发明创造名称：连续CZ方法和设备
外观设计名称：
决定号：183794
决定日：2019-07-08
委内编号：1F245351
优先权日：2012-09-10
申请（专利）号：201380046750.6
申请日：2013-09-09
复审请求人：GTAT IP控股有限责任公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：楼兴隆
合议组组长：彭晓琦
参审员：崔艳
国际分类号：C30B15/00,C30B15/10,C30B15/20
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款；专利法第22条第3款
决定要点：在包含制备方法特征的产品权利要求中，如果所属技术领域的技术人员无法断定该方法必然使产品具有不同于对比文件产品的特定结构和/或组成，则可推定对比文件产品与要求保护的产品相同，该产品权利要求不具备新颖性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201380046750.6、名称为“连续CZ方法和设备”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为GTAT IP控股有限责任公司，申请日为2013年09月09日，优先权日为2012年09月10日，进入中国国家阶段的日期为2015年03月09日，在国家阶段的公开日为2015年06月03日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年11月09日以权利要求1、5-8、10、13-17、37不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求2-4、9、11-12、18-36不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的审查文本为：申请人于2017年08月07日提交的权利要求第1-37项，以及于2015年03月09日本申请进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-9页、说明书附图、说明书摘要和摘要附图（下称驳回文本）。
驳回文本的独立权利要求1、18、37如下：
“1.一种CZ成长设备，包括：
坩埚，其具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；
固体原料输送系统，其包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送包括硅的固体原料的输送点；以及
至少一个粒子阻挡装置，其实质上防止该固体原料进入该坩埚的该内成长区域；以及
安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，
其中，该隔热屏蔽和该壁是为空隙所分隔，
其中，该粒子阻挡装置防止该固体原料通过该空隙，以及
其中，该粒子阻挡装置包括安置在该坩埚的该壁且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段。
18.一种硅晶锭的CZ成长的方法，包括以下步骤：
i)在CZ成长设备中提供坩埚，该坩埚具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；
ii)提供包括硅的固体预进料进入该坩埚的该内成长区域和该外进料区域；
iii)在该内成长区域中和该外进料区域中熔化该固体预进料；
iv)起始来自该内成长区域的该硅晶锭的成长；
v)于生长该硅晶锭同时，将来自硅输送系统的包括硅的固体原料输送入该外进料区域，该硅输送系统包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送固体硅的输送点；以及
vi)从该CZ成长设备移除该硅晶锭；
其中，该CZ成长设备包括至少一种实质上防止该固体硅进入该坩埚的该内成长区域的粒子阻挡装置，及安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，
其中，该隔热屏蔽和该壁是为空隙所分隔，且其中，该粒子阻挡装置防止该固体原料通过该空隙，
其中，该粒子阻挡装置为粒子屏蔽且包括安置在该坩埚的该壁上且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段。
37.一种硅晶锭，利用根据权利要求18所述的方法生长。”
驳回决定指出：（1）由于对比文件1（JP特开平4-321586A，公开日为1992年11月11日）已经公开了权利要求1、5-8、10、13-17、37的全部技术特征，因而这些权利要求不具备新颖性。（2）权利要求2-4、9、11-12的附加技术特征属于本领域的常规技术手段，因而在其引用的权利要求不具备新颖性的基础上，权利要求2-4、9、11-12不具备创造性。（3）权利要求18与对比文件1的区别特征在于：权利要求18限定了在内生长区域和外进料区域熔化固体原料然后进行晶体生长，在生长的同时将来自硅输送系统的包括硅固体原料输送入该外进料区域，而对比文件1仅公开了采用提拉法生长，并未公开具体操作工艺。权利要求18实际解决的技术问题是提供一种连续提拉生长的具体操作工艺。对于该区别特征，将固体原料先熔化而后再进行生长为提拉法生长单晶硅的常规手段，且本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到在生长过程中实时补给原料以生长更长的单晶硅，说明书中也没有任何证据表明上述选择或调整能够为本申请带来预料不到的技术效果。因此，权利要求18不具备创造性。（4）权利要求19-36的附加技术特征或已被对比文件1所公开，或属于本领域的常规技术手段，因而在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求19-36也不具备创造性。（5）对于申请人的如下意见陈述：对比文件1并未公开本申请的技术特征“有效地防止固体原料输送系统117所提供的固体原料通过空隙120并且进入内成长区域112的粒子屏蔽121”，且对比文件1的整流筒9不能类比为本申请的隔热屏蔽，原料飞散防止具5和6与吊下内坩埚4的结合也不能类比为本申请的粒子阻挡装置，相互之间的用途也完全不同，因此，修改后的独立权利要求1、18具备新颖性。驳回决定认为：对比文件1内坩埚10的侧壁对应于权利要求1中的壁，对比文件1公开的整流筒9具有隔热屏蔽的作用，其对应于权利要求1中的隔热屏蔽；对比文件1中的原料飞散防止具5、6包围在吊下内坩埚4的周围并围绕原料供给管3设置，而吊下内坩埚4围绕在内坩埚10的周围，有效防止外部固体原料的进入，因而可与权利要求1中的粒子阻挡装置相对应，且同样能够起到阻挡粒子的作用；此外，结合对比文件1的附图1可直接毫无疑义地确定出内坩埚10的侧壁与整流筒9之间存在间隙，吊下内坩埚4具有垂直段，该垂直段刚好挡住了该间隙，防止原料供给管3中的原料进入该间隙。可见，权利要求1的全部技术特征均已被对比文件1公开。
申请人GTAT IP控股有限责任公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年02月23日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共5页，37项）。相对于驳回文本，所做的修改为：根据附图1的内容，将“其中，该隔热屏蔽的下边缘位于该壁的上边缘下方”的技术特征加入权利要求1、18中，并对权利要求11、30进行适应性修改。
修改后的独立权利要求1、18为：
“1.一种CZ成长设备，包括：
坩埚，其具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；
固体原料输送系统，其包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送包括硅的固体原料的输送点；以及
至少一个粒子阻挡装置，其实质上防止该固体原料进入该坩埚的该内成长区域；以及
安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，
其中，该隔热屏蔽和该壁是为空隙所分隔，
其中，该粒子阻挡装置防止该固体原料通过该空隙，
其中，该粒子阻挡装置包括安置在该坩埚的该壁且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段，以及
其中，该隔热屏蔽的下边缘位于该壁的上边缘下方。
18.一种硅晶锭的CZ成长的方法，包括以下步骤：
i)在CZ成长设备中提供坩埚，该坩埚具有至少一个分隔内成长区域和外进料区域的壁，该壁具有至少一个在该内成长区域和该外进料区域之间提供限制的流体连通的开口；
ii)提供包括硅的固体预进料进入该坩埚的该内成长区域和该外进料区域；
iii)在该内成长区域中和该外进料区域中熔化该固体预进料；
iv)起始来自该内成长区域的该硅晶锭的成长；
v)于生长该硅晶锭同时，将来自硅输送系统的包括硅的固体原料输送入该外进料区域，该硅输送系统包括进料器，该进料器具有悬伸于该坩埚的该外进料区域上且在其中输送固体硅的输送点；以及
vi)从该CZ成长设备移除该硅晶锭；
其中，该CZ成长设备包括至少一种实质上防止该固体硅进入该坩埚的该内成长区域的粒子阻挡装置，及安置在该坩埚的该内成长区域上的隔热屏蔽，
其中，该隔热屏蔽和该壁是为空隙所分隔，且其中，该粒子阻挡装置防止该固体原料通过该空隙，
其中，该粒子阻挡装置为粒子屏蔽且包括安置在该坩埚的该壁上且延伸至邻近该隔热屏蔽的位置的垂直段，以及
其中，该隔热屏蔽的下边缘位于该壁的上边缘下方。”
在上述修改的基础上，复审请求人认为：由本申请和对比文件1的附图1可知，对比文件1的整流筒9远远位于吊下内坩埚4的上方，而本申请隔热屏蔽116的下边缘位于壁111的上边缘下方，因此本申请修改后的权利要求1、5-8、10、13-17相对于对比文件1具备新颖性。此外，通过使隔热屏蔽116的下边缘位于壁111的上边缘下方的配置，能够达到防止固体原料进入内成长区域的效果，本领域技术人员在无具体和明确技术启示的情况下，没有动机与理由特定地改变对比文件1中整流筒9的位置来完成本申请中的CZ成长设备，因此，本申请相对于对比文件1具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年04月17日依法受理了该复审请求，并将其转送至国家知识产权局原审查部门进行前置审查。
国家知识产权局原审查部门在前置审查意见书中认为：根据本申请说明书的记载，本申请达到防止固体原料进入内成长区域的效果是通过设置粒子阻挡装置实现的，而并非导流筒的设置，其中对比文件1已经公开了该粒子阻挡装置；尽管修改后的权利要求1与对比文件1之间存在如复审请求人所述的区别，但在晶体生长过程中，为了调控其中的温度场和气体流向，调节和控制隔热屏蔽的高度及与液面之间的距离是本领域的常规技术手段，如专利文献CN101168848A、CN201321511Y、CN101798704A中均记载了将隔热屏蔽设置在坩埚内壁上边缘的下部。因此，坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组，对本申请进行审理。
合议组于2019年03月25日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1与对比文件1的区别特征在于：权利要求1限定隔热屏蔽的下边缘位于分隔内成长区域和外进料区域的壁的上边缘下方，而对比文件1隔热屏蔽的下边缘在壁的上方。权利要求1实际解决的技术问题是提供一种能够减少由补料给坩埚造成影响的替代CZ成长设备。对于上述区别特征，根据公知常识性证据1（《激光材料科学与技术前沿》，徐军主编，上海交通大学出版社，2007年04月第1版，第279页图12-8）公开的内容可知，将对比文件1整流筒9的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方为本领域CZ成长设备的常规设置。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常规技术手段得到本申请权利要求1所要求保护的CZ成长设备对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备创造性。（2）权利要求18请求保护一种硅晶锭的CZ成长的方法，其实质为通过权利要求1中的CZ成长设备来生长硅晶锭。由于将原料预先进料而后再熔化为本领域的常规技术手段，因此，在权利要求1中的CZ成长设备不具备创造性的基础上，本领域技术人员根据该设备的特点结合对比文件1公开的内容容易想到以权利要求18中所限定的方法来进行硅晶锭的CZ成长。因此，权利要求18相对于对比文件1不具备创造性。（3）权利要求2-17、19-36的附加技术特征或已被对比文件1所公开，或属于本领域的常规技术手段，因而在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-17、19-36也不具备创造性。（4）由于没有证据表明权利要求18中的生长方法能使其得到的硅晶锭在结构和/或组成上有别于对比文件1中的单晶硅，因而推定两者相同，权利要求37请求保护的由权利要求18所述方法生长得到的硅晶锭相对于对比文件1不具备新颖性。（5）对于复审请求人的意见陈述，复审通知书指出：使隔热屏蔽的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方为本领域CZ成长设备的常规设置，并且根据本申请说明书的记载，本申请为了防止固体原料进入内成长区域所采用的技术手段是在CZ成长设备中设置粒子阻挡装置，而粒子阻挡装置设置的位置可根据CZ成长设备中各部件的构造进行适当调整，并无证据表明将隔热屏蔽的下边缘位于坩埚壁上边缘下方的配置能使本申请的CZ成长设备在防止固体原料进入内成长区域方面具有预料不到的技术效果。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年05月09日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人认为：创造性的判断应以发明的整体为对象，而不是针对个别或部分技术特征，也不是针对与先前技术的差异本身来判断该发明是否能被轻易完成，具体到本申请，由对比文件1所改进的图1和先前技术图3、4可知，整流筒9的位置及设计没有任何变化，其所关注的焦点为外坩埚1及吊下坩埚4，因而本领域技术人员没有动机去更改对比文件1整流筒9的设计。另外，本申请的同族专利已于欧洲、美国获准，且本申请所要求保护的范围更为限缩。鉴于此，本申请的权利要求具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出如下的审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年05月09日答复复审通知书时并未对申请文件进行修改，因而本复审请求审查决定所依据的审查文本为复审通知书所针对的审查文本，即：复审请求人于2018年02月23日提交的权利要求第1-37项，以及于2015年03月09日本申请进入中国国家阶段时提交的国际申请文件中文译文的说明书第1-9页、说明书附图、说明书摘要和摘要附图（下称复审决定文本）。
2、关于专利法第22条第2、3款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
在包含制备方法特征的产品权利要求中，如果所属技术领域的技术人员无法断定该方法必然使产品具有不同于对比文件产品的特定结构和/或组成，则可推定对比文件产品与要求保护的产品相同，该产品权利要求不具备新颖性。
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
评价一项发明是否具备创造性时，应将其与最接近的现有技术比较以确定区别特征和实际解决的技术问题，然后考察现有技术整体上是否给出了将上述区别特征应用到该最接近的现有技术以解决其存在的技术问题的启示。如果现有技术中存在这种启示，则该发明不具备创造性。
（1）复审决定文本的权利要求1请求保护一种CZ成长设备（具体内容参见案由部分）。
对比文件1公开了一种单结晶提拉装置，包括外坩埚1，外坩埚1的底部设置圆柱形壳体形状的内坩埚10，内坩埚10的下端设置了贯通孔11（相当于权利要求1中提供限制流体连通的开口）；外坩埚1上设置原料供给管3，用于向外坩埚1内提供多晶硅原料粉末；内坩埚10外固定设置吊下内坩埚4，与其相连的原料飞散防止具5、6（相当于权利要求1中的粒子阻挡装置），用于防止原料离子飞散；在内坩埚10上方设置了整流筒9（相当于权利要求1中的隔热屏蔽）（参见说明书第[0008]-[0011]段及附图1）。
结合对比文件1的附图1可知，对比文件1内坩埚10的内部相当于权利要求1中的内成长区域，内坩埚与外坩埚之间的区域相当于权利要求1的外进料区域；内坩埚10的侧壁相当于权利要求1中分割内成长区域和外进料区域的壁；含原料供给管3的供给装置相当于权利要求1中的固体原料输送系统，原料供给管3对应于权利要求1中的进料器；吊下内坩埚4、原料飞散防止具5、6相当于权利要求1中的粒子阻挡装置；吊下内坩埚4的壁相当于权利要求1中安置在坩埚的该壁且延伸至邻近隔热屏蔽的位置的垂直段，根据对比文件1的附图1可直接地、毫无疑义地确定出整流筒9与内坩埚10的壁之间具有间隙，由吊下内坩埚4、原料飞散防止具5、6构成的粒子阻挡装置能够防止固体原料通过该间隙。
因此，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的上述内容相比，区别特征在于：权利要求1限定隔热屏蔽的下边缘位于分隔内成长区域和外进料区域的壁的上边缘下方，而对比文件1隔热屏蔽的下边缘在壁的上方。
根据本申请说明书的记载，为了最小化或消除在拉出晶锭时由补料给坩埚所造成的影响，本申请提供一种CZ（Czochralski）成长设备，其设置有防止固体原料进入坩埚的内成长区域的粒子阻挡装置（参见说明书第2页第5-6、28-30行）。如前所述，对比文件1同样公开了一种含有粒子阻挡装置的CZ成长设备，本领域技术人员基于现有证据并无法得出本申请的CZ成长设备在最小化或消除于拉出晶锭时由补料给坩埚所造成的影响上小于对比文件1。可见，相对于对比文件1，权利要求1实际解决的技术问题是提供一种能够减少由补料给坩埚造成影响的替代CZ成长设备。
对于上述区别特征，通过调整隔热屏蔽的高度及与液面之间的距离，使隔热屏蔽的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方，从而起到调控晶体生长过程中的温度场和气体流向的效果，这是本领域CZ成长设备的常规设置（参见公知常识性证据1第279页图12-8），在此基础上，本领域技术人员容易想到整流筒9的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常规技术手段得到本申请权利要求1所要求保护的CZ成长设备对本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2-10对粒子阻挡装置的位置进行进一步限定。如前所述，对比文件1已经公开了通过设置粒子阻挡装置以避免外进料区域中的原料进入内成长区域从而影响晶体生长的质量，因而在保证粒子阻挡装置相应功能的基础上，为获得更多具有类似性能的CZ成长设备，本领域技术人员有动机适当调整粒子阻挡装置的位置，在不影响晶锭成长质量的情况下根据CZ成长设备中各部件的连接结构确定出如权利要求2-10所限定的粒子阻挡装置的安置位置。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求2-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求11对隔热屏蔽与内成长区域的壁之间的相互位置以及隔离外壳与隔热屏蔽之间的相互位置进行进一步限定。如前所述，使隔热屏蔽的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方为本领域CZ成长设备的常规设置，而在对比文件1公开的粒子阻挡装置环绕导流筒布置的基础上（参见附图1），本领域技术人员经适当调整容易确定出使隔离外壳环绕隔热屏蔽的下边缘安置位置。因此，在其引用的权利要求7不具备创造性的基础上，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）权利要求12对粒子阻挡装置的材质进行进一步限定。本领域技术人员根据CZ成长设备的内部环境以及抵挡固体材料碰撞的需要容易选择出粒子阻挡装置适合使用的例如该权利要求所限定的材质。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）权利要求13-14进一步限定固体原料包括至少一种掺杂物材料。对比文件1已经公开了磷作为固体原料的掺杂剂（参见说明书第[0010]段），而硼、镓、铟、铝、砷、锑也为本领域常规的掺杂剂。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求13-14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（6）权利要求15限定内成长区域和外进料区域包括欲于其中熔化的包括硅的固体预进料。对比文件1公开了储存熔体2，通过材料供应管3供应多晶硅原料粉末（参见说明书第[0009]段），而为了操作简便，将原料预先进料而后再熔化为本领域的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（7）权利要求16限定固体预进料进一步包括至少一种掺杂物材料。如前所述，对比文件1公开了可在固体原料中掺杂磷。因此，在其引用的权利要求15不具备创造性的基础上，权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（8）权利要求17限定CZ成长设备为连续CZ成长设备。由于对比文件1公开的单结晶提拉装置能够实现连续进料和晶体的连续成长，因而在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（9）权利要求18请求保护一种硅晶锭的CZ成长的方法，其实质为通过权利要求1中的CZ成长设备来生长硅晶锭。由于对比文件1已经公开了利用其中的单结晶提拉装置生长硅晶锭的方法，具体为：利用25kg高纯度硅原料、添加磷掺杂源，根据生长速度设定原料供给量为42g/min及相应的掺杂剂供给，采用提拉法生长，提拉速度为50mm/h，生长直径为6英尺的单晶硅，生长完成后取出单晶硅，然后再次生长单晶硅（参见说明书第[0010]段）。为了操作简便，将原料预先进料而后再熔化为本领域的常规技术手段。因此，在权利要求1中的CZ成长设备不具备创造性的基础上，本领域技术人员根据该设备的特点结合对比文件1公开的上述内容容易想到以权利要求18中所限定的方法来进行硅晶锭的CZ成长。综上，权利要求18相对于对比文件1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（10）权利要求19-36分别对离子屏蔽、隔热屏蔽、固体原料、固体预进料的方式、CZ成长设备的类型等进行进一步限定。结合评述权利要求2-17不具备创造性的相同理由，本领域技术人员在对比文件1的基础上得到这些权利要求请求保护的技术方案也是显而易见的。因此，在它们直接或间接引用的权利要求18不具备创造性的基础上，权利要求19-36也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（11）权利要求37请求保护一种根据权利要求18所述方法生长的硅晶锭。如前所述，对比文件1公开了通过单结晶提拉装置制备得到了单晶硅，由于没有证据表明权利要求18中的生长方法能使其得到的硅晶锭在结构和/或组成上有别于上述对比文件1的单晶硅，因而推定两者相同。因此，权利要求37相对于对比文件1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。
3、关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人答复复审通知书时陈述的意见（具体内容参见案由部分），合议组认为：尽管对比文件1并未公开或直接教导可以改变整流筒9的位置或设计，但在面对需要解决提供一种能够减少由补料给坩埚造成影响的替代CZ成长设备的技术问题时，本领域技术人员容易想到通过对整流筒作适当地调整来达到，而如前所述，使整流筒9的下边缘位于坩埚壁上边缘的下方为本领域CZ成长设备的常规设置，因而在对比文件1的基础上结合本领域的常规技术手段得到权利要求1请求保护的CZ成长设备对本领域技术人员而言是显而易见的。可见，该不具备创造性的结论基于权利要求1请求保护的整个技术方案所做出，并非其中的某个技术特征。此外，专利权具有地域性，在其他国家的专利局获得授权并不能作为其能够获得中国专利权的依据。综上，复审请求人的主张不具有说服力，合议组不予支持。
根据上述事实、理由和证据，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年11月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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