发明创造名称：光掩模坯料及其制造方法
外观设计名称：
决定号：182828
决定日：2019-07-02
委内编号：1F253711
优先权日：2013-09-25，2014-08-05，2014-08-13
申请（专利）号：201410499354.5
申请日：2014-09-25
复审请求人：信越化学工业株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李闻
合议组组长：彭予泓
参审员：王小燕
国际分类号：G03F1/00,G03F1/36,G03F1/78
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与最接近现有技术公开的技术方案相比存在区别技术特征，且该区别技术特征属于本领域的常用技术手段，且本领域技术人员有动机将该常用技术手段应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求所要求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为 201410499354.5、发明名称为“光掩模坯料及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2014年09月25日，优先权日为2013年09月25日、2014年08月05日、2014年08月13日，公开日为2015年03月25日，申请人为“信越化学工业株式会社”。
经实质审查，国家知识产权局专利实质审查部门以本申请权利要求1-29不符合专利法第22条第3款的规定为由于2018年02月28日驳回了本申请。驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN1763632B 公告日为：2011年02月16日。
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年09月25日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-4页、说明书摘要和摘要附图；2018年01月22日提交的权利要求第1-29项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。
2. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在形成前述含硅无机膜时，将与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度制成55原子％以上且75原子％以下。
3. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。
4. 如权利要求2所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。
5. 如权利要求3所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。
6. 如权利要求4所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。
7. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含硅无机膜。
8. 如权利要求2所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含硅无机膜。
9. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
10. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜制成还含有氧、氮中的任一种以上的元素。
11. 如权利要求10所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。
12. 一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜，然后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
13. 如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。
14. 如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
15. 如权利要求12所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜制成还含有氧、氮中的任一种以上的元素。
16. 如权利要求15所述的光掩模坯料的制造方法，其中，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。
17. 一种光掩模坯料，其在透明基板上至少具有含有硅的硅烷化处理后的含硅无机膜，并在前述含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜，并且前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
18. 如权利要求17所述的光掩模坯料，其中，利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。
19. 如权利要求17所述的光掩模坯料，其中，前述硅烷化处理是使用了六甲基二硅氮烷的处理。
20. 如权利要求17所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜还含有氧、氮中的任一种以上的元素。
21. 如权利要求20所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜是SiO膜或SiON膜。
22. 一种光掩模坯料，其在透明基板上至少具有含有硅的硅烷化处理后的含硅无机膜，并在前述含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。
23. 如权利要求22所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
24. 如权利要求22所述的光掩模坯料，其中，前述硅烷化处理是使用了六甲基二硅氮烷的处理。
25. 如权利要求23所述的光掩模坯料，其中，前述硅烷化处理是使用了六甲基二硅氮烷的处理。
26. 如权利要求22所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜还含有氧、氮中的任一种以上的元素。
27. 如权利要求25所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜还含有氧、氮中的任一种以上的元素。
28. 如权利要求26所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜是SiO膜或SiON膜。
29. 如权利要求27所述的光掩模坯料，其中，前述含硅无机膜是SiO膜或SiON膜。”
驳回决定具体指出：（1）权利要求1要求保护一种光掩模坯料的制造方法。权利要求22要求保护一种光掩膜坯料。权利要求1、22与对比文件1的区别在于：含硅无机膜与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。该区别技术特征是本领域技术人员在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识进行推理或分析容易得到的。因此，权利要求1、22相对于对比文件1和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12要求保护一种光掩膜坯料的制造方法。权利要求17要求保护一种光掩膜坯料。权利要求12、17与对比文件1的区别在于：在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。该区别技术特征属于本领域的常用技术手段。因此，权利要求12、17相对于对比文件1和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2，5-11，13-16，18-21，23-29的附加技术特征已经被对比文件1公开；从属权利要求3-4的附加技术特征部分被对比文件1公开，部分属于本领域的常用技术手段；因此，权利要求2-11，13-16，18-21，23-29不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人信越化学工业株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年06月12日向专利复审委员会提出了复审请求，但未对申请文件进行修改。复审请求人在复审请求书中指出：（1）对比文件1未公开权利要求1、22中的技术特征“含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度”。并且，从结合能的大小的观点认为Si-O键比Si-Si键稳定并不能必然断定成膜的含硅无机膜的表面中Si-O键的检测强度大于Si-Si键的检测强度。（2）对比文件1未公开权利要求12、17中的“在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜”。现有技术中通过等离子处理等进行成膜，而不是在成膜后对膜进行等离子处理。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年06月25日依法受理了该复审请求，并将其转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月22日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1请求保护一种光掩膜坯料的制造方法。权利要求1与对比文件1的区别在于：含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。基于上述区别技术特征，本申请实际解决了光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。该区别技术特征属于本领域的常用技术手段。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）权利要求12请求保护一种光掩膜坯料的制造方法。权利要求12与对比文件1的区别在于：在透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。基于该区别技术特征，本申请实际解决的是光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上容易想到的常用技术手段。因此，权利要求12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）权利要求17请求保护一种光掩膜坯料。权利要求17与对比文件1的区别在于：在透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。基于该区别技术特征，本申请实际解决的是光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上容易想到的常用技术手段。因此，权利要求17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）权利要求22请求保护一种光掩膜坯料。权利要求22与对比文件1的区别在于：含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。基于上述区别技术特征，本申请实际解决了光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件1公开内容的基础上容易想到的常用技术手段。因此，权利要求22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（5）从属权利要求2、5-11、13-16、18-21、23-29的附加技术特征被对比文件1公开；权利要求3、4的附加技术特征属于本领域的常用技术手段；因此，从属权利要求2-11、13-16、18-21、23-29不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（6）合议组针对复审请求人的意见陈述进行了详细答复。
复审请求人于2019年04月09日针对复审通知书提交了意见陈述书及权利要求书的全文修改替换页，所作修改涉及：（1）在独立权利要求1中增加技术特征“并且，将所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度制成61.5原子％以上且75原子％以下，并且，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜”形成新的独立权利要求1；在独立权利要求22中增加技术特征“前述含硅无机膜是SiO膜或SiON膜”、“并且，前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的氧浓度为61.5原子％以上且75原子％以下”以形成新的独立权利要求6。（2）删除权利要求2、4、6、8、10-21、23、25-29，并对剩余权利要求的编号和引用关系进行适应性修改。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种光掩模坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，
所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，并且，将所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度制成61.5原子％以上且75原子％以下，并且，将前述含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。
2. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，
在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。
3. 如权利要求2所述的光掩模坯料的制造方法，其中，
利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含有硅的无机膜。
4. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，
利用溅镀在前述透明基板上成膜，形成前述含硅无机膜。
5. 如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，
在前述硅烷化处理中，使用六甲基二硅氮烷进行处理。
6. 一种光掩模坯料，其在透明基板上至少具有含有硅的硅烷化处理后的含硅无机膜，并在前述含硅无机膜上具有抗蚀膜，
其特征在于，
前述含硅无机膜是SiO膜或SiON膜，并且，前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，并且，前述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的面中的氧浓度为61.5原子％以上且75原子％以下。
7. 如权利要求6所述的光掩模坯料，其中，前述硅烷化处理是使用了六甲基二硅氮烷的处理。”
复审请求人认为：（1）在对比文件1的第[0069]段等中，作为具体例子，第2遮光性膜14是使用硅或钼硅化物的靶，溅镀成膜，并不存在复审通知书中所认定的“使用硅氧化物作为靶进行形成”的记载。（2）即使是对比文件1记载了该形成方法，但是，对于Si-O键的检测强度＞Si-Si键的检测强度，也没有给出任何相关的记载或技术启示。含硅无机膜等的表面中的Si-O键的检测强度和Si-Si键的检测强度的大小，根据其成膜条件而不同。如本申请说明书中的比较例（参见本申请说明书第12页第12-23行）中所记载的，也存在满足Si-O键的检测强度＜Si-Si键的检测强度的关系的含硅无机膜。而且，在对比文件1中，对于本申请中发现的Si-O键的检测强度＞Si-Si键的检测强度的大小关系的意义以及效果（抗蚀剂残渣的发生所导致的缺陷数量的减少），没有给出任何相关的记载或技术启示。（3）与在本申请对应的日本申请以及美国申请中，与本申请的修改后的权利要求1、6相对应的技术方案，在没有进行本次的氧浓度的限定以及含硅无机膜的材质的限定的状态下已经获得授权。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年04月09日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，经查，所作修改符合专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：2019年04月09日提交的权利要求第1-7项；申请日2014年09月25日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-4页、说明书摘要和摘要附图。
关于创造性
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与最接近现有技术公开的技术方案相比存在区别技术特征，且该区别技术特征属于本领域的常用技术手段，且本领域技术人员有动机将该常用技术手段应用到最接近的现有技术中以解决相应技术问题，则该权利要求所要求保护的技术方案不具备创造性。
具体到本案：
（1）权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种光掩膜坯料的制造方法。对比文件1公开了一种光掩膜坯料的制造方法（参见说明书第0053-0056、0106-0107段，附图1A、1B、5A），其中包括在光学透明基板11上形成第2遮光性膜14，其中第2遮光性膜14的材料可以选择使用硅的氧化物（SiO）、氮化物或氧氮化物（SiON）、或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物，即第2遮光性膜14是一种含有硅的含硅无机膜，且作为第2遮光性膜的材料的含硅化合物中，氧的范围设定为0-60at%；在第2遮光性膜14上涂布光致抗蚀剂膜16，且在涂布光致抗蚀剂膜16前对第2遮光性膜14的表面进行烷基甲硅烷基化处理。
权利要求1与对比文件1的区别在于：含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，并且，含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的氧浓度制成61.5原子％以上且75原子％以下。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决了光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。
然而见前述，对比文件1公开的光掩膜坯料中，第2遮光性膜14可以选择硅的氧化物（SiO）、或氧氮化物（SiON），且作为第2遮光性膜的材料的含硅化合物中，氧的范围设定为0-60at%。在对比文件1公开的上述内容的基础上，本领域技术人员容易选择氧含量为60at%的氧化物（SiO）、或氧氮化物（SiON）作为第2遮光性膜。而在硅的氧化物或氧氮化物中氧的含量设定为60at%时，其得到的遮光性膜层材料中Si-O键的含量大于Si-Si键的含量。而X射线光电子光谱法是本领域中常用的检测化学键结合能的方法，采用X射线光电子光谱法对第2遮光性膜进行检测，检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。对本领域技术人员来说，由于膜层材料的均匀性是本领域对于膜层材料的普遍要求，第2遮光性膜表面与第2遮光性膜层的原子比率一致是本领域的常规选择，此时显然容易得到第2遮光性表面由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，即第2遮光性膜表面的氧浓度为60at%，其显然也能够解决光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。本领域技术人员在对比文件1公开的氧浓度为60at%的基础上，由于参数相近其性质相似，本领域技术人员将氧浓度改进为61.5at%是显而易见的，此时采用X射线光电子光谱法对第2遮光性膜进行检测，检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度仍然大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段从而得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的。权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6请求保护一种光掩膜坯料。对比文件1公开了一种光掩膜坯料（参见说明书第0053-0056、0106-0107段，附图1A、1B、5A），其中包括形成在光学透明基板11上的第2遮光性膜14，其中第2遮光性膜14的材料可以选择使用硅的氧化物（SiO）、氮化物或氧氮化物（SiON）、或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物，即第2遮光性膜14是一种含有硅的含硅无机膜，且作为第2遮光性膜的材料的含硅化合物中，氧的范围设定为0-60at%；对第2遮光性膜14的表面进行烷基甲硅烷基化处理；且在第2遮光性膜14上具有光致抗蚀剂膜16。
权利要求6与对比文件1的区别在于：含硅无机膜的与抗蚀膜接触的表面中的由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，含硅无机膜的与抗蚀膜接触的面中的氧浓度为61.5原子％以上且75原子％以下。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决了光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。
然而见前述，对比文件1公开的光掩膜坯料中，第2遮光性膜14可以选择硅的氧化物（SiO）、或氧氮化物（SiON），且作为第2遮光性膜的材料的含硅化合物中，氧的范围设定为0-60at%。在对比文件1公开的上述内容的基础上，本领域技术人员容易选择氧含量为60at%的氧化物（SiO）、或氧氮化物（SiON）作为第2遮光性膜。而在硅的氧化物或氧氮化物中氧的含量设定为60at%时，其得到的遮光性膜层材料中Si-O键的含量大于Si-Si键的含量。而X射线光电子光谱法是本领域中常用的检测化学键结合能的方法，采用X射线光电子光谱法对第2遮光性膜进行检测，检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。对本领域技术人员来说，由于膜层材料的均匀性是本领域对于膜层材料的普遍要求，第2遮光性膜表面与第2遮光性膜层的原子比率一致是本领域的常规选择，此时显然容易得到第2遮光性表面由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，即第2遮光性膜表面的氧浓度为60at%，其显然也能够解决光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。本领域技术人员在对比文件1公开的氧浓度为60at%的基础上，由于参数相近其性质相似，本领域技术人员将氧浓度改进为61.5at%是显而易见的，此时采用X射线光电子光谱法对第2遮光性膜进行检测，检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度仍然大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域的常用技术手段从而得到权利要求6请求保护的技术方案是显而易见的。权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）从属权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2是对权利要求1的进一步限定。其附加技术特征中限定了在前述透明基板上形成含有硅的无机膜后，进行热处理、臭氧处理、等离子处理中的任一种处理，由此形成前述含硅无机膜。对本领域技术人员来说，热处理、臭氧处理、等离子处理都是对光掩膜坯料中各膜层表面处理的常规方式，采用哪种处理方式是本领域技术人员在成膜后根据需要的常规选择。因此，在引用的权利要求不具有创造性的情况下，权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）从属权利要求3、4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求3、4分别是对权利要求2、1的进一步限定。其附加技术特征中限定了通过溅镀在透明基板的方式形成含硅无机膜。对比文件1公开的光掩膜坯料及其制造方法中（参见说明书第0069段），通过溅镀的方式在透明基板11上形成第2遮光性膜14。因此，在引用的权利要求不具有创造性的情况下，权利要求3、4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）从属权利要求5、7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求5、7分别是对权利要求书1、6的进一步限定。其附加技术特征进一步限定了使用六甲基二硅氮烷进行硅烷化处理。对比文件1公开的光掩膜坯料及其制造方法中（参见说明书第0107段），采用六甲基二硅氮烷将遮光膜表面硅烷化处理。因此，在引用的权利要求不具有创造性的情况下，权利要求5、7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
（1）对比文件1说明书第0054段明确记载了：作为第2遮光性膜14的主成分的含硅化合物中，例如可以选择使用硅的氧化物、氮化物或氧氮化物、或硅和过渡金属的氧化物、氮化物或氧氮化物。即对比文件1公开了本申请的含硅无机膜设为SiO膜或SiON膜。
（2）对比文件1公开的光掩膜坯料中，第2遮光性膜14中氧的范围设定为0-60at%。当其氧范围设定为60at%时，其得到的遮光性膜层材料中Si-O键的含量必然大于Si-Si键的含量。此时采用X射线光电子光谱法对第2遮光性膜进行检测，检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度。由于膜层材料的均匀性是本领域对于膜层材料的普遍要求，第2遮光性膜表面与第2遮光性膜层的原子比率一致是本领域的常规选择，此时显然容易得到第2遮光性表面由X射线光电子光谱法检测出来的相当于Si-O的结合能的检测强度大于相当于Si-Si的结合能的检测强度，且第2遮光性表面的氧浓度为60at%。在对比文件1的第2遮光性表面具有与本申请的含硅无机膜的表面性质非常接近的情况下，其显然也能够解决光掩膜坯料在显影后因抗蚀剂残渣所引起的缺陷问题。
（3）国家知识产权局依据中华人民共和国专利法以及中华人民共和国专利法实施细则对向国家知识产权局提交的专利申请进行依法审查，故他局审查结果不影响本申请在中国国家知识产权局的审查结论。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年02月28 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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