发明创造名称：PSVA型液晶显示面板及其制作方法
外观设计名称：
决定号：182629
决定日：2019-07-02
委内编号：1F260678
优先权日：
申请（专利）号：201510571677.5
申请日：2015-09-09
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张帆
合议组组长：崔双魁
参审员：刘燕梅
国际分类号：G02F1/1343;G02F1/1333;G02F1/1362;G03F1/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征是基于另一篇对比文件及本领域公知常识容易想到的，且不会产生任何预料不到的技术效果，则权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510571677.5，名称为“PSVA型液晶显示面板及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电技术有限公司,申请日为2015年09月09日，公开日为2015年11月11日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月24日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请日2015年09月09日提交的说明书第1-75段、说明书附图1-12、说明书摘要、摘要附图；2018年06月05日提交的权利要求第1-5项。驳回决定中引用了如下两篇对比文件：
对比文件1：CN104503155A，公开日期为2015年04月08日；
对比文件2：CN103515375A，公开日期为2014年01月15日。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种PSVA型液晶显示面板，其特征在于，包括上基板、与所述上基板相对设置的下基板(2)、及位于所述上基板与下基板(2)之间的液晶层；
所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；
所述下基板(2)包括数个像素单元，每个像素单元包括第二基板(21)、设于所述第二基板(21)上的薄膜晶体管、设于所述第二基板(21)与薄膜晶体管上的钝化层(22)、以及设于所述钝化层(22)上的像素电极(23)；
所述钝化层(22)的上表面具有数条沟槽(221)，所述数条沟槽(221)具有三种以上的深度；
所述像素电极(23)为厚度均匀、连续不间断的整面电极；所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)，所述钝化层(22)对应所述漏极(24)的上方设有过孔(223)，所述像素电极(23)穿过该过孔(223)与所述薄膜晶体管的漏极(24)相连接；
所述过孔(223)与沟槽(221)通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得；
所述
2. 如权利要求1所述的PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述钝化层(22)的厚度为所述沟槽(221)的深度为三种，分别为
3. 一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供第二基板(21)，在所述第二基板(21)上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)；
步骤2、在所述薄膜晶体管及第二基板(21)上沉积钝化层(22)；
步骤3、在所述钝化层(22)上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层(50)，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层(22)上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层(22)上形成沟槽的 的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上深度的沟槽；
步骤4、以所述光阻层(50)为遮蔽层，对所述钝化层(22)进行刻蚀，得到图案化的钝化层(22)，该图案化的钝化层(22)具有位于所述钝化层(22)上表面的数条沟槽(221)、以及贯穿所述钝化层(22)且对应所述漏极(24)上方的过孔(223)，所述沟槽(221)具有三种以上的深度；
步骤5、剥离剩余的光阻层(50)，在所述钝化层(22)上溅射形成像素电极(23)；得到下基板(2)；
所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案，所述像素电极(23)穿过过孔(223)与所述漏极(24)相连接；
步骤6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；将所述上基板与下基板(2)对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板；
所述步骤2中
所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层(22)进行刻蚀。
4. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中提供的多阶调掩膜板的半曝光区域包括三种透光度，所述步骤4中形成的沟槽(221)的深度为三种，分别为
5. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中沉积钝化层(22)的厚度为”
驳回决定中指出：独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：（1）权利要求1中为PSVA型液晶显示面板，像素电极厚度均匀，以及钝化层上具有三种以上深度的沟槽，其中钝化层的厚度≥5000 ?；（2）薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，钝化层对应漏极的上方设有过孔，像素电极穿过过孔与漏极连接，过孔与沟槽通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得。对于区别技术特征（1），本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到将钝化层上设置三种以上深度的沟槽，并且形成的像素电极的厚度均匀，并根据需要对钝化层的厚度进行设置；对于区别技术特征（2），对比文件2给出了多阶调掩膜版的使用方法以及使用多阶调掩膜版可以减少曝光次数、简化工艺的技术启示，因此，本领域技术人员容易想到采用多阶调掩膜版制作钝化层不同厚度的沟槽和过孔。另外，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，以及像素电极通过钝化层上的过孔与漏极相连接是本领域的常规技术手段。因此，独立权利要求1不具备创造性。从属权利要求2的钝化层的厚度和沟槽的深度是本领域技术人员可以根据需要进行设计的，因此，权利要求2也不具备创造性。独立权利要求3与对比文件1的区别技术特征为：权利要求3形成的是PSVA型液晶显示面板，在第二基板上沉积钝化层之前制作薄膜晶体管，其中薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极；以及通过采用多阶调掩膜板使钝化层上形成过孔和具有三种以上深度的沟槽结构，其中采用干法刻蚀工艺对钝化层进行刻蚀；溅射形成像素电极并通过过孔与漏极连接，沉积的钝化层的厚度≥5000 ?。基于上述区别技术特征，该权利要求实际解决的技术问题是如何简化具有三种以上深度的沟槽的制作工艺。结合对比文件1、对比文件2和本领域的常规设置，本领域技术人员容易想到在制作对比文件1中不同深度的沟槽结构以及过孔时采用对比文件2中的多阶调掩膜板工艺以减少曝光次数，从而简化工艺；而其中的曝光显影技术以及光刻胶剥离等技术均为本领域的常规技术手段。因此，独立权利要求3不具备创造性。从属权利要求4、5的钝化层的厚度和沟槽的深度是本领域技术人员可以根据需要进行设置的，因此，权利要求4、5也不具备创造性。
申请人深圳市华星光电技术有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年09月13日向国家知识产权局提出了复审请求，提交了修改后的权利要求书全文替换页，将技术特征“以进行穿透率均一性弥补”增加至原权利要求1、3的技术特征“所述数条沟槽（221）具有三种以上的深度”之后，形成新的权利要求1、3，修改后的权利要求书如下：
“1. 一种PSVA型液晶显示面板，其特征在于，包括上基板、与所述上基板相对设置的下基板(2)、及位于所述上基板与下基板(2)之间的液晶层；
所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；
所述下基板(2)包括数个像素单元，每个像素单元包括第二基板(21)、设于所述第二基板(21)上的薄膜晶体管、设于所述第二基板(21)与薄膜晶体管上的钝化层(22)、以及设于所述钝化层(22)上的像素电极(23)；
所述钝化层(22)的上表面具有数条沟槽(221)，所述数条沟槽(221)具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；
所述像素电极(23)为厚度均匀、连续不间断的整面电极；所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)，所述钝化层(22)对应所述漏极(24)的上方设有过孔(223)，所述像素电极(23)穿过该过孔(223)与所述薄膜晶体管的漏极(24)相连接；
所述过孔(223)与沟槽(221)通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得；
所述钝化层(22)的
2. 如权利要求1所述的PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述钝化层(22)的厚度为所述沟槽(221)的深度为三种，分别为
3. 一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供第二基板(21)，在所述第二基板(21)上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)；
步骤2、在所述薄膜晶体管及第二基板(21)上沉积钝化层(22)；
步骤3、在所述钝化层(22)上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层(50)，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层(22)上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层(22)上形成沟槽的 的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上深度的沟槽；
步骤4、以所述光阻层(50)为遮蔽层，对所述钝化层(22)进行刻蚀，得到图案化的钝化层(22)，该图案化的钝化层(22)具有位于所述钝化层(22)上表面的数条沟槽(221)、以及贯穿所述钝化层(22)且对应所述漏极(24)上方的过孔(223)，所述沟槽(221)具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；
步骤5、剥离剩余的光阻层(50)，在所述钝化层(22)上溅射形成像素电极(23)；得到下基板(2)；
所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案，所述像素电极(23)穿过过孔(223)与所述漏极(24)相连接；
步骤6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；将所述上基板与下基板(2)对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板；
所述步骤2中沉积钝化层(22)的
所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层(22)进行刻蚀。
4. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中提供的多阶调掩膜板的半曝光区域包括三种透光度，所述步骤4中形成的沟槽(221)的深度为三种，分别为
5. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中沉积钝化层(22)的厚度为”
复审请求人认为：（1）对比文件1中像素设置的目的是为了达到改善大视角下的色偏现象的技术效果，对比文件1公开的内容中没有任何关于其设置至少两种不同深度的沟槽结构是为了对液晶显示面板的穿透率起到何种效果的公开，而本申请中液晶显示面板在不同深度的沟槽处具有不同的穿透率，从而设置三种以上深度的沟槽能够对液晶显示面板进行穿透率均一性弥补；（2）对比文件2仅能够提供利用MTM经由一道光刻制程制得栅极、栅线、像素电极的技术启示，并不能对本申请通过利用制作多个沟槽的多阶调掩膜板同时制作用于连接钝化层上的像素电极与钝化层下方的薄膜晶体管的漏极过孔提供技术启示。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月08日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
针对上述复审请求，合议组于2019 年03 月12 日向复审请求人发出复审通知书，指出：独立权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）权利要求1中是一种PSVA型液晶显示面板；设于第二基板上的薄膜晶体管、设于所述第二基板与薄膜晶体管上的钝化层；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述钝化层对应所述漏极的上方设有过孔，所述像素电极穿过该过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连接；（2）所述过孔与沟槽通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得；所述钝化层的厚度≥5000?；（3）所述数条沟槽具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补。 基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案所要解决的技术问题是进行PSVA型液晶显示面板的穿透率均一性弥补，提升大视角特性，同时简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。对于区别特征（1），PSVA型液晶显示面板是本领域中常见的液晶显示面板类型，薄膜晶体管作为开关以及设置过孔使像素电极与漏极连接是本领域公知常识；对于区别特征（2），对比文件2给出了利用多阶调掩膜版一次形成具有不同厚度的光刻胶，进而通过光刻形成具有不同深度的图案的层膜结构的技术启示，本领域技术人员容易想到仅需要利用多阶调掩膜在对应过孔和沟槽的位置处形成不同厚度的光刻胶，再通过一次光刻制程即可同时形成过孔和沟槽。而钝化层的厚度则是本领域技术人员考虑对钝化层下部层膜结构的保护效果、所需要的沟槽的深度等而进行的常规选择。对于区别特征（3），本领域技术人员在对比文件1的基础上，容易想到设置具有三种以上的深度的沟槽。设置具有三种以上的深度的沟槽必然可以进行穿透率均一性弥补。因此，独立权利要求1不具备创造性。权利要求2的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求2不具备创造性。独立权利要求3与对比文件1的区别技术特征在于：（1）权利要求3中是一种PSVA液晶显示面板，在第二基板上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极；在所述薄膜晶体管上沉积钝化层；（2）步骤3、在所述钝化层上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层上形成沟槽的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上深度的沟槽；步骤4、以所述光阻层为遮蔽层，对所述钝化层进行刻蚀，得到图案化的钝化层、以及贯穿所述钝化层且对应所述漏极上方的过孔，所述沟槽具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；步骤5、剥离剩余的光阻层，在所述钝化层上溅射形成像素电极；得到下基板；所述像素电极穿过过孔与所述漏极相连接；步骤6、将所述上基板与下基板对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板；（3）所述步骤2中沉积钝化层的度≥5000?；所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层进行刻蚀。基于上述区别技术特征，权利要求3所要解决的技术问题是进行PSVA型液晶显示面板的穿透率均一性弥补，提升大视角特性，同时简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。区别技术特征（1）是本领域公知常识；区别技术特征（2）是本领域技术人员在对比文件2的启示下，结合对比文件1和公知常识而容易想到的；区别技术特征（3）是本领域常规选择。因此，独立权利要求3不具备创造性。从属权利要求4、5的附加技术特征是本领域技术人员的常规选择，因此，权利要求4、5不具备创造性。
复审请求人于2019 年03 月29 日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页，将技术特征“不同深度的所述沟槽（221）在钝化层（22）上交替排列”加入原权利要求1、3中，形成新的独立权利要求1、3，修改后的权利要求如下：
“1. 一种PSVA型液晶显示面板，其特征在于，包括上基板、与所述上基板相对设置的下基板(2)、及位于所述上基板与下基板(2)之间的液晶层；
所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；
所述下基板(2)包括数个像素单元，每个像素单元包括第二基板(21)、设于所述第二基板(21)上的薄膜晶体管、设于所述第二基板(21)与薄膜晶体管上的钝化层(22)、以及设于所述钝化层(22)上的像素电极(23)；
所述钝化层(22)的上表面具有数条沟槽(221)，所述数条沟槽(221)具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；
所述像素电极(23)为厚度均匀、连续不间断的整面电极；所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案；
所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)，所述钝化层(22)对应所述漏极(24)的上方设有过孔(223)，所述像素电极(23)穿过该过孔(223)与所述薄膜晶体管的漏极(24)相连接；
所述过孔(223)与沟槽(221)通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得；
所述钝化层(22)的
不同深度的所述沟槽(221)在钝化层(22)上交替排列。
2. 如权利要求1所述的PSVA型液晶显示面板，其特征在于，所述钝化层(22)的厚度为所述沟槽(221)的深度为三种，分别为
3. 一种PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、提供第二基板(21)，在所述第二基板(21)上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极(24)；
步骤2、在所述薄膜晶体管及第二基板(21)上沉积钝化层(22)；
步骤3、在所述钝化层(22)上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层(50)，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层(22)上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层(22)上形成沟槽的 的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上深度的沟槽；
步骤4、以所述光阻层(50)为遮蔽层，对所述钝化层(22)进行刻蚀，得到图案化的钝化层(22)，该图案化的钝化层(22)具有位于所述钝化层(22)上表面的数条沟槽(221)、以及贯穿所述钝化层(22)且对应所述漏极(24)上方的过孔(223)，所述沟槽(221)具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；
步骤5、剥离剩余的光阻层(50)，在所述钝化层(22)上溅射形成像素电极(23)；得到下基板(2)；
所述像素电极(23)整面附着于图案化的钝化层(22)上而随钝化层(22)具有相应的图案，所述像素电极(23)穿过过孔(223)与所述漏极(24)相连接；
步骤6、提供上基板，所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极；将所述上基板与下基板(2)对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板；
所述步骤2中沉积钝化层(22)的
所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层(22)进行刻蚀；
不同深度的所述沟槽(221)在钝化层(22)上交替排列。
4. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中提供的多阶调掩膜板的半曝光区域包括三种透光度，所述步骤4中形成的沟槽(221)的深度为三种，分别为
5. 如权利要求3所述的PSVA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中沉积钝化层(22)的厚度为”
复审请求人认为：（1）对比文件2公开的是通过MTM技术对不同膜层进行蚀刻以在不同膜层上形成图案，制得图案化的栅极、图案化的栅线以及图案化的像素电极，而本申请是利用MTM技术在同一膜层的钝化层上形成过孔以及不同深度的凹槽，对比文件2并不能对本申请通过利用MTM技术在钝化层上制得漏极上方的过孔以及多个深度不同的凹槽提供技术启示；因此坚持认为权利要求1具备创造性。进而权利要求2-4也具备创造性。（2）在对比文件1中，在钝化层2上设置至少两种不同深度的沟槽结构的目的是为了使得钝化层2上的像素电极对应钝化层2表面形成米字形的图案之外，还利用不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域，以达到改善大视角下色偏现象的技术效果；而在本申请中，是在将像素电极整面铺盖在钝化层的上表面上时像素电极随钝化层具有相应的图案的同时，液晶显示面板在不同深度的沟槽处具有不同的穿透率，能够对液晶显示面板进行穿透率均一性弥补，不同深度的沟槽在钝化层上交替排列，使得液晶显示面板整体的穿透率均一性较高。在对比文件1仅仅公开设置至少两种不同深度的沟槽是为了改变大视角色偏的情况下，对于本申请设置三种以上深度的沟槽以弥补穿透率均一性且不同深度的沟槽在钝化层上交替排列的方案并不能给予技术启示。因此，独立权利要求1、3及其从属权利要求2、4、5具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2018年09月13日和2019 年03 月29 日均提交了权利要求书的全文修改替换页，经合议组核实，权利要求书的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定所依据的文本为：申请日2015年09月09日提交的说明书第1-75段、说明书附图1-12、说明书摘要、摘要附图；2019年03月29日提交的权利要求第1-5项。
（二）、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与最接近的对比文件相比存在区别技术特征，而该区别技术特征是基于另一篇对比文件及本领域公知常识容易想到的，且不会产生任何预料不到的技术效果，则权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案：
1.权利要求1要求保护一种PSVA型液晶显示面板。对比文件1公开了一种液晶显示像素结构，其包括：下基板1、设于下基板1上表面的钝化层2、设于钝化层2上的像素电极3、上基板4、及设于上基板4下表面的公共电极5。所述像素电极3为ITO电极，所述公共电极5为ITO电极。每一像素设置多畴；一个像素内，所述钝化层2包括至少两种不同深度的沟槽结构，所述像素电极3连续不间断的覆盖于所述沟槽结构上，所述不同深度的沟槽结构将一个像素划分成不同区域（说明书第[0047]-[0048]段，图6-8）。从对比文件1的附图6中可以看出所述沟槽结构为数条。从对比文件1的附图7中可以明确看出像素电极3厚度均匀且随钝化层具有相应的图案。对比文件1的液晶显示像素结构能够减少TFT数量，使驱动控制电路简单（说明书书第29段）。
经对比分析可知，对比文件1中的液晶显示像素结构实质上也是液晶显示面板，上基板4相当于权利要求1中的第一基板，上基板4与设于上基板4下表面的公共电极5的组合对应于权利要求1中的上基板；下基板1与设于其上的钝化层2、像素电极3的组合对应于权利要求1中的下基板，其中下基板1相当于权利要求1中的第二基板；每一像素相当于权利要求1中的每个像素单元，下基板1相当于权利要求1中的第二基板，沟槽结构相当于权利要求1中的沟槽；像素电极3连接不间断的覆盖于所述沟槽结构上相当于权利要求1中的像素电极为连接不间断的整面电极、像素电极整面附着于图案化的钝化层上。
因此，权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：（1）权利要求1中是一种PSVA型液晶显示面板；设于第二基板上的薄膜晶体管、设于所述第二基板与薄膜晶体管上的钝化层；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极，所述钝化层对应所述漏极的上方设有过孔，所述像素电极穿过该过孔与所述薄膜晶体管的漏极相连接；（2）所述过孔与沟槽通过一个多阶调掩膜板经由一道光刻制程同时制得；所述钝化层的厚度≥5000?；（3）所述数条沟槽具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；不同深度的所述沟槽在钝化层上交替排列。
基于上述区别技术特征，权利要求1的技术方案所要解决的技术问题是进行PSVA型液晶显示面板的穿透率均一性弥补，提升大视角特性，同时简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。
合议组认为，对于区别特征（1），PSVA型液晶显示面板是本领域中常见的液晶显示面板类型，同时，在对比文件1已经公开了液晶显示像素结构具有TFT的基础上，在基板上设置包括栅极、源极、漏极的薄膜晶体管作为像素单元的开关以驱动液晶分子进行显示，是本领域技术人员的公知常识，在薄膜晶体管上设置钝化层以保护薄膜晶体管，并在钝化层上与薄膜晶体管的漏极上方设置过孔、使像素电极通过所述过孔与漏极连接，是本领域技术人员的常用技术手段。
对于区别特征（2），对比文件2公开了一种阵列基板及其制造方法，其通过多阶调掩膜版（MTM，Multi Tone Mask）与光刻胶离地剥离技术实现了阵列基板的制备，减少了制作过程中掩膜的使用数量，进而实现了降低工艺成本，提高产品和设备利用率的效果（参见说明书第[0057]段）。具体地，1、在玻璃基板201上形成透明导电薄膜膜层202和栅金属层203；2、在形成上述薄膜的基板上通过沉积或涂覆等工艺形成光刻胶301，利用MTM进行第一次曝光，由于MTM各个部分透过的光强不同，会导致光刻胶301相应的各个部分曝光强度也不同，再经过显影，得到保留的光刻胶301的形状。保留的光刻胶301在TFT的漏极电连接至像素电极处和栅线区域最厚，TFT栅极区域厚度次之，像素电极区域厚度最薄。之后进行刻蚀得到所需要的图案（参见说明书第[0061]-[0062]段）。即对比文件2给出了利用多阶调掩膜版一次形成具有不同厚度的光刻胶，进而通过光刻形成具有不同深度的图案的层膜结构的技术启示，权利要求1中仅是在一层钝化层中形成过孔与沟槽，本领域技术人员容易想到仅需要利用多阶调掩膜在对应过孔和沟槽的位置处形成不同厚度的光刻胶，再通过一次光刻制程即可同时形成过孔和沟槽。而钝化层的厚度则是本领域技术人员考虑对钝化层下部层膜结构的保护效果、所需要的沟槽的深度等而进行的常规选择。
对于区别特征（3），对比文件1公开了所述钝化层2包括至少两种不同深度的沟槽结构。本领域技术人员在对比文件1的基础上，从实际需要出发，容易想到设置具有三种以上的深度的沟槽。而在不同深度的沟槽处具有不同的穿透率，是本领域技术人员的公知常识，设置不同深度的沟槽可以使液晶面板的整体的穿透率更加均匀，这是不同深度的沟槽结构所必然具有的技术效果。即设置具有三种以上的深度的沟槽必然可以进行穿透率均一性弥补。而对于沟槽的排列方式，本领域技术人员公知的是，只要在不同区域设置不同深度的沟槽，就可以起到增加整体穿透率均匀性的效果，相同深度的沟槽排列的重复率越小，就可以在更小的范围内使液晶分子朝多个方向排列，从而使整体的各个角度的穿透率更均匀，这是本领域技术人员的公知常识。因此，使三种不同深度的沟槽交替排列，是本领域技术人员的常规选择，不会带来预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识而得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
2.从属权利要求2是对权利要求1的进一步限定。对比文件1记载了所述沟槽结构的凹陷21的深度值不固定，可根据所述钝化层2的厚度和设计需求进行优化调整（参见说明书第[0049]段）。本领域技术人员在对比文件1的启示下，有动机根据钝化层的厚度和设计需要对沟槽的深度进行合理选择，不需要付出创造性劳动。因此，权利要求2的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
3.权利要求3要求保护一种PSVA型液晶显示面板的制作方法。对比文件1公开了一种液晶显示像素结构的制作方法（参见说明书第[0055]-[0063]段），包括如下步骤：步骤1、提供一下基板1，在所述下基板1上沉积钝化层2。步骤2、通过黄光制程对所述钝化层2进行蚀刻。一个像素内，所述钝化层2被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽结构。步骤3、在具有至少两种不同深度的沟槽结构的钝化层2上沉积像素电极3，使所述像素电极3连续不间断的覆盖于沟槽结构上。步骤4、提供一上基板4，在所述上基板4上沉积公共电极5。所述沟槽结构包括凹陷部21、及与所述凹陷部21相邻的凸起部23，所述凹陷部21的深度小于或等于钝化层2的厚度。所述沟槽结构的凹陷部21的深度值不固定，可根据所述钝化层2的厚度和设计需求进行优化调整。从对比文件1的附图6中可以看出所述沟槽结构为数条。从对比文件1的附图7中可以明确看出像素电极3厚度均匀且随钝化层具有相应的图案。
经对比分析可知，对比文件1中的提供下基板1相当于权利要求3中的提供第二基板；在所述下基板1上沉积钝化层2相当于在第二基板上沉积钝化层；所述钝化层2被蚀刻出至少两种不同深度的沟槽相当于对所述钝化层进行刻蚀，得到图案化的钝化层，该图案化的钝化层具有位于所述钝化层表面上的数条沟槽；在钝化层2上沉积像素电极3使所述像素电极连续不间断的覆盖于沟槽结构上，相当于在钝化层上形成像素电极。提供一上基板4，在所述上基板4上沉积公共电极5，相当于提供上基板，所述上基板包括第一基板、及设于所述第一基板上的公共电极。
权利要求3与对比文件1的区别技术特征在于：（1）权利要求3中是一种PSVA液晶显示面板，在第二基板上制作薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极；在所述薄膜晶体管上沉积钝化层；（2）步骤3、在所述钝化层上涂布光刻胶，利用一个多阶调掩膜板对该光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层上形成沟槽的半曝光区域，所述半曝光区域包括三种以上的透光度用于形成三种以上深度的沟槽；步骤4、以所述光阻层为遮蔽层，对所述钝化层进行刻蚀，得到图案化的钝化层、以及贯穿所述钝化层且对应所述漏极上方的过孔，所述沟槽具有三种以上的深度以进行穿透率均一性弥补；步骤5、剥离剩余的光阻层，在所述钝化层上溅射形成像素电极；得到下基板；所述像素电极穿过过孔与所述漏极相连接；步骤6、将所述上基板与下基板对位成盒，得到PSVA型液晶显示面板；（3）所述步骤2中沉积钝化层的度≥5000?；所述步骤4中采用干法刻蚀工艺对所述钝化层进行刻蚀；不同深度的所述沟槽在钝化层上交替排列。
基于上述区别技术特征，权利要求3所要解决的技术问题是进行PSVA型液晶显示面板的穿透率均一性弥补，提升大视角特性，同时简化工艺步骤，降低生产成本，提高生产效率。
对于区别特征（1），PSVA型液晶显示面板是本领域中常用的液晶面板类型，同时，在基板上制作薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、漏极、源极，以及在薄膜晶体管上沉积钝化层，是本领域技术人员的公知常识；对于区别特征（2），对比文件2公开了一种阵列基板及其制造方法，其通过多阶调掩膜版（MTM，Multi Tone Mask）与光刻胶离地剥离技术实现了阵列基板的制备，减少了制作过程中掩膜的使用数量，进而实现了降低工艺成本，提高产品和设备利用率的效果（参见说明书第[0057]段）。具体地，1、在玻璃基板201上形成透明导电薄膜膜层202和栅金属层203；2、在形成上述薄膜的基板上通过沉积或涂覆等工艺形成光刻胶301，利用MTM进行第一次曝光，由于MTM各个部分透过的光强不同，会导致光刻胶301相应的各个部分曝光强度也不同，再经过显影，得到保留的光刻胶301的形状。保留的光刻胶301在TFT的漏极电连接至像素电极处和栅线区域最厚，TFT栅极区域厚度次之，像素电极区域厚度最薄。对没有光刻胶301保留的区域的栅金属层203和透明薄膜层202进行刻蚀。利用现有的光刻胶离地剥离技术，将剩余的光刻胶301剥离（参见说明书第[0062]-[0068]段）。即对比文件2给出了利用多阶调掩膜版一次形成具有不同厚度的光刻胶，进而通过光刻形成具有不同深度的图案的层膜结构的技术启示，当本领域技术人员需要在钝化层上形成深度不同的过孔和沟槽时，在对比文件2的启示下，容易想到可以采用多阶调掩膜来减少曝光和刻蚀的次数。同时，对光刻胶进行曝光、显影，得到光阻层是本领域技术人员的常用技术手段，所述多阶调掩膜板具有用于在钝化层上形成过孔的全曝光区域、以及用于在钝化层上形成沟槽的半曝光区域，以及半曝光区域的结构，是本领域技术人员根据需要而对多阶调掩膜板进行的常规设置；以光阻层为遮蔽层形成过孔，像素电极穿过过孔与漏极相连接也是本领域技术人员的公知常识；沟槽具有三种以上的深度是本领域技术人员根据对比文件1的启示容易想到的。
对于区别特征（3），钝化层的厚度是本领域常规选择；干法刻蚀也是本领域常用的刻蚀工艺；而对于沟槽的排列方式，本领域技术人员公知的是，只要在不同区域设置不同深度的沟槽，就可以起到增加整体穿透率均匀性的效果，相同深度的沟槽排列的重复率越小，就可以在更小的范围内使液晶分子朝多个方向排列，从而使整体的各个角度的穿透率更均匀，这是本领域技术人员的公知常识。因此，使三种不同深度的沟槽交替排列，是本领域技术人员的常规选择，不会带来预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识而得到权利要求3的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
4.权利要求3是对权利要求1的进一步限定，当需要设置具有三种不同深度图案的层膜时，将多阶调掩膜板的半曝光区域设置为具有三种透光度，是本领域技术的人员的常规设置方式，而沟槽的深度也是本领域技术人员根据需要而进行的常规选择。因此，权利要求4的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
5.权利要求5是对权利要求1的进一步限定，钝化层的厚度则是本领域技术人员考虑对钝化层下部层膜结构的保护效果、所需要的沟槽的深度等而进行的常规选择。因此，权利要求5的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
针对复审请求人在答复复审通知书时的意见陈述，合议组认为：（1）对比文件2给出了利用多阶调掩膜板经由光刻制程得到具有不同深度图案的层膜的技术启示，即先利用多阶调掩膜板曝光后形成不同厚度的光刻胶图案，再以所述光刻胶图案为阻挡层，进行刻蚀，由于被刻蚀掉的部分的厚度是基本相同的，就可以在光刻胶下方的层膜中形成具有不同深度的图案。对比文件2首先在基板上形成层叠的多个膜层，再通过MTM技术形成具有三种不同厚度的光刻胶301（参见说明书第[0062]段），然后通过光刻，在层叠的多个膜层中刻蚀出不同深度的沟槽，由于被刻蚀的层是由多个膜层叠加而成的，经刻蚀后必然会暴露出不同的膜层来形成栅级、栅线、像素电极等，但其实质上就是采用MTM技术在一个整体的层上形成不同厚度的光刻胶，进而通过刻蚀形成不同深刻的沟槽。因此，当本领域技术人员需要在钝化层上刻蚀出具有不同深度的过孔和沟槽时，在对比文件2的启示下，容易想到可以利用多阶调掩膜板来形成具有不同厚度的光刻胶，再进一步刻蚀形成过孔和沟槽。（2）本领域技术人员公知的是，更加均匀的穿透率是通过液晶分子具有不同的排列方向来实现的，只要像素电极上具有不同深度的沟槽，就可以具有更加均匀的穿透率，而相同深度的沟槽排列时的重复率越低，其能达到的均匀穿透率的效果就越好。因此，将三种不同深度的沟槽交替排列，是本领域技术人员容易想到的，这种排列方式带来的效果是本领域技术人员可以预料的。因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
综上所述，权利要求1-5都不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年07 月24 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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