发明创造名称：横向耦合的隔离器装置
外观设计名称：
决定号：182548
决定日：2019-06-26
委内编号：1F274834
优先权日：2013-03-14
申请（专利）号：201410093861.9
申请日：2014-03-14
复审请求人：美国亚德诺半导体公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张念国
合议组组长：徐颖
参审员：李莹
国际分类号：H01L23/64
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果要求保护的技术方案与最接近的现有技术存在区别技术特征，但是上述区别技术特征的一部分被该最接近的现有技术的其他部分公开了，并且给出了与最接近的现有技术相结合的启示，上述区别技术特征的其余部分属于本领域的公知常识，则该技术方案相对于上述现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410093861.9，名称为“横向耦合的隔离器装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为美国亚德诺半导体公司。本申请的申请日为2014年03月14日，优先权日为2013年03月14日，公开日为2014年09月17日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月05日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具有专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定引用以下对比文件1：
对比文件1：US2011291819A1，公开日为：2011年12月01日。
驳回决定中指出：权利要求1请求保护一种隔离器系统，对比文件1公开了一种隔离器系统，权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征为：第一通信电路、第二通信电路、共同介电层分别设置在三个不同的半导体衬底上；在共同介电层与半导体衬底之间的多个中间介电层。对比文件1的另一实施例（图5）公开了第一通信电路、第二通信电路和隔离器分别形成在三个不同半导体芯片3/4/7内，由于在半导体衬底上形成介电层进而形成布线迹线以制作半导体芯片属于本领域的公知常识，因而本领域技术人员根据对比文件1和本领域的公知常识容易想到将第一通信电路、第二通信电路、共同介电层（以及形成在其上的隔离器迹线）分别形成在三个不同的半导体衬底上，无需付出创造性劳动；高频通信迹线之间需要减小电磁耦合和增大隔离度是本领域的公知常识，通过增大共同介电层上的迹线到半导体衬底之间的距离进而降低二者之间的电磁耦合是本领域惯用的手段，因而本领域技术人员容易想到在共同介电层和半导体衬底之间设置多个中间介电层。因此，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求10的附加技术特征被对比文件1公开了，从属权利要求2-9、11的附加技术特征属于本领域的公知常识，从属权利要求12-13的附加技术特征是本领域技术人员容易想到的，因此，在其引用的权利要求1不具备创造性的基础上，从属权利要求2-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为申请日2014年03月14日提交的说明书第1-29段、说明书附图图1-4B、说明书摘要、摘要附图，2018年07月13日提交的权利要求第1-13项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种隔离器系统，包括：
隔离器，具有横向分隔的第一和第二迹线，其彼此隔开在第一距离内，设置在共同介电层上，其中所述共同介电层制作在半导体衬底上，
第一通信电路，其与所述第一迹线电耦合，并且制作在第二半导体衬底上，
第二通信电路，其与所述第二迹线电耦合，并且制作在第三半导体衬底上，以及
设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间的多个中间介电层。
2. 如权利要求1所述的隔离器系统，还包括设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间的金属层。
3. 如权利要求1所述的隔离器系统，还包括设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间的绝缘体衬底层。
4. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线包封在介电材料中，所述介电材料具有从所述第一和第二迹线到所述介电材料的外边缘的、至少为所述第一距离的一半的长度。
5. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线电容耦合。
6. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线电感耦合。
7. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一通信电路、所述第一和第二迹线以及所述第二通信电路设置在彼此独立的封装中。
8. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二通信电路是双向通信电路。
9. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二通信电路是单向通信电路。
10. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线中的一个围绕所述第一和第二迹线中的另一个的周边。
11. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线被包封在介电材料中，所述介电材料具有从所述迹线到所述介电材料的外边缘的、至少为所述第一距离的一半的长度，以提供所述第一隔离器迹线和所述第二迹线之间的全隔离。
12. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第一和第二迹线远离半导体衬底以限定所述第一和第二迹线之间的隔离度。
13. 如权利要求1所述的隔离器系统，其中所述第二通信电路设置在第一封装中，所述第一封装与第二封装分开，所述第二封装包括所述第一通信电路以及所述第一和第二迹线。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月20日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改权利要求书。复审请求人认为：权利要求1与对比文件1的区别技术特征“设置在共同介电层与半导体衬底之间的多个中间介电层”不是本领域的公知常识。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月01日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，首先，本申请第一、第二迹线传输的为高频信号，而高频信号容易对半导体衬底中的元器件产生电磁干扰是本领域公知的，因而本领域技术人员容易想到将高频信号迹线设置的尽可能远离半导体衬底上的元器件，即容易想到在共同介电层和半导体衬底之间设置多个厚度适当的中间介电层。其次，高频信号线之间容易产生串扰也是本领域公知的，当在共同介电层和半导体之间设置有多个中间介电层时，由于距离的增大，高频信号线之间经由半导体衬底反射的电磁耦合也将被降低是本领域技术人员容易意识到的，无需付出创造性劳动。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月16日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性，合议组认为：首先，本申请第一、第二迹线传输的为高频信号，而高频信号容易对半导体衬底中的元器件产生电磁干扰是本领域公知的，因而本领域技术人员容易想到将高频信号迹线设置得尽可能远离半导体衬底上的元器件，即容易想到在共同介电层和半导体衬底之间设置多个厚度适当的中间介电层。其次，高频信号线之间容易产生串扰也是本领域公知的，当在共同介电层和半导体之间设置有多个中间介电层时，由于距离的增大，高频信号线之间经由半导体衬底反射的电磁耦合也将被降低是本领域技术人员容易意识到的，无需付出创造性劳动。
复审请求人于2019年05月31日提交了意见陈述书，修改了权利要求书，将原权利要求2的附加技术特征合并到权利要求1中，并在权利要求1中增加了技术特征“以提供在第一迹线和第二迹线之间沿着第三距离路径的增强耦合，其中第三距离路径在第一迹线、第二迹线和所述半导体衬底之间”，删除了原权利要求2，并修改了权利要求的编号。复审请求人认为：现有技术中包括金属线的金属层通常用于沿金属线方向连接电路的不同部分，而本申请中的金属层用于增强沿第三距离的迹线之间的耦合。
答复复审通知书时修改的权利要求1如下：
“1. 一种隔离器系统，包括：
隔离器，具有横向分隔的第一和第二迹线，其彼此隔开在第一距离内，设置在共同介电层上，其中所述共同介电层制作在半导体衬底上，
第一通信电路，其与所述第一迹线电耦合，并且制作在第二半导体衬底上，
第二通信电路，其与所述第二迹线电耦合，并且制作在第三半导体衬底上，
设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间的多个中间介电层，以及
金属层，设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间，以提供在第一迹线和第二迹线之间沿着第三距离路径的增强耦合，其中第三距离路径在第一迹线、第二迹线和所述半导体衬底之间。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）、审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时修改了申请文件，经审查，该修改文本符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定，本复审决定所依据的文本为：申请日2014年03月14日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书第1-29段、说明书附图图1-4B，2019年05月31日提交的权利要求第1-12项。
（二）、专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定，创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果要求保护的技术方案与最接近的现有技术存在区别技术特征，但是上述区别技术特征的一部分被该最接近的现有技术的其他部分公开了，并且给出了与最接近的现有技术相结合的启示，上述区别技术特征的其余部分属于本领域的公知常识，则该技术方案相对于上述现有技术不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审决定继续引用驳回决定和复审通知书中的对比文件1，即：
对比文件1：US2011291819A1，公开日：2011年12月01日。
1、权利要求1请求保护一种隔离器系统。对比文件1公开了一种隔离器系统(说明书第74-75段、图4-5)，包括隔离器，具有横向分隔设置的第一迹线L1和第二迹线L2，其彼此隔开在第一距离内，设置在半导体芯片3的同一布线层上，即对比文件1隐含公开了第一、第二迹线设置在共同介电层上，第一通信线路TX和第一迹线设置在半导体芯片3内，第一通信线路与第一迹线L1电耦合，第二通信线路RX,与第二迹线L2电耦合，并且设置在半导体芯片4内。
权利要求1与对比文件1的区别为：第一通信电路、第二通信电路、共同介电层分别设置在三个不同的半导体衬底上；在共同介电层与半导体衬底之间的多个中间介电层；金属层，设置在所述共同介电层与所述半导体衬底之间，以提供在第一迹线和第二迹线之间沿着第三距离路径的增强耦合，其中第三距离路径在第一迹线、第二迹线和所述半导体衬底之间。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求1相对于对比文件1实际所要解决的技术问题是：提高第一和第二迹线之间的隔离度，提高第三距离路径上的耦合度。
对于上述区别技术特征，对比文件1的另一实施例（图5）公开了第一通信电路、第二通信电路和隔离器分别形成在三个不同半导体芯片3/4/7内，由于在半导体衬底上形成介电层进而形成布线迹线以制作半导体芯片属于本领域的公知常识，因而本领域技术人员根据对比文件1和本领域的公知常识容易想到将第一通信电路、第二通信电路、共同介电层（以及形成在其上的隔离器迹线）分别形成在三个不同的半导体衬底上，无需付出创造性劳动；高频通信迹线之间需要减小电磁耦合和增大隔离度是本领域的公知常识，通过增大共同介电层上的迹线到半导体衬底之间的距离进而降低二者之间的电磁耦合是本领域惯用的手段，因而本领域技术人员容易想到在共同介电层和半导体衬底之间设置多个中间介电层。根据布线的需要，在共同介电层和半导体衬底之间设置金属层形成布线层以节省空间是本领域的常规做法；而为了增强第一迹线、第二迹线之间沿着第三距离路径的增强耦合，在第三距离上设置金属层以使金属层与第一迹线、第二迹线之间在第三距离上形成电容以产生电磁耦合是本领域的惯用技术手段，因此，结合对比文件1的两个不同实施例和本领域公知常识，得到该权利要求请求保护的技术方案对于本领域的技术人员来说是显而易见的。所以，该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2引用权利要求1，根据布线的需要，在共同介电层和半导体衬底之间设置绝缘体衬底层以形成多层布线是本领域的常规做法。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
3、权利要求3引用权利要求1，为了保护隔离器迹线以及防止隔离器迹线裸露，将隔离器的第一、第二迹线包封在介电材料中以保护介电材料是本领域技术人员的惯用技术手段，使迹线到介电材料的外边缘具有尽可能大的长度并至少为第一距离一半的长度以提供第一、第二迹线之间全隔离是本领域的常规做法。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
4、权利要求4-5引用权利要求1，对比文件1公开了隔离器的第一、第二迹线电感耦合，而采用电容耦合也是本领域的常规选择。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
5、权利要求6-8引用权利要求1，对比文件1公开了第一和第二通信电路为单向通信电路，而形成双向通信电路也是本领域的惯用技术手段；对比文件1公开了第一通信电路和第一、第二迹线布置在第一半导体芯片3中，第二通信电路布置在第二半导体芯片4中。而将第一通信电路、隔离器的第一和第二迹线、第二通信电路分别设置在彼此独立的封装中以避免相互干扰是本领域的惯用手段。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
6、权利要求9引用权利要求1，对比文件1（图4）公开了第二隔离器迹线L2围绕第一隔离器迹线L1。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
7、权利要求10引用权利要求1，为了保护隔离器迹线以及防止器裸露，将第一、第二隔离器迹线包封在介电材料中以保护介电材料是本领域技术人员的惯用技术手段，使迹线到介电材料的外边缘具有至少为第一距离一半的长度以提供第一隔离器、第二隔离器迹线之间全隔离是本领域的常规做法。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
8、权利要求11-12引用权利要求1，使隔离器迹线尽可能远离半导体衬底以限定第一、第二隔离器迹线之间隔离度是本领域惯用的手段；对比文件1公开了第一通信电路和第一、第二迹线布置在半导体芯片3中，第二通信电路布置在半导体芯片4中，虽然对比文件1中半导体芯片3、4设置在一个半导体封装中，但是将该两个半导体芯片形成为两个独立的封装也是本领域技术人员容易想到的。所以，在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
9、关于复审请求人的意见陈述
合议组认为：首先，根据布线的需要，在共同介电层和半导体衬底之间设置金属层形成布线层以节省空间是本领域的常规做法；其次，为了增强第三距离上的电磁耦合，在第三距离上设置金属层以与迹线形成电容以产生电磁耦合是本领域的惯用技术手段，因此，修改后的权利要求1仍然不具有创造性。
基于上述事实和理由，合议组依法作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
