发明创造名称：成像装置和电子设备
外观设计名称：
决定号：183439
决定日：2019-07-10
委内编号：1F268288
优先权日：2013-05-24
申请（专利）号：201610970914.X
申请日：2014-05-16
复审请求人：索尼公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐国祥
合议组组长：赵致民
参审员：赵中琴
国际分类号：H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征没有被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的存在使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610970914.X，名称为“成像装置和电子设备”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为索尼公司。本申请是申请号为2014102088125、申请日为2014年05月16日的母案的分案申请，分案申请递交日为2016年10月28日，优先权日为2013年05月24日，公开日为2017年06月13日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月28日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-30不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：分案申请递交日2016年10月28日提交的说明书摘要、说明书第1-21页、说明书附图第1-15页、摘要附图，2018年02月27日提交的权利要求第1-30项。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
2. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述第一金属区域在取决于各个像素中接收到的光的波长的方向上从像素边界偏移。
3. 根据权利要求1所述的成像装置，还包括：
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有开口且被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽。
4. 根据权利要求3所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的开口被所述遮光膜完全覆盖。
5. 根据权利要求1所述的成像装置，还包括：
设置在所述第一侧的光接收侧的各颜色的滤色器，所述滤色器被构图形成为所述滤色器的中心对应于各个像素的中心。
6. 根据权利要求1所述的成像装置，还包括：
设置在所述第一侧的光接收侧的片上透镜，所述片上透镜被构图形成为所述片上透镜的中心对应于各个像素的中心。
7. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域朝着被布置为在水平方向上与所述第一沟槽区域相邻的像素组中的一个像素在水平方向上偏移，所述一个像素与所述像素组中的其它像素相比接收更长波长的光。
8. 根据权利要求7所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的中心埋入有遮光膜。
9. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域被形成为具有阶梯形式的线宽，所述线宽在所述光入射侧增大。
10. 根据权利要求9所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的位于所述光入射侧的至少一部分是从像素边界偏移的。
11. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域朝着被布置为在水平方向上与所述第一沟槽区域相邻的像素组中的一个像素在水平方向上偏移，所述一个像素与所述像素组中的其它像素相比接收更短波长的光。
12. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述半导体基板包括分割区域，所述分割区域包括位于像素边界处的杂质区域，所述分割区域在垂直方向上从所述第二侧延伸至所述第一沟槽区域。
13. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一沟槽区域的内部没有遮光膜。
14. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，所述第一沟槽区域、遮光膜和片上透镜被放置在相对于所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元偏移的位置处，以将灵敏度入射角布置为使所述成像装置免于着色。
15. 根据权利要求14所述的成像装置，其中，所述遮光膜上的入射光的渐晕在多个像素中的至少三个不同颜色像素之间是相同的。
16. 根据权利要求1所述的成像装置，还包括被布置在所述半导体基板中的第三沟槽区域，所述第三沟槽区域在水平方向上从遮光膜偏移向的一侧与所述第一沟槽区域从所述遮光膜偏移的一侧是相同的。
17. 根据权利要求1所述的成像装置，还包括被布置在所述半导体基板中的第三沟槽区域，所述第三沟槽区域在水平方向上从遮光膜偏移的量与所述第一沟槽区域从所述遮光膜偏移的量是相同的。
18. 根据权利要求16所述的成像装置，其中，所述第三沟槽区域从所述遮光膜偏移的量与所述第一沟槽区域从所述遮光膜偏移的量是相同 的。
19. 根据权利要求18所述的成像装置，其中，所述第一沟槽区域的内部没有所述遮光膜。
20. 一种电子设备，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；
第二开口，对应于第二滤色器；和
光学系统，将入射光引导至所述光入射侧，
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
21. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第 二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
其中，
所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的距离量与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的距离量不同，
所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
22. 根据权利要求21所述的成像装置，其中，
所述第一金属区域在取决于各个像素中接收到的光的波长的方向上从像素边界偏移。
23. 根据权利要求21所述的成像装置，还包括：
遮光膜，包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有开口且被构图形成为具有以像素边 界作为中心的线宽。
24. 根据权利要求23所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的开口被所述遮光膜完全覆盖。
25. 根据权利要求21所述的成像装置，还包括：
设置在所述第一侧的光接收侧的各颜色的滤色器，所述滤色器被构图形成为所述滤色器的中心对应于各个像素的中心。
26. 根据权利要求21所述的成像装置，还包括：
设置在所述第一侧的光接收侧的片上透镜，所述片上透镜被构图形成为所述片上透镜的中心对应于各个像素的中心。
27. 根据权利要求21所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域朝着被布置为在水平方向上与所述第一沟槽区域相邻的像素组中的一个像素在水平方向上偏移，所述一个像素与所述像素组中的其它像素相比接收更长波长的光。
28. 根据权利要求27所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的中心埋入有遮光膜。
29. 根据权利要求21所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域被形成为具有阶梯形式的线宽，所述线宽在所述光入射侧增大。
30. 根据权利要求29所述的成像装置，其中，
所述第一沟槽区域的位于所述光入射侧的至少一部分是从像素边界偏移的。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：WO2012117931A1，公开日为2012年09月07日；
对比文件2：JP2012169530A，公开日为2012年09月06日；
对比文件3：CN102683358A，公开日为2012年09月19日。
驳回决定的具体理由是：
权利要求1、20与对比文件1的区别技术特征在于：所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域， 所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反。基于该区别技术特征，本申请所要解决的技术问题在于：通过设置沟槽区域上的金属遮光层的偏移而改善色平衡并避免着色，改善成像特性。在对比文件2公开了遮光层313B偏移于其下方的沟槽区域、该沟槽隔离结构也可以沿着像素分离部301的中心轴301CX进行偏移，上述偏移可以改善光平衡效果提高成像特性的教导下，本领域技术人员可以合理设置多个遮光层沿中心轴的偏移方向，包括偏移方向相反或一致，以改善成像特性，属于本领域的公知常识。
权利要求21与对比文件1的区别技术特征在于：所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域， 所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的距离量与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的距离量不同。基于该区别技术特征，本申请所要解决的技术问题在于：通过设置沟槽区域上的金属遮光层的偏移和距离而改善色平衡并避免着色，改善成像特性。在对比文件2公开了遮光层313B偏移于其下方的沟槽区域、该沟槽隔离结构也可以沿着像素分离部301的中心轴301CX进行偏移，上述偏移可以改善光平衡效果提高成像特性的教导下，本领域技术人员可以合理设置多个遮光层沿中心轴的偏移方向，包括偏移方向相反或一致，以及每一遮光层相对于沟槽中心部的偏移量，以改善成像特性，属于本领域的公知常识。
权利要求2-19、22-30的附加技术特征或者被对比文件1、2、3公开，或者属于本领域的公知常识，因此权利要求1-30不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月11日向国家知识产权局提出了复审请求，没有对申请文件进行修改。复审请求人认为：（1）对比文件2中遮光部313B在相同方向上偏移的方式明显区别于权利要求1，本领域技术人员不可能想到本申请中的偏移方式，也不可能想到使遮光部313B分别进行一定的偏移。（2）权利要求1中的技术特征“所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反”不是用于解决“改变开口尺寸以增加光入射面积”的技术问题。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月14日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月14日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-30不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：（1）由于沟槽区域的偏移才能解决如申请人所指的不同的光电转换单元之间的宽度的不同的问题，而目前的权利要求中的技术特征并没有体现上述沟槽区域偏移的技术方案。在当前的权利要求1中，虽然限定了金属区域相对于沟槽的偏移，以及对应的偏移方向。但是，对于第一、第二金属区域的相对位置关系、以及它们所在沟槽的相对位置关系、开口与沟槽以及开口与金属区域的对应位置关系，并没有像例如本申请说明书附图3所示的情况进行限定。对比文件2公开的一方向左偏移、一方向右偏移的偏移方式，也产生了相应的技术效果——改善图像质量，从而给出了技术启示。（2）基于目前的权利要求1的限定方式，其所涉及的技术特征“所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同”属于对比文件1公开的技术内容；且权利要求1中的技术特征“所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反”被对比文件2公开，并具有相应的教导。
复审请求人于2019年04月26日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，具体修改内容如下：在权利要求1中增加技术特征“遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有多个开口，所述多个开口包括所述第一开口和所述第二开口，其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻”，将技术特征“其中，所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同”修改为“其中，所述多个开口的尺寸大致相同”；将从属权利要求3的附加技术特征修改为“其中，所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽”；将从属权利要求8、13-14、16-17、28中的技术特征“遮光膜”修改为“所述遮光膜”；对权利要求20、21按照权利要求1的方式进行了相应的修改；对权利要求23按照权利要求3的方式进行了相应的修改。
复审请求人于2019年04月26日提交的权利要求1、3、20、21、23的内容如下：
“1. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有多个开口，所述多个开口包括所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述多个开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。”
“3. 根据权利要求1所述的成像装置，其中，
所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽。”
“20. 一种电子设备，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；
第二开口，对应于第二滤色器；和
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有多个开口，所述多个开口包括所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
光学系统，将入射光引导至所述光入射侧，
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向 与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述多个开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
21. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有多个开口，所述多个开口包括所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
其中，
所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的距离量与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的距离量不同，
所述多个开口的尺寸大致相同，且
所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。”
“23. 根据权利要求21所述的成像装置，其中，
所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽。”
复审请求人认为：修改后的权利要求限定了开口以及第一、第二金属区域之间的位置关系。基于该位置关系，相邻的第一、第二金属区域从第一、第二沟槽区域在相反方向上的偏移具有改变沟槽区域之间的光电转换单元的宽度的作用，因此本申请具备创造性。
随后，复审请求人又于2019年06月10日再次提交了权利要求书的修改替换页和修改说明，对权利要求书的修改如下：将权利要求1的技术特征“所述遮光膜具有多个开口,所述多个开口包括所述第一开口和所述第二开口”修改为“所述遮光膜具有所述第一开口和所述第二开口”，并且将技术特征“所述多个开口的尺寸大致相同”修改为“所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同”，在权利要求1中增加技术特征“其中，所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽,并且所述遮光膜的所述第一金属区域和所述第二金属区域具有相同的线宽”；并按照上述方式对应修改了权利要求20-21以及删除权利要求3、23；并对权利要求编号以及引用关系进行了适应性修改。
复审请求人于2019年06月10日提交的权利要求1、19-20的内容如下：
“1. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的所述第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽,并且所述光膜的所述第一金属区域和所述第二金属区域具有相同的线宽，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。”。
“19. 一种电子设备，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；
第二开口，对应于第二滤色器；和
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽,并且所述光膜的所述第一金属区域和所述第二金属区域具有相同的线宽，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
光学系统，将入射光引导至所述光入射侧，
其中，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
其中，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向 与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
其中，所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
其中，所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。
20. 一种成像装置，其包括：
半导体基板，具有作为光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第一侧和所述第二侧均在水平方向上延伸；
多个光电转换单元，被布置在所述半导体基板中；
第一沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元中的两个光电转换单元之间；
第一金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第一金属区域在垂直方向上位于所述第一沟槽区域的至少一部分的上方；
第二沟槽区域，被布置在所述半导体基板中且在水平方向上与所述多个光电转换单元中的至少一个光电转换单元相邻；
第二金属区域，被布置为与所述半导体基板的第一侧邻近以使所述第二金属区域在垂直方向上位于所述第二沟槽区域的至少一部分的上方；
第一开口，对应于第一滤色器；和
第二开口，对应于第二滤色器；
遮光膜，其包括设置在所述第一侧的光接收侧的所述第一金属区域和所述第二金属区域，所述遮光膜具有所述第一开口和所述第二开口，
其中，所述遮光膜被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽,并且所述光膜的所述第一金属区域和所述第二金属区域具有相同的线宽，
其中，所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻，
其中，
所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反，
所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的距离量与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的距离量不同，
所述第一开口的尺寸与所述第二开口的尺寸大致相同，且
所述第一滤色器的颜色与所述第二滤色器的颜色不同。”
复审请求人认为：修改后的权利要求限定了开口以及第一、第二金属区域之间的位置关系。基于该位置关系，相邻的第一、第二金属区域从第一、第二沟槽区域在相反方向上的偏移具有改变沟槽区域之间的光电转换单元的宽度的作用。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年06月10日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，上述修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：分案申请递交日2016年10月28日提交的说明书摘要、说明书第1-21页、说明书附图第1-15页、摘要附图，2019年06月10日提交的权利要求第1-28项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征没有被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，且该区别技术特征的存在使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：WO2012117931A1，公开日为2012年09月07日；
对比文件2：JP2012169530A，公开日为2012年09月06日；
对比文件3：CN102683358A，公开日为2012年09月19日。
2.1、权利要求1要求保护一种成像装置。对比文件1公开了一种固体成像装置，并具体公开了以下的技术特征（参见说明书第0013-0047、0094-0098段，附图1-3、15）：该固体成像装置包括：基板12（相当于该权利要求所述的半导体基板），其具有用于光入射侧的第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，并且两侧在水平方向上延伸；布置在基板12上形成的多个光电转换单元40（相当于该权利要求所述的多个光电转换单元），其被布置在所述基板12中，在实施例5中，由附图15可以得到，其中一个沟槽39（相当于该权利要求所述的第一沟槽区域），被布置在所述基板12中且在水平方向上位于所述多个光电转换单元40中的两个光电转换单元40之间；附图15中所有遮光膜25的集合构成对应于权利要求1中的遮光膜，其中一个遮光膜25（相当于该权利要求所述的第一金属区域），被布置为与所述基板12的第一侧邻近以使所述遮光膜25在垂直方向上位于所述沟槽39的至少一部分的上方；而其中另一个沟槽39（相当于该权利要求所述的第二沟槽区域），被布置在所述基板12中且在水平方向上与所述多个光电转换单元40中的至少一个光电转换单元40相邻；其中另一个遮光膜25（相当于该权利要求所述的第二金属区域），被布置为与所述基板12的第一侧邻近以使所述另一个遮光膜25在垂直方向上位于所述另一个沟槽39的至少一部分的上方；各个遮光膜25间形成的一个开口对应滤色层27中的第一滤色器、另一个开口对应第二滤色器；其中一个开口的尺寸与另一个开口的尺寸相同，第一滤色器和第二滤色器的颜色不同；参照附图15可见，遮光膜25在对应于第一、第二金属区域的同时，也具有开口且被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1的区别技术特征在于：在“所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻”以及“所述第一金属区域和第二金属区域的宽度相同”的前提下，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反。
基于该区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题在于：使相邻的沟槽区域从光接收面的像素边界的中心位置反向偏移、来改变沟槽区域之间的光电转换单元宽度。
对于上述区别技术特征，对比文件2公开了一种固体成像装置，并具体公开了以下的技术特征(参见说明书第0080、0108-0109、0177-0187段，附图5、14)：如附图5(a)所示，在像素区域PA的中心部分，沟槽TR的中心轴与像素分离部301的中心轴301CX一致，且遮光部313B的中心轴与像素分离部301的中心轴301CX一致；并且，如附图5(b)所示，在像素区城PA的周边部分，沟槽TR的中心轴与像素分离部301的中心轴301CX一致，且与像素分离部301的中心轴301CX相比，遮光部313B的中心轴313BCX向像素区域PA的周边侧(附图5中的右侧)偏移。此外，附图14示出了如附图5(b)的像素区域的周边部分。如附图14所示，在像素区域的周边部分中，光线H2倾斜入射。这时、在附图14(a)中，由于遮光部313B不进行瞳校正，入射光L2和L3的反射部分与基板101的背面有较长的距离并且被衰减，且入射光L4可以入射到相邻像素P并且发生混色。与此相比、在附图14(b)中，遮光部313B进行瞳校正，从而光线L2和L3能够有效地到达光电二极管21、且光线L4没有入射到相邻像素P，从而改善图像质量。在附图5中，附图5（b）显示了对应于附图2中右侧周边区域的遮光部313B向外侧（右侧）的偏移情况。基于对比文件2的技术构思，能够确认，在附图2中左侧周边区域中，相应的遮光部313B也需要向外侧偏移，即向左侧偏移。在此情况下，左右两个周边区域中的遮光部313B偏移方向相反。可见，对比文件2没有公开本申请以相邻光电转换单元之间的相邻的沟槽进行相反方向偏移的方式来改变光电转换单元的宽度，从而实现良好的色平衡以改善成像特性的发明构思，对得到上述区别技术特征没有技术启示。
对比文件3（参见说明书第0170-0273段、附图9-13）公开了一种固体摄像器件，在半导体基板101中的像素分隔部301中的第一沟槽TR1形成在第二沟槽TR2的底部部分上，二者构成阶梯形状，第一沟槽TR1位于光入射侧，其线宽大于第二沟槽TR2的线宽。可见，对比文件3也没有公开本申请以相邻光电转换单元之间的相邻的沟槽进行相反方向偏移的方式来改变光电转换单元的宽度，从而实现良好的色平衡以改善成像特性的发明构思，对得到上述区别技术特征没有技术启示。
上述区别技术特征也不属于本领域的公知常识。基于该区别技术特征的存在，使权利要求1取得了如下的有益技术效果：在“遮光膜具有开口且被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽，且所述第一金属区域和第二金属区域的宽度相同”的前提下，通过“所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反”，使得相邻的沟槽区域从光接收面的像素边界的中心位置反向偏移、从而改变沟槽区域之间的光电转换单元宽度。因而，可以改善在光接收面的设置有沟槽元件隔离区域的区域中进行光电转换的短波长的光与比上述区域更深的区域中进行光电转换的长波长的光之间的色平衡。因此，可以捕获具有良好的色平衡的图像而不会造成着色，改善成像特性。
可见，权利要求1的技术方案相对于对比文件1、2、3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-18直接或间接引用权利要求1，因此，当权利要求1具备创造性时，权利要求2-18也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求19要求保护一种电子设备。对比文件1公开了一种电子设备，附图1公开了固态成像装置示意图；通过光学透镜收集的光入射到固态成像装置。对比文件2的附图1公开的相机40也是电子设备，其通过光系统42将入射光引导至固态成像装置。
参考前述对权利要求1的评述可知，权利要求1、19与对比文件1相比存在相同的区别技术特征，因此权利要求19的技术方案相对于对比文件1、2、3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求20要求保护一种成像装置。该权利要求与权利要求1相比，进一步限定了“所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的距离量与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的距离量不同”，参见上述权利要求1的评述可知，对比文件1未公开上述技术特征，上述技术特征构成了权利要求20相对于对比文件1的另一个区别技术特征。因而，权利要求20相对于对比文件1的区别技术特征为前述权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征以及进一步增加的上述区别技术特征。
基于该区别技术特征权利要求20实际解决的技术问题在于：使相邻的沟槽区域从光接收面的像素边界的中心位置反向偏移、来改变沟槽区域之间的光电转换单元宽度，进一步改善像素灵敏度差异。
参照上述权利要求1的评述中对比文件2、3公开的内容可知，对比文件2、3没有公开上述区别技术特征，该特征也不属于本领域的公知常识。基于该区别技术特征的存在，使权利要求20取得了如下的有益技术效果：可以改善在光接收面的设置有沟槽元件隔离区域的区域中进行光电转换的短波长的光与比上述区域更深的区域中进行光电转换的长波长的光之间的色平衡。因此，可以捕获具有良好的色平衡的图像而不会造成着色，并进一步改善成像特性。
因此权利要求20的技术方案相对于对比文件1、2、3以及本领域公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求21-28直接或间接引用权利要求20，因此，当权利要求20具备创造性时，权利要求21-28也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对驳回决定和前置审查相关意见的答复：
驳回决定和前置意见中认为：（1）权利要求中记载的是金属区域相对于沟槽区域的偏移，本申请光电单元宽度变化是通过调整相邻沟槽区域的相对距离。虽然本申请的权利要求中限定了第一开口和第二开口的尺寸大致相同，但是对于上述开口宽度的金属区域的限定仅是其相对于沟槽的偏移的方向，并没有限定金属区域的尺寸。如果金属区域本身的尺寸不确定，就无法直接、毫无疑义地确定沟槽区域的位置，也不能得到不同光电转换单元之间的宽度是不同的。（2）对比文件2已经公开了遮光层313B偏移于沟槽区中心轴的技术方案，本领域技术人员基于对比文件2容易将沟槽上的金属层分别进行一定的偏移。
对此，合议组认为：
（1）修改后的权利要求中，进一步明确了遮光膜包括第一、第二金属区域且具有第一、第二开口，同时限定了在“所述第一沟槽区域与所述第二沟槽区域相邻”以及“遮光膜具有开口且被构图形成为具有以像素边界作为中心的线宽，且所述第一金属区域和第二金属区域的宽度相同”的前提下，所述第一金属区域偏移于所述第一沟槽区域且所述第二金属区域偏移于所述第二沟槽区域，所述第一金属区域从所述第一沟槽区域的中心部偏移的方向与所述第二金属区域从所述第二沟槽区域的中心部偏移的方向相反。
修改后的权利要求中，限定了第一、第二金属区域从第一、第二沟槽区域的偏移发生在相邻的沟槽区域；也限定了第一、第二开口以及第一、第二金属区域之间的位置关系；更进一步限定了以像素边界作为中心的金属区域的宽度是相同的。基于上述限定内容，能够实现所述偏移的方式只能是通过调整相邻沟槽区域的相对距离来完成、即通过相邻的沟槽在相反方向的偏移，体现了能够具有改变沟槽区域之间的光电转换单元的宽度的作用。
事实上，对于金属区域尺寸的问题，在修改后的权利要求中进行了明确的限定，即所述第一金属区域和第二金属区域的宽度相同。在对比文件1中没有对遮光膜25的尺寸进行任何介绍，即使通过附图15的示意图认定为对比文件1公开了遮光膜25具有相同的尺寸宽度，其也没有给出任何涉及相邻金属区域偏移乃至相邻的沟槽偏移的教导。
因此，本申请权利要求中同时限定了沟槽区域的相邻关系、遮光膜（金属区域）的中心位置、以及金属区域的尺寸要求，在以上三个前提下对第一、第二金属区域相对于沟槽区域的偏移要求已经能够体现出本申请区别于对比文件1、2的发明构思。
（2）首先，对比文件2中的偏移发生在像素区域的周边部分，并不是相邻的光电转换单元之间；再有，如图5(b)所示，在像素区城PA的周边部分，沟槽TR的中心轴与像素分离部301的中心轴301CX一致，且与像素分离部301的中心轴301CX相比，遮光部313B的中心轴313BCX向像素区域PA的周边侧(图5中的右侧)偏移。
可见，对比文件2中发生偏移的遮光部313B并没有以像素边界作为中心，更没有教导在相邻的光电转换单元之间发生偏移，也没有给出改变沟槽区域之间的光电转换单元的宽度的启示。
可见，对比文件1、2均没有披露以相邻光电转换单元之间的相邻的沟槽进行相反方向偏移的方式来改变光电转换单元的宽度，从而实现良好的色平衡以改善成像特性的技术内容。对比文件3也没有公开上述技术内容，因此修改后的权利要求具有突出的实质性特点，具备创造性。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。至于本申请中是否存在其他不符合专利法以及专利法实施细则的规定的缺陷，留待后续程序继续审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年08月28日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所依据的审查文本为基础继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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