发明创造名称：具有悬挂式振膜的硅麦克风和具有该硅麦克风的系统
外观设计名称：
决定号：183474
决定日：2019-06-19
委内编号：1F268192
优先权日：
申请（专利）号：201480037706.3
申请日：2014-06-27
复审请求人：歌尔股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：贾杰
合议组组长：王琼
参审员：耿文慧
国际分类号：H04R19/04,B81B7/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求要求保护的技术方案相对于一篇对比文件存在区别特征，但现有技术中给出了将上述区别特征应用到该篇对比文件以解决其技术问题的启示，这种启示会使本领域的技术人员在面对所述技术问题时，有动机改进该篇对比文件以获得要求保护的技术方案，则该项权利要求的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201480037706.3，名称为“具有悬挂式振膜的硅麦克风和具有该硅麦克风的系统”的PCT发明专利申请（下称本申请）。申请人为歌尔股份有限公司。本申请的申请日为2014年06月27日，公开日为2016年02月24日，进入中国国家阶段日为2015年12月30日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年09月04日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定引用的对比文件为：
对比文件1：CN102822084A，公开日为2012年12月12日。
驳回决定所依据的文本为：2015年12月30日进入中国国家阶段时提交的国际申请中文文本的说明书第1-43段（即第1-7页），说明书附图第1-3页，说明书摘要以及摘要附图；2018年08月14日提交的权利要求第1-16项。驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种具有悬挂式振膜的硅麦克风，包括：
硅基底，在所述硅基底中设置有背孔；
柔性振膜，设置在所述硅基底的所述背孔的上方，并且与所述硅基底分离；
穿孔背板，设置在所述振膜的上方，在所述穿孔背板与所述振膜之间夹有空气间隙；以及
精确限定的支撑机构，设置在所述振膜与所述背板之间，所述支撑机构的一端固定在所述振膜的边缘上，其另一端固定在所述背板上，
其中，所述振膜和所述背板用于形成可变电容器的电极板，
其中，所述支撑机构包括环绕地位于所述振膜的边缘上的多个独立的支撑体，
其中，所述支撑结构的加工精度小于1μm。
2. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述支撑机构由选自由金属、半导体和绝缘体组成的组中的一种或多种材料的堆叠层制成。
3. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括设置在所述支撑机构中用于电性引出所述振膜的互连柱。
4. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括凹座，所述凹座从与所述振膜相对的所述穿孔背板的下表面突出。
5. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述柔性振膜形成有堆叠在所述硅基底上的硅器件层的一部分或者多晶硅层，在所述柔性振膜与所述硅基底之间夹有氧化物层。
6. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有CMOS钝化层，在所述CMOS钝化层中嵌入有金属层，所述金属层用作所述背板的电极板。
7. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有多晶硅层或SiGe层。
8. 一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路。
9. 一种具有悬挂式振膜的硅麦克风，包括：
硅基底，在所述硅基底中设置有背孔；
柔性振膜，设置在所述硅基底的所述背孔的上方，并且与所述硅基底分离；
穿孔背板，设置在所述振膜的上方，在所述穿孔背板与所述振膜之间夹有空气间隙；以及
精确限定的支撑机构，设置在所述振膜与所述背板之间，所述支撑机构的一端固定在所述振膜的边缘上，其另一端固定在所述背板上，
其中，所述振膜和所述背板用于形成可变电容器的电极板，
其中，所述支撑机构包括位于所述振膜的边缘上的环形支撑体，
其中，所述支撑结构的加工精度小于1μm。
10. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述支撑机构由选自由金属、半导体和绝缘体组成的组中的一种或多种材料的堆叠层制成。
11. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括设置在所述支撑机构中用于电性引出所述振膜的互连柱。
12. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括凹座，所述凹座从与所述振膜相对的所述穿孔背板的下表面突出。
13. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述柔性振膜形成有堆叠在所述硅基底上的硅器件层的一部分或者多晶硅层，在所述柔性振膜与所述硅基底之间夹有氧化物层。
14. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有CMOS钝化层，在所述CMOS钝化层中嵌入有金属层，所述金属层用作所述背板的电极板。
15. 根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有多晶硅层或SiGe层。
16. 一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路。”
驳回决定中指出：1、独立权利要求1、9相对于对比文件1与本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；2、从属权利要求2-7、10-15的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者属于本领域的惯用手段，因此在独立权利要求1和9不具备创造性的情况下，上述从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；3、独立权利要求8请求保护一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路，独立权利要求16请求保护一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求9所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路，因此在权利要求1和9都不具备创造性的基础上，上述独立权利要求8和16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月10日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，此后，应国家知识产权局于2018年12月17日发出的复审请求补正通知书的要求，复审请求人于2018年12月25日答复上述复审请求补正通知书，同时再次提交了权利要求书的全文修改替换页，修改了独立权利要求1中的技术特征，增加了从属权利要求2、3，删除了权利要求9-16，适应性地修改了权利要求编号及引用关系，形成修改的权利要求1-10。复审请求人于2018年12月25日提交的权利要求书的内容如下：
“1. 一种具有悬挂式振膜的硅麦克风，包括：
硅基底，在所述硅基底中设置有背孔；
柔性振膜，设置在所述硅基底的所述背孔的上方，并且与所述硅基底分离；
穿孔背板，设置在所述振膜的上方，在所述穿孔背板与所述振膜之间夹有空气间隙；
隔离体，形成所述空气间隙的边界；以及
精确限定的支撑机构，环绕地位于所述振膜的边缘上并设置在所述振膜与所述背板之间，所述支撑机构的一端固定在所述振膜的边缘上，其另一端固定在所述背板上，从而所述振膜的振动区域仅由所述支撑机构约束，
其中，所述振膜和所述背板用于形成可变电容器的电极板，
其中，所述背孔的加工精度为20μm，所述支撑结构的加工精度小于1μm。
2. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，所述支撑机构包括多个独立的支撑体。
3. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述支撑机构包括环形支撑体。
4. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述支撑机构由选自由金属、半导体和绝缘体组成的组中的一种或多种材料的堆叠层制成。
5. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括设置在所述支撑机构中用于电性引出所述振膜的互连柱。
6. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，进一步包括凹座，所述凹座从与所述振膜相对的所述穿孔背板的下表面突出。
7. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述柔性振膜形成有堆叠在所述硅基底上的硅器件层的一部分或者多晶硅层，在所述柔性振膜与所述硅基底之间夹有氧化物层。
8. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有CMOS钝化层，在所述CMOS钝化层中嵌入有金属层，所述金属层用作所述背板的电极板。
9. 根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风，其中，
所述穿孔背板形成有多晶硅层或SiGe层。
10. 一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路。”
复审请求人认为：对比文件1中虽然公开了麦克风振膜悬空，互联柱600形成在振膜200中间，对振膜进行中心限制，但是，对比文件1并未公开振膜200的振动区域仅由互联柱600约束，也没有将互联柱修改为移动到振膜边缘的启示；“支撑结构的加工精度小于1um”不是本领域常规设计，本领域技术人员也难以想到由支撑机构的加工精度代替背孔的加工精度来确定在振膜的振动区域中的变化。而本申请精确地限定支撑机构800环绕地位于所述振膜200的边缘上，支撑机构800的一端固定在所述振膜200的边缘上，从而使振膜的振动区域仅由支撑机构约束而非由形成在基底中的背孔约束，有助于精确限定硅麦克风的振膜振动区域，因此提高了硅麦克风的可重复性和可再现性，并且以小于1μm的支撑机构的加工精度确定振膜振动区域中的变化，能够极大地提高硅麦克风的性能一致性，并使硅麦克风具有很高的产率。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月26日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：权利要求1-10仍不具备专利法第22条第3款规定的创造性，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月26日向复审请求人发出复审通知书，该复审通知书针对的文本是：复审请求人于2018年12月25日提交的权利要求第1-10项；2015年12月30日进入中国国家阶段时提交的国际申请中文文本的说明书第1-7页，说明书附图第1-3页，说明书摘要以及摘要附图。
该复审通知书引用的对比文件与驳回决定引用的对比文件相同，即对比文件1。复审通知书中指出：1、独立权利要求1相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；2、从属权利要求2-9的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的惯用手段，因此也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；3、独立权利要求10请求保护一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路，因此在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。同时，针对复审请求人的意见进行了相应地评述。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年05月10日提交了复审无效宣告程序意见陈述书，并未修改申请文件。
复审请求人认为：对比文件1第一、二实施例中的振膜是由硅器件层的一部分形成，振膜并不是与SOI基底彻底分离的，第一实施例（图1）的互联柱对该振膜进行中心限制，避免振膜中心区域由于重力作用与SOI基底的硅基底130分开，第二实施例中（图5）互联柱600’布置在振膜200的边缘上，振膜200与SOI基底不分开，可以看出，本申请背景技术图1与对比文件1的第二实施例的技术方案类似，均为支撑结构布置在振膜的边缘并且振膜与基底不分开的技术方案，对比文件1与本申请为同一申请人，本申请技术方案是复审请求人在对比文件1第二实施例的基础上进行创造性的发明构思做出的，复审请求人在对比文件1的基础上并未想到或无法实现将支撑机构设置于边缘的同时将振膜与基底分离的技术方案。对比文件1第一实施例中互联柱600仅对振膜进行中心限制，不能很好地支撑振膜，无法精确限定振膜的振动区域，而本申请支撑机构800环绕地位于振膜边缘上，振膜的振动区域由支撑机构约束，有助于精确限定硅麦克风的振膜的振动区域，因此提高硅麦克风的可重复性和可再现性。因此权利要求1与对比文件1相比具有创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人于2019年05月10日答复复审通知书时未对申请文件进行修改，本复审请求审查决定所依据的文本与复审通知书依据的审查文本相同，即：复审请求人于2018年12月25日提交的权利要求第1-10项；2015年12月30日进入中国国家阶段时提交的国际申请中文文本的说明书第1-7页，说明书附图第1-3页，说明书摘要以及摘要附图。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
本复审请求审查决定所引用的对比文件与驳回决定、复审通知书所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102822084A，公开日为2012年12月12日。
1、权利要求1请求保护一种具有悬挂式振膜的硅麦克风。对比文件1公开了一种CMOS兼容的MEMS麦克风及其制造方法，并公开了以下技术特征（参见对比文件1说明书第0036段-0044段，图1-3）：
CMOS兼容的MEMS麦克风10包括：绝缘体上的硅膜（SOI）基底100、麦克风振膜200、隔离件300、麦克风背板400、多个突出件500以及互联柱600；
SOI基底100形成背孔140（相当于硅基底，在所述硅基底中设置有背孔）；
SOI基底包含按下述顺序从上到下层叠的硅器件层110、埋氧（BOX）层120和硅基底130，硅基底130和BOX层120中有开口以便露出麦克风振膜200的下表面，振膜200由硅器件层110的一部分形成，该部分由背孔140露出，并且与硅器件层110的用于容纳CMOS电路的其余部分隔开（相当于柔性振膜，设置在所述硅基底的所述背孔的上方，并且与所述硅基底分离）；
麦克风背板400设置在隔离件300之上，在背板400上设置多个通孔430’，通孔430’对应着背板电极420上的通孔430（相当于穿孔背板，设置在所述振膜的上方）；
隔离件300设置在背板400与振膜20之外的硅器件层110之间，在背板和振膜之间形成空气间隙150（相当于在所述穿孔背板与所述振膜之间夹有空气间隙），由图1可知，隔离件形成了空气间隙150的边界（相当于隔离体，形成所述空气间隙的边界）；
互联柱600包括多个电学上互联的单元，互联柱600的上部与背板400的下表面结合，并与内嵌在背板400中的振膜200的引出电极410电连接，而互联柱600的下部与振膜200的中心部的上表面结合（相当于精确限定的支撑机构，设置在所述振膜与所述背板之间，所述支撑机构的一端固定在所述振膜上，其另一端固定在所述背板上）；
该麦克风利用SOI基底的硅器件层形成振动薄膜，由互联柱对振动薄膜进行中心限制，以便使振膜与SOI基底分开并因此使振膜不受任何本振应力的影响，结合图1可知，振膜被悬挂在背板上，振膜的振动区域是由支撑机构约束而不是由硅基底的背孔来约束；
振膜200不仅用作振动薄膜，而且用作可变电容器1000的一个电极板，背板电极420形成可变电容器1000的另一个电极板，与电极板（即振膜200）直接相对（相当于所述振膜和所述背板用于形成可变电容器的电极板）。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1的区别在于：权利要求1中支撑机构环绕地位于振膜的边缘上，其一端固定在所述振膜的边缘上，所述支撑结构的加工精度小于1μm；背孔加工精度为20μm；而对比文件1的支撑机构位于振膜的中心，其一端固定在振膜的中心，且未公开支撑机构和背孔的加工精度。基于上述区别，本申请实际解决的技术问题是如何设置支撑结构的位置和加工精度以更精确地约束振膜的振动区域。
针对上述区别特征，对比文件1公开了通过设置互联柱将振膜悬挂在背板上，由互联柱对振动薄膜进行中心限制，以便将振膜与SOI基底分开使振膜不受本征应力的影响，简化了工艺，提高了MEMS麦克风的性能和制造产率（参见对比文件1说明书第0043-0044段，图1），即对比文件1与本申请一样也是由支撑机构而不是由基底约束振膜的振动区域，已经解决了由不精确的背孔蚀刻工艺引起的振膜振动区域的变化所导致的麦克风低可重复性和可再现性性能的技术问题，克服了由基底引起的振膜应力，从而提高了MEMS麦克风的性能和制造产率，对于本领域技术人员来说，在同样能够解决上述技术问题并实现上述技术效果的前提下，以其他方式布置支撑机构的位置是本领域技术人员的常规选择，因而，本领域技术人员能够想到将支撑机构环绕地设置于振膜的边缘，将支撑机构的一端固定在振膜边缘上以便更精确地约束振膜的振动区域；此外，为了进一步地精准约束振膜振动区域，针对支撑机构的材质特点，使支撑机构加工精度小于1μm，背孔加工精度为20μm也是本领域的惯用手段。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域公知常识以得到权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、从属权利要求2和3分别对权利要求1进行进一步限定。在对比文件1已经公开了设置互联柱将振膜悬挂在背板上，由互联柱对振动薄膜进行中心限制，以便将振膜与SOI基底分开使振膜不受本征应力的影响（参见该对比文件1说明书第0043-0044段，图1）的基础上，在解决与本申请同样的技术问题并实现与本申请同样的技术效果的前提下，以其他方式布置支撑机构的位置是本领域技术人员的常规选择，而为了更准确地约束振膜的振动区域，本领域技术人员能够想到设置多个独立的支撑体来实现支撑机构，或者设置支撑机构包括环形支撑体。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，从属权利要求2、3也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、从属权利要求4对权利要求1进行进一步限定。对比文件1公开了其部分附加技术特征（参见对比文件1说明书第0043段，图1-3）：互联柱600包括多个电学上互联的单元，这些单元一个层叠在另一个上并垂直对齐，如图3所示，每个互联单元包括CMOS电介质氧化物层610（相当于绝缘体）以及形成在其中的通孔620，通孔620填充有第一金属630（诸如铝、钛、铜等等），第一金属顶部沉积相同的或不同的第二金属640（诸如铝、钛、铜等）（相当于自由金属），互联柱外侧形成有隔离墙650，隔离墙由CMOS电介质钝化层（如氮化硅层）形成（相当于所述支撑机构由选自由金属、绝缘体组成的组中的一种或多种材料的堆叠层制成）。而支撑机构包括半导体材料也是本领域惯用手段，因此本领域技术人员能够想到由选自由半导体以及半导体与金属、绝缘体的组的一种或多种材料堆叠形成支撑机构。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、从属权利要求5对权利要求1进行进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1公开（参见对比文件1说明书第0043段）：互联柱600的上部与背板400的下表面结合，并与内潜在背板400中的振膜200的引出电极410电连接（相当于包括设置在所述支撑机构中用于电性引出所述振膜的互连柱）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、从属权利要求6对权利要求1进行进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1公开（参见对比文件1说明书0042-0043、0049段，图1）：多个浅槽500’从CMOS电介质氧化物层310的上表面向下延伸到振膜区上方的某一深度，多个浅槽500’用来形成多个突出件500，多个突出件500设置在背板400的下表面上，并从该下表面垂直地突出到背板400和振膜200之间的空气间隙150中（相当于包括凹座，所述凹座从与所述振膜相对的所述穿孔背板的下表面突出）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、从属权利要求7对权利要求1进行进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1公开（参见对比文件1说明书第0038-0039段）：振膜200由硅器件层110的一部分形成，SOI基底100包含按下述顺序从上到下层叠的硅器件层110、埋氧（BOX）层120和硅基底130（相当于所述柔性振膜形成有堆叠在所述硅基底上的硅器件层的一部分，在所述柔性振膜与所述硅基底之间夹有氧化物层）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、从属权利要求8对权利要求1进行进一步限定。其附加技术特征已被对比文件1公开（参见对比文件1说明书第0041段）：麦克风背板400包括第一CMOS电介质钝化层400a、图案化金属层400b和第二CMOS电介质钝化层400c，并设置在隔离件300之上，图案化金属层400b可以分为彼此分开的振膜200的引出电极410和背板电极420（相当于所述穿孔背板形成有CMOS钝化层，在所述CMOS钝化层中嵌入有金属层，所述金属层用作所述背板的电极板）。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、权利要求9对权利要求1进行进一步限定。其附加技术特征是本领域惯用手段。穿孔背板形成有多晶硅层或SiGe层属于本领域惯用手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
9、权利要求10请求保护一种麦克风系统，包括集成在单一芯片上的根据权利要求1所述的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路。对比文件1公开了（参见对比文件1说明书第0012、0043段，图1）一种CMOS兼容的MEMS麦克风，CMOS电路容纳在该麦克风SOI基底的硅器件层上，互联柱600的下部与该麦克风的振膜的中心上表面结合，互联柱的上部与背板400的下表面结合，由图1可知，该振膜是悬挂式的（相当于麦克风系统，包括集成在单一芯片上的具有悬挂式振膜的硅麦克风和CMOS电路）。在权利要求1不具备创造性的基础上，权利要求10所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人于2019年5月10日陈述的意见，合议组认为：
首先，合议组在对权利要求1创造性的评述中并未引用对比文件1的第二实施例（如图5所示），而仅引用了第一实施例（如图1所示），对比文件1说明书第0044段明确记载了“使振膜与SOI基底分开并因此振膜不受任何本征应力的影响”并且参见对应的图1所示可知，对比文件1的第一实施例中振膜虽然由SOI基底的一部分形成，但振膜与SOI基底是分开的，而并不是如复审请求人所述“振膜200与SOI基底不分开”。基于对比文件1公开的以下内容（参见对比文件1说明书第0043-0044段，图1）：振膜与SOI基底分开，通过在振膜与背板之间设置互联柱，从而将振膜悬挂在背板上，由互联柱对振动薄膜进行中心限制，以便将振膜与SOI基底分开使振膜不受本征应力的影响，简化了工艺，提高了MEMS麦克风的性能和制造产率，即对比文件1与本申请一样，振膜与SOI基底是分离的，振膜被互联柱悬挂在背板上，并且振膜的振动区域也是由支撑机构而不是由SOI基底来约束，已经解决了由不精确的背孔蚀刻工艺引起的振膜振动区域的变化所导致的麦克风低可重复性和可再现性性能的技术问题，克服了由基底引起的振膜应力，从而提高了MEMS麦克风的性能和制造产率，对于本领域技术人员来说，在同样能够解决上述技术问题并实现上述技术效果的前提下，以其他方式布置支撑机构的位置是本领域技术人员的常规选择，因而，为了精确约束振膜的振动区域，本领域技术人员能够想到将支撑机构环绕地设置于振膜的边缘，将支撑机构的一端固定在振膜边缘上。
综上，合议组对复审请求人的意见不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2019年09月04日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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