发明创造名称：发光二极管显示器及其制作方法
外观设计名称：
决定号：182081
决定日：2019-06-20
委内编号：1F275021
优先权日：
申请（专利）号：201710104787.X
申请日：2017-02-24
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王丹
合议组组长：柴春英
参审员：李晓明
国际分类号：H01L51/52，H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201710104787.X，名称为“发光二极管显示器及其制作方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电技术有限公司，申请日为2017年02月24日，公开日为2017年06月27日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年11月12日发出驳回决定，以权利要求1-8不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，具体理由是：1、独立权利要求1、5相对于对比文件1（CN104871231A，公开日为2015年08月26日）的区别技术特征在于：（1）权利要求中的平坦化层具有图案化隔堤层的作用，在其第一开口内设置第一阳极以及发光二极管；（2）采用有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成阴极隔离层；（3）所述TFT层包括设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极与衬底基板上的栅极保护层、设于所述栅极保护层上的有源层、设于所述有源层与栅极保护层上的刻蚀阻挡层、以及设于所述刻蚀阻挡层上的源极与漏极，所述刻蚀阻挡层上设有分别对应所述有源层两端的第二过孔，所述源极与漏极分别通过所述第二过孔与所述有源层的两端相接触。其中区别技术特征（1）、（3）被对比文件2（CN106206672A，公开日为2016年12月07日）公开，区别技术特征（2）是本领域的公知常识，因此权利要求1、5不具备创造性。2、从属权利要求2、6的附加技术特征被对比文件1公开；从属权利要求3、7的部分技术方案的附加技术特征被对比文件1公开，其余技术方案的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求4、8的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2-4、6-8不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请日2017年02月24日提交的说明书摘要、说明书第1-76段、说明书附图图1-7、摘要附图；2018年08月03日提交的权利要求第1-8项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供TFT背板(80)，所述TFT背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的平坦层(30)、及设于所述平坦层(30)上的第一过孔(31)；所述TFT层(20)包括对应于所述第一过孔(31)下方设置的漏极(26)；
步骤2、在所述平坦层(30)上形成第一阳极(40)，所述第一阳极(40)包覆所述第一过孔(31)并通过所述第一过孔(31)与所述漏极(26)相接触，所述第一阳极(40)为反射电极；
步骤3、提供发光二极管(60)，所述发光二极管(60)包括发光灯体(61)以及分别连接于所述发光灯体(61)两端的第二阳极(62)与第二阴极(63)；
将所述发光二极管(60)转移至所述TFT背板(80)的第一过孔(31)内，并且将所述发光二极管(60)的第二阳极(62)与所述TFT背板(80)的第一阳极(40)连接在一起；
步骤4、在所述第一阳极(40)及平坦层(30)上形成位于所述发光二极管(60)周围的阴极隔离层(72)，所述阴极隔离层(72)位于所述第一过孔(31)内的部分完全包覆所述第二阳极(62)并至少暴露出所述第二阴极(63)的顶端；
步骤5、在所述阴极隔离层(72)及发光二极管(60)上形成第一阴极(73)，所述第一阴极(73)与所述第二阴极(63)相接触，所述第一阴极(73)与所述第一阳极(40)之间通过所述阴极隔离层(72)隔离开；
所述步骤4采用有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成阴极隔离层(72)；
所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)与衬底基板(10)上的栅极保护层(22)、设于所述栅极保护层(22)上的有源层(23)、设于所述有源层(23)与栅极保护层(22)上的刻蚀阻挡层(24)、以及设于所述刻蚀阻挡层(24)上的源极(25)与漏极(26)，所述刻蚀阻挡层(24)上设有分别对应所述有源层(23)两端的第二过孔(242)， 所述源极(25)与漏极(26)分别通过所述第二过孔(242)与所述有源层(23)的两端相接触。
2. 如权利要求1所述的发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述第一阳极(40)的材料为金属。
3. 如权利要求2所述的发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述第一阳极(40)的材料包括钼、铝、铜、钛、铬中的一种或多种。
4. 如权利要求1所述的发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述阴极隔离层(72)的材料为有机绝缘材料；所述第一阴极(73)为透明电极。
5. 一种发光二极管显示器，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的平坦层(30)、设于所述平坦层(30)上的第一过孔(31)、设于所述平坦层(30)上且包覆所述第一过孔(31)的第一阳极(40)、设于所述第一过孔(31)内且位于所述第一阳极(40)上的发光二极管(60)、设于所述第一阳极(40)及平坦层(30)上且位于所述发光二极管(60)周围的阴极隔离层(72)、以及设于所述阴极隔离层(72)及发光二极管(60)上的第一阴极(73)；
所述TFT层(20)包括对应于所述第一过孔(31)下方设置的漏极(26)，所述第一阳极(40)通过所述第一过孔(31)与所述漏极(26)相接触；
所述发光二极管(60)包括发光灯体(61)以及分别连接于所述发光灯体(61)两端的第二阳极(62)与第二阴极(63)，所述第二阳极(62)与所述第一阳极(40)相连接，所述第二阴极(63)与所述第一阴极(73)相接触；
所述阴极隔离层(72)位于所述第一过孔(31)内的部分完全包覆所述第二阳极(62)并至少暴露出所述第二阴极(63)的顶端，所述第一阳极(40)与所述第一阴极(73)之间通过所述阴极隔离层(72)隔离开；
所述第一阳极(40)为反射电极；
通过有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成所述阴极隔离层(72)；
所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)与衬底基板(10)上的栅极保护层(22)、设于所述栅极保护层(22)上的有源层(23)、设于所述有源层(23)与栅极保护层(22)上的刻 蚀阻挡层(24)、以及设于所述刻蚀阻挡层(24)上的源极(25)与漏极(26)，所述刻蚀阻挡层(24)上设有分别对应所述有源层(23)两端的第二过孔(242)，所述源极(25)与漏极(26)分别通过所述第二过孔(242)与所述有源层(23)的两端相接触。
6. 如权利要求5所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一阳极(40)的材料为金属。
7. 如权利要求6所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述第一阳极(40)的材料包括钼、铝、铜、钛、铬中的一种或多种。
8. 如权利要求5所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述阴极隔离层(72)的材料为有机绝缘材料；所述第一阴极(73)为透明电极。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2019年02月26日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-4项，其中在原独立权利要求1、5中补入技术特征“所述第一阳极（40）的材料包括铜、铬中的一种或多种”，并删除原权利要求2、3、6、7。复审请求人认为：（1）对比文件2并未公开其发光层可采用微型LED器件替代，即对比文件2并未公开过孔内依次设置阳极、微型LED器件、围绕微型LED器件的钝化层以及覆盖微型LED器件。对比文件2的技术方案适用于常规的有机发光层设计，对比文件2并未公开其发光层可采用微型LED器件替代，无法将对比文件2的技术方案应用于对比文件1的技术方案中。（2）本申请的采用黄光制程制作阴极隔离层并非本领域的惯用技术手段，不属于本领域的公知常识。（3）对比文件1公开的图案化导电层可由多个导电和反射材料形成，并且可包括多于一个层。图案化导电层包括金属膜诸如铝、钼、钛、钛钨、银、或金、或它们的合金。也就是说，对比文件1中的接地联结线提供更均匀的光反射，降低面板功率消耗等。另外，对比文件1中也并没有提到图案化导电层选用的铝、钼、钛、钛钨、银、或金、或它们的合金这些材料是利用其反射性。而本申请的第一阳极的材料包括铜、铬中的一种或多种，能够对发光二极管发出的发散光进行聚拢和反射，提高光线利用率。对比文件1没有公开铜、铬，且并未公开图案化导电层的作用是作为反射电极。提出复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供TFT背板(80)，所述TFT背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的平坦层(30)、及设于所述平坦层(30)上的第一过孔(31)；所述TFT层(20)包括对应于所述第一过孔(31)下方设置的漏极(26)；
步骤2、在所述平坦层(30)上形成第一阳极(40)，所述第一阳极(40)包覆所述第一过孔(31)并通过所述第一过孔(31)与所述漏极(26)相接触，所述第一阳极(40)为反射电极；
步骤3、提供发光二极管(60)，所述发光二极管(60)包括发光灯体(61)以及分别连接于所述发光灯体(61)两端的第二阳极(62)与第二阴极(63)；
将所述发光二极管(60)转移至所述TFT背板(80)的第一过孔(31)内，并且将所述发光二极管(60)的第二阳极(62)与所述TFT背板(80)的第一阳极(40)连接在一起；
步骤4、在所述第一阳极(40)及平坦层(30)上形成位于所述发光二极管(60)周围的阴极隔离层(72)，所述阴极隔离层(72)位于所述第一过孔(31)内的部分完全包覆所述第二阳极(62)并至少暴露出所述第二阴极(63)的顶端；
步骤5、在所述阴极隔离层(72)及发光二极管(60)上形成第一阴极(73)，所述第一阴极(73)与所述第二阴极(63)相接触，所述第一阴极(73)与所述第一阳极(40)之间通过所述阴极隔离层(72)隔离开；
所述步骤4采用有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成阴极隔离层(72)；
所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)与衬底基板(10)上的栅极保护层(22)、设于所述栅极保护层(22)上的有源层(23)、设于所述有源层(23)与栅极保护层(22)上的刻蚀阻挡层(24)、以及设于所述刻蚀阻挡层(24)上的源极(25)与漏极(26)，所述刻蚀阻挡层(24)上设有分别对应所述有源层(23)两端的第二过孔(242)， 所述源极(25)与漏极(26)分别通过所述第二过孔(242)与所述有源层(23)的两端相接触；
所述第一阳极(40)的材料包括铜、铬中的一种或多种。
2. 如权利要求1所述的发光二极管显示器的制作方法，其特征在于，所述阴极隔离层(72)的材料为有机绝缘材料；所述第一阴极(73)为透明电极。
3. 一种发光二极管显示器，其特征在于，包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的平坦层(30)、设于所述平坦层(30)上的第一过孔(31)、设于所述平坦层(30)上且包覆所述第一过孔(31)的第一阳极(40)、设于所述第一过孔(31)内且位于所述第一阳极(40)上的发光二极管(60)、设于所述第一阳极(40)及平坦层(30)上且位于所述发光二极管(60)周围的阴极隔离层(72)、以及设于所述阴极隔离层(72)及发光二极管(60)上的第一阴极(73)；
所述TFT层(20)包括对应于所述第一过孔(31)下方设置的漏极(26)，所述第一阳极(40)通过所述第一过孔(31)与所述漏极(26)相接触；
所述发光二极管(60)包括发光灯体(61)以及分别连接于所述发光灯体(61)两端的第二阳极(62)与第二阴极(63)，所述第二阳极(62)与所述第一阳极(40)相连接，所述第二阴极(63)与所述第一阴极(73)相接触；
所述阴极隔离层(72)位于所述第一过孔(31)内的部分完全包覆所述第二阳极(62)并至少暴露出所述第二阴极(63)的顶端，所述第一阳极(40)与所述第一阴极(73)之间通过所述阴极隔离层(72)隔离开；
所述第一阳极(40)为反射电极；
通过有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成所述阴极隔离层(72)；
所述TFT层(20)包括设于所述衬底基板(10)上的栅极(21)、设于所述栅极(21)与衬底基板(10)上的栅极保护层(22)、设于所述栅极保护层(22)上的有源层(23)、设于所述有源层(23)与栅极保护层(22)上的刻蚀阻挡层(24)、以及设于所述刻蚀阻挡层(24)上的源极(25)与漏极(26)，所述刻蚀阻挡层(24)上设有分别对应所述有源层(23)两端的第二过孔(242)，所述源极(25)与漏极(26)分别通过所述第二过孔(242)与所述有源层(23) 的两端相接触；
所述第一阳极(40)的材料包括铜、铬中的一种或多种。
4. 如权利要求3所述的发光二极管显示器，其特征在于，所述阴极隔离层(72)的材料为有机绝缘材料；所述第一阴极(73)为透明电极。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年03月05日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，参考驳回决定的意见可知：复审请求人所述的区别技术特征1.1-1.3均不能够使得本申请具备创造性。对于新增的技术特征，其在驳回决定针对的权利要求3中已经被评述过，即：对比文件1（参见说明书第0046段）公开了：图案化导电层可由多个导电和反射材料形成，图案化导电层包括金属膜注入铝、钼、钛、钛钨、银或金、或它们的合金。而铜和铬也是本领域公知的具有反射特征的金属，其应用于第一阳极也是本领域的常规选择，属于本领域的公知常识，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由是：1、独立权利要求1、3相对于对比文件1的区别技术特征在于：（1）权利要求中的平坦化层具有图案化隔堤层的作用，在其第一开口内设置第一阳极、发光二极管以及阴极隔离层；（2）采用有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成阴极隔离层；（3）TFT层包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极与衬底基板上的栅极保护层、设于栅极保护层上的有源层、设于有源层与栅极保护层上的刻蚀阻挡层、以及设于刻蚀阻挡层上的源极与漏极，刻蚀阻挡层上设有分别对应有源层两端的第二过孔，源极与漏极分别通过第二过孔与有源层的两端相接触；（4）第一阳极的材料包括铜、铬中的一种或多种。其中区别技术特征（1）、（3）被对比文件2公开，区别技术特征（2）、（4）是本领域的公知常识，因此权利要求1、3不具备创造性。2、从属权利要求2、4的附加技术特征被对比文件1公开，因此权利要求2、4不具备创造性。3、针对复审请求人的意见，合议组认为：（1）对比文件2未公开发光层可采用微型LED器件替代，但这不代表其不可以用于微型LED器件的组件中。更重要的是，对比文件1已经公开了采用微型二极管，并且位于过孔中，且底部与包覆过孔的、可作为阳极且具有反射功能的底部电极140相接触。因此，关于该技术特征，本申请与对比文件1的区别主要集中在，是在平坦层形成过孔来承载包覆过孔的、可作为阳极且具有反射功能的电极，还是如对比文件1中的在平坦化层上的图案化隔堤层中形成过孔来承载该电极。而对比文件2公开了这一技术特征，并且也是为了优化设置结构，使得平坦化层具备图案化阻隔层的作用，并使得阳极位于其开口内。也就是说，对比文件2给出了技术启示，本领域的技术人员在对比文件2的技术启示下，有动机省略对比文件1中的图案化阻隔层126，而在平整化层122上直接设置开口，使得反射阳极，进而使得反射阳极上的微型发光二极管器件以及阴极隔离层位于该开口内，且反射阳极通过该开口与漏极相接触。（2）黄光制程是本领域常用的形成图案化层的方法，因此为了得到合适形状和结构的阴极隔离层，采用涂布并结合黄光制程的方式来形成有机层，这是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。（3）对比文件1明确公开了（说明书第10段）：底部电极是反射性的。而且底部电极和接地联结线都是由图案化导电层形成的，因此都是具有反射性能的。而且铜和/或铬是本领域常用的具有反射特性的金属，其应用于第一阳极也是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识，不会产生预料不到的技术效果。
复审请求人于2019年05月22日提交了意见陈述书，但未修改申请文件。复审请求人认为：对比文件1没有任何关于该形成在隔堤开口128内的底部电极142能够包覆该隔堤开口128的文字记载，对比文件1说明书附图3B、3C、3D均是剖视图，仅能体现特定的剖面内，底部电极142能延伸至隔堤开口128外，据此不能显而易见地得到对比文件1中底部电极142整体是对或能够对隔堤开口128进行包覆的，即对比文件1公开的技术方案中，底部电极142并不能对微型LED器件400向四周发射的发散光进行聚拢和反射。而本申请，第一阳极包覆第一过孔侧壁的部分呈闭合状地围绕在发光二极管四周，从而在驱动发光二极管使其发光后，第一阳极不仅能对发光二极管向下发出的光进行反射，还能够对发光二极管向四周发出的发散光进行聚拢和反射，从而提高光线的利用率及显示品质。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年02月26日提出复审请求时提交了修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-4项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。复审请求人在答复复审通知书时未对申请文件进行修改，因此，本复审请求审查决定依据的文本与复审通知书所依据的文本相同，即：于申请日2017年02月24日提交的说明书摘要、说明书第1-76段、说明书附图图1-7、摘要附图；于复审请求日2019年02月26日提交的权利要求第1-4项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分被其他对比文件公开，其余部分是本领域的公知常识，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
在本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN 104871231A，公开日为2015年08月26日；
对比文件2：CN 106206672A，公开日为2016年12月07日。
其中，对比文件1作为最接近的现有技术。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种发光二极管显示器的制作方法。对比文件1公开了一种微型LED显示器及其制作方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0010-0086段，附图3-10）：该制备方法包括：提供TFT衬底102，该TFT衬底102包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT层T2、设置于TFT层T2上的平面化层122、以及设于平面化层122上的开口131（即第一过孔）、TFT层包括对应于开口131下方设置的T2的漏极；在平整化层122上方的图案化隔堤层126的隔堤开口128内形成底部电极142（即第一阳极），该底部电极142覆盖开口131并通过开口131与T2的漏极接触，且底部电极142是反射性的，由多个导电和反射材料形成（即第一阳极为反射电极）；提供微型LED器件400，其包括微型p-n二极管450（即发光灯体）和分别连接该p-n二极管450两端的底部导电触点420（即第二阳极）和顶部导电触点452（即第二阴极），将微型LED器件400转移至隔堤层126的隔堤开口128内，并将p-n二极管450的底部导电触点420与底部电极142连接在一起；在底部电极142以及平整化层122上形成位于微型LED器件400周围的钝化层148（即阴极隔离层），钝化层位于图案化隔堤层126的隔堤开口128内，其完全包覆微型LED器件的底部导电触点并至少暴露出顶部导电触点的顶端；在钝化层148以及微型LED器件400上形成顶部电极层118（即第一阴极），顶部电极层118与微型LED器件400的顶部导电触点452相接触，顶部电极层118与底部电极层142之间通过钝化层148隔离开。由此可见，权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案的区别技术特征为：（1）权利要求1中的平坦化层具有图案化隔堤层的作用，在其第一开口内设置第一阳极、发光二极管以及阴极隔离层；（2）采用有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成阴极隔离层；（3）TFT层包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极与衬底基板上的栅极保护层、设于栅极保护层上的有源层、设于有源层与栅极保护层上的刻蚀阻挡层、以及设于刻蚀阻挡层上的源极与漏极，刻蚀阻挡层上设有分别对应有源层两端的第二过孔，源极与漏极分别通过第二过孔与有源层的两端相接触；（4）第一阳极的材料包括铜、铬中的一种或多种。基于上述区别技术特征，权利要求1实际要解决的技术问题是：如何优化平坦化层的结构、如何形成阴极隔离层、设置底栅TFT基板的具体结构并选择阳极材料。
针对区别技术特征（1），对比文件2公开了一种AMOLED器件及其制作方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0006段，附图1）：在平坦化层700上的过孔710内形成阳极800，阳极800包覆过孔710并通过过孔710与TFT的漏极600接触。这一技术特征在对比文件2中的作用与其在权利要求1要求保护的技术方案中的作用相同，都是如何优化结构，使得其具备图案化阻隔层的作用，并使得阳极位于其开口内。也就是说，对比文件2给出了将这一技术特征应用到对比文件1中的技术启示，本领域的技术人员在对比文件2的技术启示下，有动机地省略对比文件1中的图案化阻隔层126，而在平整化层122上直接设置开口，进而使得反射阳极及其上的微型发光二极管器件以及阴极隔离层位于该开口内，且反射阳极通过该开口与漏极相接触。
针对区别技术特征（2），由于对比文件1（参见说明书第0069段）已经公开了：钝化层148（即阴极隔离层）可以由环氧树脂等有机绝缘材料构成，而为了得到合适形状和结构的阴极隔离层，采用涂布并结合黄光制程的方式来形成有机层，这是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识。
针对区别技术特征（3），对比文件2（参见说明书第0006段，附图1）公开了：TFT层包括设于衬底100上的栅极200、设于栅极200与衬底100上的栅极绝缘层300（即栅极保护层）、设于栅极绝缘层300上的有源层400、设于有源层400和栅极绝缘层300上的刻蚀阻挡层500、以及设于刻蚀阻挡层500上的源极和漏极600，刻蚀阻挡层500上设有分别对应有源层400两端的过孔，源极和漏极600分别通过过孔与有源层400的两端相接触。这一技术特征在对比文件2中的作用与其在权利要求1要求保护的技术方案中的作用相同，都是如何设置底栅TFT基板的具体结构。也就是说，对比文件2给出了将这一技术特征应用到对比文件1中的技术启示，本领域的技术人员在对比文件2的技术启示下，有动机选择上述的TFT基板结构作为对比文件1中的微型LED显示器件的TFT驱动结构。
对于区别技术特征（4），铜和/或铬是本领域常用的具有反射特性的金属，其应用于第一阳极也是本领域的惯用技术手段，属于本领域的公知常识，不会产生预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到权利要求1要求保护的技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3要求保护一种有机发光二极管显示器。对比文件1公开了一种微型LED显示器及其制作方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0010-0086段，附图3-10）：该显示器包括：TFT衬底102，该TFT衬底102包括衬底基板、设于衬底基板上的TFT层T2、设置于TFT层T2上的平面化层122、以及设于平面化层122上的开口131（即第一过孔）、TFT层包括对应于开口131下方设置的T2的漏极；在平整化层122上方的图案化隔堤层126的隔堤开口128内形成且包覆该开口的底部电极142（即第一阳极），该底部电极142覆盖开口131并通过开口131与T2的漏极接触，且底部电极142是反射性的，由多个导电和反射材料形成（即第一阳极为反射电极）；微型LED器件400，其包括微型p-n二极管450（即发光灯体）和分别连接该p-n二极管450两端的底部导电触点420（即第二阳极）和顶部导电触点452（即第二阴极），将微型LED器件400转移至隔堤层126的隔堤开口128内，并将p-n二极管450的底部导电触点420与底部电极142连接在一起；在底部电极142以及平整化层122上形成的位于微型LED器件400周围的钝化层148（即阴极隔离层），钝化层位于图案化隔堤层126的隔堤开口128内，其完全包覆微型LED器件的底部导电触点并至少暴露出顶部导电触点的顶端；在钝化层148以及微型LED器件400上形成的顶部电极层118（即第一阴极），顶部电极层118与微型LED器件400的顶部导电触点452相接触，顶部电极层118与底部电极层142之间通过钝化层148隔离开。由此可见，权利要求3要求保护的技术方案与对比文件1公开的技术方案的区别技术特征为：（1）权利要求3中的平坦化层具有图案化隔堤层的作用，在其第一开口内设置第一阳极、发光二极管以及阴极隔离层；（2）通过有机材料涂布制程结合黄光制程的方法形成所述阴极隔离层；（3）TFT层包括设于衬底基板上的栅极、设于栅极与衬底基板上的栅极保护层、设于栅极保护层上的有源层、设于有源层与栅极保护层上的刻蚀阻挡层、以及设于刻蚀阻挡层上的源极与漏极，刻蚀阻挡层上设有分别对应有源层两端的第二过孔，源极与漏极分别通过第二过孔与有源层的两端相接触；（4）第一阳极的材料包括铜、铬中的一种或多种。基于上述区别技术特征，权利要求3实际要解决的技术问题是：如何设置平坦化层的结构、如何形成阴极隔离层、设置底栅TFT基板的具体结构并选择阳极材料。
基于与权利要求1相同的理由，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到权利要求3要求保护的技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，权利要求3要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求2、4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2从属于权利要求1，权利要求4从属于权利要求3，上述权利要求的附加技术特征已经被对比文件1（参见说明书第0069-0072段）公开：钝化层可由多种材料但不限于环氧树脂、丙烯酸等，顶部电极层118在顶部发光系统中可以是透明的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：对比文件1没有任何关于该形成在隔堤开口128内的底部电极142能够包覆该隔堤开口128的文字记载，对比文件1说明书附图3B、3C、3D均是剖视图，仅能体现特定的剖面内，底部电极142能延伸至隔堤开口128外，据此不能显而易见地得到对比文件1中底部电极142整体是对或能够对隔堤开口128进行包覆的，即对比文件1公开的技术方案中，底部电极142并不能对微型LED器件400向四周发射的发散光进行聚拢和反射。而本申请，第一阳极包覆第一过孔侧壁的部分呈闭合状地围绕在发光二极管四周，从而在驱动发光二极管使其发光后，第一阳极不仅能对发光二极管向下发出的光进行反射，还能够对发光二极管向四周发出的发散光进行聚拢和反射，从而提高光线的利用率及显示品质。
对此，合议组认为：本申请的说明书文字部分记载的是“包覆”，而未记载“完全包覆”、“整体包覆”、“四周包覆”或者其他具体的包覆形式，说明书附图也仅是剖视图。权利要求限定的也仅是“包覆”，未限定具体的包覆形式，而对比文件1公开的内容足以满足“包覆”的含义，理由如下：对比文件1说明书第10段记载了：该底部电极阵列可形成在对应的隔堤开口阵列的侧壁上，并且可对于可见波长是反射的。结合对比文件1说明书附图（例如3B、3C、3D、6B、6D、7B），本领域技术人员能够确定，底部电极142延伸至隔堤开口128的侧壁直至开口之外，即底部电极142能够包覆该隔堤开口128，并且该底部电极可用于反射可见光，即反射微型LED器件400产生的光，也即是说能够对向周边发射的发散光进行聚拢和反射，提高光线利用率。此外，退一步讲，根据常识，本领域技术人员能够理解，即便图3B、3C、3D均是剖视图，但底部电极通常也不会仅是一维的，其必然是包覆其下方的结构的。并且，实际上，在对比文件1第10段公开的上述内容以及说明书附图的基础上，本领域技术人员根据实际需要很容易想到各种包覆形式，只要满足底部电极形成在开口侧壁以对光线进行反射即可。
因此，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年11月12日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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