发明创造名称：液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程
外观设计名称：
决定号：181262
决定日：2019-06-13
委内编号：1F271609
优先权日：2014-01-17
申请（专利）号：201410100945.0
申请日：2014-03-18
复审请求人：南亚科技股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张健
合议组组长：徐颖
参审员：白若鸽
国际分类号：H01L21/306、H01L21/02、C23F1/32
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，但该区别技术特征的一部分已经被另一篇对比文件公开，另一部分属于本领域的公知常识，或是本领域技术人员根据普通技术知识通过合乎逻辑地分析推理可以得到的，则该权利要求所要求保护的技术方案不具有创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410100945.0，名称为“液体蚀刻剂组成物以及蚀刻过程”的发明专利申请（下称本申请）。申请人为南亚科技股份有限公司。本申请的申请日为2014年03月18日，优先权日为2014年01月17日，公开日为2015年07月22日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年10月08日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-16不符合专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为申请日2014年03月18日提交的说明书摘要、说明书第1-52段、摘要附图、说明书附图图1-4；2018年07月13日提交的权利要求第1-16项。驳回决定所引用的对比文件如下：
对比文件1：CN102031204A，公开日为2011年04月27日；
对比文件2：CN103403845A，公开日为2013年11月20日；
对比文件3：CN102222694A，公开日为2011年10月19日
其中，权利要求1要求保护一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，权利要求10要求保护一种液体蚀刻剂组成物，其与最接近现有技术对比文件2的区别在于“至少一添加剂包括金属防蚀剂，所述金属防蚀剂包括酚羟基的酚类化合物”，而对比文件1公开了上述区别技术特征，因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1得出权利要求1,10所限定的技术方案是显而易见的，因而该权利要求1和10不具备创造性；同理，权利要求15和16也不具备创造性。从属权利要求2-9,11-14的附加技术特征或者被对比文件1-3公开、或者属于本领域的公知常识，因此也不具备创造性。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物。
2. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。
3. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。
4. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂。
5. 根据权利要求4所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。
6. 根据权利要求4所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。
7. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt％至5.5wt％的范围内。
8. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述金属电极包括TiN，且所述金属防蚀剂包括TiN防蚀剂。
9. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述硅层包括多晶硅。
10. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物。
11. 根据权利要求10所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂。
12. 根据权利要求10所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt％至5.5wt％的范围内。
13. 根据权利要求10所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，所述NH4OH由溶解在所述液体蚀刻剂组成物中的浓度为5wt％至10wt％的NH3所形成。
14. 根据权利要求10所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述金属防蚀剂包括TiN防蚀剂。
15. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂，且所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物。
16. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂，且所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服,于2019年01月21日向国家知识产权局提出了复审请求，修改了权利要求书，在权利要求1、10、15、16中增加了“所述酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸”的技术特征。复审请求人认为：对比文件1的“二羟基苯甲酸(分子式为C7H6O4)”与本申请的“4-羟基苯甲酸(分子式为C7H6O3)”为不同化合物，更应理解二羟基苯甲酸与4-羟基苯甲酸为分子式及结构式不同的化合物；对比文件2未揭示或教示硅蚀刻液可包括金属防蚀剂。
复审请求时新修改的独立权利要求如下：
“1. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物，所述酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸。
10. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由 TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物，所述酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸。
15. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂，且所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物，所述酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸。
16. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由 TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括金属防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述金属防蚀剂，且所述金属防蚀剂包括具有酚羟基的酚类化合物，所述酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2019年01月30日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了一种形成半导体器件的蚀刻过程，包括使用碱性蚀刻液进行蚀刻，且为避免对于金属电极的腐蚀，在蚀刻液中添加金属防蚀剂，且防蚀剂可以为二羟基苯甲酸。也就是，对比文件1给出了将该特征用于对比文件2以进一步解决其技术问题的启示。其余的技术特征“酚类化合物苯酚、4-硝基苯酚以及4-羟基苯甲酸”为本领域的公知常识。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月25日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-16不符合专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人提出的意见，合议组认为：对比文件2虽然没有公开硅蚀刻液中含有金属防蚀剂的技术方案，但是对比文件1给出了相应的启示。对比文件1公开的二羟基苯甲酸就是带有羟基的苯甲酸结构，与本申请的4-羟基苯甲酸实则为相似组成结构。硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂，属于公知常识。
复审请求人于2019年05月08日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，主要将原权利要求8的内容并入原权利要求1，将原权利要求14的内容并入原权利要求10，删除原权利要求8、14，同理也针对原权利要求15,16进行了相应的修改，并在语句上稍作调整。复审请求人认为：修改后的权利要求已经限定了金属氮化物TiN的防蚀剂，酚类化合物可以作为TiN的防蚀剂；而对比文件1没有公开相关信息，对比文件1只公开了羧酸可以作为铝、铜及其合金的防蚀剂；羧酸的官能基与酚类的官能基不同；公知常识证据讨论的是针对金属钛，而不是金属氮化物TiN。
复审请求人提交的权利要求书如下：
“1. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个包括TiN的金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括TiN防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。
2. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。
3. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。
4. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂。
5. 根据权利要求4所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，且在温度为65℃至85℃的范围内进行蚀刻。
6. 根据权利要求4所述的蚀刻过程，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，且在温度为50℃至70℃的范围内进行蚀刻。
7. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt％至5.5wt％的范围内。
8. 根据权利要求1所述的蚀刻过程，其特征在于，所述硅层包括多晶硅。
9. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括TiN防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。
10. 根据权利要求9所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述至少一添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂。
11. 根据权利要求9所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由TMAH所组成，相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，TMAH的量在4.5wt％至5.5wt％的范围内。
12. 根据权利要求9所述的液体蚀刻剂组成物，其特征在于，所述主蚀刻剂由NH4OH所组成，所述NH4OH由溶解在所述液体蚀刻剂组成物中的浓度为5wt％至10wt％的NH3所形成。
13. 一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程，其特征在于，包括：
提供基板，在所述基板上有硅层以及在所述硅层中的多个包括TiN的金属电极；以及
使用液体蚀刻剂组成物移除所述硅层，所述液体蚀刻剂组成物包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括TiN防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂，且所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。
14. 一种液体蚀刻剂组成物，用于蚀刻硅，其特征在于，包括：
主蚀刻剂，由氢氧化四甲基铵TMAH所组成、由NH4OH所组成或由TMAH以及NH4OH所组成；
至少一添加剂，包括TiN防蚀剂；以及
水，作为溶剂，
其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在 1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂，且所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人于2019年05月08日提交了权利要求第1-14项。经审查，该修改符合专利法第33条以及专利法实施细则第61条第１款的规定。因此，本次复审决定所依据的审查文本是：2019年05月08日提交的权利要求第1-14项，2014年03月18日提交的说明书第1-52段、说明书附图图1-4、说明书摘要、摘要附图。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求所要求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，但该区别技术特征是本领域的公知常识，或是本领域技术人员根据普通技术知识通过合乎逻辑地分析推理可以得到的，则该权利要求所要求保护的技术方案不具有创造性。
本复审决定引用原审查部门在驳回决定中所引用的对比文件1、对比文件2作为现有技术，即：
对比文件1：CN102031204A，公开日为2011年04月27日；
对比文件2：CN103403845A，公开日为2013年11月20日；
权利要求1要求保护一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程。对比文件2公开了一种形成电容器结构的方法（参见权利要求1-19，说明书第0008-0009,0031-0102段，表1，附图1-5），其包括，提供硅晶圆3（即基板），及其上形成的多晶硅膜或非晶硅膜，以及导电膜5（即金属电极），并包括利用硅蚀刻液进行蚀刻的步骤。其中，硅蚀刻液可以是碱化合物和羟胺化合物的组合，具体地碱化合物可以是四甲铵氢氧化物(tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH)和/或氨，表1公开了溶剂为水。另外，电容器的凹凸形状的所述区域包括TiN，以及构成电容器结构的核心的电极材料的实例可为氮化钛。
该权利要求1与对比文件2的区别在于：添加剂包括TiN防蚀剂；所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。基于该区别技术特征，权利要求1实际要解决的问题是：如何提高蚀刻效果，减低对电极的腐蚀。对比文件1公开了一种清洗组合物（参见权利要求1-24，说明书第0063-0119段，附图1-2），其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，其中导体膜可以是TiN，清洗组合物包括有机酸，可以作为防腐蚀剂起作用，具体地可以是二羟基苯甲酸。虽然没有具体公开4-羟基苯甲酸，但是4-羟基苯甲酸与二羟基苯甲酸均是常见的具有类似结构的有机酸，本领域技术人员根据对比文件1给出的启示，结合本领域技术人员普通技术知识，经过合乎逻辑地分析推理即可得到选择4-羟基苯甲酸的技术方案，这是不需要付出创造性劳动的。另外，对于苯酚、4-硝基苯酚的技术方案，由于对比文件1已经给出了在清洗组合物中添加缓蚀剂的启示，而硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂，属于公知常识。
由此可见，在对比文件2的基础上结合对比文件1（和公知常识），且经过合乎逻辑地分析推理就可以得到该权利要求1所要求保护的技术方案，这是显而易见的，该权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2从属于权利要求1，对比文件2公开了蚀刻剂可以由四甲铵氢氧化物(TMAH)所组成，具体地温度可以在80℃工作（参见说明书第0065，0091段）。可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件2公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求2不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求3从属于权利要求1，对比文件2公开了碱化合物是由四级铵氢氧化物、氨中选出的一或多个化合物（参见权利要求15），而氨属于本领域惯用的蚀刻材料，对于其具体的工作温度是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。因此，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求3不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求4从属于权利要求1，对比文件1已经公开了防腐蚀剂加入量0.1wt%至10wt%（参见说明书第0085-0090段），而对于其具体的使用量范围，是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。因此，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求4不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求5从属于权利要求4，对比文件2公开了蚀刻剂可以由四甲铵氢氧化物(TMAH)所组成，具体地温度可以在80℃工作（参见说明书第0065，0091段）。可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件2公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求5不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求6从属于权利要求4，对比文件2公开了碱化合物是由四级铵氢氧化物、氨中选出的一或多个化合物（参见权利要求15），而氨属于本领域惯用的蚀刻材料，对于其具体的工作温度是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。因此，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求6不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求7从属于权利要求1，对比文件2公开了碱化合物的使用量在5wt％至15wt％的范围内（参见说明书第0065-0067段）。可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件2公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求7不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求8从属于权利要求1，对比文件2公开了硅层包括多晶硅膜（参见说明书第0042段）。由此可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件2所公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求8不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求9要求保护一种液体蚀刻剂组成物，对比文件2公开了一种用于形成电容器结构的硅蚀刻液（参见权利要求1-19，说明书第0008-0009,0031-0102段，表1，附图1-5），该硅蚀刻液可以是碱化合物和羟胺化合物的组合，具体地碱化合物可以是四甲铵氢氧化物(tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH)和/或氨，表1公开了溶剂为水。另外，电容器的凹凸形状的所述区域包括TiN，以及构成电容器结构的核心的电极材料的实例可为氮化钛。该权利要求9与对比文件2的区别在于：添加剂包括TiN防蚀剂；所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。基于该区别技术特征，权利要求9实际要解决的问题是：如何提高蚀刻效果，减低对电极的腐蚀。对比文件1公开了一种清洗组合物（参见权利要求1-24，说明书第0063-0119段，附图1-2），其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，导体膜可以是TiN，清洗组合物可包括有机酸，可以作为防腐蚀剂起作用，具体地可以是二羟基苯甲酸。虽然没有具体公开4-羟基苯甲酸，但是4-羟基苯甲酸与二羟基苯甲酸均是常见的具有类似结构的有机酸，本领域技术人员根据对比文件1给出的启示，结合本领域技术人员普通技术知识，经过合乎逻辑地分析推理即可得到选择4-羟基苯甲酸的技术方案，这是不需要付出创造性劳动的。另外，对于苯酚、4-硝基苯酚的技术方案，由于对比文件1已经给出了在清洗组合物中添加缓蚀剂的启示，而硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂，属于公知常识。由此可见，在对比文件2的基础上结合对比文件1（和公知常识），且经过合乎逻辑地分析推理就可以得到该权利要求9所要求保护的技术方案，这是显而易见的，该权利要求9不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求10从属于权利要求9，对比文件1已经公开了防腐蚀剂加入量0.1wt%至10wt%（参见说明书第0085-0090段），而对于其具体的使用量范围，是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。因此，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求10不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求11从属于权利要求9，对比文件2公开了具体地碱化合物可以是四甲铵氢氧化物(TMAH)，碱化合物的使用量在5wt％至15wt％的范围内（参见说明书第0065-0067段）。可见，该权利要求的附加技术特征已被对比文件2公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求11不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求12从属于权利要求9，对比文件2公开了碱化合物是由四级铵氢氧化物、氨中选出的一或多个化合物，碱化合物的使用量在5wt％至15wt％的范围内（参见权利要求15，说明书第0065-0067段）。该权利要求的附加技术特征已被对比文件2公开，在其所引用的权利要求不具有创造性的情况下，该权利要求12不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求13要求保护一种在动态随机存取存储器的电容器制作中的蚀刻过程。对比文件2公开了一种形成电容器结构的方法（参见权利要求1-19，说明书第0008-0009,0031-0102段，表1，附图1-5），其包括，提供硅晶圆3（即基板），及其上形成的多晶硅膜或非晶硅膜，以及导电膜5（即金属电极），其中电容器的凹凸形状的所述区域包括TiN，以及构成电容器结构的核心的电极材料的实例可为氮化钛。并包括利用硅蚀刻液进行蚀刻的步骤。其中，硅蚀刻液可以是碱化合物和羟胺化合物的组合，具体地碱化合物可以是四甲铵氢氧化物(tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH)和/或氨，表1公开了溶剂为水。该权利要求13与对比文件2的区别在于：添加剂包括TiN防蚀剂；其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂；所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。基于该区别技术特征，权利要求13实际要解决的问题是：如何提高蚀刻效果，减低对电极的腐蚀。对比文件1公开了一种清洗组合物（参见权利要求1-24，说明书第0063-0119段，附图1-2），其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，导体膜可以是TiN，清洗组合物可包括有机酸，可以作为防腐蚀剂起作用，具体地可以是二羟基苯甲酸，防腐蚀剂加入量0.1wt%至10wt%。虽然没有具体公开4-羟基苯甲酸，但是4-羟基苯甲酸与二羟基苯甲酸均是常见的具有类似结构的有机酸，本领域技术人员根据对比文件1给出的启示，结合本领域技术人员普通技术知识，经过合乎逻辑地分析推理即可得到选择4-羟基苯甲酸的技术方案，这是不需要付出创造性劳动的。另外，对于苯酚、4-硝基苯酚的技术方案，由于对比文件1已经给出了在清洗组合物中添加缓蚀剂的启示，而硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂，属于公知常识。而对于其具体的使用量范围，是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。由此可见，在对比文件2的基础上结合对比文件1（和公知常识），且经过合乎逻辑地分析推理和有限的试验就可以得到该权利要求13所要求保护的技术方案，这是显而易见的，该权利要求13不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求14要求保护一种液体蚀刻剂组成物。对比文件2公开了一种用于形成电容器结构的硅蚀刻液（参见权利要求1-19，说明书第0008-0009,0031-0102段，表1，附图1-5），该硅蚀刻液可以是碱化合物和羟胺化合物的组合，具体地碱化合物可以是四甲铵氢氧化物(tetramethyl ammonium hydroxide，TMAH)和/或氨，表1公开了溶剂为水，其中，电容器的凹凸形状的所述区域包括TiN，以及构成电容器结构的核心的电极材料的实例可为氮化钛。该权利要求14与对比文件2的区别在于：添加剂包括TiN防蚀剂；其中相对于所述液体蚀刻剂组成物的总重量而言，所述添加剂包括在1wt％至5wt％范围内的量的所述TiN防蚀剂；所述TiN防蚀剂包括酚类化合物，所述酚类化合物包括苯酚、4-硝基苯酚或4-羟基苯甲酸。基于该区别技术特征，权利要求14实际要解决的问题是：如何提高蚀刻效果，减低对电极的腐蚀。对比文件1公开了一种清洗组合物（参见权利要求1-24，说明书第0063-0119段，附图1-2），其为除去在半导体用基板上形成的等离子蚀刻残渣及/或灰化残渣用的清洗组合物，导体膜可以是TiN，清洗组合物可包括有机酸，可以作为防腐蚀剂起作用，具体地可以是二羟基苯甲酸，防腐蚀剂加入量0.1wt%至10wt%。虽然没有具体公开4-羟基苯甲酸，但是4-羟基苯甲酸与二羟基苯甲酸均是常见的具有类似结构的有机酸，本领域技术人员根据对比文件1给出的启示，结合本领域技术人员普通技术知识，经过合乎逻辑地分析推理即可得到选择4-羟基苯甲酸的技术方案，这是不需要付出创造性劳动的。另外，对于苯酚、4-硝基苯酚的技术方案，由于对比文件1已经给出了在清洗组合物中添加缓蚀剂的启示，而硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂，属于公知常识。而对于其具体的使用量范围，是本领域技术人员根据实际情况，经过合乎逻辑地分析和有限的试验就可得到的，是不需要付出创造性劳动的。由此可见，在对比文件2的基础上结合对比文件1（和公知常识），且经过合乎逻辑地分析推理和有限的试验就可以得到该权利要求14所要求保护的技术方案，这是显而易见的，该权利要求14不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具有创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人的相关意见，合议组认为：（1）如之前的评述，对比文件2公开了电容器的凹凸形状的所述区域包括TiN，以及构成电容器结构的核心的电极材料的实例可为氮化钛，而对比文件1公开了导体膜可以是TiN，液体蚀刻剂组成物包括防腐蚀剂，也即可构成TiN的防腐蚀剂，即对比文件1给出了TiN防腐蚀剂的启示。（2）虽然对比文件1没有明确公开4-羟基苯甲酸，但是4-羟基苯甲酸与对比文件1公开的二羟基苯甲酸均是常见的具有类似结构的有机酸，而硝基苯酚、苯酚属于腐蚀领域惯用的有机缓蚀剂。公知常识证据（《钛的腐蚀、防护及工程应用》，辛湘杰等，1988.01出版，第448-451页）中提及其属于氧化性有机化合物缓蚀剂，本领域技术人员可以想到将其作为通用的缓蚀剂予以使用，这是不需要付出创造性劳动的。
因此，复审请求人的意见不能被接受。
根据上述事实和理由，合议组作出如下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年10月08日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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