发明创造名称：薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置
外观设计名称：
决定号：181632
决定日：2019-06-20
委内编号：1F258469
优先权日：
申请（专利）号：201410555601.9
申请日：2014-10-17
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：徐健
合议组组长：骆素芳
参审员：柴春英
国际分类号：H01L29/786,H01L21/336,H01L29/41
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域的公知常识，且在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201410555601.9，名称为“薄膜晶体管及其制造方法、OLED背板和显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司，申请日为2014年10月17日，公开日为2015年01月21日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年06月05日以权利要求1-9不符合专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请，驳回决定的具体理由是：1、独立权利要求1、7与对比文件1（CN101373793 A，公开日为2009年02月25日）的区别技术特征都在于：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为激光处理。然而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1或7的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，因而，权利要求1或7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-6、8-9的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的常规选择，因而也都不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年10月17日提交的说明书第1-61段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图；以及2017年09月12日提交的权利要求第1-9项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括：有源层和源漏电极，其特征在于，
所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层，且，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；所述合金化处理为激光处理；
还包括：栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层的最上层，或者整个所述有源层采用P型硅制成。
3. 根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源漏电极的最底层，或者整个所述源漏电极采用金属钛制成。
4. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。
5. 一种OLED背板，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6. 一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，或者，权利要求5所述的OLED背板。
7. 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层的工序和形成源漏电极 的工序，其特征在于，还包括：
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理；所述合金化处理为激光处理；
还包括：形成栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层形成在所述有源层上，所述栅电极形成在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还形成有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层形成在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触。
8. 根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理，具体包括：
在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；
通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；
对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。
9. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化处理具体为：
采用1500～2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描；或者，
使用快速退火设备，在氩气气氛下，在600～700℃温度下进行快速退火处理。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月15日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-9项。复审请求人认为：本申请的权利要求1与对比文件1相比，至少具有以下区别技术特征：源漏电极与有源层之间形成有合金化膜层，且形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同；合金化膜层通过在有源层的最上层上沉积一层第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；合金化处理为激光处理；栅绝缘层还设置有暴露出有源层的过孔，合金化膜层设置在过孔内，源漏电极通过过孔内的合金化膜层与有源层电连接；合金化膜层的最上层与源漏电极的最底层相接触，合金化膜层的最底层与有源层的最上层相接触，从而降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性。本申请是为了降低源漏电极与有源层之间的接触电阻、提高薄膜晶体管的电流-电压特性的，而对比文件1是为了减少半导体层中金属催化剂的数量以降低漏电流。对比文件1是将区域420a形成在半导体层420和双层480接触的区域中，而非设置在栅绝缘层暴露有源层的过孔中，且对比文件1中需要使区域420a的材料与用于结晶的金属催化剂所形成的金属硅化物不同，而本申请是形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同，从而降低源漏电极与有源层的接触电阻。本申请通过使用激光处理对合金化膜层进行合金化处理，从而更精确地控制合金化膜层的厚度、面积大小等参数，即更精确地控制合金层与有源层及源漏电极之间的结合，更有效地降低有源层与源漏电极之间的接触电阻，防止电流损失，进而获得更好的显示效果，对比文件1进行退火处理的对象、目的等均与本申请不同。因此，权利要求1-9具备创造性。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括：有源层和源漏电极，其特征在于，
所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层，且，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；所述合金化处理为激光处理；
还包括：栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，从而降低所述源漏电极与所述有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化所述薄膜晶体管的电流-电压特性。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层的最上层，或者整个所述有源层采用P型硅制成。
3. 根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源漏电极的最底层，或者整个所述源漏电极采用金属钛制成。
4. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。
5. 一种OLED背板，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6. 一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体 管，或者，权利要求5所述的OLED背板。
7. 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层的工序和形成源漏电极的工序，其特征在于，还包括：
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理；所述合金化处理为激光处理；
还包括：形成栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层形成在所述有源层上，所述栅电极形成在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还形成有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层形成在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，从而降低所述源漏电极与所述有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化所述薄膜晶体管的电流-电压特性。
8. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理，具体包括：
在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；
通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；
对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生 成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。
9. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，
所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化处理具体为：
采用1500～2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描；或者，
使用快速退火设备，在氩气气氛下，在600～700℃温度下进行快速退火处理。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1、复审请求人声称的区别特征“栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触”已经在对比文件1中公开，并且对比文件1的结构也具有“降低源漏电极与所述有源层之间的接触电阻、优化所述薄膜晶体管的电流-电压特性”的作用。2、本申请通过源漏金属与多晶硅硅化形成合金化膜、以降低接触电阻，对比文件1也公开了源漏金属与有源层硅化形成合金化膜，同样具有降低接触电阻的技术效果，因此，对比文件1除了记载的具有吸杂的技术效果，实质上还具有降低接触电阻的技术效果。3、对比文件1公开了对金属层和硅材料实施退火，形成金属硅化物（说明书第14页第1段），因此，对比文件1退火的对象、目的等均与本申请相同，而通过激光实现退火是本领域的常规选择。因此，复审请求人的意见陈述不具说服力，不能接受。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月28日向复审请求人发出复审通知书，指出权利要求1-9相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。复审通知书的具体理由是：独立权利要求1、7要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为激光处理。然而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1或7的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，因而，权利要求1或7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。从属权利要求2-6、8-9的附加技术特征或被对比文件1公开了，或属于本领域的常规选择，因而也都不具备创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：复审请求人声称的区别技术特征“源漏电极与有源层之间形成有合金化膜层，且形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同；合金化膜层通过在有源层的最上层上沉积一层第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；栅绝缘层还设置有暴露出有源层的过孔，源漏电极通过合金化膜层与有源层电连接；合金化膜层的最上层与源漏电极的最底层相接触，合金化膜层的最底层与有源层的最上层相接触，从而降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性”已经在对比文件1中公开,权利要求1、7与对比文件1的区别技术特征仅是：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为激光处理。本申请声称要解决的技术问题是通过源漏金属与多晶硅硅化形成合金化膜、以降低接触电阻，而对比文件1也公开了源漏金属与有源层硅硅化形成合金化膜，而形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同，合金化膜层同样也具有降低接触电阻的技术效果；虽然对比文件1记载了硅化过程中具有吸杂的技术效果，但该效果与降低接触电阻没有冲突。权利要求1、7相对于对比文件1实际解决的问题是：采用合适的工艺进行合金化处理和选择合金化膜层的形成位置。关于上述区别技术特征和实际解决的技术问题，虽然对比文件1附图4所示的合金化膜层420a、b虽然设置在所述过孔下方，但是由于该合金化膜层是通过源漏电极金属和有源层材料硅化形成，源漏电极金属形成在过孔内，因此对本领域的普通技术人员来说，选择退火工艺将合金化膜层形成在所述过孔内，是本领域技术人员容易想到和实现的，无需付出创造性的劳动。对比文件1还公开了对金属层和硅材料实施退火，形成金属硅化物（说明书第14页第1段），因此对比文件1退火的对象、目的等均与本申请相同，而通过激光处理实现合金化是本领域的常规选择。因此，复审请求人的意见陈述不具说服力，合议组不予接受。
复审请求人于2019年02月28日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，包括权利要求第1-8项。复审请求人认为：修改后的权利要求1与对比文件1相比，至少具有以下区别技术特征：源漏电极与有源层之间形成有合金化膜层，且形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同；合金化膜层通过在有源层的最上层上沉积一层第一种材料的膜层，再通过激光处理得到；激光处理的功率为1500-2000W；栅绝缘层还设置有暴露出有源层的过孔，合金化膜层设置在过孔内，源漏电极通过过孔内的合金化膜层与有源层电连接；合金化膜层的最上层与源漏电极的最底层相接触，合金化膜层的最底层与有源层的最上层相接触，从而降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性。本申请是为了降低源漏电极与有源层之间的接触电阻提高薄膜晶体管的电流-电压特性，而对比文件1是为了减少半导体层中金属催化剂的数量以降低漏电流。对比文件1是将区域420a形成在半导体层420和双层480接触的区域中，而非设置在栅绝缘层暴露有源层的过孔中，且对比文件1中需要使区域420a的材料与用于结晶的金属催化剂所形成的金属硅化物不同，而本申请是形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同，从而降低源漏电极与有源层的接触电阻。本申请通过使用激光处理对合金化膜层进行合金化处理，功率为1500-2000W，从而更精确地控制合金化膜层的厚度、面积大小等参数，即更精确地控制合金层与有源层及源漏电极之间的结合，更有效地降低有源层与源漏电极之间的接触电阻，防止电流损失，进而获得更好的显示效果，对比文件1与本申请的方案不同。因此，权利要求1-8具备创造性。答复复审通知书时提交的权利要求第1-8项如下：
“1. 一种薄膜晶体管，包括：有源层和源漏电极，其特征在于，
所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层，且，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；所述合金化处理为激光处理，所述激光处理的激光功率为1500～2000W；
还包括：栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，从而降低所述源漏电极与所述有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化所述薄膜晶体管的电流-电压特性。
2. 根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层的最上层，或者整个所述有源层采用P型硅制成。
3. 根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述源漏电极的最底层，或者整个所述源漏电极采用金属钛制成。
4. 根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。
5. 一种OLED背板，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管。
6. 一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管，或者，权利要求5所述的OLED背板。
7. 一种薄膜晶体管的制造方法，包括：形成有源层的工序和形成源漏电极的工序，其特征在于，还包括：
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；
在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理；所述合金化处理为激光处理；
还包括：形成栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层形成在所述有源层上，所述栅电极形成在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还形成有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层形成在所述过孔内，所述源漏电极通过所述过孔内的合金化膜层与所述有源层电连接；
所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，从而降低所述源漏电极与所述有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化所述薄膜晶体管的电流-电压特性；
所述有源层的最上层或者整个所述有源层采用P型硅制成，所述源漏电极的最底层或者整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化处理具体为：
采用1500～2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描。
8. 根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在所述有源层的最上层 上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理，具体包括：
在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；
通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；
对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在2019年02月28日答复复审通知书时提交了权利要求书的修改替换页，包括权利要求第1-8项。经审查，所作修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因而，本复审请求审查决定所针对的文本为：申请日2014年10月17日提交的说明书第1-61段、说明书附图图1-5、说明书摘要、摘要附图；以及2019年02月28日提交的权利要求第1-8项。
具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但该区别技术特征属于本领域的公知常识，且在作为最接近的现有技术的对比文件的基础上结合本领域的公知常识得出该权利要求所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，则该项权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN101373793 A，公开日为2009年02月25日。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种薄膜晶体管，对比文件1 公开了一种薄膜晶体管，并具体公开了如下特征（参见对比文件1说明书第7页第5段至第17页第1段，附图1-6）：有源层422和源漏电极470（附图4），所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层420a、b，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同（说明书第14页第1段，只有金属层的情况下），形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；在只有金属层的情况下，所述合金化膜层通过在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；栅电极450和栅绝缘层430；所述栅绝缘层设置在所述有源层上，所述栅电极设置在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还设置有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层设置在所述过孔下方，所述源漏电极通过所述过孔下方的合金化膜层与所述有源层电连接；所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，因而可知合金化膜层必然能够起到降低源漏电极与有源层之间的接触电阻的作用，从而形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性。
由此可见，权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为激光处理且激光功率为1500-2000W。基于上述区别技术特征，该权利要求相对于对比文件1所实际要解决的技术问题是：采用合适的工艺进行合金化处理和选择合金化膜层的形成位置。
然而，对比文件1附图4所示的合金化膜层420a、b虽然图示在所述过孔的下方，但是由于该合金化膜层是通过源漏电极金属和有源层材料通过栅绝缘层的过孔硅化形成（本申请同样也是先形成栅绝缘层后刻蚀形成通孔来形成合金化膜层），因而对本领域技术人员来说，选择退火工艺将合金化膜层形成在所述过孔内，是本领域技术人员容易想到和实现的，无需付出创造性劳动，也未带来预料不到的技术效果；而选择合适的激光功率进行激光处理为本领域常用的合金化工艺，是本领域的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而，权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求2-4，对比文件1公开了（说明书第14页第1段、第15页第2-3段，附图4）：整个所述有源层采用P型硅制成；整个所述源漏电极采用金属钛制成；所述合金化膜层为金属钛与P型硅形成的合金化膜层。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求5-6不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求5-6，对比文件1公开了一种OLED背板和显示装置（附图6），在其引用的权利要求1-4不具备创造性的前提下，权利要求5-6也不具备创造性。
2.4、权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7要求保护一种薄膜晶体管的制造方法，对比文件1公开了一种薄膜晶体管的制造方法，并具体公开了如下特征（参见对比文件1说明书第7页第5段至第17页第1段，附图1-6）：形成有源层422的工序和形成源漏电极470的工序（附图4）；在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层420a、b的工序，其中，形成所述合金化膜层的第一种材料与形成所述源漏电极的最底层的材料相同，形成所述合金化膜层的第二种材料与形成所述有源层的最上层的材料相同；在所述源漏电极与所述有源层之间形成有合金化膜层的工序，具体为：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理；形成栅电极和栅绝缘层；所述栅绝缘层形成在所述有源层上，所述栅电极形成在所述栅绝缘层上，所述栅绝缘层还形成有暴露出所述有源层的过孔，所述合金化膜层形成在所述过孔下方，所述源漏电极通过所述过孔下方的合金化膜层与所述有源层电连接；所述合金化膜层的最上层与所述源漏电极的最底层相接触，所述合金化膜层的最底层与所述有源层的最上层相接触，因而可知合金化膜层必然能够起到降低源漏电极与有源层之间的接触电阻的作用，从而形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性，整个所述有源层采用P型硅制成，整个所述源漏电极采用金属钛制成。
权利要求7要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，其区别技术特征在于：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为采用1500-2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描。基于上述区别技术特征，该权利要求相对于对比文件1所实际要解决的技术问题是：采用合适的工艺进行合金化处理和选择合金化膜层的形成位置。
然而，虽然对比文件1附图4所示的合金化膜层420a、b虽然设置在所述过孔下方，但是由于该合金化膜层是通过源漏电极金属和有源层材料通过栅绝缘层的过孔硅化形成（本申请同样也是先形成栅绝缘层后刻蚀形成通孔来形成合金化膜层），因而对本领域技术人员来说，选择退火工艺将合金化膜层设置在所述过孔内，是本领域技术人员容易想到和实现的，无需付出创造性劳动，也未带来预料不到的技术效果；而激光处理为本领域常用的合金化工艺，选择具体的激光功率例如1500-2000W，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描来进行合金化是本领域的常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求7要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因而，权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于权利要求8，对比文件1公开了（参见对比文件1说明书第7页第5段至第17页第1段，附图1-6）：在所述有源层的最上层上沉积一层所述第一种材料的膜层，再进行合金化处理（附图4）；在完成有源层与源漏电极的接触孔刻蚀之后，沉积所述第一种材料的膜层；通过构图工艺，刻蚀掉所述接触孔之外的所述第一种材料，保留所述接触孔内的所述第一种材料；对所述接触孔内的所述第一种材料与有源层的最上层进行合金化处理，生成所述第一种材料与所述第二种材料的合金化膜层。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
复审请求人在答复复审通知书时认为：修改后的权利要求1与对比文件1相比，至少具有以下区别技术特征：源漏电极与有源层之间形成有合金化膜层，且形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同；合金化膜层通过在有源层的最上层上沉积一层第一种材料的膜层，再通过激光处理得到；激光处理的功率为1500-2000W；栅绝缘层还设置有暴露出有源层的过孔，合金化膜层设置在过孔内，源漏电极通过过孔内的合金化膜层与有源层电连接；合金化膜层的最上层与源漏电极的最底层相接触，合金化膜层的最底层与有源层的最上层相接触，从而降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性。本申请是为了降低源漏电极与有源层之间的接触电阻提高薄膜晶体管的电流-电压特性，而对比文件1是为了减少半导体层中金属催化剂的数量以降低漏电流。对比文件1是将区域420a形成在半导体层420和双层480接触的区域中，而非设置在栅绝缘层暴露有源层的过孔中，且对比文件1中需要使区域420a的材料与用于结晶的金属催化剂所形成的金属硅化物不同，而本申请是形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同，从而降低源漏电极与有源层的接触电阻。本申请通过使用激光处理对合金化膜层进行合金化处理，功率为1500-2000W，从而更精确地控制合金化膜层的厚度、面积大小等参数，即更精确地控制合金层与有源层及源漏电极之间的结合，更有效地降低有源层与源漏电极之间的接触电阻，防止电流损失，进而获得更好的显示效果，对比文件1与本申请的方案不同。因此，权利要求1-8具备创造性。
对此，合议组认为：复审请求人声称的区别技术特征“源漏电极与有源层之间形成有合金化膜层，且形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同；合金化膜层通过在有源层的最上层上沉积一层第一种材料的膜层，再通过合金化处理得到；栅绝缘层还设置有暴露出有源层的过孔，源漏电极通过合金化膜层与有源层电连接；合金化膜层的最上层与源漏电极的最底层相接触，合金化膜层的最底层与有源层的最上层相接触，从而降低源漏电极与有源层之间的接触电阻，形成良好的欧姆接触，优化薄膜晶体管的电流-电压特性”已经在对比文件1中公开,权利要求1与对比文件1的区别技术特征仅是：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为激光处理且激光功率为1500-2000W。权利要求7与对比文件1的区别技术特征仅是：所述合金化膜层设置在所述过孔内；合金化处理为采用1500-2000W的激光功率，对所述源漏电极形成区域的钛薄膜及P型硅薄膜进行扫描。
本申请声称要解决的技术问题是通过源漏金属与多晶硅硅化形成合金化膜、以降低接触电阻，而对比文件1也公开了源漏金属与有源层硅硅化形成合金化膜，而形成合金化膜层的第一种材料与形成源漏电极的最底层的材料相同，形成合金化膜层的第二种材料与形成有源层的最上层的材料相同，合金化膜层同样也具有降低接触电阻的技术效果；虽然对比文件1记载了硅化过程中具有吸杂的技术效果，但该效果与降低接触电阻没有冲突。权利要求1、7相对于对比文件1实际解决的问题是：采用合适的工艺进行合金化处理和选择合金化膜层的形成位置。
关于上述区别技术特征和实际解决的技术问题，虽然对比文件1附图4所示的合金化膜层420a、b设置在所述过孔下方，但是由于该合金化膜层是通过源漏电极金属和有源层材料硅化形成，源漏电极金属形成在过孔内，因此对本领域技术人员来说，选择退火工艺将合金化膜层形成在所述过孔内，是本领域技术人员容易想到和实现的，无需付出创造性的劳动，也未带来预料不到的技术效果。而通过激光处理实现合金化是本领域的常规选择，选择合适的激光功率是本领域技术人员根据实际需要可以选择的，且未带来预料不到的技术效果。
综上，合议组对于复审请求人的上述意见不予接受。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年06月05日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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