发明创造名称：磁性随机访问存储器及其制造方法
外观设计名称：
决定号：183671
决定日：2019-07-10
委内编号：1F274291
优先权日：
申请（专利）号：201410325809.1
申请日：2014-07-09
复审请求人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：裴亚芳
合议组组长：白燕
参审员：杨燕
国际分类号：H01L27/22，H01L23/528，H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征为该项权利要求的技术方案带来了有益的技术效果，则该项权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410325809.1，名称为“磁性随机访问存储器及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，申请日为2014年07月09日，公开日为2016年02月17日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年11月02日发出驳回决定，以权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年07月09日提交的权利要求第1-12项、说明书附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图；2014年08月08日提交的说明书第1-7页。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种磁性随机访问存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；
介质层，覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
通孔，位于所述外围区内的介质层中；
互连线沟槽，分布于所述单元区和外围区内，其中，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；
上层互连结构，填充在所述通孔和互连线沟槽内。
2. 根据权利要求1所述的磁性随机访问存储器，其特征在于，所述介质层为叠层结构，包括：
刻蚀停止层，覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
低k材料层，覆盖所述刻蚀停止层。
3. 根据权利要求1所述的磁性随机访问存储器，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为掺碳氮化硅，所述低k材料层的材料为黑钻石。
4. 根据权利要求1所述的磁性随机访问存储器，其特征在于，所述半导体衬底内具有下层互连结构，该下层互连结构分布于所述单元区和外围区内，其中，位于所述单元区内的下层互连结构与所述磁隧道结的底部电连接，位于所述外围区的下层互连结构与所述上层互连结构电连接。
5. 一种磁性随机访问存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；
在所述半导体衬底上形成介质层，该介质层覆盖所述单元区、外围区以及磁 隧道结；
对所述介质层进行刻蚀，以形成通孔和互连线沟槽，其中，所述通孔仅分布于所述外围区内，所述互连线沟槽分布于所述单元区和外围区内，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；
在所述通孔和互连线沟槽中填充导电材料，以形成上层互连结构。
6. 根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，在刻蚀形成所述互连线沟槽时，通过控制刻蚀时间来控制刻蚀厚度以避免沉陷。
7. 根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，形成所述通孔和互连线沟槽的方法包括：
刻蚀所述外围区内的介质层，以在所述外围区内形成所述通孔；
刻蚀所述外围区和单元区内的介质层，以在所述单元区和外围区内形成所述互连线沟槽。
8. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，形成所述介质层包括：
形成刻蚀停止层，该刻蚀停止层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
形成低k材料层，该低k材料层覆盖所述刻蚀停止层。
9. 根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在形成所述通孔之前还包括：将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度。
10. 根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度包括：
对所述低k材料层进行平坦化处理，至暴露出覆盖在所述磁隧道结顶部的刻蚀停止层；
在平坦化后的低k材料层上沉积低k材料以使得该低k材料层的厚度增大，至所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度为该预设厚度。
11. 根据权利要求7至10中任一项所述的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材料为掺碳氮化硅，所述低k材料层的材料为黑钻石。
12. 根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述半导体衬底内具有下层互连结构，该下层互连结构分布于所述单元区和外围区内，其中，位于所述单元区内的下层互连结构与所述磁隧道结的底部电连接，位于所述外围区的下层互连结构与所述上层互连结构电连接。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：US 2005199925A1，公开日为2005年09月15日。
驳回决定的具体理由是：独立权利要求1、5与对比文件1的区别技术特征在于：位于单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出磁隧道结的顶部。该区别技术特征属于本领域的公知常识。从属权利要求2-4、6-12的附加技术特征或被对比文件1公开或属于本领域的公知常识。因此，权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对申请人的意见陈述，驳回决定认为：首先，对比文件1导电覆盖层16形成在MTJ元件上，MTJ元件通过覆盖层16与字线25连接，覆盖层16是一层起互连作用的结构层，MTJ元件通过覆盖层16与字线25连接或者直接连接，都属于本领域常规的选择，此时，位于单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出磁隧道结的顶部。其次，本申请背景技术部分（附图4-5），在形成通孔151、152的刻蚀过程中，单元区的通孔151、外围电路区的通孔152都是通过刻蚀去除黑钻石层14和掺碳氮化硅层13得到的，只是外围电路区的黑钻石层14更厚，不存在申请人所述的“外围电路区有阻挡层的存在，刻蚀时间加长，而单元区中没有阻挡层，会刻蚀过量而形成沉陷”的问题。第三，对比文件1已经公开了权利要求中限定的所有材料层，只多了覆盖层16，介质材料采用本领域常见的介电常数更低的疏松材料属于本领域的常规选择；权利要求中并没有限定MTJ元件的形状，即使进一步限定，根据需要调整MTJ元件的形状属于本领域常规的选择。第四，根据本申请的记载（参见说明书第[0047]段），在MTJ上方不形成通孔能够避免通孔沉陷，对比文件1中在MTJ元件上方仅形成互连线沟槽20而不形成通孔17，同样能避免通孔沉陷，达到与本申请相同的技术效果。本申请中背景技术的技术方案若不在单元区形成通孔，即会形成“MTJ元件的顶部直接与互连线沟槽内的上层互连结构电连接”的结构，对比文件1仅多了覆盖层16，覆盖层16的存在不会导致通孔沉陷问题，并且，本领域技术人员根据需要可以选择省略该层。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月18日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-12项），具体修改如下：在独立权利要求1中补入“所述介质层包括刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结”的特征，删除原从属权利要求2中与该技术特征对应的特征；将独立权利要求5 “对所述介质层进行刻蚀，以形成通孔和互连线沟槽，其中，所述通孔仅分布于所述外围区内，所述互连线沟槽分布于所述单元区和外围区内”修改为“对所述介质层进行刻蚀，先在所述外围区形成通孔，再在所述单元区内和外围区内形成互连线沟槽”。复审请求人认为：1）从对比文件1说明书第[0021]-[0022]段可知，盖层16厚度减小会导致MTJ元件侧面暴露而短路，本领域技术人员没有动机去掉避免短路作用的盖层16而使导电层25与MTJ元件直接连接。2）权利要求1中进一步限定“刻蚀停止层覆盖磁隧道结”，刻蚀停止层能够对磁隧道结的两侧形成保护层，而对比文件1 MTJ元件上的绝缘层18会被去除，其两侧失去了保护，在后续通孔17刻蚀过程中如果没有光阻层27B的保护，绝缘层15会被刻蚀而导致MTJ元件侧面暴露而发生短路。3）本申请权利要求5先形成通孔后形成互连线沟槽，避免了通孔蚀刻对MTJ元件的影响，而对比文件1先形成互连线沟槽20后形成通孔17，需要额外的保护层及步骤（使用光刻胶掩模27B），增加了工艺复杂度。
提出复审请求时新提交的权利要求1、2、5的内容如下：
“1. 一种磁性随机访问存储器，其特征在于，包括：
半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；
介质层，覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结，所述介质层包括刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
通孔，位于所述外围区内的介质层中；
互连线沟槽，分布于所述单元区和外围区内，其中，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；
上层互连结构，填充在所述通孔和互连线沟槽内。”
“2. 根据权利要求1所述的磁性随机访问存储器，其特征在于，所述介质层为叠层结构，还包括：
低k材料层，覆盖所述刻蚀停止层。”
“5. 一种磁性随机访问存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；
在所述半导体衬底上形成介质层，该介质层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
对所述介质层进行刻蚀，先在所述外围区形成通孔，再在所述单元区内和外围区内形成互连线沟槽，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；
在所述通孔和互连线沟槽中填充导电材料，以形成上层互连结构。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见通知书中认为：1）对比文件1公开了“采用绝缘层18作为刻蚀停止层时，过刻蚀量小，MTJ元件不会被暴露（参见说明书第[0072]-[0073]段），盖层16厚度太大容易导致写电流不能有效地作用于MTJ元件。因此，省略盖层16不会导致MTJ元件侧壁被暴露而短路，本领域技术人员有动机省略盖层16以更好的写数据。2）对比文件1公开了“MTJ元件的侧壁不能暴露，以防止短路”，为了防止MTJ元件侧壁被暴露，将“刻蚀阻挡层18在MTJ元件上的开口20设置成较小，从而刻蚀阻挡层18覆盖MTJ元件的侧壁”是容易得到的。3）先形成通孔后形成沟槽或者先形成沟槽后形成通孔都是本领域形成双嵌式互连结构的常规选择，对比文件1中先形成沟槽后形成通孔，不会造成额外的工艺步骤，因为采用形成通孔的光阻层27B作为保护暴露出的MTJ元件的保护层，不需要额外形成保护层，通孔刻蚀的过程不会对MTJ产生影响。因而，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
复审请求人于2019年06月24日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-5项），具体修改如下：在复审请求提交修改文本的基础上，将原从属权利要求8-10的附加技术特征补入到原独立权利要求5中形成新的独立权利要求1，删除原权利要求1-4、8-10，适应性修改权利要求序号和引用关系。复审请求人认为：补入到原独立权利要求5中的特征构成了相对于对比文件1的区别技术特征，修改后的权利要求1相对于对比文件1具备创造性，其从属权利要求2-5也具备创造性。修改后的权利要求1的内容如下：
“1. 一种磁性随机访问存储器的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，该半导体衬底包括并列的单元区和外围区，所述单元区上形成有磁隧道结；
在所述半导体衬底上形成介质层，该介质层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
对所述介质层进行刻蚀，先在所述外围区形成通孔，再在所述单元区内和外围区内形成互连线沟槽，位于所述单元区内的互连线沟槽的底部直接暴露出所述磁隧道结的顶部，位于所述外围区内的互连线沟槽与所述通孔连通；
在所述通孔和互连线沟槽中填充导电材料，以形成上层互连结构；
其中，形成所述介质层包括：
形成刻蚀停止层，该刻蚀停止层覆盖所述单元区、外围区以及磁隧道结；
形成低k材料层，该低k材料层覆盖所述刻蚀停止层；
在形成所述通孔之前还包括：将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度；
将所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度包括：
对所述低k材料层进行平坦化处理，至暴露出覆盖在所述磁隧道结顶部的刻蚀停止层；
在平坦化后的低k材料层上沉积低k材料以使得该低k材料层的厚度增大，至所述磁隧道结上方的低k材料层的厚度为该预设厚度。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年06月24日提交了权利要求书的全文修改替换页。经审查，该修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：2019年06月24日提交的权利要求第1-5项；2014年08月08日提交的说明书第1-7页；申请日2014年07月09日提交的说明书附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征为该项权利要求的技术方案带来了有益的技术效果，则该项权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定引用驳回决定中引用的对比文件，即：
对比文件1：US 2005199925A1，公开日为2005年09月15日。
2-1、权利要求1请求保护一种磁性随机访问存储器的制造方法。对比文件1公开了一种磁性随机访问存储器的制造方法(参见说明书第[0047]-[0100]段，附图8、10-16)：包括：提供硅衬底11（即半导体衬底），该硅衬底11包括并列的单元区和外围区，单元区上形成有磁隧道结，磁隧道结包括MTJ元件及其顶部的导电盖层16（参见对比文件1说明书第[0099]段）（本申请说明书第[0060]段记载“磁隧道结22可以包括磁隧道结层以及分别位于磁隧道结层上、下的上电极和下电极”，因此，对比文件1的MTJ元件、导电盖层16分别相当于本申请的磁隧道结层、磁隧道结层上的上电极，即MTJ元件顶部的导电盖层16属于磁隧道结)；在硅衬底11上形成由绝缘层15、刻蚀停止层18和绝缘层19构成的介质层，该介质层覆盖单元区、外围区以及磁隧道结；对介质层中的绝缘层19和刻蚀停止层18进行刻蚀，先在单元区和外围区内形成互连线沟槽20，接着在外围区形成通孔17，位于单元区内的互连线沟槽20的底部直接暴露出磁隧道结的导电盖层16的顶部，位于外围区内的互连线沟槽20与通孔17连通；在通孔17和互连线沟槽20中填充导电材料，形成上层互连结构22、25；其中，形成介质层包括：形成绝缘层15，覆盖单元区、外围区以及磁隧道结，执行CMP工艺，使得绝缘层15表面与磁隧道结顶部的导电盖层16齐平；形成刻蚀停止层18，覆盖单元区、外围区以及磁隧道结；形成氧化硅材料的绝缘层19（氧化硅为低k材料，相当于低K材料层），覆盖刻蚀停止层18。
该权利要求请求保护的技术方案相对于对比文件1的区别技术特征在于：1）先在外围区形成通孔，再在单元区内和外围区内形成互连线沟槽；2）在形成通孔之前还包括：将磁隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度，其步骤包括：对低k材料层进行平坦化处理，至暴露出覆盖在磁隧道结顶部的刻蚀停止层；在平坦化后的低k材料层上沉积低k材料以使得该低k材料层的厚度增大，至磁隧道结上方的低k材料层的厚度为该预设厚度。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件1实际解决的技术问题是： 1）通孔及互连线沟槽的形成顺序；2）精确控制蚀刻避免通孔沉陷。
对于区别技术特征1），虽然对比文件1先在单元区内和外围区内形成互连线沟槽20，接着在外围区形成通孔17（参见附图10-12），而先在外围区形成通孔，再在单元区内、外围区内形成互连线沟槽，属于形成互连结构的常规双镶嵌工艺，与对比文件1的工艺相比，并未额外增加工艺步骤，其技术效果为本领域技术人员所知晓，并未取得任何预料不到的技术效果。
对于区别技术特征2），本申请形成磁隧道结22后，在磁隧道结22表面覆盖共形的刻蚀停止层23，然后，形成厚的低k材料层24，对低k材料层24进行平坦化处理，至暴露出覆盖在磁隧道结顶部的刻蚀停止层23而形成平坦表面，继续沉积低k材料以使得该低k材料层24的厚度增大，至磁隧道结22上方的低k材料层24为预设厚度，由于磁隧道结22上方的低k材料层24的厚度被调整为预设厚度，能够精确地控制蚀刻时间而准确地将低k材料层24及其下方的蚀停止层23刻穿，避免过蚀刻影响磁隧道结22顶部表面形貌而导致通孔沉陷。对比文件1形成磁隧道结后，先形成绝缘层15并执行CMP工艺，使得其表面与MTJ元件顶部的导电盖层16齐平而形成平坦的表面，再在该平坦的表面上形成的刻蚀停止层18和氧化硅绝缘层19，接着进行后续的互连线沟槽20和通孔17的蚀刻工艺。由于氧化硅绝缘层19和刻蚀停止层18形成于平坦的表面上，其厚度即沉积厚度，能够精确控制其厚度而使得能够精确控制互连线沟槽20蚀刻工艺中的蚀刻时间，避免过蚀刻导致MTJ元件暴露，在此基础上，若对氧化硅绝缘层19进行平坦化处理至暴露出刻蚀停止层18并继续沉积氧化硅绝缘层19至预设厚度，即需要去除所沉积的全部氧化硅绝缘层19再重新生长预设厚度的氧化硅绝缘层19，这增加了不必要的工艺步骤，导致工艺成本增加，且“去除氧化硅绝缘层19”的步骤存在“影响刻蚀停止层18的表面形貌，进而影响重新生长的氧化硅绝缘层19的质量”等不良影响，因而本领域技术人员不会考虑通过上述步骤来将磁隧道结顶部的氧化硅绝缘层19调整到预设厚度。由此可见，对比文件1的磁性随机访问存储器与本申请的磁性随机访问存储器在结构上存在差异，本领域技术人员没有动机经由上述区别技术特征2）对应的步骤来将隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度，即对比文件1没有给出相应的技术启示。并且，采用上述区别技术特征2）对应的步骤将隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度也不是本领域的公知常识，同时，该区别技术特征2）使得权利要求1的技术方案产生了有益的技术效果：通过将磁隧道结22上方的低k材料层24的厚度调整为预设厚度，在蚀刻互连线沟槽的工艺中，能够精确控制蚀刻时间而能够准确地将低k材料层24及其下方的蚀停止层23刻穿，避免过蚀刻影响磁隧道结22顶部的表面形貌而导致通孔沉陷。
基于上述理由，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是非显而易见的，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、在独立权利要求1具备创造性的情况下，直接引用其的从属权利要求2-5同样具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、针对驳回决定和前置审查相关意见的答复
对于驳回决定和前置审查意见，合议组认为：本申请形成磁隧道结22后，先在磁隧道结22表面覆盖共形的刻蚀停止层23，接着形成厚的低k材料层24，对低k材料层24进行平坦化处理，至暴露出覆盖在MTJ元件顶部的刻蚀停止层23而形成平坦表面，继续沉积低k材料至磁隧道结22上方的低k材料层24的厚度为预设厚度，如此能够精确控制蚀刻时间而准确地将低k材料层24及其下方的蚀停止层23刻穿，避免过蚀刻影响磁隧道结22顶面表面形貌而导致通孔沉陷。对比文件1形成磁隧道结后，形成绝缘层15并执行CMP工艺，使得绝缘层15表面与磁隧道结顶部盖层16齐平而形成平坦的表面，之后在该平坦的表面上形成的刻蚀停止层18和氧化硅绝缘层19。首先，对比文件1的磁性随机访问存储器与本申请的磁性随机访问存储器在结构上存在差异，本领域技术人员不会考虑通过“去除所沉积的全部氧化硅绝缘层19至暴露出覆盖在磁隧道结顶部的刻蚀停止层18并重新生长预设厚度的氧化硅绝缘层19”的方式来将磁隧道结顶部的氧化硅绝缘层19调整到预设厚度，即没有动机经由上述区别技术特征2）对应的步骤来将隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度，具体理由参见决定理由具体评述部分。其次，对比文件1背景技术的技术方案中，绝缘层15与MTJ元件顶部的盖层16一起形成平坦的表面，在该平坦的表面上形成绝缘层19，蚀刻绝缘层19在单元区形成互连线沟槽20。其中，盖层16厚度过大会导致写电流不能有效的作用MTJ元件，因而期望减小盖层16的厚度，但盖层16的厚度若过小，互连线沟槽蚀刻工艺中容易过蚀刻导致MTJ元件侧壁暴露而引起MTJ元件短路。为解决该技术问题，对比文件1在绝缘层15与MTJ元件顶部的盖层16的平坦表面上形成刻蚀停止层18，再形成绝缘层19，如此避免过蚀刻而导致MTJ元件暴露而短路，其中，绝缘层19和刻蚀停止层18形成于平坦的表面上，其厚度即沉积厚度，能够精确控制其厚度而使得能够精确控制互连线沟槽20蚀刻工艺中的蚀刻时间而避免过蚀刻。由此可见，对比文件1的技术方案能够解决所要解决的技术问题并达到预期的技术效果，没有给出任何有关调换绝缘层15和刻蚀停止层18形成顺序的技术教导，本领域技术人员不会考虑调换绝缘层15和刻蚀停止层18的形成顺序，即使调换绝缘层15和刻蚀停止层18的形成顺序，通常会选择如同本申请背景技术中那样，执行CMP工序至绝缘层15的顶部平坦即可，没有动机执行CMP工序至暴露出刻蚀停止层23并沉积氧化硅绝缘层19至预设厚度。再者，采用上述区别技术特征2）对应的步骤将隧道结上方的低k材料层的厚度调节为预设厚度不是本领域的公知常识，并且，该区别技术特征2）使得权利要求1的技术方案产生了有益的技术效果：能够通过精确控制蚀刻时间而能够准确地将低k材料层24及其下方的蚀停止层23刻穿，避免过蚀刻影响磁隧道结22顶部表面形貌而导致通孔沉陷。
综上所述，本申请修改后的权利要求克服了驳回决定所指出的缺陷。至于本申请是否存在其它不符合专利法和专利法实施细则规定的缺陷，由后续程序继续审查。
基于以上事实和理由，合议组现依法作出以下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11月02日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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