发明创造名称：功率器件及其制造方法
外观设计名称：
决定号：181746
决定日：2019-06-11
委内编号：1F258268
优先权日：2012-04-24, 2013-04-19
申请（专利）号：201310146711.5
申请日：2013-04-24
复审请求人：快捷韩国半导体有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：韩颖姝
合议组组长：白燕
参审员：颜庙青
国际分类号：H01L29/739,H01L29/06,H01L29/36,H01L21/331
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术具有区别技术特征，其中区别技术特征的一部分在另一篇对比文件中公开且给出了技术启示，其余部分区别技术特征为本领域的公知常识，则该权利要求对于本领域技术人员是显而易见的，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310146711.5，名称为“功率器件及其制造方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为快捷韩国半导体有限公司，申请日为2013年04月24日，优先权日为2012年04月24日和2013年04月19日，公开日为2013年10月30日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年04月28日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-24不符合专利法第22条第3款有关创造性的规定。驳回决定所依据的文本为：申请日2013年04月24日提交的说明书第1-16页、说明书附图第1-12页、说明书摘要和摘要附图；2017年09月18日提交的权利要求第1-24项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高的区段，所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
第一传导类型的外延层的漂移区，设置在所述第二FS层上且具有的杂质密度低于所述第一FS层的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述漂移区的上部中；
栅电极，位于栅绝缘层上，其中所述栅绝缘层邻近所述基极区设置；以及
第二传导类型的集电极区，设置在所述第一FS层下方。
2. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二FS层在第一区段处具有最大杂质密度，所述第二FS层的杂质密度从所述第一FS层向所述第一区段增大并且从所述第一区段向所述漂移区减小。
3. 根据权利要求2所述的功率器件，其中，所述杂质密度在所述第二FS层的一部分处快速减小，并且所述第二FS层的该部分接触所述漂移区。
4. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二FS层包括具有不同杂质的至少两个层。
5. 根据权利要求4所述的功率器件，其中，所述至少两个层包括邻近所述第一FS层的第一层，所述第一层具有的杂质密度高于所述至少两个层中的第二层的杂质密度。
6. 根据权利要求4所述的功率器件，其中，所述至少两个层包括邻近所述漂移区的一层，该层具有的杂质密度低于所述第一FS层的杂质密度。
7. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一FS层沿着深度方向 具有恒定的杂质密度分布，所述第一FS层具有的杂质密度高于所述漂移区的杂质密度，并且所述第二FS层消除了所述第一FS层与所述漂移区之间的密度差，且所述第二FS层具有杂质密度比所述第一FS层的杂质密度高的部分。
8. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一FS层具有的杂质密度为约1E14cm-3至约1E16cm-3，并且所述第二FS层包括杂质密度为约1E15cm-3至约1E17cm-3的部分。
9. 根据权利要求1所述的功率器件，进一步包括：
射电极，电连接至所述发射极区；以及
集电极，电连接至所述集电极区。
10. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一FS层包含丘克拉斯基(CZ)单晶体。
11. 一种制造功率器件的方法，所述方法包括：
制备第一传导类型的半导体衬底；
通过在所述第一传导类型的半导体衬底的上表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第二场阻止(FS)层；
通过在所述第二FS层上生长第一传导类型的外延层来形成漂移区，所述第一传导类型外延层具有的杂质密度低于所述第一传导类型的半导体衬底的杂质密度；
在所述漂移区的表面的一区段中形成第二传导类型的基极区；
在所述第二传导类型的基极区的表面的一区段中形成第一传导类型的发射极区；
在所述漂移区、所述第二传导类型的基极区、以及所述第一传导类型的发射极区上方形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅电极；
在所述第二传导类型的基极区上并且在所述第一传导类型的发射极区上形成射电极；
通过研磨所述第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成第一FS层，所 述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；以及
在所述第一FS层下方形成第二传导类型的集电极区。
12. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二FS层的厚度和所述第一FS层的厚度之和小于不形成所述第二FS层时所述第一FS层的厚度。
13. 根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第二FS层包括在植入所述第一传导类型杂质离子之后通过热处理来扩散所述第一传导类型杂质离子。
14. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二FS层包括以不同杂质或不同掺杂能量形成的至少两个层。
15. 根据权利要求14所述的方法，其中，所述至少两个层包括邻近所述第一FS层的第一层，所述第一层具有的杂质密度高于所述至少两个层中的第二层的杂质密度。
16. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一FS层具有的杂质密度高于所述漂移层的杂质密度，并且所述第二FS层包括杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高的区域，所述第二FS层的杂质密度增大且随后减小，以消除所述第一FS层与所述漂移层之间的密度差。
17. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一FS层具有的杂质密度为约1E14cm-3至约1E16cm-3，并且所述第二FS层包括杂质密度为约1E15cm-3至约1E17cm-3的部分。
18. 根据权利要求11所述的方法，其中，所述第二传导类型基极区和所述第一传导类型发射极区中的每个均通过在预定部分中选择性地植入相应离子并通过热处理来扩散所植入的离子而形成，并且所述第二传导类型集电极区通过将相应离子植入到研磨的半导体衬底的下表面中并且通过热处理来扩散所植入的离子而形成。
19. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层，所述第一FS层通过研磨第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成，并包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有沿着深度方向恒定的杂质密度，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
第二FS层，设置在所述第一FS层上，具有第一传导类型，且所述第二FS层具有杂质密度比所述第一FS层更高的区段；以及
漂移区；
外延层，设置在所述第二FS层上；以及
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在所述外延层上。
20. 根据权利要求19所述的功率器件，其中，所述漂移区沿着所述深度方向具有恒定的杂质密度并且具有的杂质密度小于所述第一FS层的杂质密度。
21. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有杂质密度比所述第一FS层更高的区段，所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
漂移区，所述漂移区设置在所述第二FS层上，所述漂移区形成为第一传导类型的外延层并且具有比所述第一FS层低的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述基极区的表面部分中；
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在一沟槽的表面上，所述沟槽向下形成至所述漂移区内的预定深度；以及
第二传导类型的集电极区，设置在所述第一FS层下方。
22. 根据权利要求21所述的功率器件，其中，所述沟槽的第一侧壁邻近所述发射极区和所述基极区的第一侧。
23. 根据权利要求21所述的功率器件，其中，所述第二FS层包括具有 不同密度的至少两个层。
24. 根据权利要求21所述的功率器件，其中，所述第一FS层具有的杂质密度高于所述漂移区的杂质密度，并且所述第二FS层消除了所述第一FS层与所述漂移区之间的密度差，并且所述第二FS层具有杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高的部分。”
驳回决定引用了以下对比文件：
对比文件1：US 2006/0286753A1，公开日2006年12月21日；
对比文件2：US 2007/0120215A1，公开日2007年05月31日。
驳回决定指出：（1）独立权利要求1和对比文件1相比，其区别在于：所述第一FS层还包括第二区，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；漂移区为外延层。对比文件2公开了上述区别技术特征，且给出了技术启示。因此，权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）独立权利要求11和对比文件1相比，其区别在于：通过在所述第一传导类型的半导体衬底的上表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第二场阻止层；通过在所述第二FS层上生长第一传导类型外延层来形成漂移区；通过研磨所述第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成第一FS层；所述第一FS层还包括第二区，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；形成顺序。上述区别技术特征部分被对比文件2公开且给出技术启示，其余部分是本领域公知常识。因此，权利要求11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（3）权利要求19和对比文件1相比，其区别在于：第一场阻止层通过研磨半导体衬底的下表面来形成；外延层；所述第一FS层还包括第二区，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布。上述区别技术特征部分被对比文件2公开且给出技术启示，其余部分是本领域公知常识。因此，权利要求19不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）权利要求21和对比文件1相比，其区别在于：所述漂移区形成为外延层；所述栅绝缘层设置在一沟槽的表面上，所述沟槽向下形成至所述漂移区内的预定深度；所述第一FS层还包括第二区，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布。上述区别技术特征部分被对比文件2公开且给出技术启示，其余部分是本领域公知常识。因此，权利要求21不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（5）从属权利要求2-10，12-18，20，22-24的附加技术特征或者被对比文件1、对比文件2公开，或者是本领域的公知常识。因此，在独立权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-10，12-18，20，22-24也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月13日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，共包括权利要求1-21项。其中，在驳回决定所针对的权利要求书的基础上修改了权利要求1-3，5，6，11，15，19，21，删除了权利要求4，14，23，同时对权利要求的编号及引用关系作了相应修改。
复审请求时新修改的权利要求书1-5，10，13，17，19内容如下：
“1. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层，由第一传导类型的半导体衬底形成；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，
所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
第一传导类型的外延层的漂移区，设置在所述第二FS层上且具有的杂质密度低于所述第一FS层的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述漂移区的上部中；
栅电极，位于栅绝缘层上，其中所述栅绝缘层邻近所述基极区设置；以及
第二传导类型的集电极区，设置在所述第一FS层下方。
2. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第二FS层在所述下植入FS层具有最大杂质密度，所述第二FS层的杂质密度从所述第一FS层向所述下植入FS层增大并且从所述下植入FS层向所述漂移区减小。
3. 根据权利要求2所述的功率器件，其中，所述杂质密度在所述第二FS层的所述上植入FS层处减小，并且所述第二FS层的所述上植入FS层接触所述漂移区。
4. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述下植入FS层邻近所述第一FS层，所述下植入FS层具有逐渐增加至最大杂质密度点的杂质密度和逐渐降低至所述第一FS层的杂质密度的杂质密度，所述上植入FS层接触所述漂移区，并具有高于漂移区的杂质密度，所述上植入FS层的杂质密度从所述漂移 区的杂质密度逐渐增加。
5. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述上植入FS层的杂质密度低于所述第一FS层的杂质密度。”
“10. 一种制造功率器件的方法，所述方法包括：
制备第一传导类型的半导体衬底；
通过在所述第一传导类型的半导体衬底的上表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第二场阻止(FS)层，所述第二FS层包括上植入FS层和下植入FS层，所述上植入FS层的杂质密度低于所述下植入FS层的杂质密度；
通过在所述第二FS层上生长第一传导类型的外延层来形成漂移区，所述第一传导类型外延层具有的杂质密度低于所述第一传导类型的半导体衬底的杂质密度；
在所述漂移区的表面的一区段中形成第二传导类型的基极区；
在所述第二传导类型的基极区的表面的一区段中形成第一传导类型的发射极区；
在所述漂移区、所述第二传导类型的基极区、以及所述第一传导类型的发 射极区上方形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅电极；
在所述第二传导类型的基极区上并且在所述第一传导类型的发射极区上形成射电极；
通过研磨所述第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成第一FS层，所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；以及
在所述第一FS层下方形成第二传导类型的集电极区。”
“13. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述下植入FS层邻近所述第一FS层的第一层，所述下植入FS层具有逐渐增加到最大杂质密度点的杂质密度和逐渐降低至所述第一FS层的杂质密度的杂质密度，所述上植入FS层接触所述漂移区，并且具有的杂质密度高于所述漂移区的杂质密度，所述上植入FS层的杂质密度从所述漂移区逐渐增加。”
“17. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层，由第一传导类型的半导体衬底形成，所述第一FS层通过研磨第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成，并包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有沿着深度方向恒定的杂质密度，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
第二FS层，设置在所述第一FS层上，具有第一传导类型，且具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低；以及
漂移区；
外延层，设置在所述第二FS层上；以及
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在所述外延层上。”
“19. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止(FS)层，由第一传导类型的半导体衬底形成；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，
所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
漂移区，所述漂移区设置在所述第二FS层上，所述漂移区形成为第一传 导类型的外延层并且具有比所述第一FS层低的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述基极区的表面部分中；
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在一沟槽的表面上，所述沟槽向下形成至所述漂移区内的预定深度；以及
第二传导类型的集电极区，设置在所述第一FS层下方。”
复审请求人认为：（1）对比文件1和2均未公开三个不同的场阻止部分，与只有一个FS层相比，包括上下两个植入层的第二FS层可以与第一FS层结合，一起有效地执行防止耗尽区扩展的功能。对比文件1只提及最多两个场阻止区域，但是没有披露第一FS层由第一传导类型的半导体衬底形成，且第一FS层具有恒定的杂质密度分布；对比文件2仅公开了一个场阻止层。（2）对比文件2中通过研磨形成FS区110，所以不使用退火扩散过程和高浓度离子注入过程来实现FS区；对比文件1中使用退火扩散过程和高浓度离子注入过程来形成场阻止区111和112。因此，本领域普通技术人员不会有动机去组合对比文件1和2或基于对比文件2来修改对比文件1。对比文件1的处理方式会使得区域12的浓度分布不是恒定的（如对比文件1的图2所示）。因此，不能通过基于对比文件2而修改对比文件1来得到本发明。（3）没有动机修改对比文件1包括外延层的动机，因为没有外延层已经使对比文件1达到满意的程度，因此，没有理由或道理添加额外的处理步骤来形成外延层。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月21日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：（1）对比文件1中场阻止区11的浓度变化趋势和本申请相同，因此可以认为其包括了如本申请中的两个子层；即便上FS层和下FS层为物理上结构分开的两层，将两段浓度不同的区域通过两层方式形成也是本领域的常规选择。（2）对比文件1公开了“第一场阻止层由第一传导类型的半导体衬底形成”。（3）对比文件2公开了FS层110具有沿着深度方向恒定的杂质浓度密度分布的第一区，以及沿着所述深度方向具有杂质密度分布低于第一区的杂质密度分布的第二区。对比文件2还公开了通过直接研磨N型半导体衬底形成FS层，以及漂移区通过外延形成。且给出了将上述技术特征应用到对比文件1的技术启示。因此，权利要求不具备创造性，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月22日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-21相对于对比文件2和1以及本领域技术人员的常规选择不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对于复审请求人的意见，合议组认为：在对比文件2的基础上结合对比文件1和公知常识得到具有3个不同的场阻止部分的器件，对本领域技术人员来说是显而易见的；对比文件2中的器件进行注入退火形成第二FS层并不存在技术障碍；最接近的现有技术对比文件2已经公开了外延层。
复审请求人于2019年03月06提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，共包括权利要求第1-21项。复审请求人对权利要求1，9-10，13，17，19进行了修改。
修改后的权利要求1，9-10，13，17，19的内容如下：
“1. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止FS层，由第一传导类型的半导体衬底形成；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低，
所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
第一传导类型的外延层的漂移区，设置在所述第二FS层上且具有的杂质密度低于所述第一FS层的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述漂移区的上部中；
栅电极，位于栅绝缘层上，其中所述栅绝缘层邻近所述基极区设置；以及
第二传导类型的所述集电极区，设置在所述第一FS层下方。”
“9. 根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述第一FS层包含丘克拉斯基CZ单晶体。
10. 一种制造功率器件的方法，所述方法包括：
制备第一传导类型的半导体衬底；
通过在所述第一传导类型的半导体衬底的上表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第二场阻止FS层，所述第二FS层包括上植入FS层和下植入FS层，所述上植入FS层的杂质密度低于所述下植入FS层的杂质密度；
通过在所述第二FS层上生长第一传导类型的外延层来形成漂移区，所述第一传导类型外延层具有的杂质密度低于所述第一传导类型的半导体衬底的杂质密度；
在所述漂移区的表面的一区段中形成第二传导类型的基极区；
在所述第二传导类型的基极区的表面的一区段中形成第一传导类型的发射极区；
在所述漂移区、所述第二传导类型的基极区、以及所述第一传导类型的发射极区上方形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅电极；
在所述第二传导类型的基极区上并且在所述第一传导类型的发射极区上形成射电极；
通过研磨所述第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成第一FS层，所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；以及
在所述第一FS层下方形成第二传导类型的所述集电极区。”
“13. 根据权利要求10所述的方法，其中，所述下植入FS层邻近所述第一FS层，所述下植入FS层具有逐渐增加到最大杂质密度点的杂质密度和逐渐降低至所述第一FS层的杂质密度的杂质密度，所述上植入FS层接触所述漂移区，并且具有的杂质密度高于所述漂移区的杂质密度，所述上植入FS层的杂质密度从所述漂移区逐渐增加。”
“17. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止FS层，由第一传导类型的半导体衬底形成，所述第一FS层通过研磨第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成，并包括第一区和第二区，所述第一区与第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
所述第二FS层，设置在所述第一FS层上，具有第一传导类型，且具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；以及
漂移区；
外延层，设置在所述第二FS层上；以及
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在所述外延层上。”
“19. 一种功率器件，包括：
第一传导类型的第一场阻止FS层，由第一传导类型的半导体衬底形成；
第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层上，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低，
所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；
漂移区，所述漂移区设置在所述第二FS层上，所述漂移区形成为第一传导类型的外延层并且具有比所述第一FS层低的杂质密度；
第二传导类型的基极区，设置在所述漂移区的上部中；
第一传导类型的发射极区，设置在所述基极区的表面部分中；
栅电极，位于栅绝缘层上，所述栅绝缘层设置在一沟槽的表面上，所述沟槽向下形成至所述漂移区内的预定深度；以及
第二传导类型的所述集电极区，设置在所述第一FS层下方。”
复审请求人认为：（1）对比文件1和对比文件2，无论单独考虑或其结合，均至少没有公开如修改后的权利要求1所记载的如下特征：1）所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；2）所述第一FS层包括第一区和第二区，所述第一区与所述第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布。（2）对于区别技术特征1），对比文件1并未记载中截止区段11包括两部分，也并未公开所述第二FS层的上植入物FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低。（3）对于区别技术特征2），对比文件2中紧邻集电极区150（集电极区具有浓度分布705）的一部分沿着厚度方向具有恒定的浓度分布，FS区110的紧邻外延层200（外延层具有沿着厚度方向）的一部分沿着厚度方向具有浓度低于所述恒定的浓度分布。因此，对比文件2没有公开区别技术特征2）。因此，权利要求1具备创造性。基于同样的理由，权利要求10，17，19也具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人于2019年03月06日提交了权利要求书的全文修改替换页（共包括权利要求第1-21项）。经审查，上述修改符合专利法实施细则第61条第1款及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所针对的审查文本为：申请日2013年04月24日提交的说明书第1-16页、说明书附图第1-12页、说明书摘要和摘要附图；2019年03月06日提交的权利要求第1-21项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案相对于最接近的现有技术具有区别技术特征，其中区别技术特征的一部分在另一篇对比文件中公开且给出了技术启示，其余部分区别技术特征为本领域的公知常识，则该权利要求对于本领域技术人员是显而易见的，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与复审通知书以及驳回决定中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：US 2006/0286753A1，公开日2006年12月21日；
对比文件2：US 2007/0120215A1，公开日2007年05月31日。
2-1. 权利要求1请求保护一种功率器件，对比文件2公开了一种功率器件，并具体公开了包括（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：第一传导类型的FS层110，由第一传导类型的半导体衬底100形成；所述FS层110包括第一区（杂质浓度恒定的区域，浓度分布703）和第二区（附图7中第一区域右边的区域，浓度下降的区域），所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区域150直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；第一传导类型的外延层的漂移区200，设置在所述FS层110上且具有的杂质密度低于所述FS层110的杂质密度；第二传导类型的基极区210，设置在所述漂移区200的上部中；第一传导类型的发射极区230，设置在所述漂移区200的上部中；栅电极400，位于栅绝缘层401上，其中所述栅绝缘层401邻近所述基极区210设置；第二传导类型的集电极区150，设置在所述FS层110下方。
权利要求1和对比文件2相比，其区别在于：第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层和漂移区之间，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层的杂质密度更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；第一FS层的第一区与所述第二FS层直接相邻。
基于此，权利要求1实际要解决的技术问题是：采用两级场阻止层，在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。
对比文件1公开了一种功率器件，并具体公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：IGBT具有第一场阻止区11和第二场阻止区12，第一场阻止区11设置在漂移区13和第二场阻止区12之间，且第一场阻止区11的下部区域（靠近第二场阻止区12的部分）的杂质密度比第二场阻止区12的杂质密度更高，第一场阻止区11的上部区域（靠近漂移区13的部分）的杂质密度比第一场阻止区11的下部区域的杂质密度低，其最高杂质密度比第二场阻止区12的最大杂质密度低。第二场阻止区12（相当于第一FS层的第一区）与第一场阻止区11（相当于第二FS层）直接相邻。两级场阻止区能够在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。因此，本领域技术人员能从对比文件1中得到启示，在对比文件2的场阻止区和漂移区之间增加对比文件1中的场阻止区11，则第一FS层的掺杂浓度恒定的第一区与第二FS层直接相邻。而通过对比文件1中一次注入退火形成上述杂质浓度分布，或者如同本申请的由具有不同杂质和/或不同掺杂能量的两个层形成上述杂质浓度分布均是本领域技术人员的常规选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域技术人员的常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2.权利要求2对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0029]段，图1a-2、4）：场阻止层11在下部区域（附图2中右侧区域）具有最大杂质密度，场阻止层11的杂质密度从场阻止层12向所述下部区域增大并且从所述下部区域向所述漂移区13减小。可见，对比文件1公开了权利要求2第二FS层的浓度分布。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3.权利要求3对权利要求2作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0029]段，图1a-2、4）：杂质密度在场阻止层11的上部区域处（附图2中左侧区域）减小，并且场阻止层11的上部区域接触所述漂移区13。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4.权利要求4对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0029]段，图1a-2、4）：场阻止层11的下部区域邻近场阻止层12，场阻止层11的下部区域具有逐渐增加至最大杂质密度点的杂质密度和逐渐降低至场阻止层12的杂质密度的杂质密度，场阻止层11的上部区域接触所述漂移区13，并具有高于漂移区13的杂质密度，所述上部区域的杂质密度从所述漂移区13的杂质密度逐渐增加。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5.权利要求5对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0029]段，图1a-2、4）：场阻止层11的上部区域的杂质密度低于场阻止层12的杂质密度。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6.权利要求6对权利要求1作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0029]段，图1a-2、4）：场阻止层12沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布（参见说明书第[0028]段），场阻止层12具有的杂质密度高于所述漂移区13的杂质密度，并且场阻止层11消除了场阻止层12与所述漂移区13之间的密度差，且场阻止层11具有杂质密度比场阻止层12的杂质密度高的部分。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-7.权利要求7对权利要求1作了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第[0056]段）：场阻止区110的掺杂浓度为1E15cm-3-2E16cm-3（和1E14cm-3至约1E16cm-3范围交叠）。对比文件1公开了（参见说明书第[0029]）：阻止层12的杂质浓度小于场阻止层11的最高杂质浓度的20%。在此基础上选择的场阻止层11的掺杂浓度为1E15cm-3-1E17cm-3，属于本领域技术人员的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-8.权利要求8对权利要求1作了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：射电极300，电连接至所述发射极区230；集电极500，电连接至所述集电极区150。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-9.权利要求9对权利要求1作了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第[0039]-[0058]段，附图1-7）：场阻止区110包含丘克拉斯基(CZ)单晶体。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-10.权利要求10请求保护一种制造功率器件的方法，对比文件2公开了一种制造功率器件的方法，并具体公开了所述方法包括（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：制备第一传导类型的半导体衬底100；通过在所述半导体衬底100上生长第一传导类型的外延层来形成漂移区200，所述第一传导类型外延层具有的杂质密度低于所述第一传导类型的半导体衬底100的杂质密度；在所述漂移区200的表面的一区段中形成第二传导类型的基极区210；在所述第二传导类型的基极区210的表面的一区段中形成第一传导类型的发射极区230；在所述漂移区200、所述第二传导类型的基极区210、以及所述第一传导类型的发射极区230上方形成栅绝缘层401；在所述栅绝缘层上形成栅电极400；在所述第二传导类型的基极区210上并且在所述第一传导类型的发射极区230上形成射电极300；通过研磨所述第一传导类型的半导体衬底的下表面来形成FS层110，所述FS层110包括（杂质浓度恒定的区域，浓度分布703）和第二区（附图7中第一区域右边的区域，浓度下降的区域），所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区150直接相邻沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；在所述FS层110下方形成第二传导类型的集电极区150。
权利要求10和对比文件2相比，其区别在于：通过在所述第一传导类型的半导体衬底的上表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第二场阻止FS层，漂移区形成在第二FS层上，所述第二FS层包括上植入FS层和下植入FS层，所述上植入FS层的杂质密度低于所述下植入FS层的杂质密度；所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；第一FS层的第一区与所述第二FS层直接相邻。
基于此，该权利要求实际要解决的技术问题是：采用两级场阻止层，在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。
对比文件1公开了一种制造功率器件，并具体公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）在第一传导类型的半导体衬底的一表面中植入第一传导类型杂质离子来形成第一场阻止区11（对应于第二场阻止(FS)层），漂移区在第一场阻止区11上，所述第一场阻止区11包括上部区域（靠近漂移区13的部分）和下部区域（靠近第二场阻止区12的部分），所述上部区域的杂质密度低于所述下部区域的杂质密度，其最高杂质密度比第二场阻止区12的最大杂质密度低。第二场阻止区12（相当于第一FS层的第一区）与第一场阻止区11（相当于第二FS层）直接相邻。两级场阻止区能够在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。因此，本领域技术人员能从对比文件1中得到启示，将对比文件2的注入形成场第一场阻止区11的方法应用到对比文件1中，则第一FS层的掺杂浓度恒定的第一区与第二FS层直接相邻。而在衬底背面或正面注入，一次注入退火形成或者不同杂质、不同掺杂能量的两次注入形成上述杂质浓度分布，均是本领域技术人员的常规选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域技术人员的常规选择得到权利要求10的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求10不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-11. 权利要求11对权利要求10作了进一步的限定。增加了一级具有较高浓度掺杂区的场阻止层后的场阻止层，提高了场阻止效果，因此，本领域技术人员容易想到采用较薄的场阻止层总厚度，无需付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-12. 权利要求12对权利要求10作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0028]段，图1a-2、4）：形成所述场阻止层11包括在植入所述第一传导类型杂质离子之后通过热处理来扩散所述第一传导类型杂质离子。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-13. 权利要求13对权利要求10作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：场阻止区11的下部区域邻近场阻止层12，所述下部区域具有逐渐增加到最大杂质密度点的杂质密度和逐渐降低至场阻止层12的杂质密度的杂质密度，所述上部区域接触所述漂移区13，并且具有的杂质密度高于所述漂移区13的杂质密度，所述上部区域的杂质密度从所述漂移区13逐渐增加。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求13也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-14. 权利要求14对权利要求10作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：场阻止层12具有的杂质密度高于所述漂移层13的杂质密度，并且场阻止层11包括杂质密度比场阻止层12的杂质密度更高的区域，场阻止层11的杂质密度增大且随后减小，以消除所述阻止层12与所述漂移层13之间的密度差。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-15.权利要求15对权利要求10作了进一步的限定。场阻止区110的掺杂浓度为1E15cm-3-2E16cm-3（和1E14cm-3至约1E16cm-3范围交叠）。对比文件1公开了（参见说明书第[0029]）：阻止层12的杂质浓度小于场阻止层11的最高杂质浓度的20%。在此基础上选择场阻止层11的掺杂浓度为1E15cm-3-1E17cm-3属于本领域技术人员的常规选择。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求15也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-16.权利要求16对权利要求10作了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第[0043]-[0052]段,附图3-5）：第二传导类型基极区210和第一传导类型发射极区230中的每个均通过在预定部分中选择性地植入相应离子并通过热处理来扩散所植入的离子而形成，并且第二传导类型集电极区150通过将相应离子植入到研磨的半导体衬底的下表面中并且通过热处理来扩散所植入的离子而形成。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求16也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-17. 权利要求17请求保护一种功率器件，对比文件2公开了一种功率器件，包括（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：第一传导类型的FS层110，由第一传导类型的半导体衬底形成，所述FS层110通过研磨第一传导类型的半导体衬底100的下表面来形成，并包括（杂质浓度恒定的区域，浓度分布703）和第二区（附图7中第一区域右边的区域，浓度下降的区域），所述第一区沿着深度方向具有沿着深度方向恒定的杂质密度，所述第二区与集电极区150直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；漂移区200；外延层200，设置在所述第一FS层上；以及栅电极400，位于栅绝缘层401上，所述栅绝缘层401设置在所述外延层200上。
权利要求17和对比文件2相比，其区别在于：第二FS层，设置在所述第一FS层和漂移区之间,第二FS层具有第一传导类型，且具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；第一FS层的第一区与所述第二FS层直接相邻。
基于此，该权利要求实际要解决的技术问题是：采用两级场阻止层，在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。
对比文件1公开了一种制造功率器件，并具体公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：IGBT具有第一场阻止区11和第二场阻止区12，第一场阻止区11设置在漂移区13和第二场阻止区12之间，且第一场阻止区11的下部区域（靠近第二场阻止区12的部分）的杂质密度比第二场阻止区12的杂质密度更高，第一场阻止区11的上部区域（靠近漂移区13的部分）的杂质密度比第一场阻止区11的下部区域的杂质密度低，其最高杂质密度比第二场阻止区12的最大杂质密度低。第二场阻止区12（相当于第一FS层的第一区）与第一场阻止区11（相当于第二FS层）直接相邻。两级场阻止区能够在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。因此，本领域技术人员能从对比文件1中得到启示，在对比文件2的场阻止区和漂移区之间增加对比文件1中的场阻止区11，则第一FS层的掺杂浓度恒定的第一区与第二FS层直接相邻。而通过对比文件1中一次注入退火形成上述杂质浓度分布，或者如同本申请的由具有不同杂质和/或不同掺杂能量的两个层形成上述杂质浓度分布均是本领域技术人员的常规选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域技术人员的常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求17不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-18. 权利要求18对权利要求17作了进一步的限定。对比文件2公开了（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：所述漂移区200沿着所述深度方向具有恒定的杂质密度并且具有的杂质密度小于场阻止层110的杂质密度。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-19. 权利要求19请求保护一种功率器件，对比文件2公开了一种功率器件，包括（参见说明书第[0030]-[0058]段，附图1-7）：第一传导类型的FS层110，由第一传导类型的半导体衬底100形成；所述FS层110包括第一区（杂质浓度恒定的区域，浓度分布703）和第二区（附图7中第一区域右边的区域，浓度下降的区域），所述第一区沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区150直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布；漂移区200，所述漂移区设置在所述FS层110上，所述漂移区形成为第一传导类型的外延层并且具有比所述FS层110低的杂质密度；第二传导类型的基极区210，设置在所述漂移区200的上部中；第一传导类型的发射极区230，设置在所述基极区210的表面部分中；栅电极400，位于栅绝缘层401上；第二传导类型的集电极区150，设置在所述第一FS层110下方。
权利要求19和对比文件2相比，其区别在于：（1）第一传导类型的第二FS层，设置在所述第一FS层和漂移区之间，所述第二FS层具有下植入FS层和上植入FS层，所述下植入FS层的杂质密度比所述第一FS层更高，所述上植入FS层的杂质密度比所述下植入FS层的杂质密度低，所述第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低；第一FS层的第一区与所述第二FS层直接相邻；（2）所述栅绝缘层设置在一沟槽的表面上，所述沟槽向下形成至所述漂移区内的预定深度。
基于此，该权利要求实际要解决的技术问题是：采用两级场阻止层，在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果以及形成另外一种栅结构。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了一种制造功率器件，并具体公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：IGBT具有第一场阻止区11和第二场阻止区12，第一场阻止区11设置在漂移区13和第二场阻止区12之间，且第一场阻止区11的下部区域（靠近第二场阻止区12的部分）的杂质密度比第二场阻止区12的杂质密度更高，第一场阻止区11的上部区域（靠近漂移区13的部分）的杂质密度比第一场阻止区11的下部区域的杂质密度低，其最高杂质密度比第二场阻止区12的最大杂质密度低。第二场阻止区12（相当于第一FS层的第一区）与第一场阻止区11（相当于第二FS层）直接相邻。两级场阻止区能够在保持较薄的器件结构同时达到良好的场阻止效果。因此，本领域技术人员能从对比文件1中得到启示，在对比文件2的场阻止区和漂移区之间增加对比文件1中的场阻止区11，则第一FS层的掺杂浓度恒定的第一区与第二FS层直接相邻。而通过对比文件1中一次注入退火形成上述杂质浓度分布，或者如同本申请的由具有不同杂质和/或不同掺杂能量的两个层形成上述杂质浓度分布均是本领域技术人员的常规选择。
对于区别技术特征（2），对于本领域技术人员而言，平面栅结构和槽栅结构均是本领域常规的两种结构，本领域技术人员可以根据实际需要选择其中的结构，属于本领域的常规设置。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件1以及本领域技术人员的常规选择得到权利要求1的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求19不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-20. 权利要求20对权利要求19作了进一步的限定。沟槽的第一侧壁邻近所述发射极区和所述基极区的第一侧，是本领域槽栅结构的常规设置。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求20也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-21. 权利要求21对权利要求19作了进一步的限定。对比文件1公开了（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4）：场阻止层12具有的杂质密度高于所述漂移区13的杂质密度，并且场阻止层11消除了场阻止层12与所述漂移区13之间的密度差，并且所场阻止层11具有杂质密度比场阻止层12的杂质密度更高的部分。因此，在其引用的权利要求不具备创造性时，权利要求21也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人的意见
对于复审请求人在答复复审通知书时的意见，合议组认为：
对于复审请求人陈述的区别技术特征1），对比文件1公开了两个场阻止区11（相当于第二FS层）和12（相当于第一FS层的第一区）。场阻止区12由半导体衬底形成，具有恒定的杂质密度分布（参见说明书第[0028]段）；阻止层 11的杂质浓度分布趋势与本申请图2B的上、下FS层124、122的趋势相同，即都是从漂移区一侧开始浓度上升到最高点，然后浓度减小至背面的场阻止层12的浓度，场阻止层12的浓度大于漂移区的浓度（参见说明书第[0022]-[0037]段，图1a-2、4），因此对比文件1可以解决与本申请相同的技术问题。要形成上述杂质浓度分布选择在衬底背面或正面注入、一次注入退火形成单层结构，或者不同杂质、不同掺杂能量的两次注入的方式双层结构均是本领域技术人员的常规选择。即在对比文件1的启示下获得双层结构结构的第二FS层，且第二FS层的上植入FS层的最大杂质密度比所述第一FS层的最大杂质密度低，对本领域技术人员来说是显而易见的。
对于复审请求人陈述的区别技术特征2），参见对比文件2附图7以及说明书第[0055]-[0057]段，FS层110具有恒定的掺杂浓度703区域，以及掺杂浓度恒定区域右侧和集电极区相邻的浓度低于恒定浓度703的下降区域。由此可见，复审请求人陈述的区别技术特征2）并不准确，对比文件2已经公开了技术特征“所述第一FS层包括第一区（杂质浓度恒定的区域，浓度分布703）和第二区（附图7中第一区域右边的区域，浓度下降的区域），所述第一区具有恒定的杂质密度分布，所述第二区与集电极区直接相邻且沿着所述深度方向具有的杂质密度分布低于所述第一区的杂质密度分布”，其中仅“第一区与所述第二FS层直接相邻”未被对比文件2公开，对此，参见上述评述，对比文件1给出了在对比文件2的场阻止区110和漂移区200之间增加对比文件1中的场阻止区11的技术启示。对比文件2中FS层110中浓度恒定区域左边的浓度下降区域是由于和漂移区之间的浓度差出现的界面。当根据对比文件1的启示在对比文件2中的场阻止区110和漂移区200之间增加对比文件1中的场阻止区11时，自然会选择对比文件1中的掺杂浓度趋势，对比文件2中场阻止区110与漂移区200之间的界面浓度不再存在，即：从漂移区一侧开始浓度上升，然后浓度减小至背面的场阻止区的浓度，背面的场阻止区的浓度大于漂移区的浓度。如此则背面的场阻止区的第一区与第二FS层直接相邻且沿着深度方向具有恒定的杂质密度分布。
综上，复审请求人的意见合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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