发明创造名称：用于层叠封装架构的嵌入式结构
外观设计名称：
决定号：181378
决定日：2019-06-18
委内编号：1F243472
优先权日：2012-09-29
申请（专利）号：201380004585.8
申请日：2013-06-28
复审请求人：英特尔公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：刘天飞
合议组组长：武建刚
参审员：刘永欣
国际分类号：H01L23/64,H01L23/66
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征属于本领域常规技术手段，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380004585.8，名称为“用于层叠封装架构的嵌入式结构”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为英特尔公司，申请日为2013年06月28日，优先权日为2012年09月29日，公开日为2014年09月10日，PCT申请进入国家阶段日为2014年06月27日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2017年10月11日发出驳回决定，以权利要求1-22不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2014年06月27日进入中国国家阶段时提交的国际申请的中文译文说明书第1-11页、说明书附图第1-7页、说明书摘要、摘要附图；2017年06月08日提交的权利要求第1-22项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种组件，包括：
管芯，所述管芯嵌入在多层衬底中的电介质层中；
电介质区域，所述电介质区域嵌入在所述多层衬底中的电介质层中；
多层衬底，所述多层衬底包括管芯侧和焊盘侧，电介质区域和电介质层延伸至所述管芯侧；
在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；以及
在电介质区域中的多个通孔，所述通孔延伸至所述管芯侧上的所述焊盘。
2. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，进一步包括在电介质层中的耦合至所述电介质区域中的通孔的多个通孔。
3. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，嵌入在电介质区域中的管芯为第一管芯，所述组件进一步包括定位于衬底的管芯侧上的管芯上的附加的管芯。
4. 如权利要求3所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至焊盘的衬底，其中所述衬底在第二管芯上延伸。
5. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至焊盘的衬底。
6. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，嵌入在电介质层中的电介质区域为第一电介质区域，所述组件进一步包括嵌入在电介质层中的第二电介质区域，所述第二电介质区域通过第一电介质区域与管芯侧隔开。
7. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述电介质区域围绕上部电介质层中的管芯延伸。
8. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述电介质区域包括多个间隔开的电介质区域。
9. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述多层衬底包括无芯衬底。
10. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述管芯包括硅管芯，所述硅管芯包括硅通孔。
11. 如权利要求6所述的组件，其特征在于，在第一电介质区域中的通孔为第一通孔，其中第二电介质区域包括其中的多个第二通孔，其中至少一些第二通孔从至少一些第一通孔偏移并且电耦合至所述至少一些第一通孔。
12. 一种组件，包括：
多层衬底，所述多层衬底包括焊盘侧和管芯侧；
第一管芯，所述第一管芯嵌入在所述多层衬底的第一电介质层中，所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开；
在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
第一电介质区域，所述第一电介质区域嵌入在第一电介质层中；
在第一电介质区域中的多个第一通孔，所述第一通孔电耦合至管芯侧上的所述焊盘；
第二电介质区域，所述第二电介质区域嵌入在所述第一电介质层中；以及在第二电介质区域中的多个第二通孔，所述多个第二通孔电耦合至在第一电介质区域中的通孔；
其中所述第一电介质区域定位在所述第二电介质区域和所述管芯侧之间。
13. 如权利要求12所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底。
14. 如权利要求12所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的第一管芯的第二管芯。
15. 如权利要求14所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底，其中所述第二管芯定位在所述衬底和所述管芯侧之间。
16. 一种方法，包括：
提供无芯载体；
在所述无芯载体上形成层叠封装的多个金属焊盘区域；
在所述无芯载体上和在金属焊盘区域上形成第一电介质层；
图案化第一电介质层以形成覆盖金属焊盘区域的电介质区域并且形成暴露无芯载体的腔，所述腔的尺寸被制定成容纳管芯，多个硅通孔在所述管芯中，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述腔中定位管芯；
形成通过电介质区域的第一开口以暴露金属焊盘区域的表面；
在所述第一开口中沉积金属；以及
在管芯上和电介质区域上形成第二电介质层，使得管芯和电介质区域嵌入在第二电介质层中。
17. 如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在形成第二电介质层之后，形成通过第二电介质层的第二开口并且在所述第二开口中沉积金属；
形成多个附加的电介质层和在所述多个附加的电介质层中的金属通路；以及
移除所述无芯载体。
18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括，在移除所述无芯载体之后，将衬底耦合至金属焊盘区域。
19. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括，在移除所述无芯载体之后，将附加的管芯耦合至嵌入在所述第二电介质层中的管芯。
20. 如权利要求19所述的方法，其特征在于，进一步包括将电子器件耦合至金属焊盘区域，其中所述电子器件被定位成覆盖所述附加的管芯。
21. 如权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括，在所述第一开口中沉积金属之后，并且在腔中定位管芯之前；
在电介质区域上和在金属上形成补充的电介质层；
图案化所述补充的电介质层以在第一电介质区域上形成第二电介质区域；
在所述第二电介质区域中形成第三开口；以及
在所述第三开口中沉积金属。
22. 如权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括将所述第三开口定位在第二电介质区域中以从第一电介质区域中的所述第一开口偏移。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件2：TW200610108A，公开日为：2006年03月16日；
对比文件3：CN102640283A，公开日为：2012年08月15日。
驳回决定的具体理由是：（i）权利要求1与对比文件2之间的区别技术特征为：（1）权利要求1的组件中埋入的是管芯，而对比文件2公开的是内建电子构件，伴随该区别技术特征还产生了另一区别，即对比文件2未公开所述管芯侧；（2）在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；（3）在所述管芯侧上的层叠的多个焊盘；权利要求12与对比文件2之间的区别技术特征为：（1）权利要求12的组件中埋入的是管芯，而对比文件2公开的是内建电子构件，伴随该区别技术特征还产生了另一区别，即对比文件2未公开所述管芯侧；（2）还包括多个附加的电介质层介于第一电介质层与焊盘侧之间；（3）在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；（4）包括在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；权利要求16与对比文件3之间的区别技术特征为：（1）在无芯载体上形成了金属焊盘区域；（2）多个硅通孔在所述管芯中，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；（3）无芯载体上形成的是层叠封装的多个金属焊盘区域。然而上述区别技术特征是本领域常规技术手段，属于公知常识。（ii）从属权利要求2、6、9、11的附加技术特征被对比文件2公开，从属权利要求3、7、8、10、14的附加技术特征是在对比文件2公开内容的基础上结合本领域常规选择容易想到的，从属权利要求4、5、13、15的部分附加技术特征被对比文件2所公开，其余附加技术特征是本领域常规选择；从属权利要求17的附加技术特征被对比文件3公开，从属权利要求18、19、20、22的附加技术特征是本领域常规选择，从属权利要求21的附加技术特征被对比文件2公开，因此权利要求1-22不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年01月26日向国家知识产权局提出了复审请求，并提交了权利要求书的全文修改替换页（包括22项权利要求），其中仅对权利要求1、12、16进行了修改。新修改的权利要求1、12、16内容如下：
“1. 一种组件，包括：
管芯，所述管芯嵌入在多层衬底中的电介质层中；
电介质区域，所述电介质区域嵌入在所述多层衬底中的电介质层中；
多层衬底，所述多层衬底包括管芯侧和焊盘侧，电介质区域和电介质层延伸至所述管芯侧；
在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
在电介质区域中的多个通孔，所述通孔延伸至所述管芯侧上的所述焊盘；以及
多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘。”
“12. 一种组件，包括：
多层衬底，所述多层衬底包括焊盘侧和管芯侧；
第一管芯，所述第一管芯嵌入在所述多层衬底的第一电介质层中，所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开；
在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
第一电介质区域，所述第一电介质区域嵌入在第一电介质层中；
在第一电介质区域中的多个第一通孔，所述第一通孔电耦合至管芯侧上的所述焊盘；
多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述第一电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘；
第二电介质区域，所述第二电介质区域嵌入在所述第一电介质层中；以及
在第二电介质区域中的多个第二通孔，所述多个第二通孔电耦合至在第一电介质区域中的通孔；
其中所述第一电介质区域定位在所述第二电介质区域和所述管芯侧之间。”
“16. 一种方法，包括：
提供无芯载体；
在所述无芯载体上形成层叠封装的多个金属焊盘区域；
在所述无芯载体上和在金属焊盘区域上形成第一电介质层；
图案化第一电介质层以形成覆盖金属焊盘区域的电介质区域并且形成暴露无芯载体的腔，所述腔的尺寸被制定成容纳管芯，多个硅通孔在所述管芯中，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸，多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述层叠封装的多个金属焊盘区域；
在所述腔中定位管芯；
形成通过电介质区域的第一开口以暴露金属焊盘区域的表面；
在所述第一开口中沉积金属；以及
在管芯上和电介质区域上形成第二电介质层，使得管芯和电介质区域嵌入在第二电介质层中。”
复审请求人认为：将独立权利要求1修改进一步记载“多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘”。对独立权利要求12、16作出类似的修改。权利要求1、12、16具备专利法第22条第3款规定的创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年02月27日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：权利要求中新增加的技术特征“导电通路”在原说明书、原权利要求中均未出现，驳回决定所针对的文本中已经限定了，包括延伸穿过电介质区域的通孔。本次修改在权利要求里限定还存在延伸穿过电介质区域的导电通路。权利要求书中没有限定出导电通路指的就是通孔被填充后形成的通路，原说明书中并未提及这种电介质区域里既有通孔又有导电通路的技术方案。因此，本次修改超范围，不符合专利法第33条的规定。如果认为“导电通路”是指由类似附图2中130b-132a-130a组成的通孔-焊盘-通孔结构，对比文件2也是公开了该特征的，参见对比文件2附图13中的19b-18c-18b组成的路由通路。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年08月27日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1中新增了技术特征“多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘”，权利要求12中新增了技术特征“多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述第一电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘”，权利要求16中新增了技术特征“多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述层叠封装的多个金属焊盘区域”，上述内容超出了原始提交的国际申请文件的权利要求书和说明书记载的范围，权利要求1、12、16不符合专利法第33条的规定。同时指出即使复审请求人删除上述新增加的技术特征以克服修改超范围的缺陷，修改后的权利要求1-22相对于对比文件2和本领域公知常识的结合也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2018年10月11日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（包括18项权利要求），答复复审通知书时新修改的权利要求书内容如下：
“1. 一种组件，包括：
管芯，所述管芯嵌入在多层衬底中的电介质层中；
电介质区域，所述电介质区域嵌入在所述多层衬底中的电介质层中；
多层衬底，所述多层衬底包括管芯侧和焊盘侧，电介质区域和电介质层延伸至所述管芯侧；
在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
在所述电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘；以及
在电介质区域中的多个通孔，所述通孔延伸至所述管芯侧上的焊盘，
其中，嵌入在电介质层中的电介质区域为第一电介质区域，所述组件进一步包括嵌入在电介质层中的第二电介质区域，所述第二电介质区域通过第一电介质区域与管芯侧隔开，其中，在所述第一电介质区域中的所述多个通孔为多个第一通孔，其中，所述第二电介质区域包括其中的多个第二通孔，其中所述多个第二通孔中的至少一些从所述多个第一通孔中的至少一些偏移并且电耦合至所述多个第一通孔中的至少一些。
2. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，进一步包括在电介质层中的耦合至所述第一电介质区域中的所述多个第一通孔的多个通孔。
3. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，嵌入在所述第一电介质区域中的管芯为第一管芯，所述组件进一步包括定位于衬底的管芯侧上的管芯上的附加的管芯。
4. 如权利要求3所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至焊盘的衬底，其中所述衬底在第二管芯上延伸。
5. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至焊盘的衬底。
6. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述电介质区域围绕上部电介质层中的管芯延伸。
7. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述电介质区域包括多个间隔开的电介质区域。
8. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述多层衬底包括无芯衬底。
9. 如权利要求1所述的组件，其特征在于，所述管芯包括硅管芯，所述硅管芯包括硅通孔。
10. 一种组件，包括：
多层衬底，所述多层衬底包括焊盘侧和管芯侧；
第一管芯，所述第一管芯嵌入在所述多层衬底的第一电介质层中，所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开；
在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
第一电介质区域，所述第一电介质区域嵌入在第一电介质层中；
在所述第一电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘；
在第一电介质区域中的多个第一通孔，所述第一通孔电耦合至管芯侧上的所述焊盘；
多个导电通路，所述多个导电通路延伸穿过所述第一电介质区域，所述多个导电通路延伸到所述管芯侧上的所述层叠封装的多个焊盘；
第二电介质区域，所述第二电介质区域嵌入在所述第一电介质层中；以及
在第二电介质区域中的多个第二通孔，所述多个第二通孔电耦合至在第一电介质区域中的通孔；
其中所述第一电介质区域定位在所述第二电介质区域和所述管芯侧之间， 并且
其中，所述多个第二通孔中的至少一些从所述多个第一通孔中的至少一些偏移。
11. 如权利要求10所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底。
12. 如权利要求10所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的第一管芯的第二管芯。
13. 如权利要求12所述的组件，其特征在于，进一步包括耦合至所述管芯侧上的焊盘的衬底，其中所述第二管芯定位在所述衬底和所述管芯侧之间。
14. 一种方法，包括：
提供无芯载体；
在所述无芯载体上形成层叠封装的多个金属焊盘区域；
在所述无芯载体上和在金属焊盘区域上形成第一电介质层；
图案化第一电介质层以形成覆盖金属焊盘区域的电介质区域并且形成暴露无芯载体的腔，所述腔的尺寸被制定成容纳管芯，多个硅通孔在所述管芯中，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述腔中定位管芯；
形成通过电介质区域的第一开口以暴露金属焊盘区域的表面；
在所述第一开口中沉积金属；以及
在管芯上和电介质区域上形成第二电介质层，使得管芯和电介质区域嵌入在第二电介质层中，
其中，嵌入式管芯级微焊盘形成在所述电介质区域中的管芯侧表面上，所述方法进一步包括：
在所述第一开口中沉积金属之后，并且在腔中定位管芯之前；
在电介质区域上和在金属上形成补充的电介质层；
图案化所述补充的电介质层以在第一电介质区域上形成第二电介质区域；
在所述第二电介质区域中形成第二开口；以及
在所述第二开口中沉积金属；以及
将所述第二开口定位在第二电介质区域中以从第一电介质区域中的所述第一开口偏移。
15. 如权利要求14所述的方法，其特征在于，进一步包括：
在形成第二电介质层之后，形成通过第二电介质层的第三开口并且在所述第三开口中沉积金属；
形成多个附加的电介质层和在所述多个附加的电介质层中的金属通路；以及
移除所述无芯载体。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括，在移除所述无芯载体之后，将衬底耦合至金属焊盘区域。
17. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，进一步包括，在移除所述无芯载体之后，将附加的管芯耦合至嵌入在所述第二电介质层中的管芯。
18. 如权利要求17所述的方法，其特征在于，进一步包括将电子器件耦合至金属焊盘区域，其中所述电子器件被定位成覆盖所述附加的管芯。”
复审请求人认为：独立权利要求中增加的技术特征：（1）在（第一）电介质的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，其技术效果是这种微焊盘一般比POP焊盘小并且可用于例如某些电测试程序；（2）在不同的电介质区域中的通孔中的至少一些彼此偏移，其技术效果是使用在不同的电介质区域中的彼此偏移的通孔还可以在解决形成高的高宽比POP通孔这一技术问题时提供改进的设计裕度，而对比文件2主要解决在内建电子构件的基底的制造过程中必须包含移除支撑物的程序从而影响制造效率这一技术问题，并没有联系到如本申请所描述的难以形成高的高宽比POP通孔的完全镀敷（填充的）POP通孔这一技术问题，因此也就不存在解决该技术问题时进一步改进设计裕度的动机。
合议组于2019年01月21日向复审请求人发出复审通知书，指出：（i）权利要求10的修改不符合专利法第33条的规定。权利要求14不符合专利法第26条第4款的规定。（ii）权利要求1-9相对于对比文件2和本领域公知常识的结合不具备创造性。（iii）即使复审请求人克服权利要求10、14的上述缺陷，修改后的权利要求10-13、14-17也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对申请人的意见陈述，合议组指出：（1）将器件焊盘形成为POP焊盘或微焊盘，是根据器件实际需求进行的选择，微焊盘和POP焊盘尺寸大小不同，且可用于不同的用途，是本领域技术人员的公知常识；（2）对比文件2已经公开了在绝缘层18a上和在孔洞18b（即金属）上形成图案化的绝缘层19a（即第二电介质区域），在绝缘层19a中形成开口（即第三开口）并沉积金属形成孔洞19b，可以解决高的高宽比通孔的技术问题。虽然对比文件2公开的是孔洞19b经过线路层18c与孔洞18b通过对齐的方式进行耦合，但是连接上下不同电介质区域中的上下不同布线层的上下导电孔洞之间相互有偏移或对齐，从而进行电耦合，是本领域常规技术手段，从而增大设计裕度。
复审请求人于2019年03月04日提交了意见陈述书，并提交了权利要求书的全文修改替换页（包括18项权利要求）, 其中仅对权利要求1、10、14进行了修改。答复复审通知书时新修改的权利要求书1、10、14内容如下：
“1. 一种组件，包括：
管芯，所述管芯嵌入在多层衬底中的电介质层中；
电介质区域，所述电介质区域嵌入在所述多层衬底中的电介质层中；
多层衬底，所述多层衬底包括管芯侧和焊盘侧，电介质区域和电介质层延伸至所述管芯侧；
在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
在所述电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序；以及
在电介质区域中的多个通孔，所述通孔延伸至所述管芯侧上的焊盘，
其中，嵌入在电介质层中的电介质区域为第一电介质区域，所述组件进一步包括嵌入在电介质层中的第二电介质区域，所述第二电介质区域通过第一电介质区域与管芯侧隔开，其中，在所述第一电介质区域中的所述多个通孔为多个第一通孔，其中，所述第二电介质区域包括其中的多个第二通孔，其中所述多个第二通孔中的至少一些从所述多个第一通孔中的至少一些偏移并且电耦合至所述多个第一通孔中的至少一些。”
“10. 一种组件，包括：
多层衬底，所述多层衬底包括焊盘侧和管芯侧；
第一管芯，所述第一管芯嵌入在所述多层衬底的第一电介质层中，所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开；
在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；
在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；
第一电介质区域，所述第一电介质区域嵌入在第一电介质层中；
在所述第一电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序；
在第一电介质区域中的多个第一通孔，所述第一通孔电耦合至管芯侧上的所述焊盘；
第二电介质区域，所述第二电介质区域嵌入在所述第一电介质层中；以及
在第二电介质区域中的多个第二通孔，所述多个第二通孔电耦合至在第一电介质区域中的通孔；
其中所述第一电介质区域定位在所述第二电介质区域和所述管芯侧之间，并且
其中，所述多个第二通孔中的至少一些从所述多个第一通孔中的至少一些偏移。”
“14. 一种方法，包括：
提供无芯载体；
在所述无芯载体上形成层叠封装的多个金属焊盘区域；
在所述无芯载体上和在金属焊盘区域上形成第一电介质层；
图案化第一电介质层以形成覆盖金属焊盘区域的电介质区域并且形成暴露无芯载体的腔，所述腔的尺寸被制定成容纳管芯，多个硅通孔在所述管芯中，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；
在所述腔中定位管芯；
形成通过电介质区域的第一开口以暴露金属焊盘区域的表面；
在所述第一开口中沉积金属；以及
在管芯上和电介质区域上形成第二电介质层，使得管芯和电介质区域嵌入在第二电介质层中，
其中，层叠封装的多个焊盘形成在所述电介质区域中的管芯侧表面上，嵌入式管芯级微焊盘形成在所述电介质区域中的管芯侧表面上，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序，
所述方法进一步包括：
在所述第一开口中沉积金属之后，并且在腔中定位管芯之前；
在电介质区域上和在金属上形成补充的电介质层；
图案化所述补充的电介质层以在第一电介质区域上形成第二电介质区域；
在所述第二电介质区域中形成第二开口；
在所述第二开口中沉积金属；以及
将所述第二开口定位在第二电介质区域中以从第一电介质区域中的所述第一开口偏移。”
复审请求人认为：（1）权利要求10、14的修改已经克服了复审通知书中指出的相应缺陷；（2）权利要求1中的技术特征：“在所述（第一）电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序”以及“在不同的电介质区域中的通孔中的一些彼此偏移”，未被对比文件公开，并且本领域技术人员也没有动机结合本领域的常规技术手段来弥补对比文件的不足。本领域技术人员基于对比文件2公开的技术内容，在缺乏明确技术启示的情况下，没有动机既形成POP焊盘又形成微焊盘，且该微焊盘比POP焊盘小并能用于电测试程序。而“在不同的电介质区域中的通孔中的一些彼此偏移”的技术特征为要求保护的技术方案带来以下技术效果：由于彼此偏移并且利用例如如图2所示的放置焊盘电耦合的堆叠的POP通孔的能力，因此使用嵌入的侧面电介质区域提供改进的设计裕度和在管芯厚度的z-平面内的重新路由信号的灵活性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年03月04日提交了权利要求书的全文修改替换页（包括18项权利要求），经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：复审请求人2019年03月04日提交的权利要求第1-18项；2014年06月27日进入中国国家阶段日提交的国际申请文件的中文译文说明书第1-11页、说明书附图第1-7页、说明书摘要和摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于作为最接近现有技术的对比文件存在区别技术特征，该区别技术特征属于本领域常规技术手段，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时引用驳回决定和复审通知书中引用的如下对比文件：
对比文件2：TW200610108A，公开日为：2006年03月16日。
2.1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求1请求保护一种组件。对比文件2公开了一种组件，并具体公开以下技术特征（参见说明书第8-15页及附图1-17）包括：内建电子构件15，内建电子构件15嵌入在由堆叠层29、28组成的多层衬底中的绝缘层28a（即电介质层）中；绝缘层18a（即电介质区域）嵌入在由堆叠层29、28组成的多层衬底中的绝缘层28a中；由堆叠层29、28组成的多层衬底包括靠近内建电子构件15的一侧（即内建电子构件侧）和焊盘侧，绝缘层18a和绝缘层28a延伸至靠近内建电子构件15侧；在内建电子构件15侧上的层叠封装的多个阻障金属层14（焊盘），补充层16延伸至内建电子构件15侧上的阻障金属层14；在绝缘层18a中的多个孔洞18b，延伸至内建电子构件15侧上的上线路22；嵌入在绝缘层28a中的绝缘层18a（即第一电介质区域），进一步包括嵌入在绝缘层28a中的绝缘层19a（即第二电介质区域），绝缘层19a通过绝缘层18a与内建电子构件15侧隔开；在绝缘层18a中的孔洞18b（即第一通孔），绝缘层19a包括孔洞19b（即第二通孔），其中孔洞19b通过线路层18c电耦合至孔洞18b。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求1的是管芯，而对比文件2公开的是内建电子构件；在所述管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述管芯的厚度延伸；（2）电介质区域中的通孔延伸至所述管芯侧上的所述焊盘；（3）在所述电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序；（4）其中至少一些第二通孔从至少一些第一通孔偏移。
基于区别技术特征（1），权利要求1实际解决的技术问题是采用何种部件嵌入安装以及嵌入的管芯如何与其他外部构件形成互连。对此，选择管芯作为电子构件进行嵌入安装是本领域常规选择，当嵌入对象为管芯时，其对应的侧面对应于管芯侧；使管芯具有由通孔构成的内部通路从而直接与其他外部部件形成互连，是本领域常规技术手段；
基于区别技术特征（2），权利要求1实际解决的技术问题是形成良好电接触。本领域技术人员在对比文件2公开了在对应电子构件连接部的位置设置阻障金属层14（焊盘）以提高电子构件与外部电连接的可靠性的基础上，为了使孔洞18b（相当于通孔）与上线路22形成良好电接触，本领域技术人员容易想到在管芯侧对应通孔的位置也同样设置层叠的多个阻障金属层，从而与延伸的通孔电连接；
基于区别技术特征（3），权利要求1实际解决的技术问题是形成微小焊盘并可以用于电测试。但是根据器件实际需求选择形成POP焊盘或微焊盘以及用于电测试是本领域常规技术手段；
基于区别技术特征（4），权利要求1实际要解决的技术问题是通孔的电耦合方式。但是，将位于不同层的上下通孔通过对齐或偏移的方式通过线路层进行电耦合，是本领域常规技术手段。
由此可见，在对比文件2的基础上结合本领域常规技术手段从而得到该权利要求1的技术方案，对于本领域技术人员是显而易见的。因此，该权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求2-9不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求2对权利要求1做进一步限定。对比文件2公开了在绝缘层28a中的耦合至绝缘层18a中的孔洞18b（参见附图15）。在其引用的权利要求1不具备创造时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3对权利要求1做进一步限定。对比文件2公开了嵌入在绝缘层18a中的内建电子构件15，还包括定位于内建电子构件15侧上的半导体装置25（参见附图17）。管芯是半导体装置中的一种，选择管芯（第二管芯）作为半导体装置是本领域常规选择。在其引用的权利要求1不具备创造时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4对权利要求3做进一步限定，权利要求5对权利要求1做进一步限定。根据实际需要选择耦合至焊盘的封装衬底，封装衬底在第二管芯上延伸，是本领域常规选择。在其引用的权利要求不具备创造时，权利要求4、5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6、7分别对权利要求1做进一步限定。但是，根据实际需要将电介质区域设置为连续的、在管芯周围延伸围绕的形式，或者设置为彼此独立的、多个间隔开的形式，是本领域技术人员的常规选择。在其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求6、7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8对权利要求1做进一步限定。对比文件2公开的由堆叠层29、28组成的多层衬底是无芯衬底。在其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9对权利要求1做了进一步限定。但是包括通孔的硅管芯作为电子构件是本领域常规选择。在其引用的权利要求1不具备创造性时，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求10不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求10请求保护一种组件。对比文件2公开一种组件，并具体公开以下技术特征（参见说明书第8-15页及附图1-17），包括：由堆叠层29、28组成的多层衬底，包括焊盘侧和内建电子构件15侧；在内建电子构件15侧上的层叠封装的多个阻障金属层14，补充层16延伸至内建电子构件15侧上的阻障金属层14；内建电子构件15嵌入在由堆叠层29、28组成的多层衬底的绝缘层28a中；绝缘层18a（即第一电介质区域）嵌入在绝缘层28a中；在绝缘层18a中的多个孔洞18b（即第一通孔），孔洞18b电耦合至表面上的上线路22；绝缘层19a（即第二电介质区域）嵌入在绝缘层28a中；在绝缘层19a中的多个孔洞19b（即第二通孔），孔洞19b通过线路层18c电耦合至在绝缘层18a中的孔洞18b；绝缘层18a定位在绝缘层19a与内建电子构件15侧之间。权利要求10请求保护的技术方案与对比文件2相比，区别技术特征在于：（1）权利要求10的是管芯，而对比文件2公开的是内建电子构件；在所述第一管芯中的多个硅通孔，所述多个硅通孔穿过所述第一管芯的厚度延伸；（2）所述第一电介质层通过多个附加的电介质层与所述焊盘侧隔开；（3）在所述管芯侧上的层叠封装的多个焊盘；电介质区域中的通孔延伸至所述管芯侧上的所述焊盘；（4）在所述第一电介质区域中的管芯侧表面上的嵌入式管芯级微焊盘，所述嵌入式管芯级微焊盘比所述层叠封装的多个焊盘小且能够用于电测试程序；（5）其中，所述多个第二通孔中的至少一些从所述多个第一通孔中的至少一些偏移。
基于区别技术特征（1），权利要求10实际解决的技术问题是采用何种部件嵌入安装以及嵌入的管芯如何与其他外部构件形成互连。对此，选择管芯作为电子构件进行嵌入安装是本领域常规选择，当嵌入对象为管芯时，其对应的侧面对应于管芯侧；使管芯具有由通孔构成的内部通路从而直接与其他外部部件形成互连，是本领域常规技术手段；
基于区别技术特征（2），权利要求10实际解决的技术问题是如何制作增层结构。然而，附加多个电介质层以形成增层结构是本领域技术人员根据实际需要所容易做出的常规选择；
基于区别技术特征（3），权利要求10实际解决的技术问题是形成良好电接触。本领域技术人员在对比文件2公开了在对应电子构件连接部的位置设置阻障金属层14（焊盘）以提高电子构件与外部电连接的可靠性的基础上，为了使孔洞18b（相当于通孔）与上线路22形成良好电接触，本领域技术人员容易想到在管芯侧对应通孔的位置也同样设置层叠的多个阻障金属层，从而与延伸的通孔电连接；
基于区别技术特征（4），权利要求10实际解决的技术问题是形成微小焊盘并可以用于电测试。但是根据器件实际需求选择形成POP焊盘或微焊盘以及用于电测试是本领域常规技术手段；
基于区别技术特征（5），权利要求10实际要解决的技术问题是通孔的电耦合方式。但是，将位于不同层的上下通孔通过对齐或偏移的方式通过线路层进行电耦合，是本领域常规技术手段。
由此可见，在对比文件2的基础上结合本领域常规技术手段从而得到权利要求10的技术方案，对于本领域技术人员是显而易见的。因此，权利要求10不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求11-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性
权利要求11、12分别对权利要求10做进一步限定，权利要求13对权利要求12做进一步限定，对比文件2公开了还包括定位于内建电子构件15侧上的半导体装置25（参见附图17）。管芯是半导体装置中的一种，选择管芯（第二管芯）作为半导体装置是本领域常规选择。而且，根据实际需要选择耦合至管芯侧上的焊盘的封装衬底，第二管芯定位在封装衬底和管芯侧之间，是本领域常规选择。在其引用的权利要求不具备创造时，权利要求11-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的答复
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：（1）微焊盘比POP焊盘尺寸小，且可用于不同的用途，例如电测试，是本领域技术人员的公知常识,将器件焊盘形成为POP焊盘或微焊盘，是根据器件实际需求进行的选择，无需付出创造性劳动；（2）对比文件2已经公开了在绝缘层18a上和在孔洞18b（即金属）上形成图案化的绝缘层19a（即第二电介质区域），在绝缘层19a中形成开口（即第三开口）并沉积金属形成孔洞19b，可以解决高的高宽比通孔的技术问题。虽然对比文件2公开的是孔洞19b经过线路层18c与孔洞18b通过对齐的方式进行耦合，但是连接上下不同电介质区域中的上下不同布线层的上下导电孔洞之间的相对位置偏移或对齐，是本领域常规技术手段，并未取得预料不到的技术效果。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
基于以上事实和理由，本案合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年10月11 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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