发明创造名称：静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置
外观设计名称：
决定号：181572
决定日：2019-06-19
委内编号：1F257019
优先权日：2014-02-14
申请（专利）号：201510055458.1
申请日：2015-02-03
复审请求人：欧姆龙株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：李海霞
合议组组长：舒畅
参审员：付强
国际分类号：G01L1/14
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别特征，而这些区别特征或是在其他对比文件的启示下所容易想到的，或是本领域的常规选择或设计，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510055458.1、名称为“静电容量型压力传感器、压力检测器及输入装置”的发明专利申请（下称本申请），本申请的申请日为2015年02月03日，优先权日为2014年02月14日，公开日为2015年08月19日，申请人为欧姆龙株式会社。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年04月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：本申请权利要求1-11不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定引用如下2篇对比文件：
对比文件2：JP 昭61-155831 A，公开日期为1986年07月15日，
对比文件3：US 2007/0141808 A1，公开日期为2007年06月21日。
驳回决定所依据的文本为申请日2015年02月03日提交的说明书第1-92段、说明书附图图1-12、说明书摘要、摘要附图、及权利要求第1-11项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：
P型或N型的半导体基板；
电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；
上基板，其设置于所述电介体层之上；
隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；
固定电极，其设置于所述半导体基板；
反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成。
2. 如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的宽度或与所述上基板的被固定的区域的宽度相等，或比所述上基板的被固定的区域的宽度宽。
3. 如权利要求2所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
从垂直于所述半导体基板的上面的方向观察时，所述反极性层的宽度方向的两侧缘部都与所述上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于所述上基板的被固定的区域的缘部的外侧。
4. 如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述固定电极由形成于所述半导体基板的表层部的、具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，
所述固定电极和所述反极性层分离而形成。
5. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互以相同的深度形成。
6. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互具有相同的杂质浓度。
7. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的一部分不连续地形成，
从所述固定电极延伸的电极延伸部通过变为所述反极性层的不连续的区域。
8. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽。
9. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
在所述半导体基板的上面，在所述上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在所述凹槽的底面之下设有所述反极性层。
10. 一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内。
11. 一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器。”
驳回决定认为：本申请独立权利要求1与对比文件3相比，区别特征在于：（1）半导体基板为P型；反极性层，其在半导体基板的表层部，形成于上基板的被固定的区域的下方，由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成；（2）氧化绝缘层限定为电介体层；凹槽设置在电介体层的下表面。然而，区别特征（1）和（2），或在对比文件2和3给出的启示下，属于本领域技术人员容易想到的常规设计，或是本领域的惯用技术手段。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的惯用技术手段，进而获得权利要求1所请求保护的技术方案相对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-9的附加技术特征，或属于本领域的常规选择，或被对比文件2公开，因而，权利要求2-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求10请求保护一种压力检测器，其将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内，然而，在权利要求1不具备创造性的基础上，且将压力传感器收纳于盒中以形成压力检测器是本领域的惯用技术手段，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的惯用技术手段，进而获得权利要求10所请求保护的技术方案相对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11请求保护一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器，然而，在权利要求1不具备创造性的基础上，且将压力传感器用于输入装置是本领域的惯用技术手段，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的惯用技术手段，进而获得权利要求11所请求保护的技术方案相对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人欧姆龙株式会社（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年07月26日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：对比文件3的半导体压力传感器的构造与本申请不同，对比文件3不具备“电介体层在上面或下面的一方具有凹部，隔膜形成于上基板的与凹部相对的区域”，也没有公开“反极性层”，且没有动机将对比文件3的“绝缘层”置换为本申请的“电介体层”；对比文件2的“外延成长层2”并不是本发明的“提高上基板和半导体基板之间的绝缘性的反极性层”，本领域技术人员没有动机将对比文件2的“外延成长层”应用于对比文件3，对比文件2也没有公开“覆盖半导体基板的上面的电介体层”。因此，本申请具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月01日依法受理了该复审请求，并将本案转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中仍坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3的区别在于：（1）覆盖半导体基板且上基板设置于其上的为电介体层，相应地其具有凹部而非腔部；（2）还具有反极性层，其在半导体基板的表层部，形成于上基板的被固定的区域的下方，由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成；（3）半导体基板还可为P型。然而，区别（1）和（2）在对比文件3第0031段或对比文件2的启示下，属于本领域技术人员容易想到的设计，区别（3）属于本领域的常用技术手段之间的选择。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。其从属权利要求2-9的附加技术特征，或属于本领域技术人员容易想到的常规设计，或被对比文件2公开，因而，权利要求2-9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求10请求保护一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内，然而，在权利要求1不具备创造性的基础上，且将压力传感器收纳于盒中形成压力检测器是本领域技术人员的常规技术手段，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段，进而获得权利要求10所请求保护的技术方案相对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求11请求保护一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器，然而，在权利要求1不具备创造性的基础上，采用压力传感器搭载形成输入装置是本领域的常规技术手段，因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段，进而获得权利要求11所请求保护的技术方案相对于本领域技术人员而言是显而易见的，权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年04月03日提交了意见陈述书，提交了权利要求书全文修改替换页，其中，将2019年02月19日复审通知书所针对的权利要求8的附加技术特征“在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽”并入权利要求1，并根据说明书第10页第4-5行的内容，在权利要求1中增加了特征“所述分离槽的深度比所述固定电极及所述反极性层的深度深”，删除了权利要求8，调整了其余权利要求的编号，修改后的权利要求书如下：
“1. 一种静电容量型压力传感器，其特征在于，具有：
P型或N型的半导体基板；
电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；
上基板，其设置于所述电介体层之上；
隔膜，其形成于所述上基板的与所述凹部相对的区域，并可变形；
固定电极，其设置于所述半导体基板；
反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，
在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽，所述分离槽的深度比所述固定电极及所述反极性层的深度深。
2. 如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的宽度或与所述上基板的被固定的区域的宽度相等，或比所述上基板的被固定的区域的宽度宽。
3. 如权利要求2所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
从垂直于所述半导体基板的上面的方向观察时，所述反极性层的宽度方向的两侧缘部都与所述上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于所述上基板的被固定的区域的缘部的外侧。
4. 如权利要求1所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述固定电极由形成于所述半导体基板的表层部的、具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，
所述固定电极和所述反极性层分离而形成。
5. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互以相同的深度形成。
6. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层和所述固定电极相互具有相同的杂质浓度。
7. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
所述反极性层的一部分不连续地形成，
从所述固定电极延伸的电极延伸部通过变为所述反极性层的不连续的区域。
8. 如权利要求4所述的静电容量型压力传感器，其特征在于，
在所述半导体基板的上面，在所述上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在所述凹槽的底面之下设有所述反极性层。
9. 一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内。
10. 一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器。”
复审请求人认为：对比文件3没有公开本申请的“电介体层，其在上面或下面的一方具有凹部，并覆盖所述半导体基板的上面；反极性层，其在所述半导体基板的表层部，形成于所述上基板的被固定的区域的下方，由具有与所述半导体基板反极性的导电型的杂质层构成”“在所述反极性层和所述固定电极的中间，在所述半导体基板的上面设有分离槽，所述分离槽的深度比所述固定电极及所述反极性层的深度深”；对比文件2的“N型硅外延成长层2形成在P型单晶硅的半导体基板1的表层与固定绝缘层3之间”这一结构与本发明的“反极性层46形成在半导体基板32与上基板35之间”的结构不同，在对比文件2中，在N型硅外延成长层2的面向固定电极31的面上形成绝缘层43，因此，绝缘层43对N型硅外延成长层2与固定电极31之间进行绝缘，但是在对比文件2中，没有必要使N型硅外延成长层2发挥提高P性单晶硅的半导体基板1与固定绝缘层3之间的绝缘性，对比文件2中没有给出在上基板与半导体基板之间形成反极性层来提高上基板与半导体基板之间的绝缘性的任何技术启示，因此，对比文件2的“外延成长层2”并不相当于本申请的“反极性层”，本领域技术人员不能根据对比文件3的不具有电介体层的结构并结合对比文件2的外延成长层2来得出本申请权利要求1的技术方案；本申请由于反极性层是上基板和半导体基板之间的绝缘性提高，压力传感器的寄生电容减小，由于分离槽的设置，使固定电极和反极性层之间的绝缘性进一步提高。因此，本申请具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年04月03日提交了权利要求书全文的修改替换页。因此，本决定以申请日2015年02月03日提交的说明书第1-92段、说明书附图图1-12、说明书摘要及摘要附图，以及2019年04月03日权利要求第1-10项为基础作出。
（二）关于本申请是否符合专利法第22条第3款的问题
专利法第22条第3款规定：创造性是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比，存在区别特征，而这些区别特征或是在其他对比文件的启示下所容易想到的，或是本领域的常规选择或设计，则该权利要求不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
具体到本案，
1、权利要求1不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求1请求保护一种静电容量型压力传感器。对比文件3公开了一种微机电系统压力传感器及其制造和使用方法，并具体公开了以下内容（参见说明书第0012-0040段，图11-20）：
绝缘层可为生长或沉积在晶片上的氧化物层。
导电隔膜可为覆盖腔的薄的柔性隔膜。
导电隔膜可垂直于晶片变形。
传感器的第一部分1100包括形成在第一晶片1120上的导电层1110。
第二部1200包括第二晶片1230，诸如标准的n型低掺杂硅晶片。而且，导电区域1240形成在第二晶片上或内。导电区域1240可包括p 高掺杂植入体。
绝缘层1250形成在第二晶片1230的表面。通过在第二晶片1230上生长绝缘层1250，最终形成的腔的厚度可被控制。
移除部分绝缘层1250。腔C可临近于第二晶片1230的导电区1240形成。根据某些实施例，绝缘层1250的其他部分可被移除以形成参考腔REF C。根据其他实施例，绝缘层1250不从参考腔REF C移除，在这种情形中，该氧化物可被用作参考传感器的电介质代替空气或真空。
第一部分1100的导电层1110随后可被键合到第二部分1200保护层的以形成压力传感器1600。
第一晶片1120被移除。p 硅导电层1110可自动阻止或减慢蚀刻过程。
部分导电层1110可以移除。
金属沉积和掩模可被用于形成：（i）压力电极，其接触腔C上的隔膜，（ii）参考电极，其接触参考腔REF C上的隔膜，（iii）地电极，其接触腔C和参考腔REF C下的导电区1240。
压力传感器1600的压力电极和地电极被用于确定导电隔膜1112和腔C下的导电区1240之间电容的任何变化。也就是说，电容上的变化可被检测到并被用于确定施加到导电隔膜1112上的压力的变化。
压力传感器1600的参考电极和地电极被用于确定参考隔膜1112和参考腔REF C腔C下的导电区1240之间电容的任何变化。参考腔REF C可被用于确定，什么时候与导电隔膜1112有关的电容上的变化是由温度和/湿度变化引起，对照于压力上的变化。参考腔REF C可小于，大于或等于腔C的尺寸。例如，当空气为腔C的电介质而氧化物为参考腔REF C的电介质时，参考腔REF C可小于腔C，因为氧化物具有比空气大的介电常数。
本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，对比文件3也公开了一种静电容量型压力传感器；对比文件3中的n型低掺杂硅晶片1230相当于本申请中的N型半导体基板，对比文件3中的导电层/导电隔膜1110相当于本申请中的上基板；对比文件3中还公开了氧化绝缘层1250形成腔C和参考腔REF C，覆盖n型低掺杂硅晶片1230的上面，相当于公开了氧化绝缘层具有腔部，并覆盖半导体基板的上面；对比文件3中的导电隔膜可为覆盖腔的薄的柔性隔膜，可垂直于晶片变形，相当于公开了形成于上基板的与腔部相对的区域并可变形的隔膜；对比文件3中的导电区域1240相当于本申请中的设置于半导体基板的固定电极。
因此，本申请权利要求1请求保护的技术方案与对比文件3的区别在于：（1）覆盖半导体基板且上基板设置于其上的为电介体层，相应地其具有凹部而非腔部；（2）还具有反极性层，其在半导体基板的表层部，形成于上基板的被固定的区域的下方，由具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成；（3）在反极性层和固定电极的中间，在半导体基板的上面设有分离槽，分离槽的深度比固定电极及反极性层的深度深；（4）半导体基板还可为P型。
由此确定，本申请权利要求1的技术方案实际所要解决的技术问题在于：如何选择电介质以及如何减小寄生电容。
对于区别（1），如前面所引用的，对比文件3还公开了（说明书第0031段），绝缘层1250不从参考腔REF C移除，在这种情形中，该氧化物可被用作参考传感器的电介质代替空气或真空，即，对比文件3第0031段给出了将绝缘层作为电介体层的启示，且相应给出了，不移除腔中的绝缘层以用作电介体层的启示，即给出了电介体层具有凹部的启示，在对比文件3第0031段的启示下，本领域技术人员容易想到将绝缘层形成凹部作为半导体基板与上基板之间的电介体层；
对于区别（2），本申请说明书第9页第3段记载有“通过反极性层，上基板和半导体基板之间的绝缘性提高，因为，作为整体，压力传感器的寄生电容减小”，可见本申请通过采用反极性层来提高上基板和半导体基板之间的绝缘性以减小寄生电容。
而对比文件2公开了一种半导体静电容量型压力传感器，其公开了（参见说明书第2页右下栏-第4页右上栏，图1-5）：
关于图1-2公开了，为了在外延生长层2和增幅器3a之间，以及导线6a与外延生长层2之间进行绝缘，例如，外延生长层2为n型硅层，增幅器3a和导线6a为p型硅层，由此形成p-n接合实现绝缘；然而，由p-n接合形成的绝缘，会在p型和n型之间形成过渡层，该过渡层会形成寄生电容。
关于图4-5公开了，p型硅半导体基板1上外延生长N型硅外延生长层2，从图4可见，n型硅外延生长层位于p型硅半导体基板1的表层，形成在绝缘盖层3的被固定区域的下方，进一步还公开了，43为在外延生长层2上掺杂扩散的被作为P型半导体形成的绝缘层，其围绕N型硅制成的圆板状移动电极41形成。411为降低移动电极41的电阻抗而设置的嵌入n 层。导线51,52由设置在外延生长层2上的n型半导体构成，分别连接移动电极41和比较电极42的一端，511,521为掺杂扩散形成的p型半导体屏蔽体，由此导线51,52之间的寄生电容可为零，移动电极41和比较电极之间的寄生电容可最小化。
可见，对比文件2图1-2部分给出了在上基板和半导体基板之间形成与半导体基板极性相反的反极性层，来提高绝缘性的启示，其提高了上基板和半导体基板之间绝缘性，显然也可以达到与本申请同样的减小其间的寄生电容的目的，图4-5部分进一步给出了在半导体基板的表层部，上基板的被固定的区域的下方，形成与半导体基板反极性的反极性层的启示，以及通过元件层之间的反极性设置来减小寄生电容的启示，而且图4-5部分还进一步解决了，图1-2部分提出的反极性接合之间会形成过渡层，过渡层会形成寄生电容的问题，因此，本领域技术人员会从对比文件2得到启示，并有动机根据该启示将其应用于对比文件3，在半导体基板的表层部，上基板的被固定的区域的下方，形成与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成的反极性层来提高绝缘性以减小寄生电容。
对于区别（3），对比文件2还公开了（参见说明书第2右下栏-4页右上栏，图1-5），电极41和42由n型硅形成，其形成于半导体基板的表层部，具有与半导体基板相反的极性，与相当于反极性层的外延生长层2由p型半导体绝缘层43分离，即对比文件2给出了采用隔离的方式绝缘反极性层和电极的启示，而众所周知，电气部件之间直接形成分离槽也可以起到绝缘的效果，将绝缘层隔离替换为分离槽隔离，属于本领域常用绝缘手段的选择，进一步，为了加强绝缘效果，使分离槽充分隔离反极性层和电极，本领域技术人员容易想到将隔离槽设置的比反极性层和电极更深。
对于区别（4），将N型半导体基板替换选择为P型半导体基板属于本领域常用技术手段之间的选择。
对于复审请求人的争辩意见，合议组认为：如前面关于权利要求1所评述的，本申请与对比文件3相比存在区别，而对比文件3第0031段给出了将绝缘层作为电介体层的启示，且相应给出了，不移除腔中的绝缘层以用作电介体层的启示，即给出了电介体层具有凹部的启示，在对比文件3第0031段的启示下，本领域技术人员容易想到将绝缘层形成凹部作为半导体基板与上基板之间的电介体层；此外，对比文件2的图1-2部分给出了在上基板和半导体基板之间形成与半导体基板极性相反的反极性层，来提高绝缘性以减小寄生电容的启示，进一步，由图4可见，p型硅半导体基板1上外延生长N型硅外延生长层2，n型硅外延生长层位于p型硅半导体基板1的表层，形成在绝缘盖层3的被固定区域的下方，即外延生长层相当于本申请中的反极性层，而且绝缘层43为在外延生长层2上掺杂扩散的被作为P型半导体形成的绝缘层，且从图4可见，其本身为P型半导体基板1的一部分，即使对比文件2的绝缘层43对N型硅外延生长层2与固定电极31之间进行绝缘，也并不影响n型硅外延生长层发挥提高P型半导体基板与固定绝缘层之间的绝缘性的作用，且n型硅外延生长层本身由于其与半导体基板极性相反，也起到了这样的作用，其相当于本申请中的反极性层，因而，本领域技术人员能从对比文件2获得在上基板和半导体基板之间形成与半导体基板极性相反的反极性层，来提高绝缘性的启示；另外，对比文件2还给出了采用隔离的方式绝缘反极性层和电极的启示，而众所周知，电气部件之间直接形成分离槽也可以起到绝缘的效果，将绝缘层隔离替换为分离槽隔离属于本领域常用绝缘手段的灵活选择，为了加强绝缘效果将隔离槽设置的比反极性层和电极更深，也是本领域技术人员容易想到的。因此，复审请求人的主张不能成立。
因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-3不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
从属权利要求2进一步限定权利要求1的技术方案为“反极性层的宽度或与上基板的被固定的区域的宽度相等，或比上基板的被固定的区域的宽度宽”，从属权利要求3进一步限定权利要求2的技术方案为“从垂直于半导体基板的上面的方向观察时，反极性层的宽度方向的两侧缘部都与上基板的被固定的区域的缘部重叠，或位于上基板的被固定的区域的缘部的外侧”，然而，这些均是本领域技术人员为了提高绝缘效果所容易想到的技术手段，因为众所周知，绝缘层覆盖的越充分，绝缘效果越好。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、权利要求4不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
从属权利要求4进一步限定权利要求1的技术方案为“固定电极由形成于半导体基板的表层部的、具有与半导体基板反极性的导电型的杂质层构成，固定电极和反极性层分离而形成”，然而，对比文件2还公开了（参见说明书第2右下栏-4页右上栏，图1-5），电极41和42由n型硅形成，其形成于半导体基板的表层部，具有与半导体基板相反的极性，与相当于反极性层的外延生长层2由p型半导体绝缘层43分离，且对比文件2也公开了采用掺杂扩散形成杂质层的手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求5-6不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
从属权利要求5-6进一步限定权利要求4的技术方案为“反极性层和固定电极相互以相同的深度形成”，“反极性层和固定电极相互具有相同的杂质浓度”，然而，这是本领域技术人员为了简化制造工序所容易想到的常规技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
5、权利要求7不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
从属权利要求7进一步限定权利要求4的技术方案为“反极性层的一部分不连续地形成，从固定电极延伸的电极延伸部通过变为反极性层的不连续的区域”，然而，这是本领域技术人员容易想到的相应于电子器件布置而进行的常规设计。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
6、权利要求8不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求8进一步限定权利要求4的技术方案为“在半导体基板的上面，在上基板的被固定的区域的下方形成凹槽，在凹槽的底面之下设有反极性层”，然而，众所周知，电气部件之间，距离越大，绝缘效果越好，而通过形成凹槽来拉开电气部件的距离的，是本领域技术人员容易想到的技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
7、权利要求9不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求9请求保护一种压力检测器，将权利要求1所述的静电容量型压力传感器收纳在盒内，对比文件3公开了一种微机电系统压力传感器及其制造和使用方法，其具体公开的内容参见前面关于权利要求1评述时所引用的，且如前面关于权利要求1所评述的，权利要求1不具备创造性，而且，将压力传感器收纳于盒内形成压力检测器，是本领域技术人员适应实际应用需求的检测设备的常用技术手段。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段得到权利要求9请求保护的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，权利要求9不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
8、权利要求10不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。
权利要求10请求保护一种输入装置，搭载有权利要求1所述的静电容量型压力传感器，对比文件3公开了一种微机电系统压力传感器及其制造和使用方法，其具体公开的内容参见前面关于权利要求1评述时所引用的，且如前面关于权利要求1所评述的，权利要求1不具备创造性，而且，采用压力传感器搭载形成输入装置，是本领域技术人员形成输入装置的常用技术手段。因此，在对比文件3的基础上结合对比文件2以及本领域的常规技术手段得到权利要求10请求保护的技术方案，对本领域普通技术人员来说是显而易见的，权利要求10不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，本申请权利要求1-10的技术方案不符合专利法第22条第3款的规定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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