发明创造名称：发光二极管封装结构及其制造方法
外观设计名称：
决定号：181873
决定日：2019-06-24
委内编号：1F263929
优先权日：
申请（专利）号：201310383351.0
申请日：2013-08-29
复审请求人：展晶科技（深圳）有限公司 荣创能源科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：柴春英
合议组组长：骆素芳
参审员：章放
国际分类号：H01L33/60，H01L25/16
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但上述区别技术特征属于本领域的公知常识，且该权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201310383351.0，名称为“发光二极管封装结构及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为展晶科技（深圳）有限公司，荣创能源科技股份有限公司，申请日为2013年08月29日，公开日为2015年03月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月25日发出驳回决定，以权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，其中引用了以下对比文件：
对比文件3：CN 102655142A，公开日为：2012年09月05日；
对比文件4：CN 102237483A，公开日为：2011年11月09日；
对比文件5：KR 10-2013-0057903A，公开日为：2013年06月03日。
驳回决定所依据的文本为：2018年06月20日提交的权利要求第1-8项，申请日2013年08月29日提交的说明书第1-24段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图。驳回决定的具体理由是：权利要求1相对于对比文件4的区别技术特征为：1）封装层完全覆盖齐纳二极管以及反射层；2）封装层中掺有荧光粉。其中，区别技术特征1）部分被对比文件3公开，且其在对比文件3中的作用与其在本申请中的相同，其余部分为本领域的惯用技术手段；区别技术特征2）为本领域的常规选择；因此权利要求1不具备创造性。权利要求2-3的附加技术特征被对比文件3公开；权利要求4的附加技术特征被对比文件4公开；权利要求5的附加技术特征部分被对比文件4公开，其余属于本领域的常规选择；因此权利要求2-5不具备创造性。权利要求6相对于对比文件4的区别技术特征为：1）封装层完全覆盖齐纳二极管以及反射层；2）所述封装层中掺有荧光粉。其中，区别技术特征1）部分被对比文件3公开，且其在对比文件3中的作用与其在本申请中的相同，其余部分为本领域的惯用技术手段；区别技术特征2）为本领域技术人员在对比文件5公开的相关技术特征的基础上进行的本领域的常规选择；因此权利要求6不具备创造性。权利要求7-8的附加技术特征被对比文件3公开，因此不具备创造性。权利要求6相对于对比文件5的区别技术特征为：1)点胶形成反射层；2) 所述封装层中掺有荧光粉。其中，区别技术特征1)为本领域的常规选择；区别技术特征2) 为本领域技术人员在对比文件5公开的相关技术特征的基础上进行的常规选择；因此权利要求6不具备创造性。权利要求7的附加技术特征被对比文件5公开，权利要求8的附加技术特征部分被对比文件5公开，其余属于本领域的常规选择，因此权利要求7-8不具备创造性。并在驳回决定的其他说明部分指出：权利要求1的技术方案与对比文件5相比的区别技术特征为“所述封装层中掺有荧光粉”；该区别技术特征为本领域技术人员在对比文件5公开的相关技术特征的基础上进行的常规选择；因此权利要求1不具备创造性。权利要求2的附加技术特征被对比文件5公开；权利要求3-4的附加技术特征部分被对比文件5公开，其余属于本领域的常规技术选择；权利要求5的附加技术特征被对比文件5公开；因此权利要求2-5不具备创造性。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，所述齐纳二极管表面还形成有一反射层，所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层形成在基板的上表面上，并完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
3. 如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。
4. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：反射层为可固性不透明胶体，其通过点胶方式形成在齐纳二极管表面，并覆盖齐纳二极管。
5. 如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层内还含有反射颗粒TiO2或SiO2。
6. 一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：
提供一基板；
将一发光二极管芯片设置于基板上；
将一齐纳二极管设置于基板上；
在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层；
在基板的上表面上形成一封装层，封装层完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
7. 如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
8. 如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月25日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，其中在原权利要求1和6中补入技术特征“所述反射层为可固性不透明胶体”，并将原权利要求4中与其对应的技术特征删除。复审请求人认为：对比文件5的说明书第[0068]-[0071]段并未如审查意见所述披露了反射层155的材料。对比文件5的说明书其它说明也未说明反射层155采用可固性不透明胶体。本申请通过将反射层设置为可固性不透明胶体，减小了对发光二极管芯片发出的光线的折射式和透射式吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。复审请求时修改的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，所述齐纳二极管表面还形成有一反射层，所述反射层为可固性不透明胶体，所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层形成在基板的上表面上，并完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
3. 如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。
4. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层通过点胶方式形成在齐纳二极管表面，并覆盖齐纳二极管。
5. 如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层内还含有反射颗粒TiO2或SiO2。
6. 一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：
提供一基板；
将一发光二极管芯片设置于基板上；
将一齐纳二极管设置于基板上；
在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层，所述反射层为可固性不透明胶体；
在基板的上表面上形成一封装层，封装层完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
7. 如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
8. 如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极 和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。”。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月31日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，对比文件4（参见说明书第[0117]）公开了：光反射树脂6的材料优选使用绝缘材料。而且为了确保一定程度的强度，可使用例如热硬化性树脂、热塑性树脂等，更具体来说，列举酚树脂、环氧树脂、BT树脂、或PPA或硅树脂等。而且，通过在成为这些树脂的母体树脂中分散着不易吸收来自发光元件2的光、且对于成为母体树脂的折射率差较大的反射构件(例如TiO2、 Al2O3、ZrO2、MgO)等的粉末，而能够高效地使光反射。可见，由于TiO2、 Al2O3、ZrO2、MgO等起反射作用的填料的存在，使得光反射树脂6形成了不透明可固性胶体。此外，对比文件3（参见说明书第[0030]-[0037]段、附图3）进一步披露了：所述发光二极管封装结构还包括一封装层80，所述封装层80形成在基板的上表面上，并覆盖发光二极管芯片61、齐纳二极管70以及杯孔内壁。且上述技术特征在对比文件3中的作用与在本申请中的作用相同，都是起到提供进一步密封的作用。在此基础上，为了获得较佳的密封效果，本领域技术人员容易想到，使得封装层完全覆盖反射层，其仅为本领域的惯用技术手段。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月20日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性，主要理由是：权利要求1相对于对比文件5的区别技术特征“荧光物质为荧光粉”属于本领域的公知常识，因此权利要求1不具备创造性。权利要求2-5的附加技术特征或被对比文件5公开、或属于本领域的惯用技术手段，因而不具备创造性。权利要求6相对于对比文件5的区别技术特征为“点胶形成反射层；荧光物质为荧光粉”，其中“点胶形成反射层”属于本领域的惯用技术手段，“荧光物质为荧光粉”属于本领域的公知常识，因此权利要求6不具备创造性。权利要求7-8的附加技术特征或被对比文件5公开、或属于本领域的惯用技术手段，因而不具备创造性。关于复审请求人在提出复审请求时的意见，合议组认为：对比文件5（参见说明书第[0058]-[0065]段）公开了齐纳二极管150表面还形成有一反射层155，所述反射层由光反射树脂材料形成，尤其是由树脂混合白色材料156形成，白色材料156包括TiO2，此时树脂是SiO树脂，由此避免粘度高或流下来。即对比文件5公开了反射层155采用可固性不透明胶体。并且对比文件5（参见说明书第[0006]-[0007段）公开了通过使用反射材料覆盖齐纳二极管，避免齐纳二极管吸收光。
复审请求人于2019年03月26日提交了意见陈述书，并对申请文件进行了修改，其中在原权利要求1和6中补入技术特征“所述反射层采用硅胶”。复审请求人认为：对比文件5明确记载“反射层155由光反射材料形成。详细地，反射层155通过将白色材料156与普通树脂材料混合而形成”。对比文件5中反射层155采用树脂（硅树脂），而本申请修改后的权利要求1中的所述反射层采用的是胶体（硅胶）。众所周知，硅胶是一种高活性吸附材料，属非晶态物质，其化学式为xSiO2?yH2O。而硅树脂是以硅-氧-硅为主链，硅原子上联接有有机基的交联型的半无机高聚物。硅树脂和硅胶在本质上完全不同，且硅树脂的透光性比硅胶好。对比文件5中的反射层155本身只是树脂，其粘固性和不透光性依赖于掺杂于树脂中的二氧化钛颗粒156，而非反射层155本身。本申请通过将反射层设置为如硅胶的可固性不透明胶体，减小了对发光二极管芯片发出的光线的折射式和透射式吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。复审请求人修改后的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管封装结构，其包括基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片和齐纳二极管，所述齐纳二极管表面还形成有一反射层，所述反射层为可固性不透明胶体，所述反射层采用硅胶，所述发光二极管封装结构还包括一封装层，所述封装层形成在基板的上表面上，并完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
2. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
3. 如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。
4. 如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层通过点胶方式形成在齐纳二极管表面，并覆盖齐纳二极管。
5. 如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述反射层内还含有反射颗粒TiO2或SiO2。
6. 一种发光二极管封装结构的制造方法，其包括以下几个步骤：
提供一基板；
将一发光二极管芯片设置于基板上；
将一齐纳二极管设置于基板上；
在齐纳二极管表面通过点胶形成一反射层，所述反射层为可固性不透明胶体，所述反射层采用硅胶；
在基板的上表面上形成一封装层，封装层完全覆盖发光二极管芯片、齐纳二极管以及反射层，所述封装层中掺有荧光粉。
7. 如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。
8. 如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述发光二极管芯片设置于第一电极上，并且通过导线分别电性连接第一电极 和第二电极，所述齐纳二极管设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年03月26日提交了修改后的权利要求书全文替换页，其中包括权利要求第1-8项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本为：申请日2013年08月29日提交的说明书第1-24段、说明书附图图1-8、说明书摘要和摘要附图，2019年03月26日提交的权利要求第1-8项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，但上述区别技术特征属于本领域的公知常识，且该权利要求相对于上述对比文件和本领域的公知常识的结合是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定继续引用驳回决定和复审通知书中所使用的对比文件5：KR 10-2013-0057903A，公开日为：2013年06月03日。
权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种发光二极管封装结构，对比文件5（参见说明书第[0006]- [0073]段、附图1-4）公开了一种发光二极管封装结构，并具体公开了如下技术特征：基板以及设置于该基板上的发光二极管芯片120和齐纳二极管150，所述齐纳二极管150表面还形成有一反射层155，所述反射层由光反射树脂材料形成，尤其是由树脂混合白色材料156形成，白色材料156包括TiO2，此时树脂是SiO树脂，由此避免粘度高或流下来（参见说明书第[0058]-[0065]段；由此可以确定反射层155为可固性不透明胶体）；所述发光二极管封装结构还包括一封装层170，所述封装层170形成在基板的上表面上，并完全覆盖发光二极管芯片120、齐纳二极管150以及反射层155；封装层170中分散有荧光物质（参见说明书第[0067]-[0069]段）。
由此可知，权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件5所公开的技术内容相比，其区别技术特征在于：反射层采用硅胶；荧光物质为荧光粉。基于上述区别技术特征确定的本申请实际解决的技术问题是：如何降低齐纳二极管对光的吸收，以及如何选择荧光物质的状态。
硅胶和硅树脂均属于本领域的常规封装材料，二者的透光性和可固性也是本领域技术人员熟知的，并且对比文件5（参见说明书第[0006]-[0007] 、[0058]-[0065]段）公开了齐纳二极管150表面形成反射层155，反射层由光反射树脂材料形成；通过使用反射材料覆盖齐纳二极管，避免齐纳二极管吸收光。在此基础上，为了减小齐纳二极管对发光二极管发出的光的折射式和透射式吸收，而选择光透过率低的材料形成该反射层，例如上述本领域熟知的硅胶材料，是本领域的常规选择，并且该选择没有带来预料不到的技术效果。此外，使用荧光粉作为荧光物质属于本领域的公知常识。由此可知，在对比文件5的基础上结合本领域的公知常识得出权利要求1所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求2不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1，对比文件5（参见附图1-2）公开了：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。因此当引用的权利要求1不具备创造性时情况下，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（3）权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3引用权利要求2，对比文件5（参见附图1-2）公开了：所述发光二极管芯片120设置于第一电极上且与之电性连接，并通过导线电性连接至第二电极，所述齐纳二极管155设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。在此基础上，通过导线将LED芯片与第一电极电连接，属于本领域的惯用技术手段。因此当引用的权利要求2不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（4）权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4引用权利要求1，通过点胶方式施加覆盖材料属于本领域的惯用技术手段。因此当引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（5）权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5引用权利要求4，对比文件5（参见说明书第[0061]段、附图4）公开了：所述反射层内还含有反射颗粒TiO2。此外SiO2也是本领域熟知的材料，根据光线的波长选择适合的反射颗粒，例如SiO2属于本领域的惯用技术手段。因此当引用的权利要求4不具备创造性时，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性
（6）权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6请求保护一种发光二极管封装结构的制造方法，对比文件5（参见说明书第[0006]- [0073]段、附图1-4）公开了一种发光二极管封装结构的制造方法，并具体公开了以下技术特征：提供一基板； 将一发光二极管芯片120设置于基板上；将一齐纳二极管150设置于基板上；在齐纳二极管150表面形成一反射层155，所述反射层由光反射树脂材料形成，尤其是由树脂混合白色材料156形成，白色材料156包括TiO2，此时树脂是SiO树脂，由此避免粘度高或流下来（参见说明书第[0058]-[0065]段；由此可以确定反射层155为可固性不透明胶体）；在基板的上表面上形成一封装层170，封装层完全覆盖发光二极管芯片120、齐纳二极管150以及反射层155；封装层170中分散有荧光物质（参见说明书第[0067]-[0069]段）。
权利要求6所要求保护的技术方案与对比文件5所公开的技术内容相比，其区别技术特征在于：反射层采用硅胶；点胶形成反射层；荧光物质为荧光粉。基于上述区别技术特征确定的本申请实际解决的技术问题是：如何降低齐纳二极管对光的吸收、如何施加反射层、以及如何选择荧光物质的状态。
硅胶和硅树脂均属于本领域的常规封装材料，二者的透光性和可固性也是本领域技术人员熟知的，并且对比文件5（参见说明书第[0006]-[0007] 、[0058]-[0065]段）公开了齐纳二极管150表面形成反射层155，反射层由光反射树脂材料形成；通过使用反射材料覆盖齐纳二极管，避免齐纳二极管吸收光。在此基础上，为了减小齐纳二极管对发光二极管发出的光的折射式和透射式吸收，而选择光透过率低的材料形成该反射层，例如上述本领域熟知的硅胶材料，是本领域的常规选择，并且该选择没有带来预料不到的技术效果。此外，通过点胶方式施加覆盖材料属于本领域的惯用技术手段；并且使用荧光粉作为荧光物质属于本领域的公知常识。由此可知，在对比文件5的基础上结合本领域的公知常识得出权利要求6所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求6所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（7）权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7引用权利要求6，对比文件5（参见附图1-2）公开了：所述基板包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和第二电极之间的绝缘层。因此当引用的权利要求6不具备创造性时情况下，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（8）权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8引用权利要求7，对比文件5（参见附图1-2）公开了：所述发光二极管芯片120设置于第一电极上且与之电性连接，并通过导线电性连接至第二电极，所述齐纳二极管155设置于第二电极上，并分别电性连接第一电极和第二电极。在此基础上，通过导线将LED芯片与第一电极电连接，属于本领域的惯用技术手段。因此当引用的权利要求7不具备创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在答复复审通知书时指出：对比文件5明确记载“反射层155由光反射材料形成。详细地，反射层155通过将白色材料156与普通树脂材料混合而形成”。对比文件5中反射层155采用树脂（硅树脂），而本申请修改后的权利要求1中的所述反射层采用的是胶体（硅胶）。众所周知，硅胶是一种高活性吸附材料，属非晶态物质，其化学式为xSiO2?yH2O。而硅树脂是以硅-氧-硅为主链，硅原子上联接有有机基的交联型的半无机高聚物。硅树脂和硅胶在本质上完全不同，且硅树脂的透光性比硅胶好。对比文件5中的反射层155本身只是树脂，其粘固性和不透光性依赖于掺杂于树脂中的二氧化钛颗粒156，而非反射层155本身。本申请通过将反射层设置为如硅胶的可固性不透明胶体，减小了对发光二极管芯片发出的光线的折射式和透射式吸收，从而可以提高发光二极管封装结构的出光亮度。
对此，合议组认为：正如复审请求人所述，硅胶和硅树脂均是众所周知的材料，二者的透光性和可固性也是众所周知的，并且对比文件5（参见说明书第[0006]-[0007] 、[0058]-[0065]段）公开了：齐纳二极管150表面形成反射层155，反射层由光反射树脂材料形成；通过使用反射材料覆盖齐纳二极管，避免齐纳二极管吸收光。在此基础上，为了减小齐纳二极管对发光二极管发出的光的折射式和透射式吸收，而选择光透过率低的材料形成该反射层，例如上述众所周知的硅胶材料，属于本领域的常规选择，并且该选择没有带来预料不到的技术效果。因此，合议组对复审请求人的意见不予接受。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月25日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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