发明创造名称：用于放大射频信号的装置和方法
外观设计名称：
决定号：182441
决定日：2019-06-21
委内编号：1F248676
优先权日：2012-03-02
申请（专利）号：201380012275.0
申请日：2013-02-20
复审请求人：皇家飞利浦有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：周亚沛
合议组组长：何晓兰
参审员：李晓惠
国际分类号：G01R33/36
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：
全文：
本复审请求涉及申请号为201380012275.0，名称为“用于放大射频信号的装置和方法”的发明专利PCT申请（下称本申请）。本申请的申请日为2013年02月20日，优先权日为2012年03月02日，进入中国国家阶段日期为2014年09月02日，公开日为2014年11月12日, 申请人为皇家飞利浦有限公司。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年01月08日发出驳回决定，驳回了本发明专利申请，其理由是：权利要求1-15不符合专利法第22条第3款的规定。其中引用了如下3篇对比文件：
对比文件1：CN 201414113Y，公告日为2010年02月24日；
对比文件2：CN 202135098U，公告日为2012年02月01日；
对比文件3：“A 500W，Broadband，Non-Magnetic RF MOSFET Amplifier for MRI Use”，D. I. Hoult，G. Kolansky，PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR MAGNETIC RESONANCE IN MEDICINE，16TH SCI ENTI FIC MEETING AND EXHIBITION，TORONTO，CANADA，2008年04月19日召开，第1139页，公开日为2008年12月31日。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2014年09月02日进入中国国家阶段时提交的原始申请文件的中文译文中的说明书摘要、说明书第1-8页、摘要附图、说明书附图第1-5页；2017年09月14日提交的权利要求第1-15项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种用于放大射频(RF)信号的装置，包括：
磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；
磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；
磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；以及
磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
其中，所述装置还包括磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)，并且所述装置还包括：
至少两个分裂器(32、42)，其用于分割所述平衡信号并将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。
3. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)；并且所述两个或更多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
4. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)和所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)中的任何一个是平面磁不敏感平衡-不平衡转换器
5. 如权利要求4所述的装置，其中，所述平面磁不敏感平衡-不平衡转换器的顶层上的线圈的主体具有在所述顶层上的所述线圈的两个条带之间的狭缝的扩展部分。
6. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)包括至少两组微带线(A、B)，每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组，以用于将所述至少两组MOSFET的所述输入阻抗分别与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的所述输出阻抗进行匹配。
7. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)包括至少两组微条带线(C、D)，每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组，以用于将所述至少两组MOSFET的所述输出阻抗分别与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的所述输入阻抗进行匹配。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述磁不敏感保护电路(70、70’)包括分别对应于所述至少两组MOSFET的至少两个条带线(E、F)和至少两组电容器(C1、C2)；对应于相同组MOSFET的所述条带线(E或F)、所述电容器(C1或C2)以及所述微条带线(C或D)被确定尺寸以形成所述RF接地，从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，所述磁不敏感保护电路(70、70’)还包括分别连接所述至少两组电容器(C1、C2)和所述DC电源的至少两个线缆，每个线缆与所述条带线(E或F)、所述电容器(C1或C2)以及所述微条带线(C或D)一起操作以用于从所述DC电源阻挡经放大的平衡信号。
10. 如权利要求6、7和8中的任一项所述的装置，其中，所述微条带线(A、B、C、D)和/或所述条带线(E、F)能够通过印刷电路板(PCB)技术形成。
11. 一种磁共振成像(MRI)系统，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置。
12. 一种放大射频(RF)信号的方法，包括：
由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
由磁不敏感输入匹配网络(20、20’)将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；
由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述至少两组MOSFET的每组包括至少一个MOSFET(30、40)；
由磁不敏感输出匹配网络(50、50’)将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；并且
其中，由磁不敏感保护电路(70、70’)通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来从直流(DC)电源阻挡经放大的平衡信号，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
13. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)，并且所述方法还包括：
由至少两个分裂器(32、42)分割所述平衡信号；并且
将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。
14. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)；并且所述两个或多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
15. 如权利要求12所述的方法，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)、所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)、磁不敏感输入匹配网络(20、20’)、磁不敏感输出匹配网络(50、50’)以及磁不敏感保护电路(70、70’)中的任何一个能够通过PCB技术形成。”
驳回决定认为：权利要求1与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：用于放大射频信号的装置的输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的。该区别是本领域技术人员在对比文件3给出的技术启示下容易想到的，因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）权利要求11请求保护的技术主题是一种包括用于放大射频信号的装置的磁共振成像（MRI）系统；（2）用于放大射频信号的装置的输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的。区别（1）是本领域的公知常识，区别（2）是本领域技术人员在对比文件3给出的技术启示下容易想到的，因此，权利要求11相对于对比文件1、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12与对比文件1相比，区别技术特征在于：输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的。该区别是本领域技术人员在对比文件3给出的技术启示下容易想到的，因此，权利要求12相对于对比文件1、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求13-15的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求13-15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人皇家飞利浦有限公司（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年04月11日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。在驳回决定所针对的权利要求书基础上，在独立权利要求1和12中增加特征“其中，通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地”，并根据原申请将权利要求8中的“确定尺寸”修改为“缩放”，在说明书中作了相应的修改。
复审请求时新修改的权利要求1、8、12如下：
“1. 一种用于放大射频(RF)信号的装置，包括：
磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；
磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；
磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；以及
磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
其中，所述装置还包括磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，并且
其中，通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述磁不敏感保护电路(70、70’)包括分别对应于所述至少两组MOSFET的至少两个条带线(E、F)和至少两组电容器(C1、C2)；对应于相同组MOSFET的所述条带线(E或F)、所述电容器(C1或C2)以及所述微条带线(C或D)被缩放以形成所述RF接地，从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地。
12. 一种放大射频(RF)信号的方法，包括：
由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
由磁不敏感输入匹配网络(20、20’)将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；
由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述至少两组MOSFET的每组包括至少一个MOSFET(30、40)；
由磁不敏感输出匹配网络(50、50’)将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；并且
其中，由磁不敏感保护电路(70、70’)通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来从直流(DC)电源阻挡经放大的平衡信号，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，并且
其中，通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地。”
复审请求人认为：本申请提出的RF接地并不是通过仅将磁不敏感保护电路连接到地形成的，而使通过对磁不敏感保护电路和磁不敏感输出匹配网络进行尺寸缩放而使二者相匹配或配对来形成RF接地，与对比文件1的“RF接地”基于不同的设计原理和不同的设计构思。本申请权利要求1的RF接地能够消除对体积大的RF扼流圈的使用，从而实现RF放大器的小型化，通过使用此不敏感保护电路来代替现有技术的磁敏感RF扼流圈。对比文件1也没有教导或暗示电容器C9和输出匹配网络S41、S42、S51、S52是磁不敏感的，对比文件2仅涉及平面巴伦而没有讨论DC电源，对比文件3也教导了要采用环形扼流圈。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年04月19日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为权利要求书的修改超范围不符合专利法第33条的规定，坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年11月07日向复审请求人发出复审通知书，指出：新提交的权利要求1和12中增加的特征“通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地”未在原权利要求书和说明书中记载，也不能根据原权利要求书和说明书直接毫无疑义地得出，权利要求1和12的修改不符合专利法第33条的规定。此外，如果复审请求人为了克服修改超范围的缺陷，将上述增加的内容修改为：磁不敏感保护电路（70,70’）中的条带线、电容器和磁不敏感输出匹配网络（50,50’）中的微条带线可以被缩放以形成RF接地，则在此基础上对其创造性作了进一步评述。权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：用于放大射频信号的装置的输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的，且而不使用RF扼流圈，磁不敏感保护电路的条带线、电容器和磁不敏感输出匹配网络（50,50’）中的微条带线可以被缩放以形成RF接地，而对比文件1中保护电路中的电容器和输出匹配网络的微条带线形成RF接地。上述区别特征部分是在对比文件3给出的技术启示下容易想到的，部分是本领域的公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件1、对比文件3和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11请求保护一种磁共振系统，其中包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置，将放大射频信号的装置用于磁共振系统中是本领域的常用技术手段，根据前述对权利要求1-10的评述可知，权利要求1-10不具备创造性，因此，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12请求保护一种方法射频信号的方法，其中方法特征与权利要求1请求保护的用于方法射频信号的装置的特征一一对应，因此，基于相同的理由，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求13-15的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求13-15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：首先，如前所述对比文件1公开了保护电路中的电容器与输出匹配网络的微条带线以形成RF接地，微条带线能够作为扼流器使用且具有体积小的特点是本领域技术人员所公知的，因此，基于本领域所公知的知识，当本领域技术人员面对如何减小射频放大器的体积使其装置结构更紧凑时，容易想到不采用RF扼流圈，而采用微带线结构，使保护电路中的条带线、电容器和输出匹配网络中的微条带线以形成RF接地，进一步，为了提高阻抗匹配的效果，条带线、电容器和输出匹配网络的微条带线可以被缩放也是本领域技术人员容易想到的。其次，如前所述，对比文件3整体上为本领域技术人员提供了一种将射频放大器设置成非磁性以使得其能够在强磁场的环境中工作的技术启示，使得本领域技术人员在面对如何使用于放大射频信号的装置能够在强磁场的环境中工作的技术问题时，有动机将对比文件3应用到对比文件1中，将对比文件1中的用于放大射频信号装置设置成非磁性的，并适应性地将其对应的部件输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路设置成磁不敏感的。因此，复审请求人的上述意见不予支持。
复审请求人于2018年12月20日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。在第一次复审通知书所针对的权利要求书基础上，在独立权利要求1和12中增加“通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地”，并将“通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)二者来形成所述RF接地”修改为“通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)中的条带线和电容器和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)中的微条带线来形成所述RF接地”。新修改的独立权利要求1和12如下：
“1. 一种用于放大射频(RF)信号的装置，包括：
磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；
磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；
磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；以及
磁不敏感输出匹配网络(50、50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
其中，所述装置还包括磁不敏感保护电路(70、70’)，其用于通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，
其中，所述磁不敏感保护电路(70、70’)具有连接到地的第一端子、连接到所述直流(DC)电源的第二端子、以及连接到所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)的第三端子，并且
其中，通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)中的条带线和电容器和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)中的微条带线来形成所述RF接地。
12. 一种放大射频(RF)信号的方法，包括：
由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
由磁不敏感输入匹配网络(20、20’)将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；
由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述至少两组MOSFET的每组包括至少一个MOSFET(30、40)；
由磁不敏感输出匹配网络(50、50’)将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配；
由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；并且
其中，由磁不敏感保护电路(70、70’)通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来从直流(DC)电源阻挡经放大的平衡信号，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，
其中，所述磁不敏感保护电路(70、70’)具有连接到地的第一端子、连接到所述直流(DC)电源的第二端子、以及连接到所述磁不敏感输出匹 配网络(50、50’)的第三端子，并且
其中，通过缩放所述磁不敏感保护电路(70、70’)中的条带线和电容器和所述磁不敏感输出匹配网络(50、50’)中的微条带线来形成所述RF接地。”
复审请求人认为：本申请为了实现在MRI强磁场环境中应用RF放大器，而不仅仅为了实现装置小型化。射频滤波器C9在对比文件1中的作用是执行阻抗匹配，而不是保护DC电源免受来自功率MOSFET2的放大平衡信号的影响。集总式微带电感也是RF扼流圈，其也是磁敏感器件，而本申请中不再使用磁敏感的RF扼流圈，而对比文件1中使用了射频扼流电感。对比文件也没有教导或者暗示通过缩放磁不敏感保护电路中的条带线、电容器和缩放磁不敏感输出匹配网络中的微条带线来形成RF接地。
合议组于2019年03月13日再次向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：用于放大射频信号的装置的输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的，保护电路不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，磁不敏感保护电路的条带线、电容器和磁不敏感输出匹配网络（50,50’）中的微条带线可以被缩放以形成RF接地，而对比文件1中保护电路中的电容器和输出匹配网络的微条带线形成RF接地。该区别属于本领域的公知常识，因此，权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-10的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求2-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11请求保护一种磁共振系统，其中包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置，将放大射频信号的装置用于磁共振系统中是本领域的常用技术手段，根据前述对权利要求1-10的评述可知，权利要求1-10不具备创造性，因此，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12请求保护一种方法射频信号的方法，其中方法特征与权利要求1请求保护的用于方法射频信号的装置的特征一一对应，因此，基于相同的理由，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求13-15的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域常用技术手段，因此，权利要求13-15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见，合议组认为：首先，如前所述，基于权利要求1与对比文件1的区别技术特征所确定的该权利要求实际解决的技术问题是如何减小装置的体积并使其能够在强磁场的环境中工作，并非仅仅认定为实现装置小型化。其次，对比文件1中射频滤波器C9一端连接直流电源，一端通过S70连接中心对称端T24，本领域技术人员能够确定其实质能够实现阻止经放大后的信号对直流电源的影响。再次，本申请说明书第31段也记载了RF接地技术和分布式感应电源线与现有技术中的RF扼流圈发挥相同作用，即采用了与RF扼流圈作用相同的部件。如前所述对比文件1公开了保护电路中的电容器与输出匹配网络的微条带线以形成RF接地，微带线能够起到与扼流器相同的作用且具有体积小的特点是本领域技术人员所公知的，因此，基于本领域所公知的知识，当本领域技术人员面对如何减小射频放大器的体积使其装置结构更紧凑并且使其能够适应于强磁环境时，容易想到不采用易受磁场影响的RF扼流圈，而采用与扼流器相同作用的微带线结构，使保护电路中的条带线、电容器和输出匹配网络中的微条带线以形成RF接地。最后，为了提高阻抗匹配的效果，根据实际应用需要对条带线、电容器和输出匹配网络的微条带线进行缩放调整也是本领域技术人员容易想到的。因此，复审请求人的上述意见合议组不予支持。
复审请求人于2019年04月28日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，其中对权利要求书进行了多处修改。新修改的权利要求书如下：
“1. 一种用于放大射频(RF)信号的装置，包括：
磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)，其用于将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号；
磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；
磁不敏感输入匹配网络(20、20’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；以及
第一磁不敏感输出匹配网络(50)和第二磁不敏感输出匹配网络(50’)，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配，其中所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)连接在所述至少两组MOSFET中的第一组MOSFET的输出与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的第一输入之间，并且所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)连接在所述至少两组MOSFET中的第二组MOSFET的输出与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的第二输入之间；
其中，所述装置还包括第一磁不敏感保护电路(70)和第二磁不敏感保护电路(70’)，其用于通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，
其中，所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个均具有连接到地的第一端子、连接到所述直流(DC)电源的第二端子、以及连接到所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的相应一个的第三端子，并且
其中，通过缩放所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个中的条带线和电容器以及所述第一磁不敏感 输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的每一个中的微条带线来形成所述RF接地。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)，并且所述装置还包括：
至少两个分裂器(32、42)，其用于分割所述平衡信号并将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。
3. 如权利要求1所述的装置，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)；并且所述两个或更多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
4. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)和所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)中的任何一个是平面磁不敏感平衡-不平衡转换器
5. 如权利要求4所述的装置，其中，所述平面磁不敏感平衡-不平衡转换器的顶层上的线圈的主体具有在所述顶层上的所述线圈的两个条带之间的狭缝的扩展部分。
6. 如权利要求1所述的装置，其中，所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)包括至少两组微带线A、B，每组对应于所述至少两组MOSFET中的一组，以用于将所述至少两组MOSFET的所述输入阻抗分别与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的所述输出阻抗进行匹配。
7. 如权利要求1所述的装置，其中，所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)包括对应于所述至少两组MOSFET中的所述第一组MOSFET的一组微条带线C，以用于将所述至少两组MOSFET中的所述第一组MOSFET 的所述输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的所述输入阻抗进行匹配，并且
所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)包括对应于所述至少两组MOSFET中的所述第二组MOSFET的一组微条带线D，以用于将所述至少两组MOSFET中的所述第二组MOSFET的所述输出阻抗与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的所述输入阻抗进行匹配。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述第一磁不敏感保护电路(70)包括对应于所述至少两组MOSFET中的所述第一组MOSFET的条带线E和一组电容器C1；对应于所述第一组MOSFET的所述条带线E、所述电容器C1以及所述微条带线C被缩放以形成所述RF接地，从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地，并且
所述第二磁不敏感保护电路(70’)包括对应于所述至少两组MOSFET中的所述第二组MOSFET的条带线F和一组电容器C2；对应于所述第二组MOSFET的所述条带线F、所述电容器C2以及所述微条带线D被缩放以形成所述RF接地，从而使得经放大的平衡信号能够被馈送至所述RF接地。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，所述第一磁不敏感保护电路(70)还包括连接所述电容器C1和所述DC电源的第一线缆，所述第一线缆与所述条带线E、所述电容器C1以及所述微条带线C一起操作以用于从所述DC电源阻挡经放大的平衡信号，并且
所述第二磁不敏感保护电路(70’)还包括连接所述电容器C2和所述DC电源的第二线缆，所述第二线缆与所述条带线F、所述电容器C2以及所述微条带线D一起操作以用于从所述DC电源阻挡经放大的平衡信号。
10. 如权利要求6、7和8中的任一项所述的装置，其中，所述微条带线和/或所述条带线能够通过印刷电路板(PCB)技术形成。
11. 一种磁共振成像(MRI)系统，包括根据权利要求1至10中的任 一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置。
12. 一种放大射频(RF)信号的方法，包括：
由磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)将不平衡格式的所述RF信号转换成平衡信号；
由磁不敏感输入匹配网络(20、20’)将至少两组MOSFET的输入阻抗与所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；
由所述至少两组MOSFET以推拉方式放大所述平衡信号，所述至少两组MOSFET的每组包括至少一个MOSFET(30、40)；
由第一磁不敏感输出匹配网络(50)和第二磁不敏感输出匹配网络(50’)将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配，其中所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)连接在所述至少两组MOSFET中的第一组MOSFET的输出与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的第一输入之间，并且所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)连接在所述至少两组MOSFET中的第二组MOSFET的输出与所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)的第二输入之间；
由所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)将经放大的平衡信号转换成不平衡格式；并且
其中，由第一磁不敏感保护电路(70)和第二磁不敏感保护电路(70’)通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来从直流(DC)电源阻挡经放大的平衡信号，所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET，
其中，所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个均具有连接到地的第一端子、连接到所述直流(DC)电源的第二端子、以及连接到所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的相应一个的第三端子，并且
其中，通过缩放所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个中的条带线和电容器以及所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的每一个中的微条带线来形成所述RF接地。
13. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)，并且所述方法还包括：
由至少两个分裂器(32、42)分割所述平衡信号；并且
将所分割的平衡信号供应到所述磁不敏感输入匹配网络(20、20’)以使得所分割的平衡信号中的每个能够与所述两组MOSFET中的对应MOSFET(35、45)的所述输入阻抗相匹配。
14. 如权利要求12所述的方法，其中，每组MOSFET包括两个或更多个MOSFET(35、45)；并且所述两个或多个MOSFET(35、45)的栅极、漏极分别是并联连接的。
15. 如权利要求12所述的方法，其中，所述磁不敏感输入平衡-不平衡转换器(10)、所述磁不敏感输出平衡-不平衡转换器(60)、磁不敏感输入匹配网络(20、20’)、所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)、所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)、所述第一磁不敏感保护电路(70)、以及所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的任何一个能够通过PCB技术形成。”
复审请求人认为：对比文件1的电容器C9不可能具有本申请中磁不敏感保护电路的功能，到达输出巴伦阻抗变换器T2的两个低阻平衡端口T21和T22的信号是平衡信号是幅值相同但极性不同的一对差分信号，即便假设该平衡信号可以到达输出巴伦阻抗变换器T2的中心对称端T24，它们也将会由于相同幅值和不同极性而被中和，即根本不会有平衡信号经由上述路径进行DC电源VDC，并由此根本不需要电容器C9来保护DC 电源以使其免受平衡信号的影响。对比文件1的射频接地的电容器C9属于输出匹配电路或输出匹配网络3或者直流电源的输出滤波部分，不属于本申请提出的保护电路。射频滤波器C9在对比文件1中的作用是是执行阻抗匹配和漏极供电射频滤波而不是保护DC电源免受来自放大平衡信号的影响。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人分别在2018年04月11日、2018年12月20日和2019年04月28日提交了权利要求书全文修改替换页，经审查，2018年12年20日和2019年04月28日所提交的权利要求书的修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本决定依据的审查文本为：复审请求人于2014年09月02日进入中国国家阶段时提交的原始申请文件的中文译文中的说明书摘要、说明书第1-45段、摘要附图、说明书附图图1-5；2019年04月28日提交的权利要求第1-15项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
如果作为现有技术的对比文件均未公开权利要求中的某技术特征，也未给出应用该技术特征以解决相应技术问题的技术启示，且没有证据证明该技术特征用于作为现有技术的对比文件中是本领域的公知常识，则该权利要求相对于对比文件具备创造性。
独立权利要求1请求保护一种用于放大射频信号的装置，对比文件1公开了一种射频推挽功率放大器，与本申请属于相同的放大器技术领域，具体公开了（参见说明书第3页-第8页倒数第3段，图1、4、5-7）：
本实用新型提出的一种射频推挽功率放大器，包括推挽功率晶体管、分别与该推挽功率晶体管相连的输入匹配网络、输出匹配网络，以及分别通过输入匹配网络、输出匹配网络给推挽功率晶体管供电的供电偏置电路四部分；该供电偏置电路与外部直流电源相连；所述输入匹配网络、输出匹配网络和供电偏置电路制作在印刷电路板上，该印刷电路板安装在一个金属散热器表面上并与该金属散热器相接触；所述推挽功率晶体管直接安装在该金属散热器表面上并与该金属散热器相接触；所述输入匹配网络包括输入巴伦阻抗变换器及输入匹配电路；所述输出匹配网络包括输出巴伦阻抗变换器及输出匹配电路；其特征在于，所述输出巴伦阻抗变换器包括一组同轴电缆，该组同轴电缆包括一根U形同轴电缆和两根长度相同的直段同轴电缆，该两根直段同轴电缆水平安装在所述印制电路板上；所述U形同轴电缆水平层叠在两根直段同轴电缆上方，该U形同轴电缆的两直线段的外导体分别与所述两根直段同轴电缆的外导体平行重叠接触，并且至少相互接触的两端头部位焊接相连；所述U形同轴电缆的两个端头的内导体分别与相对侧的直段同轴电缆端头的内导体相连接(使U形同轴电缆的内导体与直段同轴电缆的内导体连接成一根导体)；所述U形同轴电缆的两个端头的外导体(也是与其同向的两根直段同轴电缆的两个端头的外导体) 为两个低阻平衡端口；该两根直段同轴电缆的另外两个端头中的一个内导体接地，另一个内导体作为高阻不平衡端口；该U形同轴电缆外导体的中点接直流电源且通过电容射频接地（参见说明书第3页第3段）。
本实用新型提出的射频推挽功率放大器，如图4、图8所示，它包括输入匹配网络1、 推挽射频功率晶体管2、输出匹配网络3和供电偏置电路4。其中，推挽功率晶体管、分别与输入匹配网络和输出匹配网络相连，供电偏置电路分别通过与其相连的输入匹配网络、输出匹配网络给推挽功率晶体管供电；该供电偏置电路与外部直流电源相连；所述输入匹配网络、输出匹配网络和供电偏置电路制作在印刷电路板上，该印刷电路板和推挽功率晶体管2安装在同一个金属散热器表面上并与该金属散热器相接触；所述推挽功率晶体管直接安装在该金属散热器表面上并与该金属散热器相接触。图 4与图8分别示出了本实用新型设计的两种不同实施例结构的输入匹配网络1(包括两种不同结构的输入巴伦阻抗变换器T11及其相应的输入匹配电路)，但本实用新型不限制采用其它已知的输入匹配网络；图4、图9中的其余三个部分均示出一种同样的实施例结构，实际上，本实用新型的推挽射频功率晶体管2可采用能够购买到的各种射频功率晶体管，供电偏置电路4可采用任何一种能与其它部分相匹配的成熟的常规电路；输出匹配网络3 中的输出巴伦阻抗变换器为本实用新型的主要关键技术特征，输出匹配网络3中的输出匹配电路也为常规电路，本实用新型给出一种具体输出匹配电路实施例，但不限制采用已知技术设计出的其它的相应输出匹配电路。下面分别进行详细说明：
本实用新型的射频推挽功率放大器实施例1的组成结构如图4各虚线框中所示，其中， 本实施例的供电偏置电路4包括由电容C12、C13和C14构成的供电输入滤波器、漏极供电射频扼流电感L2、限流降压电阻R5、由稳压块Q1(MC7805)和电容C10及C11构成的稳压电路、由二极管D1、电阻R1及R2、电容C5和C6构成的温度补偿电路和栅极电压调节电位器P1；其中，供电输入滤波器、漏极供电射频扼流电感L2、限流降压电阻R5、稳压电路、栅极电压调节电位器P1和温度补偿电路依次相连；外部直流电压VDC与供电输入滤波器的输入端相连。
本实施例的推挽射频功率晶体管2可由封装在一个管壳中的两个横向扩散场效应晶体 管(LDMOS)管芯构成，它有两个栅极G1和G2以及两个漏极D1和D2；其中，两个栅极G1和G2分别与输入匹配网络的两个平衡输出端相连，两个漏极D1和D2分别与输出匹配网络的两个平衡输入端相连。
本实施例的输出匹配网络3包括由微带线S41、S42、S51及S52，电容C7及C8组成的平衡型匹配段、由同轴电缆构成的输出巴伦阻抗变换器T2、由电容C9构成的漏极供电射频滤波器和由电容C15、C16及电感L4组成的输出低通滤波型匹配段；其中，平衡型匹配段、漏极供电射频滤波器和输出低通滤波型匹配段组成输出匹配网路中的输出匹配电路；各部分的连接关系为：平衡型匹配段的两个输入端微带线S41和S42分别与推挽功率晶体管2的两个漏极D1和D2相连，平衡型匹配段的输出端微带线S51和S52与输出巴伦阻抗变换器T2的两个平衡端T21和T22相连，漏极供电射频滤波器电容C9通过微带线S70与输出巴伦阻抗变换器T2的中心对称端T24相连，输出巴伦阻抗变换器T2的不平衡端T23通过微带线S61与输出低通滤波型匹配段的输入相连，输出低通滤波型匹配段的输出端通过微带线S8作为输出匹配网络的不平衡输出端RFOUT，该输出端也是本实施例的射频推挽功率放大器的输出端（参见说明书第5页第6段-第6页第2段）。
本实施例的输入匹配网络1的具体结构如图4所示，包括由电容C1、C2和电感L1组 成的输入低通滤波型匹配段、由同轴电缆构成的输入巴伦阻抗变换器T1和由电阻R31、 R32、电容C3和C4组成的栅极供电射频滤波器；其中，输入低通滤波型匹配段和栅极供电射频滤波器组成输入匹配网路中的输入匹配电路；各部分的连接关系为：输入低通滤波型匹配段的输出端通过微带线S22与输入巴伦阻抗变换器T1的不平衡端T13相连，栅极供电射频滤波器的电阻R31和R32的连接点通过微带线S30与输入巴伦阻抗变换器T1的中心对称点T14相连，输入巴伦阻抗变换器的T15端通过微带线S21接地。输入巴伦阻抗变换器T1的两个平衡端T11和T12分别通过微带线S31和S32作为输入匹配网络的两个平衡输出端，并与推挽功率晶体管2的两个栅极G1和G2相连（参见说明书第7页第3段）。
本实施例的工作原理为：射频输入信号RFIN从微带线S1进入输入匹配网络1，经低通滤波型匹配段滤波匹配，再经微带线S2进入输入巴伦阻抗变换器T1的高阻不平衡端T13，在输入巴伦阻抗变换器T1中进行不平衡到平衡变换和高阻到低阻变换后，由输入巴伦阻抗变换器T1的两个低阻平衡端T11和T13输出，输出的低阻平衡信号再分别经两段微带线S31和S32，到达推挽射频功率晶体管2的两个栅极G1和G2，经推挽射频功率晶体管2放大后，由推挽射频功率晶体管的两个漏极D1和D2输出，该放大后的低阻平衡输出信号经过输出匹配网络3的平衡型匹配段，到达输出巴伦阻抗变换器T2的两个低阻平衡端T21和T22，在输出巴伦阻抗变换器T2中进行平衡到不平衡变换和低阻到高阻变换后，由输出巴伦阻抗变换器T2的高阻不平衡端T23输出，该输出信号经输出低通滤波型匹配段滤波匹配后，经由微带线S8输出，成为放大器板的射频输出信号RFOUT。在供电偏置电路4中，直流电压VDC经过供电输入滤波器滤波后，分成两路，一路先经漏极供电射频扼流电感L2，再经漏极供电射频滤波器C9滤波后由输出巴伦阻抗变换器T2的中心对称端T24进入T2，再经过输出巴伦阻抗变换器T2和平衡型匹配段，到达推挽射频功率晶体管2的两个漏极D1和D2，为推挽射频功率晶体管2提供稳定的直流电压和足够大的电流；另一路经过限流降压电阻R5，到达稳压器，变成更加稳定的直流电压，该直流电压经过栅极电压调节电位器P1调整到合适的电压值，成为栅极电压VGS；栅极电压VGS 通过温度补偿电路进行温度补偿，可以减少推挽射频功率晶体管2的静态工作点随温度的变化；栅极电压VGS从栅极电压调节电位器的中心头接到输入匹配网络（参见说明书第8页第5段）。
根据上述对比文件1公开的内容可知，对比文件1公开的射频推挽功率放大器相当于权利要求1的用于放大射频信号的装置；对比文件1公开了射频输入信号RFIN从微带线S1进入输入匹配网络1，经低通滤波型匹配段滤波匹配，再经微带线S2进入输入巴伦阻抗变换器T1的高阻不平衡端T13，在输入巴伦阻抗变换器T1中进行不平衡到平衡变换和高阻到低阻变换后，由输入巴伦阻抗变换器T1的两个低阻平衡端T11和T13输出，输出的低阻平衡信号再分别经两段微带线S31和S32，到达推挽射频功率晶体管2的两个栅极G1和G2，经推挽射频功率晶体管2放大后，由推挽射频功率晶体管的两个漏极D1和D2输出，且可由封装在一个管壳中的两个横向扩散场效应晶体管(LDMOS)管芯构成，输入匹配网络包括输入匹配电路，上述描述中输入巴伦阻抗变换器T1相应于输入平衡-不平衡转换器，其用于将不平衡格式的RF信号转换成平衡信号，由两个横向扩散场效应晶体管(LDMOS)管芯构成的推挽射频功率晶体管2相当于权利要求1中的至少两组MOSFET，每组包括至少一个MOSFET(30、40)，所述至少两组MOSFET分别用于以推拉方式放大所述平衡信号，输入匹配电路相当于权利要求1的输入匹配网络，其用于将所述至少两组MOSFET的输入阻抗与输入平衡-不平衡转换器(10)的输出阻抗进行匹配；对比文件1公开了该放大后的低阻平衡输出信号经过输出匹配网络3的平衡型匹配段，到达输出巴伦阻抗变换器T2的两个低阻平衡端T21和T22，在输出巴伦阻抗变换器T2中进行平衡到不平衡变换和低阻到高阻变换后，由输出巴伦阻抗变换器T2的高阻不平衡端T23输出，该输出信号经输出低通滤波型匹配段滤波匹配后，经由微带线S8输出，成为放大器板的射频输出信号RFOUT，漏极供电射频滤波器电容C9通过微带线S70与输出巴伦阻抗变换器T2的中心对称端T24相连，输出巴伦阻抗变换器T2的不平衡端T23通过微带线S61与输出低通滤波型匹配段的输入相连，输出低通滤波型匹配段的输出端通过微带线S8作为输出匹配网络的不平衡输出端RFOUT，上述描述中输出巴伦阻抗变换器T2相当于权利要求1的输出平衡-不平衡转换器，其用于将经放大的平衡信号转换成不平衡格式，平衡型匹配段相当于权利要求1的第一输出匹配网络和第二输出匹配网络,，其用于将所述至少两组MOSFET的输出阻抗与所述输出平衡-不平衡转换器(60)的输入阻抗进行匹配，平衡型匹配段连接在两个MOSFET的输出与输出巴伦阻抗变换器T2的两个输入之间，相当于权利要求1中第一输出匹配网络连接在所述至少两组MOSFET中的第一组MOSFET的输出与输出平衡-不平衡转换器的第一输入之间，并且所述第二输出匹配网络连接在所述至少两组MOSFET中的第二组MOSFET的输出与输出平衡-不平衡转换器的第二输入之间；对比文件1还公开了在供电偏置电路4中，直流电压VDC经过供电输入滤波器滤波后，为推挽射频功率晶体管2提供稳定的直流电压和足够大的电流，相当于权利要求1所述直流(DC)电源提供DC以用于驱动所述至少两组MOSFET。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）用于放大射频信号的装置的输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路都是磁不敏感的，（2）所述装置还包括第一磁不敏感保护电路(70)和第二磁不敏感保护电路(70’)，其用于通过形成RF接地而不使用RF扼流圈来保护直流(DC)电源不受经放大的平衡信号的影响，所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个均具有连接到地的第一端子、连接到所述直流(DC)电源的第二端子、以及连接到所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的相应一个的第三端子，并且其中，通过缩放所述第一磁不敏感保护电路(70)和所述第二磁不敏感保护电路(70’)中的每一个中的条带线和电容器以及所述第一磁不敏感输出匹配网络(50)和所述第二磁不敏感输出匹配网络(50’)中的每一个中的微条带线来形成所述RF接地。
基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题为：如何使其能够在强磁场的环境中工作、如何对直流电源进行保护使其免受两组MOSFET输出的平衡信号的影响。
对于区别技术特征（1），
本领域所公知的自然界的物质按照它们对磁的敏感程度，分为磁性物质和非磁性物质，即非磁性材料对磁场不敏感，几乎没有导磁能力，在强磁场环境中使用磁性物质即磁敏感材料的设备容易受磁场的影响，因此，当本领域技术人员在面对如何使设备工作在强磁环境中使其不受强磁环境影响的技术问题时，有动机想到使用对磁场不敏感的材料设计设备，将对比文件1中的用于放大射频信号的装置设置成非磁性的，并适应性地将其对应的部件输入平衡-不平衡转换器、输出平衡-不平衡转换器、输入匹配网络、输出匹配网络和保护电路设置成磁不敏感的。
对于区别技术特征（2），
驳回决定和复审通知书中认为，对比文件1说明书第6页第2段倒数第1-2行公开的内容“U型同轴电缆52外导体的中点525（在巴伦阻抗变换器U型同轴电缆外导体的中心对称线上）”以及说明书附图4可知，该中点即为输出巴伦阻抗变换器T2的中心对称端T24，是通过电容C9射频接地，不是使用RF扼流圈，且巴伦阻抗变换器T2是由高阻不平衡端T23输出经巴伦阻抗变换器T2变换后的不平衡信号，而不是由中心对称端24输出不平衡信号，因此，电容C9可以实现阻止经放大后的平衡信号对与中点（中心对称端T24）连接的直流电源的影响。
对此，合议组认为：对比文件1主要是采用U型同轴电缆对输出巴伦阻抗变换器作了优化设计，使整个射频推挽功率放大器结构紧凑、占用空间小、加工方便、复制性好。其直流电源是经漏极供电射频扼流电感L2后再经漏极供电射频滤波器C9滤波后由输出巴伦变换器T2的中心对称端T24进入T2，再经过巴伦阻抗变换器T2和平衡型匹配段，到达推挽射频工作晶体管2的两个漏极。并且说明书第6页第2段也记载了：U形同轴电缆的两个端头523、524的外导体(也是与其同向的两根直段同轴电缆的两个端头的外导体)为两个低阻平衡输入端口；直段同轴电缆53的另外一个端头532的内导体接地，直段同轴电缆54的另外一个端头542的内导体作为高阻不平衡输出端口；U形同轴电缆52外导体的中点525(在巴伦阻抗变换器 U形同轴电缆外导体的中心对称线上)接直流电源且通过电容射频接地。也就是说对比文件1中的直流电源是通过输出巴伦阻抗变换器T2的U型同轴电缆的外导体的中线对称点供电，且该中心对称点通过电容射频接地， U型同轴电缆的外导体的两个端口也是两个低阻平衡输入端口，由于两个低阻平衡端口输入的是平衡信号，即信号幅度相同相位相反的信号，因此，当两个平衡信号到达输出巴伦阻抗变换器T2外导体的中心对称点时，两个平衡信号会被抵消。
通过上述分析可知，对比文件1中的直流电源通过输出巴伦阻抗变换器T2外导体的中心对称点为两组MOSFET供电，而本申请为直流电源通过两个输出匹配网络分别为两组MOSFET供电，基于对比文件1的电路结构可知，对比文件1中根本不会有两组MOSFET的平衡信号对直流电源造成影响，因而对比文件1中不存在直流电源受两组MOSFET输出的平衡信号影响的技术问题，其中电容C9射频接地只具有对直流电源的输出滤波和阻抗匹配的作用并不具有对直流电源免受放大的平衡信号影响的保护作用。因此，微带线S70 和电容C9射频接地并不能相当于上述区别特征（2）中的保护电路，对比文件1没有公开上述区别特征（2），也无法给出对对比文件1进行改进，即通过设置RF接地构成的保护电路来使直流电源免受两组MOSFET输出的平衡信号的影响的技术启示，进一步本领域技术人员也没有动机设置分别与第一和第二输出匹配网络连接的第一和第二RF接地保护电路，并使其与直流电源连接以向两组MOSFET供电，来获得使直流电源免受两组MOSFET输出的平衡信号影响的技术效果。基于上述理由可见，由于对比文件1中不存在本申请中所需要解决的技术问题，没有给出需要通过RF接地来避免直流电源受到两组MOSFET输出的平衡信号影响的技术启示，因此，即使射频接地保护电路是本领域常用的电路结构，但是本领域技术人员没有动机去将由射频接地组成的第一磁不敏感保护电路和第二磁不敏感保护电路应用到对比文件1中，也没有证据证明将由射频接地组成的第一磁不敏感保护电路和第二磁不敏感保护电路应用到对比文件1中是本领域的公知常识， 并且上述区别特征（2）可以带来使得直流电源免受两组MOSFET输出的平衡信号的影响的有益技术效果。
综上所述，权利要求1相对于对比文件1对本领域技术人员来说是非显而易见的，权利要求1相对于对比文件1具有突出的实质性特点和显著的进步因此，权利要求1具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-10直接或间接从属于权利要求1，在其引用的权利要求1具备创造性的情况下，权利要求2-10也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11请求保护一种磁共振系统，其中包括根据权利要求1至10中的任一项所述的用于放大射频(RF)信号的装置，由于权利要求1-10具备创造性，因此，权利要求11也具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求12请求保护一种方法射频信号的方法，其中方法特征与权利要求1请求保护的用于方法射频信号的装置的特征一一对应，因此，基于相同的理由，权利要求12也具备创造性。
权利要求13-15从属于权利要求15，在其引用的权利要求12具备创造性的情况下，权利要求13-15也具备专利法第22条第3款规定的创造性。
三、决定
撤销国家知识产权局于2018年01月08日对本申请作出的驳回决定。由国家知识产权局原审查部门在本决定依据的审查文本的基础上对本发明专利申请继续进行审查。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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