发明创造名称：介层窗制作工艺用的沟填处理方法
外观设计名称：
决定号：181102
决定日：2019-06-17
委内编号：1F267373
优先权日：2015-01-12
申请（专利）号：201510049648.2
申请日：2015-01-30
复审请求人：力晶科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：梁素平
合议组组长：白燕
参审员：刘婧
国际分类号：H01L21/762;H01L21/768
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征已被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201510049648.2，名称为“介层窗制作工艺用的沟填处理方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为力晶科技股份有限公司，申请日为2015年01月30日，优先权日为2015年01月12日，公开日为2016年10月05日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年10月31日发出驳回决定，以权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请日2015年01月30日提交的说明书摘要、权利要求第1-13项、摘要附图、说明书附图第1-4页；2018年07月20日提交的说明书第1-7页。驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，包括：
提供一基底，该基底中已形成有多个开口，该基底可区分为一图案密集区与一图案疏松区，其中该图案密集区的开口图案密度大于该图案疏松区的开口图案密度；
在该基底上形成一正型光致抗蚀剂层，以填入该些开口，其中该正型光致抗蚀剂层在该图案疏松区表面的厚度大于该图案密集区表面的厚度；
仅对该基底表面的该正型光致抗蚀剂层进行曝光；
对经曝光的该正型光致抗蚀剂层进行显影，而在多个开口中形成一沟填材料层，其中该沟填材料层在该图案密集区与该图案疏松区具有相同厚度；
在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中在该沟填材料层与该反应层之间形成有一顶盖层；以及
利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层。
2. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该多个开口是通过光刻与蚀刻制作工艺来形成。
3. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该多个开口包括选自于介层窗开口、接触窗开口、沟槽、双重镶嵌开口中的任一种或其所组成的族群。
4. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该正型光致抗蚀剂层的形成方法包括旋转涂布法。
5. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该正型光致抗蚀剂层是使用由苯酚甲醛衍生物、甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或聚羟基苯乙烯中的任一种或其所组成的正型光致抗蚀剂。
6. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该曝光所使用的光线的波长为248nm。
7. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该显影是使用显影剂进行。
8. 如权利要求7所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该显影剂包含氢氧化四甲基铵。
9. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该反应 试剂包含水溶性树脂与交联剂。
10. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该溶剂为去离子水。
11. 如权利要求1所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中在清除该反应层后，还在该基底与该顶盖层上形成一底层抗反射层或光致抗蚀剂层。
12. 如权利要求11所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中该底层抗反射层的材料包括选自于属于无机型态的钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、α-硅，或者属于有机型态的包含一光吸收剂与一聚合物的材料的任一种或其所组成的材料。
13. 如权利要求11所述的介层窗制作工艺用的沟填处理方法，其中还可在该底层抗反射层或光致抗蚀剂层上形成一平坦层。”
驳回决定中引用两篇对比文件：
对比文件1：TW535215B，公告日为2003年06月01日；
对比文件2：US2004/0251513A1，公开日为2004年12月16日。
驳回理由如下：权利要求1与对比文件1相比，其区别在于：在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中在该沟填材料层与该反应层之间形成有一顶盖层；以及利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层。对比文件2公开了部分区别技术特征且所起作用相同，其余区别技术特征属于本领域的公知常识。权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。权利要求2-13的附加技术特征或者被对比文件1公开，或者为本领域的公知常识，因此权利要求2-13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2018年11月29日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。将权利要求1中的“其中在该沟填材料层与该反应层之间形成有一顶盖层”修改为“其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层”；复审请求人认为：对比文件2中的阻挡盖层48是通过CVD或者PECVD工艺来形成的，由此可见，对比文件2也未公开本申请中“在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中在该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层；以及利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层”的步骤。复审请求时新修改的权利要求1内容如下：
“1. 一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，包括：
提供一基底，该基底中已形成有多个开口，该基底可区分为一图案密集区与一图案疏松区，其中该图案密集区的开口图案密度大于该图案疏松区的开口图案密度；
在该基底上形成一正型光致抗蚀剂层，以填入该些开口，其中该正型光致抗蚀剂层在该图案疏松区表面的厚度大于该图案密集区表面的厚度；
仅对该基底表面的该正型光致抗蚀剂层进行曝光；
对经曝光的该正型光致抗蚀剂层进行显影，而在多个开口中形成一沟填材料层，其中该沟填材料层在该图案密集区与该图案疏松区具有相同厚度；
在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层；以及
利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月04日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：本申请的发明构思已被对比文件1公开，权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，其区别仅在于：在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中在该沟填材料层与该反应层之间形成有一顶盖层；以及利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层。基于该区别技术特征本申请实际解决的技术问题是保护沟填材料层。对比文件2公开了沟填材料层可以为有机聚合物（参见说明书第[0037]段），形成顶盖层48。可见上述特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是保护沟填材料层，因此对比文件2给出了将其披露的技术内容用于对比文件1的技术启示。在对比文件2公开了上述内容的基础上，本领域技术人员有动机对对比文件1公开的方案进行改进，即也在有机沟填材料层上形成保护层，本领域技术人员有动机选择合适的工艺形成该保护层，对应有机光阻材料，通过有机交联的方式形成反应层为本领域惯用技术手段，即涂布一反应试剂，通过化学反应形成一反应层，去除未反应的反应试剂，从而形成顶盖层为本领域技术人员容易想到的实施方式，其为本领域公知常识，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年04 月15 日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。针对复审请求人的意见，合议组认为：本申请的主要发明构思已被对比文件1公开，对比文件2公开了一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，并具体公开了（参见说明书第[0034]段至第[0043]段，附图5-7）：沟填材料层47可以为有机聚合物（参见说明书第[0037]段），形成顶盖层48，该顶盖层48可以为SiCOH，用于保护沟填材料层47以避免后续处理步骤的影响。可见上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是保护沟填材料层。因此本领域技术人员有动机对对比文件1的技术方案进行改进，在光阻沟填材料层上形成顶盖层。而通过在沟填材料层和基板上涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成一有机物顶盖层；去除未反应的反应试剂，从而形成顶盖层为本领域技术人员容易想到的替代方式，其为本领域惯用技术手段。
复审请求人于2019 年05 月13 日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括12项权利要求）。在权利要求1中增加技术特征“以及在清除该反应层后，还在该基底与该顶盖层上形成一底层抗反射层或光致抗蚀剂层”，删除权利要求11，并适应性地调整权利要求的编号。复审请求人认为：虽然对比文件2公开了阻障盖层48（对应于本申请的顶盖层），但其是通过CVD或者PECVD工艺来形成的，而本申请是通过涂布反应层，使反应层与沟填材料发生化学反应来形成顶盖层。由此可见，两者的制备工艺完全不同，而且，在对比文件2公开上述不同于本申请制备工艺的情况下，本领域技术人员并非能够轻易地想到本申请中“在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层”的具体步骤。由于对比文件2并未形成本申请上述的反应层，进而也就更不会利用溶剂来清除该反应层，且不会涉及本申请清除反应层之后的制备工艺，而且，对比文件2也未涉及本申请中的“底层抗反射层或光致抗蚀剂层”。对比文件2显然还未公开本申请中“利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层；在清除该反应层后，还在该基底与该顶盖层上形成一底层抗反射层或光致抗蚀剂层”的制备工艺，且也不能给予本申请相关的技术启示。
复审请求人新修改的权利要求1的内容如下：
“1. 一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，包括：
提供一基底，该基底中已形成有多个开口，该基底可区分为一图案密集区与一图案疏松区，其中该图案密集区的开口图案密度大于该图案疏松区的开口图案密度；
在该基底上形成一正型光致抗蚀剂层，以填入该些开口，其中该正型光致抗蚀剂层在该图案疏松区表面的厚度大于该图案密集区表面的厚度；
仅对该基底表面的该正型光致抗蚀剂层进行曝光；
对经曝光的该正型光致抗蚀剂层进行显影，而在多个开口中形成一沟填材料层，其中该沟填材料层在该图案密集区与该图案疏松区具有相同厚度；
在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层；
利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层；以及
在清除该反应层后，还在该基底与该顶盖层上形成一底层抗反射层或光致抗蚀剂层。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括12项权利要求。经核实上述修改符合专利法实施细则第61条第1款和专利法第33条的有关规定。本复审请求审查决定的文本为：申请日2015年01月30日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图第1-4页；2018年07月20日提交的说明书第1-7页；2019 年05 月13日提交的权利要求第1-12项。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征已被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定及复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：TW535215B，公告日为2003年06月01日；
对比文件2：US2004/0251513A1，公开日为2004年12月16日。
权利要求1-12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，对比文件1公开了一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，并具体公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：提供一基底110，该基底中已形成有多个开口120，该基底可区分为一图案密集区140与一图案疏松区130，其中该图案密集区的开口图案密度大于该图案疏松区的开口图案密度（如附图2A所示）；在该基底上形成一正型光致抗蚀剂层150，以填入该些开口120，其中该正型光致抗蚀剂层150在该图案疏松区表面的厚度大于该图案密集区表面的厚度（如附图2B所示）；仅对该基底表面的该正型光致抗蚀剂层150进行曝光；对经曝光的该正型光致抗蚀剂层150进行显影，而在多个开口120中形成一沟填材料层160、170，其中该沟填材料层在该图案密集区与该图案疏松区具有几乎相同厚度。
权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1所公开的技术内容相比，其区别在于：在该沟填材料层与该基底表面涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层；以及利用一溶剂清除该反应层，而在该沟填材料层上留有该顶盖层；在清除该反应层后，还在该基底与该顶盖层上形成一底层抗反射层或光致抗蚀剂层。基于该区别技术特征所确定的本申请实际解决的技术问题是保护沟填材料层。
对比文件2公开了一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，并具体公开了（参见说明书第[0034]段至第[0043]段，附图5-7）：沟填材料层47可以为有机聚合物（参见说明书第[0037]段），形成顶盖层48，该顶盖层48可以为SiCOH，用于保护沟填材料层47以避免后续处理步骤的影响。可见上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是保护沟填材料层，因此对比文件2给出了将其披露的技术内容用于对比文件1的技术启示。因此，本领域技术人员有动机对对比文件1的技术方案进行改进，在光阻沟填材料层上形成顶盖层。而在沟填材料层和基板上涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成有一顶盖层；去除未反应的反应试剂，从而形成顶盖层为本领域技术人员容易想到的替代方式，其为本领域公知常识。对比文件1还公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：在基底和沟填材料层上形成光阻190。在对比文件1公开了上述内容的基础上，为了提高光阻曝光质量，在光阻下方形成底层抗反射层为本领域惯用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的公知常识得到权利要求1所要求保护的技术方案对本领域的技术人员来说是显而易见的，权利要求1要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：该多个开口是通过光刻与蚀刻制作工艺来形成。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第5页倒数第3行至倒数第2行，第7页倒数第4行至第8页第3行）：多个开口包括介层窗开口、接触窗开口、双重镶嵌开口。而沟槽为本领域常见的需要填充沟填材料层的开口类型。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：其中该正型光致抗蚀剂层的形成方法包括旋转涂布法。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5引用权利要求1，苯酚甲醛衍生物、甲基丙烯酸酯、丙烯酸酯或聚羟基苯乙烯为本领域常用的光阻材料。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6引用权利要求1，而248nm波长的光线为本领域常用的曝光光线。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7引用权利要求1，对比文件1还公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：显影是使用显影剂进行。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8引用权利要求7，氢氧化四甲基铵为本领域常用的显影剂。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9引用权利要求1，权利要求10引用权利要求1，水溶性树脂与交联剂为进行交联反应的常规试剂，交联反应后，采用去离子水溶去未反应部分为本领域惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11引用权利要求1，而属于无机型态的钛、二氧化钛、氮化钛、氧化铬、碳、α-硅，或者属于有机型态的包含一光吸收剂与一聚合物的材料为本领域常见的底层抗反射层材料。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12引用权利要求1，根据器件实际工艺的需要，在底层抗反射层或光致抗蚀剂层上形成一平坦层为本领域惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
针对复审请求人的意见
针对复审请求人的意见，合议组认为：本申请的主要发明构思已被对比文件1公开，对比文件2公开了一种介层窗制作工艺用的沟填处理方法，并具体公开了（参见说明书第[0034]段至第[0043]段，附图5-7）：沟填材料层47可以为有机聚合物（参见说明书第[0037]段），形成顶盖层48，该顶盖层48可以为SiCOH，用于保护沟填材料层47以避免后续处理步骤的影响。可见上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是保护沟填材料层。同时，对比文件2公开了顶盖层48可以是有机物SiCOH。在此基础上本领域技术人员有动机对对比文件1的技术方案进行改进，在光阻沟填材料层上形成有机物顶盖层。而通过在沟填材料层和基板上涂布一反应试剂，形成一反应层，其中该沟填材料层与该反应层通过化学反应在两者之间形成一有机物顶盖层；去除未反应的反应试剂，从而形成顶盖层为本领域技术人员容易想到的替代方式，其为本领域惯用技术手段。对比文件1还公开了（参见说明书第5页第12行至第8页倒数第4行，附图2A-2E）：在基底和沟填材料层上形成光阻190。在对比文件1公开了上述内容的基础上，为了提高光阻曝光质量，在光阻下方形成底层抗反射层为本领域惯用技术手段。因此复审请求人的意见合议组不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月31日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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