发明创造名称：用于PVD腔室的溅射靶材
外观设计名称：
决定号：183458
决定日：2019-07-09
委内编号：1F266081
优先权日：2009-04-03
申请（专利）号：201610123696.6
申请日：2010-03-30
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李晓明
合议组组长：骆素芳
参审员：徐健
国际分类号：H01L21/203，C23C14/34
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在区别技术特征，该区别技术特征一部分被其他对比文件公开，其余区别技术特征属于本领域技术人员的常用技术手段，且将该对比文件与该其他对比文件和本领域技术人员的常用技术手段的结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201610123696.6，名称为“用于PVD腔室的溅射靶材”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2010年03月30日，优先权日为2009年04月03日，公开日为2016年04月20日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月31日发出驳回决定，以权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。其具体理由是：（1）权利要求1与对比文件1（JP昭62-287071A，公开日为1987年12月12日）的区别在于：①该可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，其中，靶材的周围边缘处的厚度大于中心区处的厚度；②所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%。区别技术特征①被对比文件2（JP特开2000-265270A，公开日为2000年09月26日）公开；区别技术特征②部分被对比文件2公开，其余为本领域的公知常识，因此权利要求1相对于对比文件1和对比文件2、本领域的公知常识的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求3的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的公知常识；从属权利要求4-5的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求6-8的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的常规选择，因此从属权利要求2-8也不具备创造性。（3）权利要求9与对比文件2的区别在于：所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%。该区别技术特征为本领域的公知常识，因此权利要求9相对于对比文件2和本领域的公知常识的结合不具备创造性。（4）从属权利要求10的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求11的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的公知常识；从属权利要求12的附加技术特征被对比文件2公开，因此从属权利要求10-12也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人于分案申请递交日2016年03月04日提交的说明书摘要、说明书第1-59段、摘要附图、说明书附图图1-7F；2018年01月02日提交的权利要求第1-12项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于半导体制造的溅射设备，所述设备包括：
腔室，所述腔室具有界定处理区域的壁，所述处理区域包括基板支撑件；
靶材，所述靶材与所述基板支撑件相间隔； 以及
RF功率源，所述RF功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料，所述靶材具有界定可溅射靶材表面的正面，所述可溅射靶材表面延伸于所述靶材的周围边缘之间，且所述可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，
其中，所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度，并且
其中，所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述中心区具有直径Rc，且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5％至90％。
2. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区的倾斜角度在5至30度范围中。
3. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区的角度为7度，使得所述靶材的所述周围边缘处的厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围中，且所述Rc/Rp比例为68.5％。
4. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区延伸至所述周围边缘。
5. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区延伸至外周围正面区。
6. 如权利要求1所述的设备，进一步包括DC功率源，所述DC功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料。
7. 如权利要求1所述的设备，其中，所述中心区直径Rc几乎等于所述基板支 撑件上的基板的直径。
8. 如权利要求1所述的设备，其中，所述靶材直径Rp与所述中心区直径Rc之间的所述Rc/Rp比例为70％。
9. 一种在用于半导体制造的溅射腔室中使用的靶材组件，所述靶材组件包括靶材，所述靶材包括界定可溅射靶材表面的正面，所述可溅射靶材表面延伸于周围边缘之间，且所述可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，
其中，所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度，并且
其中，所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述中心区具有直径Rc，且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5％至90％。
10. 如权利要求9所述的靶材组件，其中，所述斜面区的倾斜角度在5至20度范围中。
11. 如权利要求9所述的靶材组件，其中，所述斜面区的角度为7度，使得所述靶材的所述周围边缘处的厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围中，且所述Rc/Rp比例为68.5％。
12. 如权利要求9所述的靶材组件，其中，所述靶材接合至背板。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月15日向国家知识产权局提出了复审请求，并未提交修改文本。复审请求人认为：对比文件2公开了Rc/Rp的比例为15%至60%的比例是适当的，并未给出以上范围之外的技术启示，对比文件2给出了相反的教导，本领域技术人员无法在对比文件2的教导下，得到本申请的Rc/Rp的比例为68.5%至90%。本申请通过边缘处加厚靶材，能降低靶材寿命期间的侵蚀速率，同时保持稳定的均匀性。对比文件2公开了5至45度的倾斜角度范围，本领域技术人员没有动机去选择7度的倾斜角度从而使得靶材边缘厚度在1/8英寸至3/4英寸范围内，Rc/Rp的比例为68.5%。因此权利要求1-12具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件2已经公开了倾斜角的范围在5至45度，这表明在该角度范围内选择任何一个角度值都能改善成膜均匀性，选择角度为7度是完全有可能的，而当选择了7度的角度时，本领域的技术人员很容易得到Rc/Rp比率为68.5%；对比文件2的第40段教导了“可以选择任何平坦部分与倾斜部分的比率（相当于本申请的Rc/Rp）”，因此可以根据发明目的通过实验来选择合适的平坦部分与倾斜部分的比率（相当于本申请的Rc/Rp），那么68.5%-90%的比率也是本领域技术人员很容易想到并实验的范围；本申请中没有任何证据表明选择68.5%-90%的Rc/Rp比率会得到更佳的技术效果，根据对比文件2的教导，选择该比率的技术效果也是本领域技术人员可以预料到的，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月20日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其具体理由是：（1）权利要求1与对比文件1的区别在于：该可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，其中，靶材的周围边缘处的厚度大于中心区处的厚度；所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%。上述区别技术特征部分被对比文件2公开，其余为本领域技术人员的常用技术手段，因此权利要求1相对于对比文件1和对比文件2、本领域技术人员的常用技术手段的结合不具备创造性。（2）从属权利要求2的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求3的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域技术人员通过有限试验得到；从属权利要求4-5的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求6-8的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域的常规选择，因此从属权利要求2-8也不具备创造性。（3）权利要求9与对比文件2的区别在于：所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%。上述区别技术特征为本领域技术人员的常用技术手段，因此权利要求9相对于对比文件2和本领域技术人员的常用技术手段的结合不具备创造性。（4）从属权利要求10的附加技术特征被对比文件2公开；从属权利要求11的附加技术特征部分被对比文件2公开，部分属于本领域技术人员通过有限试验得到；从属权利要求12的附加技术特征被对比文件2公开，因此从属权利要求10-12也不具备创造性。并针对复审请求人意见陈述进行答复：对比文件2要解决的技术问题也是薄膜厚度分布均匀（参见说明书第[0020]段），并通过采用具有凹面形状的靶材结构来实现，可见，对比文件2已经解决了本申请要解决的技术问题，对比文件2的靶材结构也是边缘处加厚，也能降低靶材寿命期间的侵蚀速率，同时保持稳定的均匀性。对比文件2并没有公开靶材结构的平坦部与靶材直径比例只能是15%至60%，即对比文件2并没有公开靶材结构的平坦部与靶材直径比例为其他范围不可以。对比文件2公开了可以通过调整平坦部与倾斜部的比例、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布（参见说明书第[0040]段），可见，对比文件2并没有给出相反的技术启示。并且在对比文件2已经公开了凹面形状的靶材结构的平坦部与靶材直径比例为60%的基础上，本领域技术人员通过有限次实验，得到平坦部与靶材直径比例为68.5%至90%，并不需要付出创造性劳动，也没有带来预料不到的技术效果。并且本申请的说明书中公开了Rc/Rp的比例可以为0%、10%、20%、30%、40%、50%、60%、70%、80%、90%（参见说明书第[0045]段），对具有凹面的靶材的技术效果对比是基于现有技术的平坦靶材、平截头靶材类型（参见说明书第[0049]段），本申请并没有公开Rc/Rp的比例为68.5%至90%相对于说明书中其他Rc/Rp的比例具有特定的技术效果。在对比文件2公开了斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内，并且可以适当调整的基础上，为了提高其成膜的均匀性，本领域的技术人员很容易想到通过有限的实验来选择斜面区的倾斜角度为7度，并通过有限的试验来选择靶材边缘厚度以及合适的Rc/Rp的比例，也很容易得到厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围以及Rc/Rp的比例为68.5%，这无需付出创造性劳动，也不会带来预料不到的技术效果。因此，参见前述意见，权利要求1-12不具备创造性。
复审请求人于2019年04月04日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-11项。其中在独立权利要求1中增加技术特征“背板，所述背板接合至所述靶材”、“且其中，所述靶材直径等于所述背板的直径”，在独立权利要求9中增加技术特征“和接合至所述靶材的背板”、“且其中，所述靶材直径等于所述背板的直径”，并删除原从属权利要求12。复审请求人认为：对比文件1仅公开了靶材电极的直径大于靶材，对比文件2公开了背板直径大于靶材，因此，在对比文件1和对比文件2的教导下，本领域技术人员不会有动机去设计背板直径与靶材相同，本申请能避免溅射过程中来自背板的污染。因此，本申请的权利要求1-11具备创造性。答复复审通知书时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种用于半导体制造的溅射设备，所述设备包括：
腔室，所述腔室具有界定处理区域的壁，所述处理区域包括基板支撑件；
靶材，所述靶材与所述基板支撑件相间隔；
背板，所述背板接合至所述靶材； 以及
RF功率源，所述RF功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料，所述靶材具有界定可溅射靶材表面的正面，所述可溅射靶材表面延伸于所述靶材的周围边缘之间，且所述可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，
其中，所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度，并且
其中，所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述中心区具有直径Rc，且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5％至90％，且其中，所述靶材直径等于所述背板的直径。
2. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区的倾斜角度在5至30度范围中。
3. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区的角度为7度，使得所述靶材的所述周围边缘处的厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围中，且所述Rc/Rp比例为68.5％。
4. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区延伸至所述周围边缘。
5. 如权利要求1所述的设备，其中，所述斜面区延伸至外周围正面区。
6. 如权利要求1所述的设备，进一步包括DC功率源，所述DC功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料。
7. 如权利要求1所述的设备，其中，所述中心区直径Rc几乎等于所述基板支 撑件上的基板的直径。
8. 如权利要求1所述的设备，其中，所述靶材直径Rp与所述中心区直径Rc之间的所述Rc/Rp比例为70％。
9. 一种在用于半导体制造的溅射腔室中使用的靶材组件，所述靶材组件包括靶材和接合至所述靶材的背板，所述靶材包括界定可溅射靶材表面的正面，所述可溅射靶材表面延伸于周围边缘之间，且所述可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，
其中，所述靶材的所述周围边缘处的厚度大于所述中心区处的厚度，并且
其中，所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述中心区具有直径Rc，且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5％至90％，且其中，所述靶材直径等于所述背板的直径。
10. 如权利要求9所述的靶材组件，其中，所述斜面区的倾斜角度在5至20度范围中。
11. 如权利要求9所述的靶材组件，其中，所述斜面区的角度为7度，使得所述靶材的所述周围边缘处的厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围中，且所述Rc/Rp比例为68.5％。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年04月04日答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-11项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于2019年04月04日提交的权利要求第1-11项；分案申请递交日2016年03月04日提交的说明书摘要、说明书第1-59段、摘要附图、说明书附图图1-7F。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在区别技术特征，该区别技术特征一部分被其他对比文件公开，其余区别技术特征属于本领域技术人员的常用技术手段，且将该对比文件与该其他对比文件和本领域技术人员的常用技术手段的结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：JP昭62-287071A，公开日为1987年12月12日；
对比文件2：JP特开2000-265270A，公开日为2000年09月26日。
其中，针对权利要求1-8，对比文件1作为最接近的现有技术；针对权利要求9-11，对比文件2作为最接近的现有技术。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种用于半导体制造的溅射设备。对比文件1是最接近的现有技术，其公开了一种半导体制造装置，并具体也公开了一种用于半导体制造的溅射设备，公开的内容包括（参见说明书第5-8栏、附图1）：该设备包括：腔室105，腔室105具有界定处理区域的壁，处理区域包括基板支撑件104；靶材101，该靶材与所述基板支撑件相间隔；及，RF功率源，该RF功率源耦接至所述靶材以自所述靶材溅射材料，所述靶材具有界定可溅射靶材表面的正面，该可溅射靶材表面延伸于所述靶材的周围边缘之间。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：（1）该可溅射靶材表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，所述整体凹面形状由被斜面区围绕的实质平坦中心区所界定，其中，靶材的周围边缘处的厚度大于中心区处的厚度；所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%；（2）背板接合至所述靶材，所述靶材直径等于所述背板的直径。基于上述区别技术特征可以确定本发明实际解决的技术问题分别是：如何设计靶材正面溅射区的形状以解决采用平面靶材溅射成膜容易径向不均匀性的问题，以及避免溅射过程中来自背板的污染。
对于区别技术特征（1），对比文件2公开了一种用于溅射设备中的靶材52，并具体公开了（参见说明书第[0018]-[0041]段、附图1-18）：背板48接合至靶材52，该溅射靶材52表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，其中该整体凹面形状由被斜面区56围绕的实质平坦中心区54所界定，斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内，以致溅射靶材52的周围边缘处的厚度大于中心区处的厚度，靶材的平坦部直径与靶材直径的比例为60%，可以通过调整平坦部与倾斜部的比例（即平坦部与整个靶材直径的比例，相当于权利要求1中的Rc/Rp）、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布。并且以上技术特征在对比文件2中的作用与在权利要求1中相同，都是通过设置具有凹面形状的靶材结构，提高溅射的均匀性。由此可见，对比文件2给出了将其公开的上述技术特征应用到对比文件1中以解决成膜均匀性的问题的技术启示。在此基础上，当定义了靶材周围边缘界定靶材的直径为Rp，中心区的直径为Rc时，为了提高其成膜的均匀性，本领域的技术人员很容易想到通过有限的实验来选择合适的Rc/Rp的比例，也很容易得到68.5%至90%的范围，这属于本领域技术人员的常用技术手段，无需付出创造性劳动，也不会带来预料不到的技术效果。对于区别技术特征（2），溅射过程中为了避免来自背板的污染，将背板直径设置为等于靶材直径，属于本领域技术人员的常用技术手段，不会带来预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域技术人员的常用技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的。权利要求1请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.2、权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2是权利要求1的从属权利要求。对比文件2还公开了：斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内（参见说明书第[0021]段）。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2也不具备创造性。
2.3、权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求3是权利要求1的从属权利要求。对比文件2还公开了：斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内，以及，可以通过调整平坦部与倾斜部的比例、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布（参见说明书第[0021]段、第[0040]段）。在此基础上，为了提高其成膜的均匀性，本领域的技术人员很容易想到通过有限的实验来选择合适的靶材的周围边缘处的厚度范围以及合适的Rc/Rp的比例，也很容易得到厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围以及Rc/Rp的比例为68.5%，这无需付出创造性劳动，产生的技术效果是可以预期的。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求3也不具备创造性。
2.4、权利要求4-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求4-5均是权利要求1的从属权利要求。对比文件2还公开了：斜面区延伸至周围边缘，斜面区延伸至外周围正面区（参见附图1-4）。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求4-5也不具备创造性。
2.5、权利要求6-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6-8均是权利要求1的从属权利要求。DC功率源也是溅射设备中常见的功率源，本领域技术人员可根据实际需要想到，还可以包括DC功率源，该DC功率源耦合至所述靶材以自所述靶材溅射材料。此外，对比文件2还公开了：可以通过调整平坦部与倾斜部的比例、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布。在此基础上，为了获得均匀的溅射效果，选择中心区域直径Rc几乎等于基板支撑件上的基板的直径是本领域的常规选择，而在将对比文件2结合到对比文件1中时，本领域的技术人员能够根据实际需要采用常规试验手段并通过有限的试验选择合适的Rc与Rp的比值，而选择该比值为70%仅是本领域的一个常规选择，这无需付出创造性劳动，产生的技术效果是可以预期的。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求6-8也不具备创造性。
2.6、权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求9请求保护一种用于半导体制造的溅射腔室中使用的靶材组件。对比文件2是最接近的现有技术，其公开了一种用于半导体制造的溅射腔室中使用的溅射靶材组件，并具体公开了（参见说明书第[0018]-[0041]段、附图1-18）：溅射靶材组件包括溅射靶材52和接合至靶材52的背板48，溅射靶材52包括界定可溅射靶材表面的正面，可溅射靶材52表面延伸于周围边缘之间，可溅射靶材52表面界定实质上在所述周围边缘之间的整体凹面形状，其中该整体凹面形状由被斜面区56围绕的实质平坦中心区54所界定，斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内，以致溅射靶材52的周围边缘处的厚度大于中心区处的厚度，靶材的平坦部直径与靶材直径的比例为60%，可以通过调整平坦部与倾斜部的比例（即平坦部与整个靶材直径的比例，相当于权利要求1中的Rc/Rp）、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布。
权利要求9请求保护的技术方案与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述靶材周围边缘界定靶材直径Rp，而所述平坦中心区具有直径Rc，并且所述中心区直径使得Rc/Rp比例为自68.5%至90%；（2）靶材直径等于背板的直径。基于上述区别技术特征可以确定本发明实际解决的技术问题分别是：如何设计靶材以提高溅射的均匀性以及避免溅射过程中来自背板的污染。
对于区别技术特征（1），在对比文件2公开了具有凹部形状的靶材结构的基础上，当定义了靶材周围边缘界定靶材的直径为Rp，中心区的直径为Rc时，为了提高其成膜的均匀性，本领域的技术人员很容易想到通过有限的实验来选择合适的Rc/Rp的比例，也很容易得到68.5%至90%的范围，这属于本领域技术人员的常用技术手段，无需付出创造性劳动，也不会带来预料不到的技术效果。对于区别技术特征（2），溅射过程中为了避免来自背板的污染，将背板直径设置为等于靶材直径，属于本领域技术人员的常用技术手段，不会带来预料不到的技术效果。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域技术人员的常用技术手段得到权利要求9请求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的。权利要求9请求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.7、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10是权利要求9的从属权利要求。对比文件2还公开了：斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内（参见说明书第[0021]段）。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求10也不具备创造性。
2.8、权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11是权利要求9的从属权利要求。对比文件2还公开了：斜面区的倾斜角度在约5至45度范围内，以及，可以通过调整平坦部与倾斜部的比例、基板与靶材直径的比例、基板与靶材间的距离以及倾斜部的倾斜角度等因素，来优化薄膜的厚度分布（参见说明书第[0021]段、第[0040]段）。在此基础上，为了提高其成膜的均匀性，本领域的技术人员很容易想到通过有限的实验来选择合适的靶材的周围边缘处的厚度范围以及合适的Rc/Rp的比例，也很容易得到厚度在1/8英寸至3/4英寸的范围以及Rc/Rp的比例为68.5%，这无需付出创造性劳动，产生的技术效果是可以预期的。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求11也不具备创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：对比文件1仅公开了靶材电极的直径大于靶材，对比文件2公开了背板直径大于靶材，因此，在对比文件1和对比文件2的教导下，本领域技术人员不会有动机去设计背板直径与靶材相同，本申请能避免溅射过程中来自背板的污染。因此，本申请的权利要求1-11具备创造性。
对此，合议组认为：
本申请要解决的技术问题是：改善薄膜均匀性的凹面溅射靶材设计（参见说明书第2段、第8段），对比文件2要解决的技术问题也是薄膜厚度分布均匀（参见说明书第[0020]段），并通过采用具有凹面形状的靶材结构来实现，可见，对比文件2已经解决了本申请要解决的技术问题，对比文件2的靶材结构也是边缘处加厚，也能降低靶材寿命期间的侵蚀速率，同时保持稳定的均匀性。本申请的说明书中的多个实施例中背板的直径都不等于靶材直径，但都能达到表面沉积均匀性的技术效果（参见说明书第57段，说明书附图图3A-3D）。可见，本申请中背板直径等于靶材直径，与薄膜均匀性的发明目的没有直接对应关系。在半导体制造工艺中，溅射过程中避免污染是本领域技术人员需要考虑的。在对比文件2已经公开了具有背板接合靶材的基础上，为了避免来自背板的污染，本领域技术人员有动机将背板结构进行调整，将背板直径设置为等于靶材直径，属于本领域技术人员的常用技术手段，不会带来预料不到的技术效果。因此，参见前述意见，权利要求1-11不具备创造性。
综上所述，复审请求人的意见陈述理由不充分，合议组不予接受。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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