发明创造名称：鳍式场效应管的形成方法
外观设计名称：
决定号：181542
决定日：2019-06-19
委内编号：1F266521
优先权日：
申请（专利）号：201410181377.1
申请日：2014-04-30
复审请求人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨嘉
合议组组长：陈冬冰
参审员：林少华
国际分类号：H01L21/336
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410181377.1，发明名称为“鳍式场效应管的形成方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，申请日为2014年04月30日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-4、10-17不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2014年04月30日提交的权利要求第1-17项、说明书第1-13页、说明书附图第1-5页、说明书摘要、摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；
采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；
在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；
对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；
去除所述图形化的光刻胶层；
去除所述屏蔽层。
2. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为高纵宽比沉积工艺。
3. 如权利要求2所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述主源气体为硅源气体，所述氧源气体为O2。
4. 如权利要求3所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述高纵宽比沉积工艺为高纵宽比化学气相沉积工艺，且高纵宽比化学气相沉积工艺的工艺参数为：硅源气体流量为20sccm至2000sccm，氧源气体流量为10sccm至1000sccm，反应腔室压强为1毫托至50托，反应腔室温度为450度至800度。
5. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述沉积工艺为原子层沉积工艺。
6. 如权利要求5所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述主源气体为硅源气体，所述氧源气体为O2。
7. 如权利要求6所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述原子层沉积工艺的工艺参数为：硅源气体流量为20sccm至2000sccm，氧源气体流量为10sccm至1000sccm，反应腔室压强为1毫托至50托，反应腔室温度为0度至120度，射频功率为1000瓦至3000瓦。
8. 如权利要求5所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在形成所述屏蔽层之后还包括步骤：对所述屏蔽层进行退火处理。
9. 如权利要求8所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述退火处理的工艺参数为：退火温度为550度至1150度，退火时长为20min至150min，退火处理在N2或He氛围下进行。
10. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述屏蔽层的材料为氧化硅。
11. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀、湿法刻蚀或干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的工艺去除所述屏蔽层。
12. 如权利要求11所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为氢氟酸溶液；通过SiCoNi刻蚀系统执行所述干法刻蚀工艺，干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括NH3和HF。
13. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述显影处理的显影液为含有四甲基氢氧化铵的显影液。
14. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，鳍部的形成步骤包括：提供初始基底；在所述初始基底表面形成图形化的牺牲层；在所述初始基底表面形成紧挨牺牲层的侧墙层；去除所述牺牲层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀初始基底形成鳍部，刻蚀后的初始基底为衬底。
15. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，在相邻鳍部之间的衬底表面形成有隔离层，且隔离层顶部表面低于鳍部顶部表面，屏蔽层位于隔离层表面。
16. 如权利要求15所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，采用流体化学气相沉积工艺形成所述隔离层。
17. 如权利要求1所述鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，所述掺杂工艺为离子注入工艺，离子注入的注入离子为N型离子或P型离子。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件1：US2013/0052813A1，公开日为2013年02月28日。
驳回决定认为：
①权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征在于：沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体。然而该区别技术特征属于本领域的公知常识，因此该权利要求所要求保护的技术方案不具备创造性。
②权利要求2-4、10-17的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的公知常识。因此权利要求2-4、10-17所要求保护的技术方案不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月19日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。
复审请求人认为：
公知常识证据（《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》，Peter Van Zant，第244页，第262页，电子工业出版社，2004年10月）并未涉及CVD沉积绝缘膜的形成过程中会对所覆盖的表面产生何种影响，更未涉及如何减少甚至消除对所覆盖的表面产生的影响。相对于对比文件1，本申请解决的技术问题仍然是：如何减少甚至消除形成屏蔽层时对鳍部材料的消耗。本申请正是发现了形成屏蔽层时会对鳍部材料造成消耗这一问题，才会想到对形成屏蔽层的工艺进行改进，以减少甚至消除形成屏蔽层时对鳍部材料的消耗。本领域技术人员没有动机将对比文件1的技术方案进行改进，对比文件1公开了采用CVD沉积工艺形成屏蔽层，但是并非采用任意反应气体进行沉积工艺均可以减少甚至消除形成屏蔽层时对鳍部材料的消耗，在本申请中，由于沉积工艺的反应气体中的主源气体为含有鳍部材料原子的气体，在采用所述沉积工艺形成屏蔽层时，由于主源气体中含有鳍部材料的原子，氧源气体主要与主源气体发生反应，故可以有效的减少氧源气体与鳍部材料发生氧化反应的概率，减少鳍部材料的消耗，使得形成屏蔽层后，鳍部仍保持有较好的特征尺寸。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月23日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：首先，本申请采用沉积工艺形成保护层以减少对于保护层的消耗，而采用热氧化工艺时鳍部材料为硅，保护层材料为氧化硅，则在采用沉积工艺时主源气体包含鳍部材料的原子。其次，《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》（Peter Van Zant，第244页、第262页，电子工业出版社，2004年10月）公开了：CVD沉积绝缘膜需要所需的原子或分子的化学物质在反应室混合并在气态下反应，形成薄膜。可见，对比文件1（参见说明书第[0015]段）公开的“氧化层8通过CVD或ALD等沉积工艺形成”的方法中的CVD沉积工艺需要额外通入反应气体进行反应，并不会消耗鳍部，即对比文件1已经实现了本申请减少鳍部消耗的效果，因此基于区别技术特征“沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体”，本申请实际解决的技术问题是如何选择沉积反应气体。再者，关于沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，根据屏蔽层材料需要，主源气体为含有鳍部材料原子的气体，是本领域技术人员的常规选择；对比文件1（参见说明书第[0014]-[0015]段）公开了：衬底材料可以是硅、锗、硅锗等，氧化层8可以是热氧化、CVD或ALD，氧化层8可以热氧化形成说明氧化层8可以是鳍部材料的氧化物，那么在其采用CVD工艺形成时，容易想到沉积工艺主源气体包含鳍部材料的原子。综上，复审请求人的意见陈述不成立。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月10日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-17相对于对比文件1和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：第一，本申请采用沉积工艺替代热氧化工艺来形成保护层，沉积工艺中的主源气体含有鳍部材料的原子，如SiH4、SiH2Cl2，使得氧源气体主要与主源气体发生反应，减少氧源气体与鳍部材料发生反应的概率，减少甚至消除鳍部材料的消耗。然而，对比文件1恰恰公开了采用沉积工艺在鳍上形成氧化层8。在对比文件1已经公开了采用沉积工艺在鳍的表面形成氧化层8的基础上，本领域技术人员容易想到选用SiH4、SiH2Cl2、氧气用于沉积氧化硅，因为这些气体是本领域CVD工艺形成氧化硅非常常用的气源（参见公知常识证据：《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》，Peter Van Zant，电子工业出版社，2004年10月，第244、256-257、262页）。因此，本领域技术人员在对比文件1的基础上容易想到采用本领域公知的SiH4、SiH2Cl2作为CVD的主源气体，从而获得“进一步减少甚至消除形成屏蔽层时对鳍部材料的消耗”的技术效果。
复审请求人于2019年05月20日提交了意见陈述书和权利要求书的全文修改替换页，包括权利要求第1-11项，所作的修改为：在驳回决定所针对的权利要求书的基础上，删除权利要求1、5-9，将权利要求2作为权利要求1，并适应性地调整了权利要求的编号与引用关系。修改后的权利要求1内容如下：
“1. 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；
采用沉积工艺形成覆盖于所述鳍部表面的屏蔽层，且所述沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，其中，主源气体为含有鳍部材料原子的气体；
在所述屏蔽层表面形成光刻胶膜；
对所述光刻胶膜进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶层；
以所述图形化的光刻胶层为掩膜，对部分鳍部进行掺杂工艺；
去除所述图形化的光刻胶层；
去除所述屏蔽层；
其中，所述沉积工艺为高纵宽比沉积工艺。”
复审请求人认为：
修改后的权利要求1相对于对比文件1的区别技术特征在于：1）沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，主源气体为含有鳍部原材料的气体；2）所述沉积工艺为高纵宽比沉积工艺。上述区别技术特征实际解决的技术问题是：如何在形成氧化层时进一步减少甚至消除鳍部材料的消耗的同时，提高所形成的屏蔽层的硬度，以更有效地保护鳍部不受损伤。采用高纵宽比沉积工艺形成屏蔽层，并非本领域常规选择。对比文件1中并未公开采用高纵宽比沉积工艺形成氧化层8以及氧化层8存在硬度差的问题，基于对比文件1，本领域技术人员不会想到解决如何提高所形成的屏蔽层的硬度，以更有效地保护鳍部不受损伤这一问题，也没有动机去发现导致该问题存在的原因，更无法想到解决该问题所采用的技术手段。现有技术中并未公开可以采用高纵宽比沉积工艺形成覆盖于鳍部14表面的氧化层8，以改善氧化层8的硬度。而本申请中明确记载：采用高纵宽比沉积工艺形成所述屏蔽层108的好处在于：形成的屏蔽层104的硬度较大，能够很好的防止后续的显影液通过屏蔽层108接触到鳍部104表面，有效的保护鳍部104不受到损伤（参见说明书第[0068]段）。区别技术特征2）不是本领域常规技术选择。在对比文件1及现有技术中均未记载采用原子层沉积工艺形成的氧化层8存在硬度差的问题的情况下，本领域技术人员没有动机去改变氧化层8的形成工艺，以提高氧化层8的硬度。而发现屏蔽层存在硬度差的问题，并想到解决该问题的技术手段，是需要付出创造性劳动的。故修改后的权利要求1具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
在复审程序中，复审请求人于2019年05月20日提交了权利要求书的全文修改替换页。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：复审请求人于申请日2014年04月30日提交的说明书第1-13页、说明书附图第1-5页、说明书摘要、摘要附图；于2019年05月20日提交的权利要求第1-11项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近的现有技术的对比文件存在区别技术特征，如果该区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US2013/0052813A1，公开日为2013年02月28日。
（2-1）权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种鳍式场效应管的形成方法，对比文件1公开了一种鳍式场效应管的形成方法，并具体公开了以下技术特征（参见说明书第[0013]-[0029]段，附图2-5）：提供衬底2，衬底2表面形成有若干分立的鳍部14；采用CVD、ALD或者其他沉积方式形成覆盖于14鳍部表面的氧化层8（即采用沉积工艺形成覆盖于鳍部表面的屏蔽层）；在氧化层8表面形成图形化的光刻胶层20，包括在氧化层8表面形成光刻胶，对光刻胶进行曝光处理以及显影处理，形成图形化的光刻胶20；以图形化的光刻胶层20为掩膜，对鳍部14进行掺杂工艺；去除图形化的光刻胶层20；去除氧化层8。
权利要求1与对比文件1的区别技术特征在于：沉积工艺的反应气体包括主源气体和氧源气体，主源气体为含有鳍部材料原子的气体，沉积工艺为高纵宽比沉积工艺。基于上述区别技术特征，该权利要求实际解决的技术问题是：在形成氧化层时进一步减少甚至消除鳍部材料的消耗，如何在高纵宽比沟槽中沉积高硬度的薄膜。
在半导体领域，FinFET的鳍材料常用的是Si，那么在Si材料鳍上形成的氧化层多为氧化硅。而本领域化学气相沉积形成氧化硅层时，常用的气体为硅烷（SiH4） 氧气，或二氯硅烷（SiH2Cl2） 氧气。在对比文件1已经公开了可以采用化学气相沉积工艺形成氧化层8的基础上，采用常规的SiH4或SiH2Cl2作为主源气体、采用氧气作为氧源气体是本领域技术人员的常规选择，属于本领域的公知常识（参见：《芯片制造-半导体工艺制程实用教程》，Peter Van Zant，电子工业出版社，2004年10月，其在第244、256-257、262页公开了：CVD沉积绝缘膜需要所需的原子或分子的化学物质在反应室混合并在气态下反应，形成薄膜，CVD沉积的化学源包括SiH4、SiH2Cl2、氧气等）。此外，采用硅源气体和氧源气体进行高纵宽比沉积，以沉积具有高纵宽比的薄膜，是本领域技术人员的常规选择，同样属于本领域的公知常识（参见：《硅集成电路工艺基础》，关旭东，北京大学出版社，2003年10月，其在第140、141页公开了：TEOS（正硅酸四乙酯）为源的低温PECVD沉积二氧化硅，可对深宽比为0.8（低深宽比）的沟槽实现无空隙填充；采用TEOS与臭氧混合源的二氧化硅沉积，可以填充深宽比大于6:1（高深宽比）的沟槽）。由于高深宽比沉积工艺实现了无空隙填充，因此，该工艺能够提高所沉积薄膜的硬度。公知常识证据中记载的高深宽比沟槽的填充工艺为PECVD工艺，属于本申请说明书所记载的高纵宽比化学气相沉积工艺。沉积的薄膜必然具有很好的厚度一致性以及合适的硬度。因此，在对比文件1的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案是显而易见的，权利要求1所请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-2）权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2-3是从属权利要求，如前所述，主源气体为硅源气体、氧源气体为氧气，是本领域的公知常识；选择高纵宽比沉积工艺为高纵宽比化学气相沉积工艺，且将工艺参数选择为：硅源气体流量为20sccm至2000sccm，氧源气体流量为10sccm至1000sccm，反应腔室压强为1毫托至50托，反应腔室温度为450度至800度，是本领域技术人员根据实际需要而进行的常规技术选择。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2-3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-3）权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求4是从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0014]-[0016]段）：衬底2可以是硅，氧化层8可以是热氧化形成，即氧化层8可以是氧化硅。而采用CVD，ALD或者其他沉积方式形成覆盖于鳍部表面的氧化硅，是本领域技术人员的容易想到的，不需要付出创造性的劳动。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-4）权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求5是从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0025]段）：采用湿法刻蚀工艺去除氧化层8。而是否选择采用干法刻蚀或干法刻蚀和湿法刻蚀相结合的工艺去除所述屏蔽层，是本领域技术人员根据实际需要而进行的常规技术选择。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-5）权利要求6不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求6是从属权利要求，选择湿法刻蚀工艺的刻蚀液体为氢氟酸溶液；通过SiCoNi刻蚀系统执行所述干法刻蚀工艺，干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括NH3和HF，是本领域常用的技术手段。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-6）权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求7是从属权利要求，选择含有四甲基氢氧化铵的显影液是本领域常用的技术手段。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-7）权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求8是从属权利要求，鳍部的形成步骤包括：提供初始基底，在所述初始基底表面形成图形化的牺牲层，在所述初始基底表面形成紧挨牺牲层的侧墙层，去除所述牺牲层；以所述侧墙层为掩膜刻蚀初始基底形成鳍部，刻蚀后的初始基底为衬底，是本领域形成鳍的常用的技术手段。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-8）权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求9是从属权利要求，对比文件1公开了（参见说明书第[0015]段，附图2）：在相邻鳍部之间的衬底表面形成有隔离层6，且隔离层6顶部表面低于鳍部14顶部表面，氧化层8位于隔离层表面。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-9）权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10是从属权利要求，选择采用流体化学气相沉积工艺形成所述隔离层，是本领域技术人员根据实际需要而进行的常规技术选择。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（2-10）权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11是从属权利要求，对比文件1公开了其附加技术特征（参见说明书第[0020]段）：掺杂工艺为离子注入工艺，离子注入包括N阱离子注入、P阱离子注入，即注入离子为N型离子或P型离子。因此，在所引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见
对于复审请求人在答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
（1）关于“硬度”，本申请在说明书第[0028]、[0030]、[0068]、[0074]、[0108]、[0110]段中记载了“硬度”，分别记载了“采用高纵宽比沉积工艺形成所述屏蔽层，形成的屏蔽层具有较大的硬度”、“采用原子层沉积工艺形成屏蔽层后，对所述屏蔽层进行退火处理，提高屏蔽层的致密性和硬度”、“采用高纵宽比沉积工艺形成所述屏蔽层108的好处在于：首先……再次，形成的屏蔽层104的硬度较大”、“对所述屏蔽层108进行退火处理，提高屏蔽层108的致密性，从而提高屏蔽层108 的硬度”、“采用高纵宽比沉积工艺形成所述屏蔽层，形成的屏蔽层具有较大的硬度”、“采用原子层沉积工艺形成屏蔽层后，对所述屏蔽层进行退火处理，提高屏蔽层的致密性和硬度”，可见本申请记载了：高纵宽比沉积工艺、原子层沉积工艺 退火能够提高屏蔽层的硬度。
（2）关于高纵宽比沉积工艺，公知常识证据《硅集成电路工艺基础》（关旭东，北京大学出版社，2003年10月）在第140、141页公开了：TEOS（正硅酸四乙酯[Si(OC2H5)4]）为源的低温PECVD沉积二氧化硅，可对深宽比为0.8（低深宽比）的沟槽实现无空隙填充；采用TEOS与臭氧混合源的二氧化硅沉积，可以填充深宽比大于6:1（高深宽比）的沟槽。可见采用TEOS（即硅源气体）和臭氧（即氧源气体）进行纵宽比大于6:1（即高纵宽比）的沉积工艺，是本领域的公知常识。由于高深宽比沉积工艺实现了无空隙填充，因此，该工艺能够提高所沉积薄膜的硬度。公知常识证据中记载的高深宽比沟槽的填充工艺为PECVD工艺，属于本申请说明书所记载的高纵宽比化学气相沉积工艺。沉积的薄膜必然具有很好的厚度一致性以及合适的硬度。事实上，对比文件1公开了采用原子层沉积工艺（说明书第[0015]段），采用原子层沉积工艺能够获得良好致密性薄膜是本领域的公知常识，即对比文件1意识到了对于保护鳍部需要具有一定硬度的薄膜。而在高深宽比沟槽沉积中，为了避免沉积的薄膜厚度不均匀，避免所沉积的薄膜出现空隙，本领域技术人员有动机采用公知常识证据中列举的高深宽比沉积工艺，使得沉积得到的薄膜具有良好的均匀性以及合适的硬度，以对鳍部进行有效保护。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，合议组现作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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