发明创造名称：一种半导体器件的制造方法和半导体器件
外观设计名称：
决定号：182156
决定日：2019-06-24
委内编号：1F272833
优先权日：
申请（专利）号：201410190712.4
申请日：2014-05-07
复审请求人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 中芯集成电路（宁波）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：吕媛
合议组组长：钟翊
参审员：周江
国际分类号：H01L27/146
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第2款和第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与对比文件的技术方案实质上相同，二者所属的技术领域、解决的技术问题和达到的技术效果都相同，那么该权利要求不具备新颖性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410190712.4，名称为“一种半导体器件的制造方法和半导体器件”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司和中芯集成电路（宁波）有限公司。本申请的申请日为2014年05月07日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月31日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性；权利要求11-15不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。概括如下：权利要求1请求保护一种半导体器件的制造方法，对比文件1(US 2008/0116537 A1，公开日为2008年05月22日)公开了一种半导体器件的制造方法（说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6），该权利要求所要求保护的技术方案与该对比文件所公开的技术内容相比，其区别技术特征是：本申请的无机键合部件形成在辅助基板上。该方案所要解决的技术问题是：提供可替换的键合方式。上述区别技术特征是本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识以获得该权利要求请求保护的技术方案，对所属技术领域的技术人员来说是显而易见的，因此该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。从属权利要求2-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备创造性。权利要求11请求保护一种半导体器件，对比文件1公开了一种半导体器件（说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6），对比文件1公开了独立权利要求11的全部技术特征，且对比文件1所公开的技术方案与该权利要求所要求保护的技术方案属于同一技术领域，能够解决相同的技术问题并能产生相同的技术效果，因此，该权利要求请求保护的技术方案不具备新颖性。从属权利要求12-15的附加技术特征被对比文件1公开，因此，当其引用的权利要求不具备新颖性时，上述从属权利要求也不具备新颖性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2014年05月07日提交的说明书第1-84段、说明书附图图1-图5、说明书摘要和摘要附图；2017年12月18日提交的权利要求第1-15项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S101：提供在第一表面一侧形成有元器件的半导体衬底以及与所述半导体衬底相匹配的辅助基板；
步骤S102：在所述辅助基板上形成与所述半导体衬底的非器件区相对应的无机键合部件；
步骤S103：通过所述无机键合部件将所述辅助基板与所述半导体衬底的所述第一表面键合。
2. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：
步骤S1021：通过CVD工艺在所述辅助基板上形成氧化硅薄膜；
步骤S1022：在所述氧化硅薄膜上形成掩膜，其中所述掩膜覆盖所述辅助基板的与所述半导体衬底的非器件区相对应的区域；
步骤S1023：通过刻蚀去除所述氧化硅薄膜未被所述掩膜覆盖的区域以形成无机键合部件，去除所述掩膜。
3. 如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1021中，形成所述氧化硅薄膜的方法包括：使用低压化学气相沉积法在所述辅助基板上沉积低温氧化物层。
4. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述无机键合部件的材料包括氧化硅。
5. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述元器件包括CMOS图像传感器，其中所述CMOS图像传感器包括设置于所述半导体衬底上的彩色滤色膜以及设置于所述彩色滤色膜之上的微透镜。
6. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述辅助基板的材料包括玻璃。
7. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：对所述半导体衬底进行清洗。
8. 如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1023包括：用去离子水对所述半导体衬底进行清洗，在氮 气环境下对所述半导体衬底作快速旋干。
9. 如权利要求1至8任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：从与所述第一表面相对的表面对所述半导体衬底进行减薄处理。
10. 如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：形成贯穿所述半导体衬底的硅通孔。
11. 一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的元器件，还包括与所述半导体衬底相匹配的辅助基板；其中，所述辅助基板与所述半导体衬底通过设置于它们之间的无机键合部件键合在一起。
12. 如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述无机键合部件的材料包括氧化硅。
13. 如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述元器件包括CMOS图像传感器，其中所述CMOS图像传感器包括设置于所述半导体衬底上的彩色滤色膜以及设置于所述彩色滤色膜之上的微透镜。
14. 如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述辅助基板的材料包括玻璃。
15. 如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括贯穿所述半导体衬底的硅通孔。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年01月31日向国家知识产权局提出了复审请求，但未修改申请文件。复审请求人认为：（1）对比文件1中的键合垫160实质上起到的是支撑部件的作用，即提供玻璃板与衬底上的CMOS器件之间的空间，以避免两者接触，而对比文件1中的键合部件实质还是键合垫160和玻璃板120之间的有机胶水。因此，对比文件1中的键合垫160不能对应于本申请的无机键合部件。（2）对比文件1显然并未意识到由于键合部件是有机物，会引起后续CVD工艺中出现气体释放的问题，更未提出需要解决该技术问题以及解决该问题的技术方案；而本申请的发明人意识到了该问题，并在权利要求1限定了解决该技术问题的技术特征：形成无机键合部件，所述无机键合部件使得在后续CVD工艺中不会发生气体释放。这是发明人有意识的选择，是发明人付出了创造性劳动的结果。（3）该区别技术特征不是公知常识，而是发明人有目的的选择，因为本申请通过将无机键合部件先形成在辅助基板上，之后的接合步骤中接合的是无机键合材料和硅衬底，两者材料相近，可以使用例如Oxide to Oxide Fusion之类的接合工艺，而对比文件1中接合的是键合垫和玻璃，两者材料相差较大，并且玻璃表面光滑，因此只能选择粘附性高的有机胶水之类的粘合剂进行接合。因此，该区别技术特征是发明人有目的的选择，并不是公知常识。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月03日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1中在[0047]段使用亚克力胶将钝化层160与玻璃板键合在一起是将钝化层160的材料选择为聚酰亚胺，并且在[0047]段中用括号限定了钝化层160的材料，而在[0042]段，对比文件1指出钝化层160的材料还可以是SiO2和SiN，当采用SiO2和SiN时，可以通过合适的键合方式与玻璃进行键合是显而易见的；（2）当前权利要求1并未限定键合的具体方式，根据当前权利要求1所记载的内容，其方案是将键合部件形成在辅助基板上，然后将辅助基板与半导体衬底键合，在没有限定具体键合方式的情况下，根据权利要求记载的方案，有理由推断将键合部件形成在辅助基板上与将键合部件形成在半导体衬底上的作用相同，二者可以替换。本申请还包括产品权利要求11，其中仅限定了辅助基板与半导体衬底通过设置在它们之间的无机键合部件键合在一起，在对比文件1中利用SiO2或SiN键合时，已经公开了该方案。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月24日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11-15不具备专利法第22条第2款规定的新颖性。合议组认为：（1）对比文件1中公开了“BONG PAD”可以是钝化层160，可见，钝化层160不仅提供玻璃板与衬底上的CMOS器件之间的间隔，也能实现玻璃板和衬底之间的键合，且钝化层160可以是SiO2或SiN材料，与本申请无机键合部件采用的材料也相同，因此，对比文件1中的键合垫160可以对应于本申请的无机键合部件。（2）对比文件1中的键合垫160用于键合衬底和玻璃板的位置（玻璃板与衬底的非器件区）与本申请的无机键合部件（辅助基板与半导体衬底的非器件区）的位置相同，对比文件1也给出采用无机材料替换有机材料的技术方案，与本申请中无机键合部件的材料也相同，相同技术领域、相同的技术方案和技术手段可以解决相同的技术问题，对比文件1中的键合垫与本申请的无机键合部件均可以起到在后续CVD工艺中不会发生气体释放的效果，并不需要付出创造性的劳动。（3）虽然对比文件1中的键合垫160是设置在衬底15上之后再与辅助基板键合，与本申请的无机键合部件最初设置的位置不同，但是最终形成的结构是“半导体衬底-键合部件-玻璃”结构，当键合部件采用无机材料时则可以避免后续CVD工艺中气体的释放，因而实现了本申请的发明构思；对于本领域技术人员来说，将键合部件设置在将要被键合的两层中任意一层上以后再进行键合是一种常规的选择，属于本领域技术人员的惯用手段，整体的键合效果和后续处理时产生的效果也是可以预料的，并不需要付出创造性的劳动。
复审请求人于2019年06月10日提交了意见陈述书，并修改了权利要求书（包括权利要求第1-13项），将原从属权利要求4的附加技术特征“所述无机键合部件的材料包括氧化硅”以及说明书中的技术特征“氧化物到氧化物熔化键合工艺”补入独立权利要求1中；将原从属权利要求12的附加技术特征“所述无机键合部件的材料包括氧化硅”补入原独立权利要求11中，并进一步限定“所述辅助基板与所述半导体衬底通过设置于它们之间的无机键合部件直接键合在一起”，删除了权利要求4和12并修改了权利要求的序号和引用关系。复审请求人认为：（1）对比文件1并不能直接认定为：钝化层160和玻璃基板之间的键合是直接键合，二者之间无需其他膜层作为键合层。对比文件1的说明书中提到的是利用有机物胶（bonding cement such as an acrylic adhesive）键合钝化层160与玻璃盖板。说明书第0048—0051段以及图5、图6、图7并没有任何地方有提到钝化层160可以作为bonding pad。（2）该区别技术特征不是公知常识，而是发明人有目的的选择，因为本申请通过将无机键合部件先形成在辅助基板上，两者材料相近，可以使用例如Oxide to Oxide Fusion之类的接合工艺，而对比文件1中接合的是键合垫和玻璃，两者材料相差较大，并且玻璃表面光滑，因此只能选择粘附性高的有机胶水之类的粘合剂进行接合。因此，该区别技术特征是发明人有目的的选择，并不是公知常识。本对比文件1中公开的内容就没有在玻璃盖板上形成无机键合部件，而且，本领域常规的认知，并没有在盖板上形成无机键合部件的内容。本申请中，首先必须在盖板上形成无机键合部件，然后通过熔融键合的方式实现无机键合部件与衬底的键合，两个步骤结合在一起才可以实现本申请的目的。（3）对比文件1并未意识到键合部件包含有机物会引起后续工艺中出现气体释放的问题，更未提出需要解决该技术问题以及解决该问题所采用的技术方案；而发明人意识到了该问题，并在权利要求1限定了解决该技术问题的技术特征：形成无机键合部件，所述无机键合部件使得在后续工艺中不会发生气体释放，这是发明人有意识的选择，是发明人付出了创造性劳动的结果。复审请求人在答复复审通知书时提交的权利要求书如下：
“1. 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
步骤S101：提供在第一表面一侧形成有元器件的半导体衬底以及与所述半导体衬底相匹配的辅助基板；
步骤S102：在所述辅助基板上形成与所述半导体衬底的非器件区相对应的无机键合部件，所述无机键合部件的材料包括氧化硅；
步骤S103：通过所述无机键合部件将所述辅助基板与所述半导体衬底的所述第一表面键合；所述键合包括：氧化物到氧化物熔化键合工艺。
2. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S102包括：
步骤S1021：通过CVD工艺在所述辅助基板上形成氧化硅薄膜；
步骤S1022：在所述氧化硅薄膜上形成掩膜，其中所述掩膜覆盖所述辅助基板的与所述半导体衬底的非器件区相对应的区域；
步骤S1023：通过刻蚀去除所述氧化硅薄膜未被所述掩膜覆盖的区域以形成无机键合部件，去除所述掩膜。
3. 如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S1021中，形成所述氧化硅薄膜的方法包括：使用低压化学气相沉积法在所述辅助基板上沉积低温氧化物层。
4. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S101中，所述元器件包括CMOS图像传感器，其中所述CMOS图像传感器包括设置于所述半导体衬底上的彩色滤色膜以及设置于所述彩色滤色膜之上的微透镜。
5. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述辅助基板的材料包括玻璃。
6. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102与所述步骤S103之间还包括步骤S1023：对所述半导体衬底进行清洗。
7. 如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S1023包括：用去离子水对所述半导体衬底进行清洗，在氮气环境下对所述半导体衬底作快速旋干。
8. 如权利要求1至7任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103之后还包括步骤S104：从与所述第一表面相对的表面对所述半导体衬底进行减薄处理。
9. 如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S104之后还包括步骤S105：形成贯穿所述半导体衬底的硅通孔。
10. 一种半导体器件，其特征在于，包括半导体衬底以及形成于所述半导体衬底上的元器件，还包括与所述半导体衬底相匹配的辅助基板；其中，所述辅助基板与所述半导体衬底通过设置于它们之间的无机键合部件直接键合在一起；
所述无机键合部件的材料包括氧化硅。
11. 如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述元器件包括CMOS图像传感器，其中所述CMOS图像传感器包括设置于所述半导体衬底上的彩色滤色膜以及设置于所述彩色滤色膜之上的微透镜。
12. 如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述辅助基板的材料包括玻璃。
13. 如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括贯穿所述半导体衬底的硅通孔。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年06月10日提交了权利要求书全文的修改替换页（包括权利要求第1-13项），经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本决定所针对的文本是：复审请求人于2019年06月10日提交的权利要求第1-13项，以及申请日2014年05月07日提交的说明书第1-84段、说明书附图图1-图5、说明书摘要和摘要附图。
专利法第22条第2款和第3款
专利法第22条第2款规定：新颖性，是指该发明或者实用新型不属于现有技术；也没有任何单位或者个人就同样的发明或者实用新型在申请日以前向国务院专利行政部门提出过申请，并记载在申请日以后公布的专利申请文件或者公告的专利文件中。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与对比文件的技术方案实质上相同，二者所属的技术领域、解决的技术问题和达到的技术效果都相同，那么该权利要求不具备新颖性。
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别特征，若以上区别特征仅为本领域技术人员的惯用手段，当面对该权利要求实际解决的技术问题时，本领域技术人员基于现有技术中整体存在的技术启示容易想到将以上区别特征结合到该最接近的现有技术中以获得该权利要求的技术方案，那么该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
在复审决定通知书中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中的对比文件相同，即：
对比文件1：US2008/0116537A1，公开日为2008年05月22日。
2.1独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
独立权利要求1请求保护一种半导体器件的制造方法，对比文件1公开了一种半导体器件的制造方法(参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6)：提供在上侧（第一表面）形成有CMOS图像传感器等的可以是硅的衬底15以及与衬底15相匹配的玻璃板120（相当于辅助基板），在衬底15的非像素区上形成与玻璃板120相对应的键合垫160（相当于无机键合部件），键合垫160可以是钝化层，选自SiO2或SiN材料；通过键合垫160将玻璃板120与衬底15的上表面键合。
独立权利要求1与对比文件1的区别特征在于：（1）无机键合部件形成在辅助基板上；（2）所述键合包括：氧化物到氧化物熔化键合。
基于该区别特征，本申请实际所要解决的技术问题在于：无机键合部件的形成部位的选择以及其与辅助基板的键合方式。
对于区别特征（1）：对比文件1已经公开了在半导体衬底上形成无机键合部件以将半导体衬底与玻璃板键合的技术方案，而辅助基板和半导体衬底是匹配使用的，本领域技术人员可以根据需要选择无机键合部的设置部位，在玻璃板上形成无机键合部件而使半导体衬底与辅助基板键合也是本领域技术人员的惯用手段。
对于区别特征（2）：熔化键合是本领域一种常见的键合方式，常用于绝缘材料之间的键合，而玻璃的主要成分是SiO2，玻璃和SiO2之间的键合常采用热熔和键合，即氧化物和氧化物之间的熔化键合是本领域常用的键合方式，属于本领域的公知常识。
因此，在对比文件1的基础上本领域的公知常识得到独立权利要求1请求保护技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，该权利要求不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2从属权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
从属权利要求2对独立权利要求1进行了进一步限定，对比文件1还公开了（参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6）：在衬底15上形成键合垫160的步骤包括：在衬底15上形成可以是SiO2的钝化层160；刻蚀钝化层160去除与器件区对应的区域，形成键合垫。而将键合垫形成在辅助基板上，采用CVD方法形成氧化硅薄膜，并具体通过掩膜覆盖辅助基板与半导体衬底的非器件区相对应的区域而将未被掩膜覆盖的区域刻蚀掉以形成无机键合部件，之后再去除掩膜也是本领域技术人员的惯用手段，属于本领域的公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求3对权利要求2进行了进一步限定，而低压化学气相沉积法沉积低温氧化物层形成氧化硅薄膜是本领域常见的形成钝化层的方法，属于本领域的公知常识。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求4-5对独立权利要求1进行了进一步限定，对比文件1还公开了（参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6）：元器件包括CMOS图像传感器，CMOS图像传感器包括设置在衬底15上的彩色滤光膜125及其上的微透镜122；辅助基板的材料为玻璃。因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求6对独立权利要求1进行了进一步限定，从属权利要求7对权利要求6进行了进一步限定，在键合之前采用去离子水清洗，氮气快速旋干对半导体衬底进行清洗以提高键合质量均是本领域技术人员的惯用手段，属于本领域的公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求8对权利要求1-7进行了进一步限定，背面减薄工艺是本领域技术人员处理半导体衬底非器件安装表面的惯用手段，属于本领域的公知常识，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求9对权利要求8进行了进一步限定，对比文件1还公开了（参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6）：形成贯穿硅衬底15的硅通孔305，因此在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3独立权利要求10不具备专利法第22条第2款规定的新颖性
独立权利要求10请求保护一种半导体器件，对比文件1公开了一种半导体器件 (参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6)：包括可以是硅的衬底15和形成在衬底15上的CMOS图像传感器，与衬底15相匹配的玻璃板120，玻璃板120和衬底15之间通过键合垫160进行键合，键合垫160可以是钝化层，选自SiO2或SiN材料（相当于无机键合部件），由图3-6可以看出，键合垫160与玻璃板120直接接触，中间没有其他接合结构。由此可见，对比文件1已经公开了该权利要求的全部技术特征，且对比文件1所公开的技术方案与该权利要求请求保护的技术方案属于同一技术领域，能够解决相同的技术问题并能产生相同的技术效果，因此该权利要求请求保护的技术方案不具备第22条第2款规定的新颖性。
2.4从属权利要求11-13不具备专利法第22条第2款规定的新颖性
从属权利要求11-13对独立权利要求10进行了进一步限定，对比文件1还公开了（参见对比文件1的说明书第[0036]-[0049]段，附图3-6）：元器件包括CMOS图像传感器，CMOS图像传感器包括设置在衬底15上的彩色滤光膜125及其上的微透镜122；玻璃板120；贯穿硅衬底15的硅通孔305，因此在其引用的权利要求不具备新颖性的情况下，该从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的新颖性。
对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：复审请求人认为对比文件1是利用有机物胶键合钝化层160与玻璃盖板，且说明书第0048—0051段以及图5、图6、图7也没有任何地方有提到钝化层160可以作为bonding pad。但是对比文件1中同样公开了钝化层160 可以“bond”玻璃板（说明书第42段），即实现与玻璃板之间的键合，且钝化层160可以是SiO2或SiN材料，与本申请无机键合部件采用的材料也相同，对比文件1中的键合垫160用于键合衬底和玻璃板的位置（玻璃板与衬底的非器件区）与本申请的无机键合部件（辅助基板与半导体衬底的非器件区）的位置相同，对比文件1中的键合垫160可以对应于本申请的无机键合部件，对于产品权利要求而言，键合工艺对最后得到的产品结构而言并没有直接的影响，对比文件1给出采用无机材料替换有机材料的技术方案，与本申请中无机键合部件的材料也相同，相同技术领域、相同的技术方案和技术手段可以解决相同的技术问题，因此，产品权利要求不具有新颖性。
进一步地，玻璃的主要成分就是SiO2，钝化层160和玻璃板二者之间的键合就是氧化物与氧化物的键合。熔化（热熔和）键合也是本领域一种常用的键合方式，常用于玻璃表面，通过加热达到玻璃相变温度引发表面间的羟基相互作用，是一种直接的键合方法，不需要中间的媒介层，是本领域的公知常识。对比文件1中的键合垫160是设置在衬底15上之后再与辅助基板键合，与本申请的无机键合部件最初设置的位置不同，但是最终形成的结构是“半导体衬底-键合部件-玻璃”结构，当键合部件采用无机材料时则可以避免后续CVD工艺中气体的释放，因而实现了本申请的发明构思；整体的键合效果和后续处理时产生的效果也是可以预料的，并不需要付出创造性的劳动。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具备说服力。
基于上述事实和理由，合议组依法作出以下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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