发明创造名称：具有更均匀注入和更低光学损耗的改进的P接触
外观设计名称：
决定号：182098
决定日：2019-06-26
委内编号：1F271936
优先权日：2011-11-07
申请（专利）号：201280054659.4
申请日：2012-10-29
复审请求人：亮锐控股有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：戴丽娟
合议组组长：段小晋
参审员：刘博
国际分类号：H01L33/38,H01L33/14
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征，对于上述多个区别技术特征其中之一，本领域技术人员没有动机针对该最接近的现有技术作出改进以实现该区别技术特征，且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201280054659.4（下称本申请），名称为“具有更均匀注入和更低光学损耗的改进的P接触”的发明专利申请。申请人为亮锐控股有限公司。本申请的申请日为2012年10月29日，优先权日为2011年11月07日，进入中国国家阶段日为2014年05月07日，公开日为2014年07月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月08日发出驳回决定，以权利要求1-11不具备创造性为由驳回了本申请，其中引用了如下一篇对比文件：
对比文件2：JP2000174340A，公开日为2000年06月23日。
驳回决定的主要理由是：独立权利要求1与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征为：n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域。基于该区别技术特征，该权利要求实际要解决的技术问题是：对发光器件各层连接关系的限定。对本领域的技术人员而言，上述区别技术特征是本领域常规技术手段。因此，权利要求1相对于对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；从属于权利要求1的从属权利要求2-5的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域公知常识，因此权利要求2-5也均不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求6与对比文件2公开的内容相比，区别技术特征为：经由p接触和部分反射保护层将p焊盘耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移，该部分反射保护层填充毗邻p接触的区域；n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界。基于该区别技术特征，该权利要求实际要解决的技术问题是：对发光器件各层连接关系的限定。对本领域的技术人员而言，上述区别技术特征是本领域常规技术手段。因此，权利要求6相对于对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；从属于权利要求6的从属权利要求7-11的附加技术特征或被对比文件2公开，或属于本领域公知常识，因此权利要求7-11也均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
驳回决定所依据的文本为进入中国国家阶段日2014年05月07日提交的说明书第1-31段、说明书附图图1-3C、说明书摘要、摘要附图；2018年06月11日提交的权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光器件，包括：
n层，
p层，
位于n层和p层之间的发光层，
用于耦合到n层的n焊盘，n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界，
用于耦合到p层的p焊盘，以及
p接触，该p接触将p焊盘耦合到p层以促进电流注入通过p层，p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域，
其中p接触配置成在p接触的周界处在p接触的至少一个电流抑制区域中抑制电流注入通过p层，并且所述至少一个电流抑制区域包括该p接触的离子注入区域并且用于改进通过该发光层的电流注入的均匀性。
2. 如权利要求1所述的发光器件，其中该电流抑制区域对应于该p接触的一区域，该区域在不存在该电流抑制区域的情况下提供最大电流注入。
3. 如权利要求1所述的发光器件，其中该p接触包括银。
4. 如权利要求1所述的发光器件，其中该电流抑制区域包括曲率半径大于该p接触的曲率半径的弧形拐角。
5. 如权利要求1所述的发光器件，其中该电流抑制区域对应于该p接触的最靠近n焊盘和n层之间的接触区域的区域。
6. 一种方法，包括：
形成发光元件，其包括n层和p层之间的有源区域，
将p接触耦合到p层从而提供从该p接触到该p层的不均匀电流流动，
将p焊盘耦合到p接触以促进耦合到外部电源，
经由p接触和部分反射保护层将p焊盘耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移，该部分反射保护层填充毗邻p接触的区域，
将n焊盘耦合到n层以促进耦合到外部电源，n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界，以及
在p接触的周界处形成该p接触的至少一个电流抑制区域。
7. 如权利要求6所述的方法，其中该p接触包括银。
8. 如权利要求6所述的方法，还包括在p层中植入离子以形成电流拟制区域的步骤。
9. 如权利要求6所述的方法，其中该电流抑制区域包括曲率半径大于该p接触的曲率半径的弧形拐角。
10. 如权利要求6所述的方法，其中该电流抑制区域对应于该p接触的最靠近n焊盘和n层之间的接触区域的区域。
11. 如权利要求6所述的方法，其中p接触的电流抑制区域用于改进通过该发光层的电流注入的均匀性。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月23日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求修改替换页，包括权利要求第1-9项，其中在新的独立权利要求1和5（原权利要求6）中增加了技术特征“该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径”，删除了原从属权利要求4和9，对其它权利要求的编号进行适应性调整；同时，在新的权利要求1中，将技术特征“用于耦合到n层的n焊盘”修改为“电气耦合到n层的n焊盘”；将技术特征“用于耦合到p层的p焊盘”修改为“电气耦合到p层的p焊盘”；将技术特征“该p接触将p焊盘耦合到p层以促进电流注入通过p层，p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层”修改为“该p接触电气耦合在p焊盘与p层之间，p焊盘经由p接触和部分反射保护层电气耦合到p层”。复审请求人认为：修改后的权利要求1与对比文件2之间的区别至少包括技术特征“该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径”，对比文件2没有任何信息涉及针对电流抑制区域和p接触的合适曲率半径的选择，特别地，分别针对电流抑制区域的内弧形拐角和p接触的外弧形拐角的适合曲率半径的选择。本申请通过将电流抑制区域的内拐角变圆，特别地，通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域，使得局部热点可能性得以减小并且光学效率得以维持。上述区别技术特征不是本领域公知常识。因此，权利要求1及其从属权利要求、权利要求5及其从属权利要求符合专利法第22条第3款的规定。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种发光器件，包括：
n层，
p层，
位于n层和p层之间的发光层，
电气耦合到n层的n焊盘，n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界，
电气耦合到p层的p焊盘，以及
p接触，该p接触电气耦合在p焊盘与p层之间，p焊盘经由p接触和部分反射保护层电气耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域，
p接触配置成在p接触的周界处在p接触的至少一个电流抑制区域中抑制电流注入通过p层，并且所述至少一个电流抑制区域包括该p接触的离子注入区域并且用于改进通过该发光层的电流注入的均匀性，并且
该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径。
2. 如权利要求1所述的发光器件，其中该电流抑制区域对应于该p接触的一区域，该区域在不存在该电流抑制区域的情况下提供最大电流注入。
3. 如权利要求1所述的发光器件，其中该p接触包括银。
4. 如权利要求1所述的发光器件，其中该电流抑制区域对应于该p接触的最靠近n焊盘和n层之间的接触区域的区域。
5. 一种方法，包括：
形成发光元件，其包括n层和p层之间的有源区域；
将p接触耦合到p层从而提供从该p接触到该p层的不均匀电流流动；
将p焊盘耦合到p接触以促进耦合到外部电源；
经由p接触和部分反射保护层将p焊盘耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移，该部分反射保护层填充毗邻p接触的区域；
将n焊盘耦合到n层以促进耦合到外部电源，n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；以及
在p接触的周界处形成该p接触的至少一个电流抑制区域；
其中该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径。
6. 如权利要求5所述的方法，其中该p接触包括银。
7. 如权利要求5所述的方法，还包括在p层中植入离子以形成电流拟制区域。
8. 如权利要求5所述的方法，其中该电流抑制区域对应于该p接触的最靠近n焊盘和n层之间的接触区域的区域。
9. 如权利要求5所述的方法，其中p接触的电流抑制区域用于改进通过该发光层的电流注入的均匀性。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，电流抑制区域的内弧形拐角曲率半径，设置为稍大以避免在拐角处的电流拥挤，以及p接触的外弧形拐角曲率半径，设置为与LED芯片的整体矩形外边缘尽量相同，是本领域技术人员容易想到的，从而容易想到将电流抑制区域的内弧形拐角曲率半径大于p接触的外弧形拐角曲率半径，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
由于复审请求人2019年01月23日提起复审请求时提交了权利要求修改替换页，包括权利要求第1-9项，经审查，上述修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审决定针对的文本为：进入中国国家阶段日2014年05月07日提交的说明书第1-31段、说明书附图图1-3C、说明书摘要、摘要附图；2019年01月23日提交的权利要求第1-9项。
2、 关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在多个区别技术特征，对于上述多个区别技术特征其中之一，本领域技术人员没有动机针对该最接近的现有技术作出改进以实现该区别技术特征，且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于现有技术具有创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件为：
对比文件2：JP2000174340A，公开日为2000年06月23日。
（1）关于权利要求1的创造性。
权利要求1请求保护一种发光器件，对比文件2公开了一种LED，并公开了(第0021-0034段，附图1，3，5)包括：n层S2，p层S4，位于n层和p层之间的发光层S3，电器耦合到n层的n焊盘P2，电气耦合到p层的p焊盘P1，以及p接触S5，该p接触将p焊盘耦合到p层以促进电流注入通过p层，电流抑制区域a对应于p接触S5的外围，即p接触配置成在p接触S5的周界处在p接触的电流抑制区域a中抑制电流注入通过p层，并且至少一个电流抑制区域a包括该p接触的离子注入区域(第0033-0034段)，可以直接地、毫无疑义地确定该p接触的电流抑制区域a能够用于改进通过该发光层S3的电流注入的均匀性。因此，该权利要求与对比文件2的区别技术特征为：（1）n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域；（2）该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题为：兼顾减少局部热点和光损耗。
对于区别技术特征（1），“n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域”是本领域常规技术手段，这属于本领域公知常识；
对于区别技术特征（2），对比文件2中仅公开了发光器件具有电流抑制区和P接触，并未公开电流抑制区和P接触具有弧形拐角以及弧形拐角曲率半径的大小选择，并且在对比文件2的基础上本领域技术人员也没有任何动机对电流抑制区和P接触进行改进以解决上述技术问题的技术启示，同时，区别技术特征（2）中有关“电流抑制区和P接触具有弧形拐角以及弧形拐角曲率半径的大小选择”不是本领域的常规技术手段，不属于本领域的公知常识。根据本申请的记载可知（参见说明书第28段）：本申请通过将电流抑制区域的内拐角变圆，特别地，通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域解决了兼顾减少局部热点和光损耗的技术问题，因此区别技术特征（2）通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域，使得局部热点可能性得以减小并且光学效率得以维持，具有意料不到的技术效果。
可见，权利要求1的技术方案相对于对比文件2和公知常识的结合是非显而易见的，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
（2）关于权利要求2-4的创造性。
权利要求2-4直接引用了权利要求1，在权利要求1具备创造性的情况下，权利要求2-4也具备专利法第22条第3款所规定创造性。
（3）关于权利要求5的创造性
权利要求5请求保护一种方法，对比文件2公开了一种LED的制备方法，并公开了(第0021-0034段，附图1，3，5)包括：形成发光元件，其包括n层S2和p层S4之间的有源区域，将p接触S5耦合到p层S4从而提供从该p接触到该p层的不均匀电流流动，将p焊盘P1耦合到p接触以促进耦合到外部电源，以及将n焊盘P2耦合到n层以促进耦合到外部电源，在该p接触的周界处注入离子以形成该电流抑制区域a，电流抑制区域a对应于p接触S5的周界。该权利要求与对比文件2的区别技术特征为：（1）经由p接触和部分反射保护层将p焊盘耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移，该部分反射保护层填充毗邻p接触的区域；；n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；（2）该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径。基于上述区别特征，权利要求1实际解决的技术问题为：兼顾减少局部热点和光损耗。
对于区别技术特征（1），“n层和n焊盘之间的接触是沿着n层的周界；p焊盘经由p接触和部分反射保护层耦合到p层，该部分反射保护层抑制p接触材料的迁移并且填充毗邻p接触的区域”是本领域常规技术手段，这属于本领域公知常识；
对于区别技术特征（2），对比文件2中仅公开了发光器件具有电流抑制区和P接触，并未公开电流抑制区和P接触具有弧形拐角以及弧形拐角曲率半径的大小选择，并且在对比文件2的基础上本领域技术人员也没有任何动机对电流抑制区和P接触进行改进以解决上述技术问题的技术启示，同时，区别技术特征（2）中有关“电流抑制区和P接触具有弧形拐角以及弧形拐角曲率半径的大小选择”不是本领域的常规技术手段，不属于本领域的公知常识。根据本申请的记载可知（参见说明书第28段）：本申请通过将电流抑制区域的内拐角变圆，特别地，通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域解决了兼顾减少局部热点和光损耗的技术问题，因此区别技术特征（2）通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域，使得局部热点可能性得以减小并且光学效率得以维持，具有意料不到的技术效果。
可见，权利要求5的技术方案相对于对比文件2和公知常识的结合是非显而易见的，具有突出的实质性特点和显著的进步，具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
（4）关于权利要求6-9的创造性。
权利要求6-9直接引用了权利要求5，在权利要求5具备创造性的情况下，权利要求6-9也具备专利法第22条第3款所规定创造性。
至于本申请中是否存在其它不符合专利法和专利法实施细则规定的缺陷，由后续程序继续审查。
关于原审查部门相关意见的评述
原审查部门在驳回决定和前置意见中认为：P接触和电流抑制区域的弧形拐角是本领域常规技术手段，电流抑制区域的内弧形拐角曲率半径，设置为稍大以避免在拐角处的电流拥挤，以及p接触的外弧形拐角曲率半径，设置为与LED芯片的整体矩形外边缘尽量相同，是本领域技术人员容易想到的，从而容易想到将电流抑制区域的内弧形拐角曲率半径大于p接触的外弧形拐角曲率半径。
对此，合议组认为：在发光领域，将P接触和电流抑制区域的拐角设定为弧形并将弧形拐角的曲率半径进一步限定从而来解决维持光学效率并减轻热点的技术问题，并非本领域中已被广泛应用的常规技术手段，相应区别技术特征“该电流抑制区域包括内弧形拐角，并且该p接触包括外弧形拐角，该内弧形拐角的曲率半径大于该外弧形拐角的曲率半径”并非本领域公知常识；上述改进本领域技术人员不是容易想到，需要付出创造性的劳动，并且通过在于外拐角处具有小曲率半径的p接触层上形成于内拐角处具有更大曲率半径的电流抑制区域，使得局部热点可能性得以减小并且光学效率得以维持，具有意料不到的技术效果。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年10月08日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门以下述文本为基础继续进行审批程序：
复审请求人于2014年05月07日提交的说明书第1-31段，说明书附图图1-3C，说明书摘要、摘要附图；
复审请求人于2019年01月23日提交的权利要求第1-9项。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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