发明创造名称：发光器件反射隔堤结构
外观设计名称：
决定号：181977
决定日：2019-06-25
委内编号：1F273150
优先权日：2012-12-10
申请（专利）号：201380064361.6
申请日：2013-12-03
复审请求人：苹果公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐健
合议组组长：王丹
参审员：李晓明
国际分类号：H01L33/60,H01L33/48
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征未被其它对比文件公开也不属于本领域的公知常识，在上述对比文件的基础上结合本领域公知常识得到该项权利要求的技术方案是非显而易见的，且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，则该项权利要求具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201380064361.6，名称为“发光器件反射隔堤结构”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为苹果公司，申请日为2013年12月03日，优先权日为2012年12月10日，公开日为2015年08月12日，国际申请进入中国国家阶段日为2015年06月09日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月06日以权利要求1-19项不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其具体理由是：独立权利要求1与对比文件1（US2005/0116620A1，公开日为2005年06月02日）的区别技术特征为：（1）衬底上具有导电焊盘阵列，垂直发光二极管器件包括微型p-n二极管，微型p-n二极管包括顶部p掺杂或n掺杂层、下部p掺杂或n掺杂层以及位于所述顶部p掺杂或n掺杂层，微型p-n二极管包括基于II-VI族材料或III-V族材料的一个或多个层，钝化层跨越垂直发光二极管器件阵列的侧壁并且至少部分填充在隔堤开口阵列；（2）具有1μm-100μm的最大宽度的微型p-n二极管，一个或多个量子阱层，垂直发光二极管器件的对应阵列被转移安装在导电焊盘阵列上。区别技术特征（1）被对比文件3（WO03/012884A1，公开日为2003年02月13日）公开了，区别技术特征（2）属于本领域的公知常识（如“先进电子制造技术”，龙绪明，第372-373页，机械工业出版社，2010年11月），因此在对比文件1的基础上结合对比文件3以及上述公知常识从而得出该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员是显而易见的，从而权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。从属权利要求2-8、11-19的附加技术特征或被对比文件1、对比文件3公开，或属于本领域的公知常识，从属权利要求9-10的附加技术特征被对比文件2（JP特开2007-27638A，公开日为2007年02月01日）公开，因而权利要求2-19也都不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：国际申请进入中国国家阶段日2015年06月09日提交的原始国际申请文件中文译文的说明书第1-190段、说明书附图图1-15G、说明书摘要、摘要附图；2017年09月28日提交的权利要求第1-19项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管隔堤结构，包括：
衬底；
所述衬底上的导电焊盘的阵列；
所述衬底上的绝缘层；
所述绝缘层中的隔堤开口阵列，每个隔堤开口包括底表面和侧壁；
垂直发光二极管器件的对应阵列，其被转移到并且安装在所述隔堤开口阵列内的导电焊盘的阵列上，其中所述垂直发光二极管器件的阵列中的每个垂直发光器件具有1μm-100μm的最大宽度并且包括微型p-n二极管，所述微型p-n二极管包括顶部p掺杂或n掺杂层、下部p掺杂或n掺杂层以及位于所述顶部p掺杂或n掺杂层和所述下部p掺杂或n掺杂层之间的一个或多个量子阱层，以及其中所述微型p-n二极管包括基于II-VI族材料或III-V族材料的一个或多个层；以及
钝化层，所述钝化层跨越所述垂直发光二极管器件阵列的侧壁并且至少部分地填充所述隔堤开口阵列。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管隔堤结构，其中每个垂直发光二极管器件包括底部导电电极，以及每个垂直发光二极管器件的底部表面比对应的底部导电电极更宽。
3. 根据权利要求2所述的发光二极管隔堤结构，其中每个垂直发光二极管器件的顶表面在所述绝缘层的顶表面上方。
4. 根据权利要求2所述的发光二极管隔堤结构，其中每个底部导电电极使用键合层被键合至对应的接触焊盘。
5. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，其中没有垂直发光二极管器件沿对应隔堤开口的侧壁跨越。
6. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，
其中每个垂直发光二极管器件包括顶部导电电极；并且
其中所述钝化层不完全覆盖每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极。
7. 根据权利要求6所述的发光二极管隔堤结构，还包括透明导体层，所述透明导体层位于每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极之上并与所述每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。
8. 根据权利要求1所述的发光二极管隔堤结构，还包括反射层，所述反射层跨越所述绝缘层中的所述隔堤开口中的每个隔堤开口的所述侧壁，其中所述反射层完全覆盖所述隔堤开口中的每个隔堤开口的所述侧壁。
9. 根据权利要求8所述的发光二极管隔堤结构，其中所述反射层完全覆盖所述隔堤开口中的每个隔堤开口的所述底表面。
10. 根据权利要求9所述的发光二极管隔堤结构，其中所述反射层为连续层，所述连续层形成在所述绝缘层之上以及所述绝缘层中的所述隔堤开口阵列内的所述衬底上。
11. 根据权利要求1所述的发光二极管隔堤结构：
还包括跨越所述绝缘层中的所述隔堤开口中的每个隔堤开口的所述侧壁的反射层；
其中所述反射层为图案化层，所述图案化层包括与所述隔堤开口阵列对应的反射隔堤层阵列，其中所述反射隔堤层阵列中的每个反射隔堤层跨越对应隔堤开口的所述侧壁；
其中每个反射隔堤层不完全覆盖所述对应隔堤开口的所述底表面；并且
其中所述隔堤开口中的每个隔堤开口的所述侧壁通过第一横向相对侧壁和第二横向相对侧壁来表征，并且每个反射隔堤层跨越所述第一横向相对侧壁但不跨越所述第二横向相对侧壁。
12. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，还包括：
一个或多个集成电路，所述一个或多个集成电路与每个垂直发光二极管器件的所述底部导电电极互连；和
电线路输出，所述电线路输出位于所述绝缘层上并与每个垂直发光二 极管器件的所述顶部导电电极电接触。
13. 根据权利要求12所述的发光二极管隔堤结构，还包括透明导体层，所述透明导体层位于所述电线路输出和每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极之上并与所述电线路输出和所述每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。
14. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，还包括：
一个或多个集成电路，所述一个或多个集成电路与每个垂直发光二极管器件的所述底部导电电极互连；
所述绝缘层中的通孔开口；和
电线路输出，所述电线路输出位于所述通孔开口的底表面处并与每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。
15. 根据权利要求14所述的发光二极管隔堤结构，还包括透明导体层，所述透明导体层位于所述电线路输出和每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极之上并与所述电线路输出和所述每个垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。
16. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，还包括：
一个或多个集成电路，所述一个或多个集成电路与每个垂直发光二极管器件的所述底部导电电极互连；和
所述绝缘层上的电线路输出阵列，所述电线路输出阵列与所述垂直发光二极管器件阵列的所述顶部导电电极电接触。
17. 根据权利要求16所述的发光二极管隔堤结构，还包括透明导体层阵列，每个透明导体层位于对应的电线路输出和对应的垂直发光二极管器件的顶部导电电极之上并与所述对应的电线路输出和所述对应的垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。
18. 根据权利要求4所述的发光二极管隔堤结构，还包括：
一个或多个集成电路，所述一个或多个集成电路与每个垂直发光二极管器件的所述底部导电电极互连；
所述绝缘层中的通孔开口阵列；和
所述对应的通孔开口阵列中的每个通孔开口的底表面处的电线路输出阵列，所述电线路输出阵列与所述垂直发光二极管器件阵列的所述顶部导电电极电接触。
19. 根据权利要求18所述的发光二极管隔堤结构，还包括透明导体层阵列，每个透明导体层位于对应的电线路输出和对应的垂直发光二极管器件的顶部导电电极之上并与所述对应的电线路输出和所述对应的垂直发光二极管器件的所述顶部导电电极电接触。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月03日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1、对比文件3公开的发光二极管是通过沉积的方式形成在衬底上，对比文件1-3均没有公开通过转移的方式将垂直发光二极管器件的对应阵列作为整体移动并安装到隔堤开口阵列内的导电焊盘阵列上，同时这种转移方式并非公知常识；尽管驳回决定中引用的公知常识证据（“先进电子制造技术”，龙绪明，第372-373页，机械工业出版社，2010年11月）公开了转移方法，但是其转移方式适用于焊料球，进一步地其焊料球的尺寸在0.3-0.76mm之间，而本申请的垂直发光器件具有1μm-100μm尺寸，显然该公知常识证据并没有公开其转移方式可以适用于本申请的垂直发光器件，且也不属于本领域公知常识，因此本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月13日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，权利要求1为产品权利要求，而“转移和安装”属于产品的制造方法，该方法对产品无限定作用；其次，从权利要求1的相关记载无法得出发光二极管阵列是整体转移还是逐个转移，复审请求人在界定权利要求的保护范围时引入了说明书的内容；并且，在半导体制造领域，首先形成分离的电子器件，然后将电子器件转移并组装到新的基板上属于常规方法，对于小尺寸的电子器件，采用吸头拾取的方式完成高精度的电子零件的装配属于本领域的常规手段。在驳回决定中给出的公知常识证据中，采用吸头整体转移小尺寸焊球（300-700微米直径），由此可知，这样的技术构思属于本领域的常规手段。在图像显示领域，提高显示屏分辨率属于本领域普遍技术追求，本领域技术人员知晓：缩小LED尺寸能够缩小每个像素的大小，进而提高显示屏的分辨率，因此小尺寸LED属于本领域的普遍技术需求，复审请求人在意见陈述中认为：“小型化并不仅仅是设计器件的唯一考虑，其尺寸的设计仍然受制于技术的发展和结构的设计”，但复审请求人在不提及采用何种特殊的方法和结构的情况下，仅申请对特定尺寸的LED进行保护，这样的保护范围是不合理的。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
经过充分阅卷并合议，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在提交复审请求时未修改申请文件。因此，本复审请求审查决定依据的审查文本与驳回决定所针对的文本相同，为：国际申请进入中国国家阶段日2015年06月09日提交的原始申请文件的中文译文的说明书第1-190段、说明书附图图1-15G、说明书摘要、摘要附图；2017年09月28日提交的权利要求第1-19项。
2、具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征未被其它对比文件公开也不属于本领域的公知常识，在上述对比文件的基础上结合本领域公知常识得到该项权利要求的技术方案是非显而易见的，且该区别技术特征使得权利要求的技术方案具备有益的技术效果，则该项权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合具有突出的实质性特点和显著的进步，则该项权利要求具备创造性。
本复审请求审查决定所引用的对比文件和驳回决定所引用的对比文件1-3相同，即：
对比文件1：US2005/0116620A1，公开日为2005年06月02日；
对比文件2：JP特开2007-27638A，公开日为2007年02月01日；
对比文件3：WO03/012884A1，公开日为2003年02月13日。
其中对比文件1为最接近的现有技术。
2.1 权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种发光二极管隔堤结构，对比文件1公开了一种发光二极管隔堤结构，并具体公开了如下技术特征（说明书[0119]-[0131],图5）：衬底12，在衬底12上绝缘层60a，绝缘层60a中具有隔堤开口阵列，每个隔堤开口包括底表面和侧壁；和安装在隔堤开口阵列中的发光二极管器件。
由此可知，该权利要求与对比文件1的区别技术特征为：衬底上具有导电焊盘阵列，垂直发光二极管器件的对应阵列被转移安装在导电焊盘阵列上，垂直发光二极管器件具有1μm-100μm的最大宽度且包括微型p-n二极管，微型p-n二极管包括顶部p掺杂或n掺杂层、下部p掺杂或n掺杂层以及位于所述顶部p掺杂或n掺杂层和所述下部p掺杂或n掺杂层之间的一个或多个量子阱层，以及微型p-n二极管包括基于II-VI族材料或III-V族材料的一个或多个层，钝化层跨越垂直发光二极管器件阵列的侧壁并且至少部分填充在隔堤开口阵列。
基于上述区别技术特征，可以确定权利要求1的技术方案实际解决的技术问题是：形成微二极管结构并通过转移的方式将微二极管转移到支撑器件上以提高发光效率和降低功耗、成本。
对于上述区别技术特征：对比文件3公开了一种发光二极管结构，并具体公开了如下技术特征（说明书第15页第3段-第17页第3段，图13）：衬底111上形成有电极单元112和与电极单元112相连通的导电层114（相当于导电焊盘阵列），垂直发光二极管器件115安装在导电层114之上，包括N型层115d（对应于下部p掺杂）和P型层115c（对应于上部n掺杂层），以及位于N型层115d以及P型层115c之间的发光部115b；垂直发光二极管包括GaN、GaAs等III-V族材料（说明书第15页第3段）或ZnSe、ZnTe等II-VI族材料（说明书第19页第3段）的一个或多个层，透明钝化层119跨越垂直发光二极管器件115的侧壁并填充隔堤117开口阵列。由此可知，对比文件3公开了一种通过沉积方式形成于支撑器件上的垂直发光二极管的阵列结构，虽然其公开的发光二极管的基本结构与本申请的微型发光二极管的基本结构相同，但是对比文件3并未公开形成具有特定尺寸结构的微型发光二极管器件，也未公开通过转移的方式将微型发光二极管阵列安装到支撑器件的焊盘结构上，而本申请通过形成微型发光二极管并进行转移安装可以有效的提高显示器件的亮度，降低功耗和制造成本。微型LED及其转移安装方式属于发光二极管领域的特殊制造方法，本领域技术人员根据对比文件1、对比文件3公开的技术方案难以想到通过制造微型LED并进行转移安装的方式来形成微型发光二极管封装结构，从而提高显示器件的亮度，降低功耗和制造成本。驳回决定中引用的公知常识证据（“先进电子制造技术”，龙绪明，第372-373页，机械工业出版社，2010年11月）中转移安装的为焊球结构，这与本申请的结构不同，本申请为二极管器件整体，并且芯片的转移尺寸级别也不同，具有数百微米的尺寸差距，因此并不能由焊球的转移安装证明其转移方式可以应用于垂直微型发光二极管结构，上述区别技术特征整体上并不属于本领域的公知常识。此外，对比文件2仅公开了一种发光二极管封装结构，也未公开上述区别技术特征。并且包含上述区别技术特征的权利要求1的技术方案取得了上述有益技术效果。
因此在对比文件1的基础上结合对比文件3、对比文件2以及本领域公知常识从而得出权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员是非显而易见的，权利要求1相对于对比文件1、对比文件3、对比文件2和本领域公知常识的结合具备专利法第22条第3款所规定的创造性，因而权利要求1相对于对比文件1、对比文件3和本领域公知常识的结合也具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2.2权利要求2-19具备专利法第22条第3款规定的创造性。
在独立权利要求1相对于对比文件1、对比文件3、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性的情况下，从属权利要求2-19相对于对比文件1、对比文件3、对比文件2和本领域公知常识的结合也都具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对驳回决定和前置审查意见的评述
原审查部门在驳回决定和前置意见中认为：首先，权利要求1为产品权利要求，而“转移和安装”属于产品的制造方法，该方法对产品无限定作用；其次，从权利要求1的相关记载无法得出发光二极管阵列是整体转移还是逐个转移，复审请求人在界定权利要求的保护范围时引入了说明书的内容；并且，在半导体制造领域，首先形成分离的电子器件，然后将电子器件转移并组装到新的基板上属于常规方法，对于小尺寸的电子器件，采用吸头拾取的方式完成高精度的电子零件的装配属于本领域的常规手段。在驳回决定中给出的公知常识证据（“先进电子制造技术”，龙绪明，第372-373页，机械工业出版社，2010年11月）中，采用吸头整体转移小尺寸焊球（300-700微米直径），由此可知，这样的技术构思属于本领域的常规手段。在图像显示领域，提高显示屏分辨率属于本领域普遍技术追求，本领域技术人员公知：缩小LED尺寸能够缩小每个像素的大小，进而提高显示屏的分辨率，因此小尺寸LED属于本领域的普遍技术需求，复审请求人在意见陈述中认为：“小型化并不仅仅是设计器件的唯一考虑，其尺寸的设计仍然受制于技术的发展和结构的设计”，但复审请求人在不提及采用何种特殊的方法和结构的情况下，仅申请对特定尺寸的LED进行保护，这样的保护范围是不合理的。
对此，合议组认为：微型LED及其转移安装方式属于发光二极管领域的特殊制造方法，本申请的权利要求1中明确限定了发光二极管器件为微型发光二极管，且其阵列通过转移的方式安装到焊盘结构上，由此形成的封装结构与对比文件1、对比文件3、对比文件2形成的封装结构是明显不同的，转移和安装对权利要求1的保护范围具有限定作用。驳回决定引用的公知常识证据中转移安装的为焊球结构，这与本申请的结构不同，本申请为二极管器件整体，并且芯片的转移尺寸级别也不同，具有数百微米的尺寸差距，因此并不能由焊球的转移安装证明其转移方式可以应用于垂直微型发光二极管结构。本申请通过制造微型LED并进行转移安装能够取得提高显示器件的亮度，降低功耗和制造成本的技术效果，本领域技术人员根据对比文件1、对比文件3、对比文件2公开的技术方案和本领域公知常识难以想到通过制造微型LED并进行转移安装的方式来形成微型发光二极管封装结构，从而提高显示器件的亮度，降低功耗和制造成本。因此本申请的权利要求相对于对比文件1、对比文件3、对比文件2和本领域公知常识的结合具备创造性。
因此，驳回决定及前置审查意见中指出的缺陷均已克服。至于本申请是否存在其它不符合专利法及实施细则规定的相关缺陷，由后续程序继续审查。
基于上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年11 月06 日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本复审请求审查决定针对的审查文本的基础上对本申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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