发明创造名称：光源装置和曝光装置
外观设计名称：
决定号：183392
决定日：2019-07-05
委内编号：1F273558
优先权日：2014-08-02
申请（专利）号：201510319338.8
申请日：2015-06-11
复审请求人：株式会社 阿迪泰克工程
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：袁洁
合议组组长：周小祥
参审员：刘丽伟
国际分类号：G03F7/20
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与一份对比文件公开的技术方案相比，存在区别技术特征，但在另一份对比文件中给出了与该区别技术特征相关的技术启示，本领域技术人员在该两份对比文件的基础上结合本领域常用技术手段就能得到该权利要求请求保护的技术方案，则该权利要求不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510319338.8，名称为“光源装置和曝光装置”的发明专利申请（下称本申请），其申请日为2015年06月11日，优先权日为2014年08月02日，公开日为2016年02月10日，申请人为“株式会社阿迪泰克工程”。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门于2018年10月31日以本申请的权利要求1-5不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：于申请日2015年06月11日提交的说明书摘要、说明书附图、摘要附图、于2018年07月12日提交的说明书第1-58段、权利要求第1-5项。
驳回决定所针对的权利要求书具体如下：
“1. 一种曝光装置，其通过空间光调制元件对从光源装置发出的光进行调制，并利用该调制后的光使感光材料曝光，所述空间光调制元件排列有分别独立地进行调制的多个像素部，其特征在于，所述曝光装置使用光源装置，所述光源装置具有：
1个激光二极管，其射出具有第一波长为峰值波长的波长特性的激光；
其他的激光二极管，其射出具有与第一波长不同的第二波长是峰值波长的波长特性的激光；
多个第1光纤束，其具有：1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端射出；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述1条第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；
第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束的多个第2光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及
输出部，其连接于所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出，
所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管单独地进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个控制。
2. 根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
所述光源装置具有控制装置，该控制装置对所述激光二极管按照规定的组进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个控制。
3. 根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
所述第一波长和所述第二波长包含于190nm～530nm的波段中。
4. 根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
所述1个激光二极管具有在375nm附近存在峰值的波长特性，所述其他的激光二极管具有在405nm附近存在峰值的波长特性。
5. 根据权利要求1至4中的任意一项所述的曝光装置，其中，
所述曝光装置具有微透镜阵列，所述微透镜阵列排列有多个微透镜，所述多个微透镜将由所述多个像素部调制后的多个光线束分别单独地会聚。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN101299076A，公开日为2008年11月05日；
对比文件2：CN1950753A，公开日为2007年04月18日。
驳回决定认为：权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件2的区别在于：光源装置具有：1个激光二极管，其射出具有第一波长为峰值波长的波长特性的激光；其他的激光二极管，其射出具有与第一波长不同的第二波长是峰值波长的波长特性的激光；多个第1光纤束，其具有：1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端射出；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述1条第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束的多个第2光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及输出部，其连接于所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出；光源装置具有控制装置，该控制装置对所述激光二极管单独地进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个。上述区别技术特征部分被对比文件1公开，部分为本领域常规技术选择。因此权利要求1相对于对比文件2、1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-5的附加技术特征或属于本领域常用技术手段，或被对比文件2公开，因此均不具备创造性。
申请人“株式会社阿迪泰克工程”（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年02月14日向国家知识产权局提出了复审请求，其中，根据原说明书第4页第18-19行记载的“能够通过由控制装置99控制LD模块1、2的LD的点亮个数和输出来改变每个波长的照度比例，能够提供所需要的最佳曝光条件”，将驳回决定针对的权利要求1中的“所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管单独地进行点亮、非点亮控制和输出中的至少一个控制”修改为“所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管的点亮个数、输出进行控制，从而变更每个波长的照度比例”。并删除了驳回决定所针对的权利要求2中的与权利要求1中的技术特征重复的“光源装置具有控制装置，该”。
复审请求时新修改的权利要求1、2如下：
“1. 一种曝光装置，其通过空间光调制元件对从光源装置发出的光进行调制，并利用该调制后的光使感光材料曝光，所述空间光调制元件排列有分别独立地进行调制的多个像素部，其特征在于，所述曝光装置使用光源装置，所述光源装置具有：
1个激光二极管，其射出具有第一波长为峰值波长的波长特性的激光；
其他的激光二极管，其射出具有与第一波长不同的第二波长是峰值波长的波长特性的激光；
多个第1光纤束，其具有：1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端射出；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述1条第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；
第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束的多个第2光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及
输出部，其连接于所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出，
所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管的点亮个数、输出进行控制，从而变更每个波长的照度比例。
2. 根据权利要求1所述的曝光装置，其中，
所述控制装置对所述激光二极管按照规定的组进行点亮、非点亮控制和输出控制中的至少一个控制。”
复审请求人认为：对比文件1和2中都没有公开：曝光装置使用峰值波长不同的两种激光二极管；控制装置对1个激光二极管和其他的激光二极管的点亮个数、输出进行控制，从而变更每个波长的照度比例。上述内容也不是常规技术手段。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
本案合议组于2019年05月10日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-5均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由如下：
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件2的区别在于：1）光源装置的具体构成，具体涉及的技术特征为：1个激光二极管和其他激光二极管；多个第一光纤束，其具有1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端出射；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束的多个第二光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及输出部，其连接所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出。对比文件2中仅公开了以纤维阵列激光源66作为光源装置，但未对其中的光纤的具体组成进行说明。该区别要解决的实质问题是相比于采用透镜聚光的装置，不需要按照规定的排列严格地配置光源和透镜阵列，能够将装置简化。以及2）激光源的波长特性及控制装置对其进行的相应控制，具体涉及的技术特征为：1个激光二极管，其射出具有第一波长为峰值波长的波长特性的激光，其他的激光二极管，其射出具有与第一波长不同的第二波长是峰值波长的波长特性的激光；所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管的点亮个数、输出进行控制，从而变更每个波长的照度比例。对比文件2中仅可从中确定必然存在点亮或关闭激光源的控制装置，但并未对其激光源的波长特性、控制装置对激光源的相应控制进行说明。该区别要解决的实质问题是相比于使用单波长光源的情况，通过使用不同波长特性的光源并变更每个波长的照度比例，以提供最佳曝光条件。其中，关于区别1），本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上，可以容易地将对比文件1结合到对比文件2，而选择使用激光二极管属于本领域的常规选择。关于区别2），根据感光材料的特性相应地混用不同波长的光对其进行曝光属于本领域的常用技术手段。从技术角度而言，对比文件1的一个光纤束部的光纤也是可以只点亮一根、不点亮其他根，或全部点亮，这并不会存在任何技术障碍；而利用控制电流大小来控制激光源的出射光的照度，由此控制各波长光的照度比例，也是本领域的常规技术。因此，权利要求1相对于对比文件2、1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性。权利要求2-5的附加技术特征或为常规技术或选择，或被对比文件2公开，因此均不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年06月24日提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：对比文件1和2中没有公开混用不同波长的光对感光材料进行曝光，其不属于常用技术手段，同时对比文件1和2也没有公开混合比例的变化。本申请的发明目的是通过一个曝光装置使得能够曝光具有不同特性的感光材料，提供具有高通用性的曝光装置。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）关于审查文本
复审请求人在答复复审通知书时未对申请文件进行修改。因此，本复审决定所针对的审查文本为：复审请求人于申请日2015年06月11日提交的说明书摘要、说明书附图、摘要附图、于2018年07月12日提交的说明书第1-58段、于2019年02月14日提交的权利要求第1-5项。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
1、独立权利要求1请求保护一种曝光装置，对比文件2中（参见对比文件2说明书第9页第1行至第14页第30行、附图1-12）公开了一种曝光步骤，其提供一种图像形成方法，该方法包括调制从激光源辐射出的激光束、补偿所述调制的激光束以及调制且补偿的激光束曝光在图案形成材料内的光敏层。所述调制是通过包含多个成像成分的激光调制器进行的，所述每个成像成分能够接受激光束和输出调制的激光束；所述补偿是通过将调制的激光束通过多个微透镜传输进行的，所述多个微透镜被排列成微透镜阵列。
进行曝光步骤时，应用了扫描器162，其包括多个曝光头166，每个曝光头包括激光源和激光调制器，图案形成材料150被扫描器162扫描曝光。曝光头的每一个都包括数字微反射镜器件（DMD）50，其具有许多微反射镜62，每个微反射镜都用作成像部分，该DMD50作为根据图案信息调制入射激光束的激光调制器或空间调制器。在DMD50的入射激光侧，顺序安置：纤维阵列激光源66，其装备有激光辐射部件；透镜系统67，补偿来自纤维阵列激光源66的激光束并在DMD50上聚光该激光束；以及反射镜69，将穿过透镜系统67的激光束反射到DMD50上。在DMD50的反射侧，安置成像系统51，以使被DMD50反射的激光束成像到图案形成材料150上。成像系统51中包括了第一成像系统、第二成像系统以及二者之间的微透镜阵列55和孔阵列59，微透镜阵列55是将每一个都相应于DMD50的各个成像成分的多个微透镜55a进行二维排列而形成的。第一成像系统在微透镜阵列55上形成DMD50的图像，作为3倍放大的图案，第二成像系统通过微透镜系统55形成图像并将其投影到图案形成材料150上，形成1.6倍放大的图像，因此，将DMD50的图像成像并投影在图案形成材料150上，作为4.8倍放大的图像。
将对比文件2公开的上述内容与权利要求1相比可知，对比文件2中的扫描器162相当于本申请的曝光装置，其是通过DMD50作为空间调制元件对从激光源发出的光进行调制，并利用该调制后的光对图案形成材料150曝光，DMD50排列有分别独立的进行调制的多个微反射镜62（即像素部）。由于对比文件2中采用了激光源，则必然存在点亮或关闭该激光源的控制装置。
因此，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件2的区别在于：1）光源装置的具体构成，具体涉及的技术特征为：1个激光二极管和其他激光二极管；多个第一光纤束，其具有1条第1光纤，其在入射端入射来自所述1个激光二极管的射出光并在出射端射出；其他的第1光纤，其在入射端入射来自所述其他的激光二极管的射出光并在出射端出射；以及第2光纤，其聚集所述1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光，该多个第1光纤束将所述第1光纤和所述其他的第1光纤的出射端按照规定的排列进行集束，聚集该1条第1光纤和其他的第1光纤的射出光并使其入射到所述第2光纤的入射端；第2光纤束，其具有聚集所述第2光纤的射出光的第3光纤，该第2光纤束将所述多个第1光纤束的多个第二光纤的出射端侧按照规定的排列进行集束，聚集各第2光纤的射出光并使其入射到所述第3光纤的入射端；以及输出部，其连接所述第3光纤的输出端，用于对外部进行输出。对比文件2中仅公开了以纤维阵列激光源66作为光源装置，但未对其中的光纤的具体组成进行说明。该区别要解决的实质问题是相比于采用透镜聚光的装置，不需要按照规定的排列严格地配置光源和透镜阵列，能够将装置简化。以及2）激光源的波长特性及控制装置对其进行的相应控制，具体涉及的技术特征为：1个激光二极管，其射出具有第一波长为峰值波长的波长特性的激光，其他的激光二极管，其射出具有与第一波长不同的第二波长是峰值波长的波长特性的激光；所述光源装置还具有控制装置，该控制装置对所述1个激光二极管和所述其他的激光二极管的点亮个数、输出进行控制，从而变更每个波长的照度比例。对比文件2中仅可从中确定必然存在点亮或关闭激光源的控制装置，但并未对其激光源的波长特性、控制装置对激光源的相应控制进行说明。该区别要解决的实质问题是相比于使用单波长光源的情况，通过使用不同波长特性的光源并变更每个波长的照度比例，以提供最佳曝光条件。
关于上述区别1），对比文件1中（参见对比文件1说明书第2页第20行至第19页最后一行、附图1-15b）公开了一种光源装置，其可用于曝光机。其中光源装置2包括：多个光源20，其可为激光，和多个光入射单元21，其为单芯SC连接器。多个光纤70（相当于本申请的第1光纤），多个来自光源20的入射光L1在光纤70的入射端入射，在光纤70的光出射端72一侧排列成束而形成第2集聚功能光纤束部7，以使分别入射到多个光纤70的入射光L1集聚出射。第2集聚功能光纤束部7的光出射端72与多个光纤30（相当于本申请的第2光纤）中的至少一个光纤30的光入射端31抵接（附图13和14对应实施例）。将多个光纤30在光出射端32一侧排列成束，形成集聚功能光纤束部3，集聚功能光纤束部3的光出射端32和平均功能光纤部4中的多个光纤40（相当于本申请的第3光纤）中的一条的光入射端41抵接，平均功能光纤部4接收来自集聚功能光纤束部3的所有出射光，并可平均地出射，其出射图案可根据出射端62（相当于本申请的输出部）的光纤40的排列而变化。也就是说，结合附图13和14可以看出，对比文件1中的一个第2集聚功能光纤束部7和接收其出射光的一光纤30相当于本申请的第1光纤束，而对比文件1中有多个该种第1光纤束；对比文件1中的一个集聚功能光纤束部3和接收其出射光的一光纤40相当于本申请的第2光纤束，而对比文件1中有多个该种第2光纤束。因此，对比文件1中也公开了一种曝光机所用的光源装置，其同样利用光纤的多级构造来实现装置的简单构造，不需要使用透镜。本领域技术人员在对比文件1公开的光源装置的基础上，可以容易地将对比文件1的光源装置2替换对比文件2中的纤维阵列激光源66，这对于本领域技术人员而言是显而易见的。而激光二极管是常见的一种激光源，在对比文件1和2中都公开了要使用激光源的情况下，选择使用激光二极管属于本领域的常规选择。
关于上述区别2），复审请求人认为：对比文件1和2中没有公开混用不同波长的光对感光材料进行曝光，其不属于常用技术手段，同时对比文件1和2也没有公开混合比例的变化。本申请的发明目的是通过一个曝光装置使得能够曝光具有不同特性的感光材料，提供具有高通用性的曝光装置。
对此，合议组经审查认为，第一，本领域技术人员均知晓，在直描式的曝光装置中，需要根据作为曝光对象的感光材料的特性选取光源的波长及曝光条件，对于需要照射较宽波长区域的光的感光材料来说，单波长光源可能存在的曝光不充分问题是明显且普遍的，为此，本领域技术通常采用的方法是采用混用的发出不同波长的光的两种或多种激光二极管作为光源来解决上述问题。也就是说，根据感光材料的特性相应地混用不同波长的光对其进行曝光属于本领域的常用技术手段。第二，对比文件1中还公开了在针对仅有集聚功能光纤束部3的光纤30和平均功能光纤部的光纤4的实施例（附图1对应的实施例）进行平均性能评价时，制造的12通道光纤束中，对于一个第1光纤束部（4通道），在1通道（1根集聚功能光纤束部光纤）点亮时和4通道（4根集聚功能光纤束部光纤）点亮时，进行出射光的近视野图像的评价。也就是说，从技术角度而言，对比文件1的一个光纤束部的光纤也是可以只点亮一根、不点亮其他根，或全部点亮，这并不会存在任何技术障碍；而利用控制电流大小来控制激光源的出射光的照度，由此控制各波长光的照度比例，也是本领域的常规技术。而在本申请中，其对照度比例的控制手段是“各LD模块1、2的LD通过控制装置99而被控制，对其点亮、非点亮以及其输出(照度)进行控制”、“通过由控制装置99控制LD模块1、2的LD的点亮个数和输出来改变每个波长的照度比例”，即本申请中控制照度比例的手段仅仅是控制各LD模块点亮、非点亮及其输出，即控制点亮个数，或者控制输出。如前所述，关于控制各LD模块点亮和非点亮，从技术角度而言，对比文件1的一个光纤束部的光纤也是可以只点亮一根、不点亮其他根，或全部点亮，这并不会存在任何技术障碍，关于控制各LD模块的输出，利用控制电流大小来控制激光源的出射光的照度，由此控制各波长光的照度比例，也是本领域的常规技术。因此，本领域技术人员可以根据其所知晓的本领域普通技术知识，在上述应用的对比文件1和2结合的基础上，采用发出峰值波长特性不同的第一波长和第二波长的激光二极管，分别作为一个第2集聚功能光纤束部7中的不同光纤70的入射光源，并根据实际需要控制各波长激光二极管的点亮个数及其电流，以变更各波长的照度比例，通过有限次试验来获得最佳的照度比例以获得最佳曝光条件。第三，关于本申请的发明目的，本申请说明书中提出还存在有些被曝光的抗蚀剂具有宽波段的感光度，因而如果是单波长则不可避免地存在无法充分硬化的情况或曝光时间变长的情况。因此，提出了使用多个具有不同的波长特性的光源，并利用透镜进行聚光。但是，在构成为采用不同波长的多个光源和透镜的结构的情况下，需要确保按照规定的排列方式严格配置光源而成的光源阵列和透镜阵列，存在装置复杂化的问题。由此，本申请提出了一种改进后的光源装置和使用该光源装置的曝光装置。而由于其中采用混合多个波长的曝光波长的光源，因此能够应对宽范围的抗蚀剂（对应前述抗蚀剂具有宽波段的感光度）。也就是说，本申请中仅涉及了要针对具有宽波段感光度的抗蚀剂，在曝光装置中应用多个具有不同波长特性的光源；并未提出要解决针对多个特性不同的抗蚀剂，为其提供高通用性的曝光装置的技术问题。因此，从本申请说明书中无法得出复审请求人声称的上述发明目的。退一步讲，即便本领域技术人员通过阅读本申请，可以预料到使用本申请的曝光装置，可以通过改变所使用的光源的波长，来对特性不同的感光材料进行曝光，但这是结合本领域技术人员的普通技术知识所得出的结论，且其效果显然也是可以预料的，并不属于具有非显而易见性且其技术效果为预料不到的情形。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
综上所述，权利要求1相对于对比文件2、1和本领域常用技术手段的结合不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2从属于权利要求1。利用控制装置控制激光二极管点亮、非点亮、输出照度等，对于本领域技术人员而言都是常规的控制激光二极管发光的技术手段。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性，权利要求2亦不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、权利要求3、4均从属于权利要求1。对比文件1中（具体出处同上）公开了优选入射光波长为190nm-530nm，并且公开了采用波长为405nm的激光来评价平均功能光纤部的平均性能。如上所述，使用不同波长的激光源，属于本领域的常用技术手段。在对比文件1的光源波长范围内，根据实际需要选择合适的峰值波长特性的激光二极管，例如分别选择峰值波长为375nm和405nm的激光二极管作为激光源，属于在有限范围内的常规选择，该选择并不具有预料不到的技术效果。因此，当其引用的权利要求1不具备创造性，权利要求3和4亦不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
4、权利要求5从属于权利要求1-4之一。对比文件2中（具体出处同上）公开了成像系统51中包括了第一成像系统、第二成像系统以及二者之间的微透镜阵列55和孔阵列59，微透镜阵列55是将每一个都相应于DMD50的各个成像成分的多个微透镜55a进行二维排列而形成的。第一成像系统在微透镜阵列55上形成DMD50的图像，作为3倍放大的图案，第二成像系统通过微透镜阵列55形成图像并将其投影到图案形成材料150上，形成1.6倍放大的图像，因此，将DMD50的图像成像并投影在图案形成材料150上，作为4.8倍放大的图像。即对比文件2中公开了微透镜阵列55的微透镜55a将多个像素部调制后的多个光纤束分别单独地放大。而光学系统中，根据需要对如上光束放大或汇聚属于本领域常规技术，当需要对入射光束汇聚时，选用能起到汇聚作用的微透镜阵列，对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，当其引用的权利要求1-4不具备创造性，权利要求5亦不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
综上所述，权利要求1-5均不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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