发明创造名称：具有增强射频及温度均匀性的静电夹盘
外观设计名称：
决定号：182139
决定日：2019-06-26
委内编号：1F258023
优先权日：2012-04-24；2013-03-08；2013-04-22
申请（专利）号：201610056402.2
申请日：2013-04-23
复审请求人：应用材料公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李娜
合议组组长：段文婷
参审员：查洁立
国际分类号：H02N13/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征既未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且该部分区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求相对于上述对比文件和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610056402.2，名称为“具有增强射频及温度均匀性的静电夹盘”的发明专利申请（下称本申请），其为分案申请，母案申请日为2013年4月23日，申请号为201380021270.4，名称为“具有增强射频及温度均匀性的静电夹盘”。本申请的申请人为应用材料公司，申请日为2013年04月23日，优先权日为2012年04月24日、2013年03月08日、2013年04月22日，分案申请提交日为2016年01月27日，公开日为2016年04月20日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年05月03日发出驳回决定，以权利要求1-19不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由，驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为2017年09月18日提交的权利要求第1-19项，分案申请提交日2016年01月27日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-8页，说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种控制基板的温度的方法，所述方法包括以下步骤：
将功率提供至一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器被包括在支撑所述基板的静电夹盘(ESC)中；将功率提供至多个像素化的电阻式加热器中的一个或多个像素化的电阻式加热器，所述多个像素化的电阻式加热器被包括在所述ESC中；以及当将功率提供至所述一个或多个高功率加热器以及提供至所述多个像素化的电阻式加热器中的所述一个或多个像素化的电阻式加热器时，在包括所述ESC的腔室中处理所述基板，其中所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，将功率提供至所述多个像素化的电阻式加热器中的所述一个或多个像素化的电阻式加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至所述ESC的总线条功率分配层。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，将功率提供至所述一个或多个高功率加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至在1个与约8个之间的高功率加热器。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述腔室中处理所述基板的步骤包括以下步骤：在等离子体蚀刻腔室中处理所述基板。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述腔室中处理所述基板的步骤包括以下步骤：在等离子体沉积腔室中处理所述基板。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，处理所述基板的步骤包括以下步骤：使用夹盘电极将所述基板固持至所述ESC。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，将功率提供至所述多个像素化的电阻式加热器中的所述一个或多个像素化的电阻式加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至设置在所述基板与所述ESC的所述一个或多个高功率加热器之间的像素化的电阻式加热器。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括以下步骤：
当在所述腔室中处理所述基板时，冷却所述ESC的多个区域。
9. 一种静电夹盘(ESC)，包括：顶部介电层，所述顶部介电层用于支撑所述顶部介电层上方的基板；多个像素化的电阻式加热器，所述多个像素化的电阻式加热器设置在所述顶部介电层下方，所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器；以及一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器设置在所述多个像素化的电阻式加热器下方。
10. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，所述顶部介电层包括设置在所述顶部介电层上的多个表面特征。
11. 如权利要求10所述的ESC，其特征在于，所述顶部介电层的所述表面特征提供用于所述ESC的冷却通道。
12. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，所述顶部电介层包括喷涂介电材料。
13. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，所述顶部介电层用于在所述顶部介电层上直接支撑所述基板。
14. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，进一步包括：固体陶瓷板材，所述固体陶瓷板材设置在所述顶部介电层上。
15. 如权利要求14所述的ESC，其特征在于，所述固体陶瓷板材被配置来支撑所述固体陶瓷板材上的所述基板。
16. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，进一步包括：夹持电极，所述夹持电极用于将所述基板夹持至所述ESC。
17. 如权利要求9所述的ESC，其特征在于，进一步包括：总线条功率分配层，所述总线条功率分配层用于将功率提供至所述多个像素化的电阻式加热器。
18. 一种等离子体蚀刻腔室，包括如权利要求9所述的ESC。
19. 一种等离子体沉积腔室，包括如权利要求9所述的ESC。”
驳回决定中引用的对比文件如下：
对比文件1：US2011/0092072A1，公开日为2011年04月21日；
对比文件2：CN101465285A，公开日为2009年06月24日。
驳回决定指出：权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：还包括将功率提供至一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器被包括在支撑所述基板的静电夹盘(ESC)中；所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器。而该区别技术特征部分被对比文件2公开且所起的作用相同，其余部分为本领域的公知常识，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2、4、6、8的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求3、5的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求7的附加技术特征被对比文件2公开。因此权利要求2-8不具备创造性。权利要求9与对比文件1的区别技术特征为：顶部介电层，所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器；以及一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器设置在所述多个像素化的电阻式加热器下方。而该区别技术特征部分被对比文件2公开且所起的作用相同，其余部分为本领域的公知常识，因此权利要求9不具备创造性。从属权利要求10-12的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求13、15-17的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求14的附加技术特征是在对比文件1公开内容的基础上结合公知常识容易得到的。因此权利要求10-17不具备创造性。权利要求18包括如权利要求9所述的ESC，其与对比文件1的区别相较于权利要求9与对比文件1的区别还在于：一种等离子体蚀刻腔室，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，结合权利要求9的评述，权利要求18不具备创造性。权利要求19包括如权利要求9所述的ESC，其与对比文件1的区别相较于权利要求9与对比文件1的区别还在于：一种等离子体沉积腔室，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，结合权利要求9的评述，权利要求19不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年08月10日向国家知识产权局提出了复审请求，并未对申请文件进行修改。复审请求人认为：独立权利要求中的技术特征“其中所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器”没有被对比文件1公开或教导。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1实质已经公开了引入多个加热区域可产生温度均匀分布的特性，而为了达到所需的温度数值，可根据实际需要设置电阻式加热器的数量；其次，本领域技术人员清楚，如果要实现温度的高精度控制，就需要相应数量的电阻式加热器，而且对比文件1实施例的16个电阻式加热器，与本申请的权利要求1的45个电阻式加热器，并没有相差一个数量级别。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月22日向复审请求人发出复审通知书，引用的对比文件与驳回决定相同，该复审通知书指出：1、权利要求1与对比文件1的区别技术特征为：还包括将功率提供至一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器被包括在支撑所述基板的静电夹盘(ESC)中。而该区别技术特征被对比文件2公开且所起的作用相同，因此权利要求1不具备创造性。从属权利要求2、4、6、8的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求3、5的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求7的附加技术特征被对比文件2公开。因此权利要求2-8不具备创造性。权利要求9与对比文件1的区别技术特征为：还包括一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器设置在所述多个像素化的电阻式加热器下方。而该区别技术特征被对比文件2公开，因此权利要求9不具备创造性。从属权利要求10-13的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求14-17的附加技术特征被对比文件1公开。因此权利要求10-17不具备创造性。权利要求18包括如权利要求9所述的ESC，其与对比文件1的区别和权利要求9与对比文件1的区别相同，结合权利要求9的评述，权利要求18不具备创造性。权利要求19包括如权利要求9所述的ESC，其与对比文件1的区别相较于权利要求9与对比文件1的区别还在于：一种等离子体沉积腔室，而该区别技术特征属于本领域的公知常识，结合权利要求9的评述，权利要求19不具备创造性。2、针对复审请求人在提出复审请求时的意见陈述，合议组认为：对比文件1的权利要求3明确记载了“所述加热板包括100到400个平坦加热器区域”，该数值范围与上述技术特征中的数值范围重叠，也即对比文件1公开了上述技术特征，同时在对比文件1的说明书第0036和0055段分别提及了100个加热器区域的相关技术特征。因此，复审请求人的意见陈述不具有说服力。
复审请求人于2019年03月06日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，具体修改为：将独立权利要求1和9中的技术特征“将功率提供至一个或多个高功率加热器，所述一个或多个高功率加热器被包括在支撑所述基本的静电夹盘（ESC）中”修改为“将功率提供至多个高功率加热器，所述多个高功率加热器被包括在支撑所述基本的静电夹盘ESC的金属底座中”，并加入技术特征“其中狭缝被包括在所述金属底座中以在所述多个高功率加热器之间提供热中断”，将从属权利要求3中的附加技术特征由“将功率提供至所述一个或多个高功率加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至在1个与约8个之间的高功率加热器”修改为“将功率提供至所述多个高功率加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至多达8个的高功率加热器”；将从属权利要求7中的附加技术特征“一个或多个高功率加热器”修改为“多个高功率加热器”。
修改后的权利要求1、3、7、9的内容如下：
“1. 一种控制基板的温度的方法，所述方法包括以下步骤：将功率提供至多个高功率加热器，所述多个高功率加热器被包括在支撑所述基板的静电夹盘ESC的金属底座中；将功率提供至多个像素化的电阻式加热器中的一个或多个像素化的电阻式加热器，所述多个像素化的电阻式加热器被包括在所述ESC中；以及当将功率提供至所述多个高功率加热器以及提供至所述多个像素化的电阻式加热器中的所述一个或多个像素化的电阻式加热器时，在包括所述ESC的腔室中处理所述基板，其中狭缝被包括在所述金属底座中以在所述多个高功率加热器之间提供热中断，并且其中所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，将功率提供至所述多个高功率加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至多达8个高功率加热器。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，将功率提供至所述多个像素化的电阻式加热器中的所述一个或多个像素化的电阻式加热器的步骤包括以下步骤：将功率提供至设置在所述基板与所述ESC的所述多个高功率加热器之间的像素化的电阻式加热器。
9. 一种静电夹盘ESC，包括：顶部介电层，所述顶部介电层用于支撑所述顶部介电层上方的基板；多个像素化的电阻式加热器，所述多个像素化的电阻式加热器设置在所述顶部介电层下方，所述多个像素化的电阻式加热器包括在45个与169个之间的像素化的电阻式加热器；以及多个高功率加热器，所述多个高功率加热器设置在所述多个像素化的电阻式加热器下方并被包括在所述ESC的金属底座中，其中狭缝被包括在所述金属底座中以在所述多个高功率加热器之间提供热中断。”
复审请求人认为：对比文件1没有公开高功率加热器的相关内容；对比文件2仅公开了嵌入在底板主体中的加热器部分，没有公开关于狭缝的任何信息，而其加热器部分为单个集成式加热器，没有为设置狭缝以提供热中断提供空间。
复审请求人于2019年06月21日再次提交了意见陈述书，未对申请文件进行修改，进一步陈述狭缝提供热中断，以便通过实现狭缝之间的每个区域内的主要加热器中的各个主要加热器的加热器控制的约束来取得进一步的局部化热控制。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年03月06日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，上述修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的文本为：分案申请提交日2016年01月27日提交的说明书第1-9页、说明书附图第1-8页，说明书摘要及摘要附图及2019年03月06日提交的权利要求第1-19项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在多个区别技术特征，其中部分区别技术特征既未被其他对比文件公开，也不属于本领域的公知常识，并且该部分区别技术特征使得该权利要求的技术方案具有有益的技术效果，则该权利要求相对于上述对比文件和公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2011/0092072A1，公开日为2011年04月21日；
对比文件2：CN101465285A，公开日为2009年06月24日。
2.1、权利要求1请求保护一种控制基板的温度的方法，对比文件1公开了一种具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板，实质上也公开了一种控制基板的温度的方法，并具体公开了如下技术特征（参见权利要求第1、3项，说明书第0020-0057段及附图1-8）：通过电源供应线201、电源返回线202将功率提供至多个像素化的平坦加热器区域101（相当于电阻式加热器）中的一个或多个，多个像素化的平坦加热器区域101被包括在ESC中，在将功率提供至多个像素化的平坦加热器区域101时，在包括ESC的腔室713中处理基板712；所述加热板包括100到400个平坦加热器区域101（参见权利要求3，其数值范围与45-169具有重叠区间）。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征是：（1）还包括将功率提供至多个高功率加热器，所述多个高功率加热器被包括在支撑所述基板的静电夹盘ESC的金属底座中；（2）狭缝被包括在所述金属底座中以在所述多个高功率加热器之间提供热中断。基于该区别技术特征，可以确定本申请实际解决的技术问题是：如何提高静电夹盘的加热效率和温度均匀性。
上述区别技术特征（1）被对比文件2公开，对比文件2公开了一种调节和固定基板温度的装置，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第5页第2段-第9页第5段及附图2-5）：静电卡盘11和底板12，静电卡盘11中具有钨和钼组成的电极22，底板12的主体由金属构成，例如镍铬加热丝、筒式加热器、板式加热器等的加热器部分66（即多个高功率加热器元件）容纳在底板12中。该技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中的作用相同，都是用于提高静电卡盘加热效率，也就是说对比文件2给出了将该技术特征用于对比文件1以解决其技术问题的启示。
关于上述区别技术特征（2），首先，对比文件1和对比文件2均未公开该区别技术特征，其次，对比文件1仅公开了加热板具有多个可控制的加热器区域，每个加热器区域具有多个加热器元件，其并未给出采用高功率加热器并在多个高功率加热器之间设置狭缝的技术启示，对比文件2旨在短时间内将整个基板加热到预定温度，其并不需要在加热器之间设置狭缝来提供热中断，因此对比文件2也没有给出采用该区别技术特征（2）的技术启示，在本领域中，提高静电夹盘的加热效率和温度均匀性，通常是设置多个加热器区域，阵列式或区段式分布，实现加热的精确控制，也可在多个加热器区域下同时设置集中式加热器，并不容易想到在多个加热器区域下同时设置多个由狭缝分离的高功率加热器，因此，该区别技术特征（2）也不是本领域的公知常识。由于具有该区别技术特征（2）,使得权利要求1的方法在像素化的电阻式加热器基础上，配合被热隔离的多个高功率加热器，进一步提高静电夹盘的加热效率和温度均匀性，具有有益的技术效果。
由此可见，权利要求1相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-8直接或间接地引用权利要求1，在权利要求1具备创造性的条件下，权利要求2-8也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求9请求保护一种静电夹盘，对比文件1公开了一种具有用于半导体处理的平坦加热器区域的加热板，实质上也公开了一种静电夹盘，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0020-0057段及附图1-8）：包括电绝缘层104A（相当于顶部介电层），其上设置陶瓷层103，电绝缘层104A通过陶瓷层103支撑设置在上方的基板；多个像素化的平坦加热器区域101（相当于电阻式加热器）设置在电绝缘层104A的下方；平坦加热器区域101为100到400个（参见权利要求3，其数值范围与45-169具有重叠区间）。
权利要求9与对比文件1的区别技术特征和权利要求1与对比文件1的区别技术特征相同，基于同样的理由，权利要求9相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求10-17直接或间接地引用权利要求9，在权利要求9具备创造性的条件下，权利要求10-17也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求18请求保护一种等离子体蚀刻腔室，包括如权利要求9所述的ESC。而对比文件1进一步公开了如下技术特征（参见说明书第0020-0057段及附图1-8）：在等离子体处理腔713蚀刻基板712。由此，权利要求18与对比文件1的区别技术特征和权利要求9与对比文件1的区别技术特征相同，基于同样的理由，权利要求18相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求19请求保护一种等离子体沉积腔室，包括如权利要求9所述的ESC。而在等离子体沉积腔室处理ESC，是本领域技术人员的惯用技术手段，属于公知常识。由此，权利要求19与对比文件1的其余区别技术特征和权利要求9与对比文件1的区别技术特征相同，基于同样的理由，权利要求19相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于驳回和前置审查中的相关意见
合议组认为：复审请求人在答复复审通知书时修改了权利要求，其加入的部分技术特征在驳回决定中并未评述过，在前置审查意见中也未曾提及，参照前面的评述，这些技术特征使得权利要求保护的技术方案相对于对比文件1-2以及本领域的公知常识的结合具备创造性。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。至于本申请中是否还存在其它不符合专利法及其实施细则规定的缺陷，留待实质审查部门继续进行审查。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年05月03日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局实质审查部门以本复审请求审查决定所针对的文本为基础继续进行审批程序。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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