发明创造名称：薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
外观设计名称：
决定号：181364
决定日：2019-06-13
委内编号：1F263687
优先权日：
申请（专利）号：201410170902.X
申请日：2014-04-25
复审请求人：上海和辉光电有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨丽丽
合议组组长：罗崇举
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L21/84，H01L21/34，H01L21/28，H01L29/417，H01L29/786，H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是该区别技术特征是本领域技术人员结合另一篇对比文件和本领域公知常识容易得到的，在最接近的现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410170902.X，名称为“薄膜晶体管阵列基板及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为上海和辉光电有限公司，申请日为2014年04月25日，公开日为2015年11月25日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年07月09日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-10要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2014年04月25日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图图1-5F；于2016年02月03日提交的说明书第1-80段；于2017年10月11日提交的权利要求第1-10项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种TFT阵列基板的制造方法，包括步骤：
S1：在透光基板上形成栅极，并在所述栅极的上方设置覆盖所述栅极和所述透光基板的第一绝缘层；
S2：在所述第一绝缘层的上方形成图案化的IGZO层；
S3：对所述IGZO层进行处理，以形成源极和漏极；
S4：在经过步骤S3处理后的所述IGZO层的上方设置第二绝缘层，对所述IGZO层进行绝缘保护；
S5：在所述第二绝缘层中开设连通至所述源极/漏极的接触孔，并在所述接触孔中沉积电极，
其中，在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对所述IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极。
2. 如权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其中，在所述步骤S2中，所述IGZO层是呈岛状覆盖在所述第一绝缘层上，并具有位于所述栅极上方并对应所述栅极位置的第一区域和相邻于所述第一区域的第二区域。
3. 如权利要求2所述的TFT阵列基板的制造方法，其中，所述步骤S3包括：
S3-1：形成IGZO材料层，对IGZO材料层进行光刻工艺和蚀刻工艺，形成位于栅极上方的图案化的IGZO层；
S3-2：从所述透光基板下方照射光，使所述第二区域在光照之后具有导电特性，从而以自对准方式形成源极和漏极。
4. 如权利要求3所述的TFT阵列基板的制造方法，其中，所述第一区域在光照之后保留半导体特性。
5. 如权利要求4所述的TFT阵列基板的制造方法，其中，在所述步骤3-2中，是利用UV光或近UV频段的光进行光照。
6. 如权利要求1所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述透光基板为玻璃基板。
7. 一种TFT阵列基板，包括：
透光基板；
栅极；
设置在所述栅极上方的第一绝缘层；
设置在所述第一绝缘层上方的用于TFT的IGZO层；
设置在所述IGZO层上方的第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有连通所述IGZO层的接触孔；
设置在所述接触孔中的电极；
其中，所述IGZO层包括沟道区以及与栅极自对准的源极和漏极，所述源极和漏极的电阻小于所述沟道区的电阻，所述IGZO层的一部分照射光后而形成用于电容器的一个电极。
8. 如权利要求7所述的TFT阵列基板，其中，所述源极和漏极是通过以UV光或近UV频段的光照射所述IGZO层而形成。
9. 如权利要求7所述的TFT阵列基板，还包括电容器，该电容器的一个电极与栅极位于同一金属层，另一个电极由IGZO层形成并与用于TFT的IGZO层位于同一层。
10. 如权利要求7所述的TFT阵列基板，其中，所述透光基板为玻璃基板。”
驳回决定指出：（1）独立权利要求1相对于对比文件1（JP特开2010-165961A，公开日为2010年07月29日）的区别在于“在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对所述IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极”，该区别技术特征是本领域技术人员结合对比文件2（CN102906804A，公开日为2013年01月30日）和本领域公知常识容易得到的，因此，独立权利要求1相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2-6的附加技术特征已被对比文件1公开，因此，从属权利要求2-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（3）独立权利要求7相对于对比文件1的区别在于“对所述IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极”，该区别技术特征是本领域技术人员结合对比文件2和本领域公知常识容易得到的，因此，独立权利要求7相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（4）从属权利要求8-10的附加技术特征或被对比文件1公开了，或是本领域技术人员在对比文件2的基础上结合本领域公知常识容易想到的，因此，从属权利要求8-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月23日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。复审请求人认为：对比文件2要解决的技术问题是抑制起因于半导体的辅助电容的变动，并非是为了简化工艺，对比文件2使半导体层13b导体化的技术手段是使用红外线加热器和扩散炉等进行真空退火处理，而不是从基板的上方对IGZO层的一部分照射光，因此，对比文件2要解决的技术问题以及其采取的技术手段均与本申请不同；对比文件2明确写明了使用红外线加热器和扩散炉等进行真空退火处理，并不涉及使用光照处理形成电容器的电极；对比文件1公开的是一种不具有电容器的TFT阵列基板，对比文件1并未教导或启示要设置电容结构，对比文件2是针对具有辅助电容的TFT阵列基板的改进，本领域技术人员没有动机将对比文件2与对比文件1结合。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年10月31日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1已经公开了通过照射光使IGZO在光照之后具有导电特性，虽然对比文件1没有公开TFT阵列基板具有电容结构，然而对比文件2公开了具有电容结构的阵列基板，并且公开了采用IGZO层，通过不同处理形成有源层和电容的一个电极，避免了多步工艺形成有源层和电容的一个电极，即使得TFT基板具有电容功能并简化生产工艺，对比文件2给出了采用IGZO层、通过处理形成有源层和电容的一个电极的启示，在对比文件2公开了上述内容的基础上，基于器件的实际应用，当需要设置电容器时，由于对比文件1已经公开了一种照射光的方式使得IGZO层导体化的方法，基于减少工艺步骤的考虑，同样采用对比文件1的照射光的方式使作为电容的电极的IGZO层导体化为本领域技术人员容易想到的。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月21日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）独立权利要求1相对于对比文件1的区别在于“在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极”，该区别技术特征是本领域技术人员结合对比文件2和本领域公知常识容易得到的，因此，独立权利要求1相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2-6的附加技术特征已被对比文件1公开，因此，从属权利要求2-6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（3）独立权利要求7相对于对比文件1的区别在于“IGZO层的一部分照射光后而形成用于电容器的一个电极”，该区别技术特征是本领域技术人员结合对比文件2和本领域公知常识容易得到的，因此，独立权利要求7相对于对比文件1和对比文件2以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（4）从属权利要求8-10的附加技术特征或被对比文件1公开或被对比文件2公开，因此，从属权利要求8-10也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。合议组还对复审请求人在提出复审请求时陈述的意见进行了答复。
复审请求人于2019年05月05日提交了复审程序意见陈述书，但未修改申请文件，复审请求人在本次复审程序意见陈述书中陈述的意见与其在提出复审请求时陈述的意见相同，即：对比文件2要解决的技术问题是抑制起因于半导体的辅助电容的变动，并非是为了简化工艺，对比文件2使半导体层13b导体化的技术手段是使用红外线加热器和扩散炉等进行真空退火处理，而不是从基板的上方对IGZO层的一部分照射光，因此，对比文件2要解决的技术问题以及其采取的技术手段均与本申请不同；对比文件2明确写明了使用红外线加热器和扩散炉等进行真空退火处理，并不涉及使用光照处理形成电容器的电极；对比文件1公开的是一种不具有电容器的TFT阵列基板，对比文件1并未教导或启示要设置电容结构，对比文件2是针对具有辅助电容的TFT阵列基板的改进，本领域技术人员没有动机将对比文件2与对比文件1结合。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在提出复审请求和答复复审通知书时，均未修改申请文件，因此，本复审决定依据的文本与驳回决定所针对的文本相同，即：复审请求人于申请日2014年04月25日提交的说明书摘要、摘要附图、说明书附图图1-5F；于2016年02月03日提交的说明书第1-80段；于2017年10月11日提交的权利要求第1-10项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，但是该区别技术特征是本领域技术人员结合另一篇对比文件和本领域公知常识容易得到的，在最接近的现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件1：JP特开2010-165961A，公开日为2010年07月29日；
对比文件2：CN102906804A，公开日为2013年01月30日。
（1）、独立权利要求1要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求1要求保护一种TFT阵列基板的制造方法。对比文件1公开了一种TFT阵列基板的制造方法（见说明书第[0036]段-第[0089]段，附图1-3），该TFT阵列基板可应用于有源矩阵型液晶显示，包括：在玻璃透光基板11上形成栅极12，在栅极12的上方设置覆盖栅极12和玻璃透光基板11的作为第一绝缘层的栅介电膜13（相当于第一绝缘层）；在栅介电膜13的上方形成图案化的IGZO层14；选择性地对IGZO层14照射UV线，以形成源极15和漏极16；在经过UV线照射的IGZO层14的上方设置作为第二绝缘层的沟道保护膜18（相当于第二绝缘层），对IGZO层14进行绝缘保护；在沟道保护膜18中开设连通至源极15/漏极16的接触孔23s和23d，并在接触孔中沉积源电极25和漏电极26。
独立权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：在设置第二绝缘层之后，从基板的上方对IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极。由上述区别技术特征可以确定该权利要求要解决的技术问题是使得TFT基板具有电容功能并简化生产工艺。
对比文件2公开了一种TFT阵列基板的制造方法（见说明书第[0040]段-第[0067]段，附图1-7），该TFT阵列基板可应用于有源矩阵驱动的液晶显示面板，包括：在玻璃基板10上形成栅极电极11a、电容线11b（其构成了电容器的一个电极），在栅极电极11a、电容线11b的上方设置覆盖栅极电极11a、电容线11b和玻璃基板10的栅极绝缘膜12（相当于第一绝缘层）；在栅极绝缘膜12的上方形成图案化的In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a和13b；在In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a和13b的上方设置保护膜14（相当于第二绝缘层）；在保护膜14中开设连通至源极电极15aa、漏极电极15b的接触孔14a、14b以及暴露In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b的接触孔14c，使用红外线加热器和扩散炉等对In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b进行真空退火处理，将其导体化，形成电容中间层13c；在接触孔14a、14b、14c中沉积源极电极15aa、漏极电极15b，形成TFT 5a和辅助电容6a（相当于电容器）。由对比文件2公开的内容可以确定，当将In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b导体化后，由于其具有导体性能，其构成了辅助电容6a的另一个电极。可见，对比文件2公开了在有源矩阵驱动液晶显示面板的TFT阵列基板上可形成电容器，该电容器可通过在设置第二绝缘层（即保护膜14）之后，对IGZO的一部分进行红外线加热器和扩散炉等真空退火处理，从而形成用于电容器的一个电极，并且该特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是使得TFT阵列基板具有电容功能，本领域技术人员在面对上述问题时，有动机将对比文件2中公开的电容器制造方法应用到对比文件1所公开的TFT阵列基板的制造方法中，从而在对比文件1的TFT阵列基板中也设置电容器。而对比文件1已公开了对IGZO层照射UV线可改变IGZO层的半导体性能，使其变为导体性能，在此基础上，为了简化工艺，本领域技术人员很容易想到也使用UV线照射来使得IGZO层转变为具有导体性能，在照射UV线时，根据器件结构，选择从基板的上方照射或是从基板的下方照射是本领域的常用技术手段，是本领域公知常识。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识获得独立权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，独立权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2）、从属权利要求2-6要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1还公开了如下技术特征：IGZO层14是呈岛状覆盖在栅介电膜13上，并具有位于栅极12上方并对应栅极12位置的沟道区域17（相当于第一区域）和相邻于沟道区域17的源极15和漏极16（相当于第二区域）；形成IGZO半导体层，对IGZO半导体层进行光刻工艺和蚀刻工艺，形成位于栅极12上方的图案化的IGZO层14，从玻璃透光基板11下方照射UV线，使源极15和漏极16在UV线照射之后具有导电特性，从而以自对准方式形成源极15和漏极16；沟道区域17在UV线照射之后保留半导体特性，UV线的波长为约270nm-450nm（见说明书第[0036]段-第[0089]段，附图1-3）。
由此可见，从属权利要求2-6的附加技术特征已被对比文件1公开，在从属权利要求2-6引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求2-6所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（3）、独立权利要求7要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求7要求保护一种TFT阵列基板。对比文件1公开了一种TFT阵列基板（见说明书第[0036]段-第[0089]段，附图1-3），该TFT阵列基板可应用于有源矩阵型液晶显示，包括：玻璃透光基板11；栅极12；设置在栅极12上方的作为第一绝缘层的栅介电膜13（相当于第一绝缘层）；设置在栅介电膜13上方的用于TFT的IGZO层14；设置在IGZO层14上方的作为第二绝缘层的沟道保护膜18（相当于第二绝缘层），沟道保护膜18上开设有连通至IGZO层14的接触孔23s和23d；设置在接触孔中的源电极25和漏电极26；其中，IGZO层14包括沟道区域17以及与栅极12自对准的源极15和漏极16，源极15和漏极16的电阻小于沟道区域17的电阻。
独立权利要求7所要求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征是：IGZO层的一部分照射光后而形成用于电容器的一个电极。由上述区别技术特征可以确定该权利要求要解决的技术问题是使得TFT基板具有电容功能并简化生产工艺。
对比文件2公开了一种TFT阵列基板（见说明书第[0040]段-第[0067]段，附图1-7），该TFT阵列基板可应用于有源矩阵驱动的液晶显示面板，包括：玻璃基板10；栅极电极11a、电容线11b（其构成了电容器的一个电极）；设置在栅极电极11a、电容线11b上方的栅极绝缘膜12（相当于第一绝缘层）；设置在栅极绝缘膜12上方的用于TFT的In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a和用于辅助电容6a（相当于电容器）的In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b；设置在In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a和13b上方的保护膜14（相当于第二绝缘层），保护膜14中开设有连通至In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a的接触孔14a、14b以及暴露In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b的接触孔14c，使用红外线加热器和扩散炉等对In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b进行真空退火处理，将其导体化，形成电容中间层13c；分别设置在接触孔14a、14b、14c的源极电极15aa、漏极电极15b。由对比文件2公开的内容可以确定，当将In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13b导体化后，由于其具有导体性能，其构成了电容器的另一个电极。可见，对比文件2公开了在有源矩阵驱动液晶显示面板的TFT阵列基板上可设置电容器，该电容器可通过对IGZO的一部分进行红外线加热器和扩散炉等真空退火处理后而形成用于电容器的一个电极，并且该特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是使得TFT阵列基板具有电容功能，本领域技术人员在面对上述问题时，有动机将对比文件2中公开的电容器应用到对比文件1所公开的TFT阵列基板中，从而在对比文件1的TFT阵列基板中也设置电容器。而对比文件1已公开了对IGZO层照射UV线可改变IGZO层的半导体性能，使其变为导体性能，在此基础上，为了简化工艺，本领域技术人员很容易想到也使用UV线照射来使得IGZO层转变为具有导体性能。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域公知常识获得独立权利要求7所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，独立权利要求7所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（4）、从属权利要求8-10要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1还公开了如下技术特征：从玻璃透光基板11下方照射UV线，使源极15和漏极16在UV线照射之后具有导电特性，从而以自对准方式形成源极15和漏极16，UV线的波长为约270nm-450nm（见说明书第[0036]段-第[0089]段，附图1-3）。
对比文件2还公开了如下技术特征：辅助电容6a，辅助电容6a的电容线11b（其构成了电容器的一个电极）与栅极电极11a位于同一金属层，电容中间层13c由In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层形成并与用于TFT 5a的In-Ga-Zn-O类氧化物半导体层13a位于同一层（见说明书第[0040]段-第[0067]段，附图1-7）。
由此可见，从属权利要求8-10的附加技术特征已被对比文件1和2公开，在从属权利要求8-10引用的权利要求不具备创造性的情况下，从属权利要求8-10所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人在答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
以对比文件1作为最接近的现有技术，本申请与对比文件1的主要区别在于对IGZO层的一部分照射光，从而形成用于电容器的一个电极，从该区别技术特征出发，即形成电容器以及对IGZO层的一部分照射光来形成电容器的电极，可以确定本申请实际要解决的技术问题是使得TFT基板具有电容功能，并且在制备电容器时简化生产工艺；
虽然对比文件2要解决的技术问题与本申请不同，但是对比文件2公开的用于有源驱动液晶显示面板的TFT阵列基板具有电容结构，而对比文件1的TFT阵列基板也是用于有源驱动液晶显示面板，即对比文件2和对比文件1的TFT阵列基板均是用于有源驱动液晶显示面板的阵列基板，并且对比文件2指出了在这样的TFT阵列基板中需要设置辅助电容，在此基础上，本领域技术人员很容易想到在对比文件1的用于有源驱动液晶显示面板的TFT阵列基板中也设置辅助电容；
虽然对比文件2是使用红外线加热器和扩散炉等进行真空退火处理，而不是从基板的上方对IGZO层的一部分照射光，不涉及使用光照处理形成电容器的电极，但是对比文件2公开了可对一部分IGZO层进行改性以使其具有导电性能，从而作为辅助电容的电极，另一部分IGZO层仍保留半导体性能，作为TFT的有源层，在此基础上，本领域技术人员很容易想到如果在对比文件1中的TFT阵列基板上设置辅助电容的话，可以同样设置IGZO层，并使其改性具有导电性能后来作为电容器的电极，而对比文件1已经公开了可使用UV线照射使IGZO层进行改性，在此基础上，为了简化工艺，本领域技术人员很容易想到使用同样的UV线来照射IGZO层从而使其改性。
综上所述，合议组对于复审请求人所陈述的理由不予支持。
基于以上理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年07月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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