发明创造名称：一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：181529
决定日：2019-06-17
委内编号：1F265474
优先权日：
申请（专利）号：201410381736.8
申请日：2014-08-05
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：蒋煜婧
合议组组长：刘博
参审员：戴永超
国际分类号：H01L27/32，H01L51/52，H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在区别技术特征，其中该区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和该区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同，则将该两篇对比文件结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410381736.8，名称为“一种OLED显示器件及其制作方法、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为京东方科技集团股份有限公司。本申请的申请日为2014年08月05日，公开日为2014年11月19日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月25日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。具体理由如下：权利要求1的技术方案与对比文件1（CN103779384A，公开为2014年05月07日）公开的技术方案相比，区别技术特征为：第一辅助电极为包括单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜；所述第一辅助电极在图案化的基底表面形成的。对比文件2（CN103413594A，公开为2013年11月27日）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了透明导电拓扑绝缘体（即二维纳米图案化薄膜）可用于光电子器件,且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于导电稳定性。对比文件3（Large-gap quantum spin Hall insulators in tin films, 《Physical Review Letters》第111卷, 第13期, 136804，2013年09月27日，Yong Xu等）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜（即二维纳米图案化薄膜），其中公开了单层锡以及单层锡变体材料，且上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于具体拓扑材料的选择。因此，权利要求1相对于对比文件1，对比文件2和对比文件3的结合不具备创造性。权利要求2-4的附加技术特征被对比文件2或对比文件3所公开，因此权利要求2-4也不具备创造性。权利要求5的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的单层锡或单层锡变体薄膜，将所述图案化的基底去除得到第一辅助电极图案；将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接。对比文件2公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了在图案化的基底表面形成具有拓扑绝缘体薄膜（即二维纳米结构），将图案化的基底去除得到扑绝缘体薄膜（对应第一辅助电极图案），将扑绝缘体薄膜贴附在目标基底上。上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于导电稳定性。对比文件3公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜（即二维纳米图案化薄膜），其中公开了单层锡以及单层锡变体材料，且上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于具体拓扑材料的选择。因此，权利要求5相对于对比文件1，对比文件2和对比文件3的结合不具备创造性。基于类似的理由，权利要求6不具备创造性。权利要求7-10的附加技术特征或被对比文件1所公开或属于本领域的公知常识，因此权利要求7-10也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：申请日2014年08月05日提交的说明书摘要、说明书第1-76段、摘要附图、说明书附图图1-7；2017年09月25日提交的权利要求第1-10项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种OLED显示器件，包括：薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；其特征在于，
所述显示器件还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极为包括单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜；
所述第一辅助电极在图案化的基底表面形成的；
所述第一辅助电极与所述第二电极电连接，向所述第二电极提供电信号；
其中，所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极。
2. 根据权利要求1所述的显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料为通过对单层锡进行表面修饰或磁性掺杂形成。
3. 根据权利要求2所述的显示器件，其特征在于，单层锡的变体材料为对单层锡进行氟原子的表面修饰，形成的锡氟化合物。
4. 根据权利要求1述的显示器件，其特征在于，所述第一辅助电极为条状，所述显示器件包括多条第一辅助电极。
5. 一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
形成薄膜晶体管，包括形成栅极、源极和漏极；
形成第一电极，所述第一电极与所述漏极电连接；
形成有机功能层和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极；
形成与所述第二电极电连接的第一辅助电极图案，包括：在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的单层锡或单层锡变体薄膜，将所述图案化的基底去除得到第一辅助电极图案；将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接，第一辅助电极用于向所述第二电极提供电信号。
6. 一种显示装置，包括阵列基板和封装基板，其特征在于，所述阵列基板和封装基板形成有权利要求1-4任一项所述的OLED显示器件。
7. 根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管、第一电极、第二电极、有机功能层以及第一辅助电极形成在所述阵列基板上，且所述第一辅助电极形成在所述第二电极的上面，与所述第二电极直接接触电连接。
8. 根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管、 第一电极、第二电极以及有机功能层形成在所述阵列基板上，所述第一辅助电极形成在封装基板上。
9. 根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述封装基板上还形成有第二辅助电极，所述第一辅助电极为条状时，通过所述第二辅助电极与所述第二电极电连接。
10. 根据权利要求6-9任一项所述的显示装置，其特征在于，所述封装基板上形成有黑矩阵，所述第一辅助电极为条状时，所述第一辅助电极位于所述黑矩阵的对应位置处。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月08日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的替换页，包括权利要求第1-10项，其中在权利要求1和5中增加了技术特征“HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物”。复审请求人认为：1.对比文件1专门将辅助电极64固定设置在像素限定层35上，这与本申请的将辅助电极设置在阴极上的辅助电极设置位置、形状构造等都不同，本申请与对比文件1要解决的技术问题和效果也就不同；2.对比文件2和3只公开了导电拓扑绝缘体，但却没有公开可应用于OLED解决本申请技术问题的技术启示。复审请求时新修改的权利要求1和5如下：
“1. 一种OLED显示器件，包括：薄膜晶体管、第一电极、第二电极以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的有机功能层，其中，所述薄膜晶体管包括栅极、源极和漏极，所述第一电极与所述漏极电连接；其特征在于，
所述显示器件还包括第一辅助电极，所述第一辅助电极为包括HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜；
所述第一辅助电极在图案化的基底表面形成的；
所述第一辅助电极与所述第二电极电连接，向所述第二电极提供电信号；
其中，所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极。”
“5. 一种OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括：
形成薄膜晶体管，包括形成栅极、源极和漏极；
形成第一电极，所述第一电极与所述漏极电连接；
形成有机功能层和第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极分别为阳极和阴极；
形成与所述第二电极电连接的第一辅助电极图案，包括：在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物、单层锡或单层锡变体薄膜，将所述图案化的基底去除得到第一辅助电极图案；将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接，第一辅助电极用于向所述第二电极提供电信号。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人将原先删除的特征重新加入了独立权利要求，同时对第一辅助电极的材料增加了新的成分。因此，修改后的独立权利要求只是对第一辅助电极的材料选择做了增加，相当于在驳回文本的基础上增加了新的并列技术方案。由此可见，原驳回理由仍然成立，修改后的权利要求仍不具备创造性。并且复审请求人在复审理由中主要观点是，对比文件1的辅助电极64固定在像素限定层35上，而本申请中的辅助电极设置在阴极上，其位置和形状构造等都不同。对此，当前权利要求对第一辅助电极的位置描述是：基底表面形成，没有关于其与阴极（即第二电极）的位置关系描述，而其中限定的电连接关系已被对比文件1所公开。同时，对其形状构造的描述是：二维纳米图案化薄膜，该限定也也被对比文件2所公开。对比文件2公开了其拓扑绝缘体可以用于光电子器件，而本申请的OLED就属于光电子器件，二者有结合启示。同时，在对比文件2公开的拓扑绝缘体可以用于光电子器件的前提下，本领域技术人员有动机尝试其它的现有拓扑绝缘体，对比文件3有结合动机，因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月30日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的陈述意见，合议组认为：1.对比文件1公开了（参见第198段）：可在像素限定层35（参见图13）上形成第二电极62，然后在第二电极62上形成辅助电极64。由此可见，对比文件1公开的结构与本申请中的辅助电极的位置一致，形状也可是条状，因此，对比文件1公开的结构与本申请一致，并且辅助电极起到的作用都是减小电极的电压降。2.对比文件2和3都公开了高导电性的拓扑绝缘体薄膜结构，也都公开了形成这种薄膜是为了提高导电性，降低电损耗也即电极上的电压降，并且对比文件2公开了上述材料可以用于光电子和纳电子学等领域，因此，本领域技术人员可以从对比文件2和3得到启示，将该材料应用于对比文件1以降低电极的电压降。
复审请求人于2019年03月04日提交了意见陈述书，未修改申请文件。复审请求人认为：⑴OLED显示领域中从未给出将上述包括HgTe、BixSb1-x、Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物、单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜应用在阴极的先例，这是复审请求人首次发现此材料的新应用，是创造性劳动的结果；⑵对比文件1专门将辅助电极64固定设置在像素限定层35上，这与本申请的将辅助电极设置在阴极上的辅助电极设置位置、形状构造等都不同。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时未修改申请文件，因此本复审决定依据的文本与复审通知书所针对的文本相同，即：复审请求人于申请日2014年08月05日提交的说明书摘要、说明书第1-76段、摘要附图、说明书附图图1-7；2018年11月08日提交的权利要求第1-10项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件所公开的内容相比，存在区别技术特征，其中该区别技术特征被另一篇对比文件公开，并且其在另一篇对比文件中所起的作用和该区别技术特征在该权利要求中为解决其技术问题起到的作用相同，则将该两篇对比文件结合从而得到该权利要求请求保护的技术方案是显而易见的，该权利要求不具备创造性。
在本复审决定中引用原实质审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1，2和3作为现有技术，即：
对比文件1：CN103779384A，公开为2014年05月07日；
对比文件2：CN103413594A，公开为2013年11月27日；
对比文件3：Large-gap quantum spin Hall insulators in tin films, 《Physical Review Letters》第111卷, 第13期, 136804，2013年09月27日，Yong Xu等。
2.1. 权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
该权利要求要求保护多个技术方案。
（Ⅰ）针对包含技术特征“第一辅助电极为包括Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3中的至少一种的二维纳米图案化薄膜”的技术方案：
权利要求1要求保护一种OLED显示器件。对比文件1（见说明书第166-199段，附图13-16）公开了一种OLED显示器件，其中具体公开了如下技术特征：包括：薄膜晶体管40、第一电极61、第二电极62以及位于第一电极61和第二电极62之间的有机功能层63；其中，薄膜晶体管40包括栅极42、源极和漏极43，第一电极61与漏极43电连接；显示器件还包括辅助电极64，与第二电极62电连接，向第二电极62提供电信号；其中，第一电极61和第二电极62分别为阳极和阴极（见说明书第180段）。
该权利要求与对比文件1的区别在于：第一辅助电极为包括Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3中的至少一种的二维纳米图案化薄膜；所述第一辅助电极在图案化的基底表面形成的。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
对比文件2（见说明书第32、60、80-91段，附图1-2）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了透明导电拓扑绝缘体薄膜（相当于二维纳米图案化薄膜）可用于光电子器件,其制备方法为在图案化的氟金云母基底上形成网络结构柔性透明导电薄膜，拓扑绝缘体选自Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3、Ag2Te、(BixSb1-x)2Te3和Bi2(SexTe1-x)3中的至少一种。由此可见，对比文件2公开了上述区别技术特征，且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于形成高导电性的导电材料。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅰ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求1的技术方案Ⅰ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（Ⅱ）针对包含技术特征“第一辅助电极为包括单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜”的技术方案：
权利要求1要求保护一种OLED显示器件。对比文件1（见说明书第166-199段，附图13-16）公开了一种OLED显示器件，其中具体公开了如下技术特征：包括：薄膜晶体管40、第一电极61、第二电极62以及位于第一电极61和第二电极62之间的有机功能层63；其中，薄膜晶体管40包括栅极42、源极和漏极43，第一电极61与漏极43电连接；显示器件还包括辅助电极64，与第二电极62电连接，向第二电极62提供电信号；其中，第一电极61和第二电极62分别为阳极和阴极（见说明书第180段）。
该权利要求与对比文件1的区别在于：1.所述第一辅助电极在图案化的基底表面形成的；2.第一辅助电极为包括单层锡以及单层锡变体材料中的至少一种的二维纳米图案化薄膜。基于上述区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
针对区别特征1，对比文件2（见说明书第32、60、80-91段，附图1-2）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了透明导电拓扑绝缘体的制备方法为在图案化的氟金云母基底上形成网络结构柔性透明导电薄膜。由此可见，对比文件2公开了区别技术特征1，且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同,都是用于提供导电薄膜的形成基底。
针对区别特征2，对比文件3（见第1页第1栏末1段-第2栏第1段，第5页第1栏第2段，图2和5）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜（相当于二维纳米图案化薄膜），其中公开了拓扑绝缘体导电薄膜可以为单层锡以及单层锡变体材料，由此可见，对比文件3公开了区别技术特征2，且上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于形成高导电性的拓扑材料以降低电压降。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和对比文件3得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅱ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求1的技术方案Ⅱ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（Ⅲ）针对包含技术特征“所述第一辅助电极为包括HgTe、BixSb1-x、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物的至少一种的二维纳米图案化薄膜”以及上述材料与“Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3，单层锡以及单层锡变体材料”混合的技术方案：
在对比文件1和对比文件2公开的上述内容的基础上，选择HgTe、BixSb1-x、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物等作为拓扑材料也是容易想到的，属于常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识、或在对比文件1的基础上结合对比文件2、对比文件3和本领域的公知常识得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅲ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求1的技术方案Ⅲ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2. 权利要求2-4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2是权利要求1的从属权利要求, 权利要求3是权利要求2的从属权利要求。其中，对比文件3进一步公开了技术特征：单层锡的变体材料为对单层锡进行氟原子的表面修饰，形成的锡氟化合物（见图2）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-3均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4是权利要求1的从属权利要求。其中，对比文件2进一步公开了如下技术特征：拓扑绝缘体形成为二维纳米结构（见说明书第89段，附图1）；拓扑绝缘体形成为条状，且包括多条（见附图1）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求4均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3. 权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
该权利要求要求保护多个技术方案。
（Ⅰ）针对包含技术特征“在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3”的技术方案：
权利要求5要求保护一种OLED显示器件的制作方法。对比文件1（见说明书第166-199段，附图13-16）公开了一种OLED显示器件的制作方法，其中具体公开了如下步骤：形成薄膜晶体管40，包括栅极42、源极和漏极43；形成第一电极61，第一电极61与漏极43电连接；形成有机功能层63和第二电极62，第一电极61和第二电极62分别为阳极和阴极（见说明书第180段）。形成与第二电极62电连接的辅助电极64，用于向第二电极62提供电信号。
该权利要求与对比文件1的区别在于：在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的Sb2Te3、Bi2Te3、Bi2Se3，将所述图案化的基底去除得到第一辅助电极图案；将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
对比文件2（见说明书第32、60、80-91段，附图1-2）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了透明导电拓扑绝缘体薄膜（相当于二维纳米图案化薄膜）可用于光电子器件,其制备方法为在图案化的氟金云母基底上形成网络结构柔性透明导电薄膜，将图案化的基底去除得到扑绝缘体薄膜，将扑绝缘体薄膜贴附在目标基底上。拓扑绝缘体选自Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3、Ag2Te、(BixSb1-x)2Te3和Bi2(SexTe1-x)3中的至少一种。由此可见，对比文件2公开了上述区别技术特征，且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅰ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求5的技术方案Ⅰ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（Ⅱ）针对包含技术特征“在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的单层锡或单层锡变体薄膜”的技术方案：
权利要求5要求保护一种OLED显示器件的制作方法。对比文件1（见说明书第166-199段，附图13-16）公开了一种OLED显示器件的制作方法，其中具体公开了如下步骤：形成薄膜晶体管40，包括栅极42、源极和漏极43；形成第一电极61，第一电极61与漏极43电连接；形成有机功能层63和第二电极62，第一电极61和第二电极62分别为阳极和阴极（见说明书第180段）。形成与第二电极62电连接的辅助电极64，用于向第二电极62提供电信号。
该权利要求与对比文件1的区别在于：1.在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构薄膜，将所述图案化的基底去除得到第一辅助电极图案；将所述第一辅助电极图案贴附在对应的第一辅助电极区域使其与第二电极电连接；2. 二维纳米结构薄膜为单层锡以及单层锡变体材料。基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
针对区别特征1，对比文件2（见说明书第32、60、80-91段，附图1-2）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜，其中公开了透明导电拓扑绝缘体薄膜（相当于二维纳米图案化薄膜）可用于光电子器件,其制备方法为在图案化的氟金云母基底上形成网络结构柔性透明导电薄膜，将图案化的基底去除得到扑绝缘体薄膜，将扑绝缘体薄膜贴附在目标基底上。由此可见，对比文件2公开了区别技术特征1，且上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于提供基底并形成高导电性的辅助电极以降低电压降。
针对区别特征2，对比文件3（见第1页第1栏末1段-第2栏第1段，第5页第1栏第2段，图2和5）公开了一种拓扑绝缘体导电薄膜（相当于二维纳米图案化薄膜），其中公开了拓扑绝缘体导电薄膜可以为单层锡以及单层锡变体材料，由此可见，对比文件3公开了区别技术特征2，且上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是用于形成高导电性的拓扑材料以降低电压降。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和对比文件3得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅱ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求5的技术方案Ⅱ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
（Ⅲ）针对包含技术特征“在图案化的基底表面形成具有二维纳米结构的HgTe、BixSb1-x、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物”的技术方案：
在对比文件1和对比文件2公开的上述内容的基础上，选择HgTe、BixSb1-x、TlBiTe2、TlBiSe2、Ge1Bi4Te7、Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4、AmN、PuTe、三元赫斯勒化合物等作为拓扑材料也是容易想到的，属于常规选择。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得出该权利要求所请求保护的技术方案Ⅲ，对本领域的技术人员来说是显而易见的，因此，权利要求5的技术方案Ⅲ不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
综上所述，权利要求5不具备突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4. 权利要求6要求保护一种显示装置。对比文件1（见说明书第166-199段，附图13-16）公开了一种显示装置，其中具体公开了如下技术特征：包括阵列基板，阵列基板形成有OLED显示器件。而显示装置还包括封装基板是很容易想到的，属于常规选择。因此，参见前述审查意见可知，该权利要求所请求保护的技术方案相对于对比文件1和2、或对比文件1、2和3的结合对本领域的技术人员来说是显而易见的，不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5. 权利要求7-10分别对其引用的权利要求作了进一步限定。其中，对比文件1中公开了：薄膜晶体管40、第一电极61、第二电极62、有机功能层63以及第一辅助电极64形成在阵列基板上，且第一辅助电极64形成在第二电极62的上面，与第二电极62直接接触电连接（见附图13）。在上述公开内容的基础上，让第一辅助电极形成在封装基板上、以及封装基板上还形成有第二辅助电极，第一辅助电极为条状时，通过第二辅助电极与第二电极电连接是很容易想到的，属于本领域技术人员的常规选择。黑矩阵是显示装置中常用的组件，因此，封装基板上形成有黑矩阵，第一辅助电极为条状时，第一辅助电极位于黑矩阵的对应位置处，也是容易想到的，属于常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求7-10均不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对复审请求人相关意见的评述
针对复审请求人2019年03月04日提交的意见陈述，合议组认为：⑴ 对比文件1中公开了辅助电极结构，对比文件2和3公开了高导电性的拓扑绝缘体薄膜结构，其材料分别为“Bi2Se3、Bi2Te3、Sb2Te3、Ag2Te、(BixSb1-x)2Te3和Bi2(SexTe1-x)3中的至少一种”和“单层锡以及单层锡变体材料”，也都公开了形成这种薄膜是为了提高导电性，降低电损耗也即电极上的电压降，并且对比文件2公开了上述材料可以用于光电子和纳电子学等领域，因此，本领域技术人员可以从对比文件2和3得到启示，将该材料应用于对比文件1以降低电极的电压降。⑵对比文件1公开了（参见第198段）：可在像素限定层35（参见图13）上形成第二电极62，然后在第二电极62上形成辅助电极64。由此可见，对比文件1公开的结构与本申请中的辅助电极的位置一致，形状也可是条状，因此，对比文件1公开的结构与本申请一致，并且辅助电极起到的作用都是减小电极的电压降。因此，合议组对复审请求人的意见不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月25日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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