发明创造名称：显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
外观设计名称：
决定号：181774
决定日：2019-06-21
委内编号：1F273112
优先权日：
申请（专利）号：201610049260.7
申请日：2016-01-25
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司 北京京东方显示技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨子芳
合议组组长：王兴妍
参审员：田书凤
国际分类号：H01L27/12、H01L21/77
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其中另一篇对比文件给出了应用一部分区别技术特征结合到最接近的对比文件中以解决所存在的技术问题的启示，其余部分区别技术特征属于本领域的公知常识，本领域技术人员结合上述现有技术得到权利要求的技术方案是显而易见的，且该技术方案也未产生任何预料不到的技术效果，则该项权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610049260.7、名称为“显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司、北京京东方显示技术有限公司，申请日为2016年01月25日，公开日为2016年06月15日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月09日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体地，权利要求1、8-10相对于对比文件1（CN103365013A，公开日为2013年10月23日）和对比文件2（CN102694129A，公开日为2012年09月26日）的结合不具备创造性；权利要求2-7、11-13的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件2给出的技术启示的基础上进行的常规选择，因此当引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-7、11-13也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2016年01月25日提交的权利要求第1-13项、说明书第1-57段、说明书附图图1-3、说明书摘要和摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极；
相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。
2. 根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述折射层的数量为两层，两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层以及远离衬底基板的第二折射层。
3. 根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的构成材料包括氮化硅材料，所述第二折射层的构成材料包括非晶硅材料。
4. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm，所述第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。
5. 根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的厚度为55nm，所述第二折射层的厚度为30nm或者60nm。
6. 根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的折射率范围包括1.8至2.2，所述第二折射层的折射率范围包括4.0至4.8。
7. 根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述第一折射层的折射率为2.0，所述第二折射层的折射率范围包括4.4。
8. 一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至7任一所述的显示基板。
9. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。
10. 一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数；
在所述折射层上形成栅极。
11. 根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成至少两层折射层的步骤包括：
在衬底基板上形成第一折射层；
在所述第一折射层上形成第二折射层。
12. 根据权利要求11所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述第一折射层的构成材料包括氮化硅材料，所述第二折射层的构成材料包括非晶硅材料。
13. 根据权利要求12所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述在所述第一折射层上形成第二折射层的步骤包括：
在所述第一折射层上形成第二折射层薄膜；
在所述折射层上形成栅极的步骤包括：
在所述第二折射层薄膜上形成栅金属薄膜；
对所述第二折射层薄膜和栅金属薄膜进行刻蚀以形成第二折射层和栅极，所述第二折射层位于所述栅极的正下方。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月02日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：（1）权利要求1与对比文件1相比区别包括在折射层上形成有栅极。（2）对比文件2中的多层透明干涉层与本申请的至少两层折射层的位置设置不同且作用不同，未给出获得区别技术特征的启示。对比文件2中多层透明干涉层设置在第二衬底与外部光所处的环境之间，并非位于栅极与第二衬底之间，是为了减少第二衬底对外部光的反射，而本申请中的至少两层折射层是设置在栅极和衬底基板之间，是为了减弱栅极金属的反光强度；在解决外部光被栅极、源漏极反射影响显示效果的问题时，对比文件2和本申请所采用的技术手段不同，对比文件2是采用在第一衬底10和第一电极30之间设置阻光层60来解决栅极、源漏极反光的问题的。（3）对比文件2中，越靠近第二衬底设置的透明干涉层的折射率越大，而本申请中越靠近衬底基板的折射层的折射率越小，与对比文件2的方案不同。
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年02月13日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，（1）对比文件1公开了相应挡光层的位置，权利要求1与对比文件1的区别仅在于具体挡光层的结构设置，在对比文件2的启示下，本领域技术人员有动机对对比文件1中的相应挡光层进行改进；在对比文件2公开了相应的多层透明干涉层能够用于消除外部光反射的基础上，本领域技术人员有动机将其应用于对比文件1中，以替代相应的挡光结构；（2）对比文件2公开了相同的消光手段；（3）干涉层的折射率设置是基于器件的出光方向而定的，抛开器件的实际出光方向的考虑各干涉层与衬底基板的位置关系是没有意义的；当本领域技术人员在对比文件2的启示下对对比文件1中的挡光层进行改进（采用多干涉层代替对比文件1中的挡光层）时，相应的折射率设置必然与本申请一致；（4）对比文件2的技术启示在于：可以通过干涉相消的原理，消除外部入射光，从而实现相应的阻挡/防反射作用，在此基础上，本领域技术人员有动机将其应用于其他挡光结构中，并且不存在技术障碍，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（1）权利要求1、8-10与对比文件1相比区别在于：折射层为至少两层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数。对于该区别技术特征，对比文件2公开了一种显示装置，通过在第二衬底20的表面上形成透明干涉层71、72、73，反射光由于干涉而抵消，以减少第二衬底对外部光的反射，在此基础上，本领域技术人员很容易想到将对比文件2中的由三个干涉层组成的防反射结构应用于对比文件1中的挡光部，以得到权利要求1、8-10的技术方案，因此权利要求1、8-10相对于对比文件1和对比文件2的结合不具备创造性。（2）权利要求2-7、11-13的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件2给出的技术启示的基础上进行的常规选择，因此当引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-7、11-13也不具备创造性。（3）针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：①对比文件1公开了在挡光层04上设置有包括栅极信号线、数据信号线等的金属信号线011和TFT器件012。②虽然对比文件2公开的干涉层的形成位置与本申请不同，但对比文件1中的挡光层的位置及作用与本申请中的相同，权利要求1与对比文件1相比仅仅是挡光层的具体结构不同，而对比文件2给出了通过设置多层折射层、使折射层的厚度对应于入射外部光的波长的1/4且使靠近入射光一侧的折射层的折射率比远离入射光一侧的折射层的折射率小来减少光反射的技术启示，本领域技术人员有动机对对比文件1中的相应挡光层进行改进，将对比文件2中的由三个干涉层组成的防反射结构应用于对比文件1中的挡光部。并且，对比文件2和本申请中减弱反光强度的手段相同，都是利用消光原理。③干涉层的折射率大小是基于光的入射方向设置的，不考虑光的入射方向单纯探讨各干涉层与衬底基板的位置关系是没有意义的。并且，对比文件2中的干涉层（折射层）的折射率关系与本申请中的一致，都是越靠近入射光的干涉层（折射层）的折射率小。
复审请求人于2019年05月06日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书（包括权利要求第1-10项），主要修改涉及将原权利要求2和4的附加技术特征加入到原权利要求1中，将原权利要求11和4的附加技术特征加入到原权利要求10中，并相应修改权利要求编号。复审请求人认为：对比文件1未公开在栅极上设置折射层的方案，本申请与对比文件1所采用的技术手段不同；对比文件2中的多层透明干涉层与本申请的至少两层折射层的位置设置不同且作用不同。对比文件1和对比文件2为解决栅极、源漏极的反光的问题，二者均是采用设置挡光部（阻光层）的手段完全遮挡吸收入射光，不是通过设置多折射层进行消光的手段，对比文件2无法给出通过在栅极上设置多层折射层以解决栅极反光且反射膜厚度较大造成显示面板的显示区域的平坦度低，导致PI涂覆不良的问题的启示。
修改后的权利要求1和8如下：
“1. 一种显示基板，其特征在于，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有至少两层折射层，在所述折射层上设置有栅极；
相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数；
所述折射层的数量为两层，两层所述折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层以及远离衬底基板的第二折射层；
所述第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm，所述第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。”
“8. 一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，所述折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数；
在所述折射层上形成栅极；
所述在衬底基板上形成至少两层折射层的步骤包括：
在衬底基板上形成第一折射层，所述第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm；
在所述第一折射层上形成第二折射层，所述第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1.审查文本的认定
复审请求人于2019年05月06日答复复审通知书时提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-10项。经审查，上述修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定针对的文本为：复审请求人于申请日2016年01月25日提交的说明书第1-57段、说明书附图图1-3、说明书摘要和摘要附图，于2019年05月06日提交的权利要求第1-10项。
2.关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，其中另一篇对比文件给出了应用一部分区别技术特征结合到最接近的对比文件中以解决所存在的技术问题的启示，其余部分区别技术特征属于本领域的公知常识，本领域技术人员结合上述现有技术得到权利要求的技术方案是显而易见的，且该技术方案也未产生任何预料不到的技术效果，则该项权利要求请求保护的技术方案不具备创造性。
本复审决定引用驳回决定以及复审通知书中引用的对比文件作为现有技术，即：
对比文件1：CN103365013A，公开日为2013年10月23日；
对比文件2：CN102694129A，公开日为2012年09月26日。
对比文件1是最接近的现有技术。
2-1．关于权利要求1的创造性
权利要求1要求保护一种显示基板。对比文件1公开了一种显示基板，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0003、0019-0039段，图2b）：包括衬底基板013，在衬底基板013上设置有挡光层04，在挡光层04上设置有包括栅极信号线、数据信号线等的金属信号线011和TFT器件012（必然包含栅极），挡光层04包括与金属信号线011一一对应的第一挡光部041和与TFT器件012一一对应的第二挡光部042，由于设置的第二挡光部可以遮挡外部光线从阵列基板一侧照射到TFT器件上，避免了TFT器件中的栅极金属或源漏极金属反射光线。
该权利要求所要保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，其区别技术特征在于：挡光层为至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数；折射层的数量为两层，两层折射层分别为靠近衬底基板的第一折射层以及远离衬底基板的第二折射层；第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm，第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：进一步减弱栅极金属的反光强度提高防反射效果，解决防反射膜的厚度过大使得显示区域的平坦度低导致PI涂覆不良的问题，从而提高显示效果。
对比文件2公开了一种显示装置，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0004-0006、0046-0047、0066-0067、0072-0085段，图7、9）：在第一电极30的上表面上形成具有更低反射率的光学性质修改层31，以减少电极对外部光的反射；在TFT与第一电极30之间、以及在连接至TFT的接线部S、V和D与第一电极30之间设置光阻层60，以减少TFT的栅极、源漏极及连接部对外部光的反射；在第二衬底20的表面上形成透明干涉层71、72、73（即至少两层折射层），干涉层71、72、73的厚度为对应入射外部光Li的波长λ的1/4，外部光从大气透射到多个透明干涉层71、72、73上，且入射到第二衬底20上，越靠近第二衬底20设置的透明干涉层的折射率越大，透明干涉层71、72、73的折射率分别为n11、n12、n13，n11＜n12＜n13，干涉层71更靠近入射光（可见越靠近入射光的干涉层的折射率越小，越远离入射光的干涉层的折射率越大），通过在第二衬底20的表面上形成透明干涉层71、72、73，反射光由于干涉而抵消，以减少第二衬底对外部光的反射，即整体减少对外部光的反射，从而提高对比度。可见，对比文件2给出了通过设置多层折射层（例如两层折射层）且使靠近入射光一侧的折射层的折射率比远离入射光一侧的折射层的折射率小来减少光反射的技术启示，在对比文件2公开的上述内容的基础上，本领域技术人员很容易想到将对比文件2中的由三个干涉层组成的防反射结构应用于对比文件1中的单层的挡光部，以进一步减弱TFT的栅极及源漏极的反光强度、提高防反射效果，解决防反射膜的厚度过大使得显示区域的平坦度低导致PI涂覆不良的问题，以提高显示效果。并且，在对比文件2公开的干涉层71、72、73的厚度为对应入射外部光Li的波长λ的1/4的基础上，相应的干涉层即折射层的厚度是本领域技术人员根据实际所需的消光效果、入射光的波长以及折射层的材质、折射率容易确定的常规选择，不需要付出创造性的劳动，并且该选择也没有取得预料不到的技术效果。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2. 关于权利要求2-5的创造性
权利要求2-5分别直接或间接地引用权利要求1。在对比文件2（参见说明书第0072-0085段，图7、9）给出了“形成具有渐变折射率的三层干涉层来减少外部光反射，提高显示效果”的技术启示的基础上，相应的干涉层即折射层的材质、厚度、折射率均为本领域技术人员根据实际所需的消光效果容易确定的常规选择，不需要付出创造性的劳动。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常规选择得到权利要求2-5的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求2-5所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3．关于权利要求6和7的创造性
权利要求6要求保护一种包括权利要求1-5任一项所述显示基板的显示面板，权利要求7要求保护一种包括权利要求6所述显示面板的显示装置。参见对权利要求1-5的评述可知，相应的显示基板不具备创造性，在此不再赘述。此外，对比文件1（参见说明书第0019、0024段）进一步公开了包含相应显示基板的显示屏（说明书第0019段）及包含相应显示屏的显示器（说明书第0024段）。因此，当引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6和7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4．关于权利要求8的创造性
权利要求8要求保护一种显示基板的制备方法。对比文件1公开了一种显示基板的制备方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0003、0019-0039段，图2b）：在衬底基板013上设置有挡光层04，在挡光层04上设置有包括栅极信号线、数据信号线等的金属信号线011和TFT器件012（必然包含栅极），挡光层04包括与金属信号线011一一对应的第一挡光部041和与TFT器件012一一对应的第二挡光部042，由于设置的第二挡光部可以遮挡外部光线从阵列基板一侧照射到TFT器件上，避免了TFT器件中的栅极金属或源漏极金属反射光线。
该权利要求所要保护的技术方案与对比文件1所公开的内容相比，其区别技术特征是：挡光层为至少两层折射层，相邻两个折射层之中靠近衬底基板的折射层的折射率小于远离衬底基板的折射层的折射率，折射层的厚度为nλ λ/4，λ为入射光的波长，n为非负整数；在衬底基板上依次形成第一折射层、第二折射层，第一折射层的厚度范围包括50nm至60nm；第二折射层的厚度范围包括25nm至35nm或者55nm至65nm。基于上述区别技术特征，可以确定该权利要求实际解决的技术问题是：进一步减弱栅极金属的反光强度提高防反射效果，解决防反射膜的厚度过大使得显示区域的平坦度低导致PI涂覆不良的问题，从而提高显示效果。
对比文件2公开了一种显示装置中的抗反射层的形成方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第0004-0006、0046-0047、0066-0067、0072-0085段，图7、9）：在第一电极30的上表面上形成具有更低反射率的光学性质修改层31，以减少电极对外部光的反射；在TFT与第一电极30之间、以及在连接至TFT的接线部S、V和D与第一电极30之间设置光阻层60，以减少TFT的栅极、源漏极及连接部对外部光的反射；在第二衬底20的表面上形成透明干涉层71、72、73（即至少两层折射层），干涉层71、72、73的厚度为对应入射外部光Li的波长λ的1/4，外部光从大气透射到多个透明干涉层71、72、73上，且入射到第二衬底20上，越靠近第二衬底20设置的透明干涉层的折射率越大，透明干涉层71、72、73的折射率分别为n11、n12、n13，n11＜n12＜n13，干涉层71更靠近入射光（可见越靠近入射光的干涉层的折射率越小，越远离入射光的干涉层的折射率越大），通过在第二衬底20的表面上形成透明干涉层71、72、73，反射光由于干涉而抵消，以减少第二衬底对外部光的反射，即整体减少对外部光的反射，从而提高对比度。可见，对比文件2给出了通过设置多层折射层（例如两层折射层）且使靠近入射光一侧的折射层的折射率比远离入射光一侧的折射层的折射率小来减少光反射的技术启示，在对比文件2公开的上述内容的基础上，本领域技术人员很容易想到将对比文件2中的由三个干涉层组成的防反射结构应用于对比文件1中的单层的挡光部，以进一步减弱TFT的栅极及源漏极的反光强度提高防反射效果、解决防反射膜的厚度过大使得显示区域的平坦度低导致PI涂覆不良的问题以提高显示效果。并且，在对比文件2公开的干涉层71、72、73的厚度为对应入射外部光Li的波长λ的1/4的基础上，相应的干涉层即折射层的厚度是本领域技术人员根据实际所需的消光效果、入射光的波长以及折射层的材质、折射率容易确定的常规选择，不需要付出创造性的劳动，并且该选择也没有取得预料不到的技术效果。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常规选择得到权利要求8的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求8所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5．关于权利要求9-10的创造性
权利要求9-10分别直接或间接地引用权利要求8。在对比文件2（参见说明书第0072-0085段，图7、9）公开的内容的技术启示下，为了形成相应的多层折射层结构，折射层的材质是本领域技术人员根据实际所需的消光效果容易确定的常规选择；此外，为了减少相应金属线造成的反光强度，仅在对应位置处形成第二折射层，即首先在第一折射层上形成第二折射层薄膜，再在第二折射层薄膜上形成栅金属薄膜，并通过蚀刻形成第二折射层和栅极，使得第二折射层位于栅极的正下方仅仅是本领域技术人员的常规选择，不需要付出创造性的劳动，并且该选择也没有取得预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常规选择得到权利要求9-10的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求9-10所要保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3.对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：对比文件1未公开在栅极上设置折射层的方案，本申请与对比文件1所采用的技术手段不同；对比文件2中的多层透明干涉层与本申请的至少两层折射层的位置设置不同且作用不同。对比文件1和对比文件2为解决栅极、源漏极的反光的问题，二者均是采用设置挡光部（阻光层）的手段完全遮挡吸收入射光，不是通过设置多折射层进行消光的手段，对比文件2无法给出通过在栅极上设置多层折射层以解决栅极反光且反射膜厚度较大造成显示面板的显示区域的平坦度低，导致PI涂覆不良的问题的启示。
对此，合议组认为：首先，本申请权利要求1限定的是在折射层上设置有栅极，不是在栅极上设置有折射层，折射层的形成位置取决于入射光线的方向。其次，对比文件1（说明书第0019-0021、0031段，图2b）公开了在挡光层04上设置有包括栅极信号线、数据信号线等的金属信号线011和TFT器件012（必然包含栅极），即公开了通过在栅极下方设置挡光层来解决栅极、源漏极金属反光的问题；虽然对比文件2公开的是多层透明干涉层形成在第二衬底上，以减少第二衬底对外部光的反射（参见说明书第0081-0085段），干涉层的形成位置与本申请不同，但对比文件1中的挡光层的位置及作用与本申请中的相同，权利要求1与对比文件1相比仅仅是挡光层的具体结构不同，对比文件2给出了通过设置多层折射层、使折射层的厚度对应于入射外部光的波长的1/4且使靠近入射光一侧的折射层的折射率比远离入射光一侧的折射层的折射率小来减少光反射的技术启示，并且本领域技术人员公知，为了达到相同的减少栅极金属等的反光效果，使用折射层的厚度会比使用挡光层的厚度薄，在对比文件2的启示下，为了进一步减弱TFT的栅极及源漏极的反光强度、解决显示区域的平坦度低导致PI涂覆不良的问题从而提高显示效果，本领域技术人员有动机对对比文件1中的相应挡光层进行改进，将对比文件2中的由三个干涉层组成的防反射结构（例如两层折射层）应用于对比文件1中的单层的挡光部。此外，虽然对比文件1和对比文件2是通过设置挡光层或阻光层来解决栅极、源漏极反光的问题，但在半导体显示领域，无论是金属层的反光还是其他层例如衬底的反光，都是本领域需要尽量避免的，为了进一步减弱栅极金属等对光的反射，本领域技术人员有动机将对比文件2中的多层干涉层（即折射层）的结构应用于对比文件1中的挡光层。并且，对比文件2和本申请中减弱反光强度的手段相同，都是利用消光原理，且折射层的厚度范围是本领域技术人员根据实际所需的消光效果、入射光的波长以及折射层的材质、折射率容易确定的常规选择，不需要付出创造性的劳动，并且该选择也没有取得预料不到的技术效果。
综上所述，复审请求人的意见陈述不成立。
基于上述事实和理由，合议组依法作出以下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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