术特征在于：形成一保护层，其中该栅极位于该保护层与该绝缘层之间，且该保护层位于该光吸收层与该基板之间；该栅极的面积完全遮挡该图案化半导体层的面积。
基于上述区别技术特征可以确定权利要求14实际所要解决的问题分别是：如何形成顶栅型晶体管并对其进行保护以及如何进一步提高遮光效果。
顶栅结构和底栅结构均属于薄膜晶体管的常规结构，在对比文件2所公开的底栅结构晶体管的基础之上，本领域的技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得顶栅结构晶体管，其中，栅极位于栅绝缘层之上；在晶体管结构的上面形成保护层以对其进行保护也属于本领域惯用的技术手段，在形成保护层时，本领域的技术人员容易想到使其形成在光吸收层和晶体管结构之间或者使其形成在光吸收层之上，这并不需要付出创造性的劳动即可获得。本领域的技术人员在将保护层形成在光吸收层和顶栅结构晶体管之间时，栅极即位于保护层和栅绝缘层之间，保护层即位于光吸收层和基板之间。
在薄膜晶体管中，覆盖于图案化半导体层之上的各层薄膜（比如底栅结构晶体管中形成于有源层之上的源极和漏极、顶栅结构晶体管中形成于有源层之上的栅极等）常常对光线具有一定的吸收或遮挡作用，出于提高上述各层薄膜遮光效果的考虑，本领域的技术人员容易想到增大其面积以使其在更大区域上起到遮光作用。对于顶栅结构晶体管而言，本领域的技术人员将容易想到增大栅极的面积以提高其遮光效果，具体地使栅极的面积完全遮挡图案化半导体层的面积属于本领域的常规技术手段。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域惯用的技术手段得出权利要求14所请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求14所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-10、权利要求15引用权利要求14，权利要求16-18均引用权利要求15，采用湿法工艺，比如在卷对卷设备中进行涂布的方法或者采用干法工艺，比如物理沉积或化学沉积来形成光吸收层属于本领域常规的薄膜制备工艺。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求15-18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-11、权利要求19引用权利要求14，权利要求20引用权利要求19，对比文件2已经公开了（参见说明书第95-96段）：有源层为In-Ga-Zn系氧化物层，其在真空腔室内采用溅射的方法形成。采用湿法工艺形成有源层属于本领域惯用的技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求19-20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见
针对复审请求人答复复审通知书的意见，合议组认为：
顶栅结构和底栅结构均属于薄膜晶体管的常规结构，在对比文件2所公开的底栅结构晶体管的基础之上，本领域的技术人员并不需要付出创造性的劳动即可获得顶栅结构晶体管，其中，栅极位于栅绝缘层之上。在晶体管结构的上面形成保护层以对其进行保护属于本领域惯用的技术手段，其所取得的技术效果也是本领域的技术人员可以预期的，在形成保护层时，本领域的技术人员容易想到选择使其形成在光吸收层和晶体管结构之间，或者使其形成在光吸收层之上。本领域的技术人员在将保护层形成在光吸收层和顶栅结构晶体管之间时，栅极即位于保护层和栅绝缘层之间，保护层即位于光吸收层和基板之间。位于光吸收层和顶栅结构晶体管之间的保护层对晶体管起保护作用，其避免光吸收层不良影响的技术效果是可以预期的。
综上所述，复审请求人所陈述的理由合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月17日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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