发明创造名称：一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置
外观设计名称：
决定号：181071
决定日：2019-06-10
委内编号：1F269495
优先权日：
申请（专利）号：201611208526.4
申请日：2016-12-23
复审请求人：京东方科技集团股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：王丹
合议组组长：骆素芳
参审员：徐健
国际分类号：H01L51/50,H01L51/56
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分是本领域的公知常识，其余部分是本领域的技术人员在其他对比文件的技术启示下容易想到和通过有限的试验能够获得的，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求审查决定涉及申请号为201611208526.4，名称为“一种有机电致发光显示面板及其制作方法、显示装置”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为京东方科技集团股份有限公司，申请日为2016年12月23日，公开日为2017年05月31日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年09月07日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1、8、9不具备专利法第22条第3款规定的创造性，并在其他说明部分指出权利要求2-7、10-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。1、独立权利要求1的一个技术方案相对于对比文件1（CN102439197A，公开日为2012年05月02日）的区别技术特征在于：（1）半导体层覆盖整个衬底基板；（2）流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值。其中区别技术特征（1）被对比文件2（CN103915572A，公开日为2014年07月09日）公开，区别技术特征（2）是本领域技术人员很容易想到的，因此独立权利要求1的上述技术方案不具备创造性，此外，独立权利要求1的另一并列技术方案也不具备创造性。2、独立权利要求8包括权利要求1-7任一项的有机电致发光显示面板，独立权利要求9是基于权利要求1要求保护的有机电致发光显示面板而实现的，在权利要求1不具备创造性的情况下，独立权利要求8、9也不具备创造性。3、从属权利要求2、6、11、12部分技术方案的附加技术特征被对比文件1公开，其余部分技术方案的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求3、4、7、10、13的附加技术特征是本领域的公知常识或通过有限的试验可以得到的；从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开；因此从属权利要求2-7、10-13也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为申请日2016年12月23日提交的说明书摘要、说明书第1-89段、说明书附图图1-9b、摘要附图；2018年05月24日提交的权利要求第1-13项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种有机电致发光显示面板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，其特征在于，还包括覆盖整个所述衬底基板的半导体层；其中：
所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间；或，
所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间；
流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述半导体层为有机化合物半导体层，或为非晶态半导体层，或为氧化物半导体层。
3. 根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述非晶态半导体层为非晶硅半导体层。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述半导体层的厚度为500?到1000?。
5. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述阳极的材料为金属材料或透明导电材料；
所述阴极的材料为金属材料或透明导电材料。
6. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，当所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阳极和所述半导体层之间的空穴注入层；或，位于所述半导体层和所述有机发光层之间的空穴注入层；
当所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阳极和所述有机发光层之间的空穴注入层。
7. 根据权利要求1或6所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，当 所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述有机发光层和所述阴极之间的电子传输层；
当所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阴极和所述半导体层之间的电子传输层；或，位于所述半导体层和所述有机发光层之间的电子传输层。
8. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的有机电致发光显示面板。
9. 一种有机电致发光显示面板的制作方法，包括在衬底基板上制作阳极、有机发光层和阴极的方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述阳极上制作一层半导体层，该半导体层覆盖整个衬底基板；或，
在所述阴极上制作一层半导体层，该半导体层覆盖整个衬底基板；
所述在衬底基板上制作阳极或阴极之前包括：在所述衬底基板上制作若干阵列排列的薄膜晶体管阵列电路；
流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为所述薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值。
10. 根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阳极上制作一层半导体层，包括：
在所述阳极上通过化学气相沉积的方法沉积一层半导体层；
所述在所述阴极上制作一层半导体层，包括：
在所述阴极上通过化学气相沉积的方法沉积一层半导体层。
11. 根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述半导体层为有机化合物半导体层，或为非晶态半导体层，或为氧化物半导体层。
12. 根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，当在所述阳极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阳极和所述半导体层之间制作空穴注入层；或，在所述半导体层和 所述有机发光层之间制作空穴注入层；
当在所述阴极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阳极和所述有机发光层之间制作空穴注入层。
13. 根据权利要求9或12所述的制作方法，其特征在于，当在所述阳极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述有机发光层和所述阴极之间制作电子传输层；
当在所述阴极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阴极和所述半导体层之间制作电子传输层；或，在所述半导体层和所述有机发光层之间制作电子传输层。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年12月21日向国家知识产权局提出了复审请求，并未修改申请文件。复审请求人认为：（1）本申请为OLED显示领域，而对比文件2为OLED照明领域，OLED显示领域涉及的像素定义层与OLED照明领域涉及的凸起结构106完全不同，对比文件2中的凸起结构是为了将第一电极和第二电极相互隔开以避免发生短路问题，而本申请的像素定义层是为了界定出不同的颜色的子像素发光区域。（2）对比文件2公开的有机半导体层并不相当于本申请权利要求1的半导体层。对比文件2公开的有机半导体层相当于OLED显示领域的有机发光层、空穴注入层和电子传输层，对比文件2中可以将其“有机半导体层”整层设置是因为对比文件2公开的结构为照明装置，而本申请为OLED显示领域，需要界定出不同颜色的子像素区域，不同颜色子像素区域对应的有机发光层、空穴注入层和电子传输层均不相同，因此OLED显示领域无法使用将有机发光层、空穴注入层和电子传输层整层设置的技术手段。并且，由于OLED显示领域无法使用将有机发光层、空穴注入层和电子传输层整层设置的技术手段，采用对比文件2公开的技术方案不能解决OLED显示领域防止电极短路提高开口率的技术问题。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年12月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，在对比文件1公开了阳极和发光层之间具有半导体层的技术方案的基础上，其与权利要求1要求保护的技术方案的区别技术特征为：半导体层覆盖整个衬底基板。基于该区别技术特征，权利要求1要求保护的技术方案相对于对比文件1公开的技术方案实际要解决的技术问题是：如何包覆阳极边缘，省去像素定义层。针对该区别技术特征，对比文件2公开了（参见说明书第0022-0023段，附图2）：有机半导体层230覆盖于整个图案化阳极220的上表面，其可以包覆阳极边缘，避免可能产生的边缘漏电问题，且可以省略用于定义发光区域的凹凸结构。这一技术特征在对比文件2中的作用与其在权利要求1要求保护的技术方案中的作用相同，都是如何包覆阳极边缘，省去像素定义层。也就是说，对比文件2给出了将这一区别技术特征应用到对比文件1中的技术启示，本领域的技术人员在对比文件2的技术启示下，有动机地将对比文件1中的介电层3完全覆盖衬底，以使得其包覆阳极边缘，省去像素定义层。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年04月19日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。1、独立权利要求1要求保护的“半导体层位于阳极和有机发光层之间”的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：（1）半导体层覆盖整个衬底基板；（2）流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值。区别技术特征（1）是本领域技术人员在对比文件2给出的技术启示下很容易想到的，区别技术特征（2）是本领域的公知常识。对于“半导体层位于阴极和有机发光层之间”的技术方案，将阴极设置在衬底上也是常用的OLED结构是本领域的公知常识。综上，独立权利要求1不具备创造性。2、独立权利要求9要求保护的“在阳极上制作一层半导体层”的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：上述区别技术特征（1）、（2）以及（3）所述在衬底基板上制作阳极或阴极之前包括：在所述衬底基板上制作若干阵列排列的薄膜晶体管阵列电路。针对区别技术特征（1）、（2），与权利要求1的理由相同，区别技术特征（3）是本领域的公知常识。对于“在阴极上制作一层半导体层”的技术方案，与权利要求1的理由相同，因此独立权利要求9也不具备创造性。3、从属权利要求2、6、11、12部分技术方案的附加技术特征被对比文件1公开，其余部分技术方案的附加技术特征属于本领域的公知常识；从属权利要求3、4、7、10、13的附加技术特征是本领域的公知常识或通过有限的试验可以得到的；从属权利要求5的附加技术特征被对比文件1公开；因此从属权利要求2-7、10-13也不具备创造性。4、独立权利要求8包括权利要求1-7任一项的有机电致发光显示面板，因此独立权利要求8也不具备创造性。5、关于复审请求人的意见，合议组认为：（1）对比文件2公开了：现有的应用于显示器的OLED组件的制造过程中，大多利用形成凹凸结构来定义出特定的发光区域，以避免漏电、短路等问题。因此对比文件2提及的凹凸结构也可以用于像素限定，并且也能够避免电极之间的短路导致漏电等。而且本领域技术人员根据本领域的普通技术知识也能够理解对比文件2中的凹凸结构能够作为像素限定结构。（2）对比文件2公开了有机半导体层覆盖于整个图案化阳极层的上表面，并包覆阳极边缘，避免可能的边缘漏电问题，以省略用于定义特定发光区域的凹凸结构并提高开口率，也就是说，对比文件2给出了采用一种材料层来覆盖并包覆阳极的方式以防止漏电短路，进而省略用于定义特定发光区域的凹凸结构的技术启示，因此在实现覆盖和包覆这一功能、解决省略凹凸结构这一技术问题时，对比文件2的有机半导体层相当于本申请中的半导体层，而并非要必然对应本申请的有机发光层等。基于此，可以使半导体层整层设置，而并不需要显示器件的有机发光层等整层设置。在对比文件1公开了介电层覆盖阳极以减少短路的技术方案的基础上，结合对比文件2给出的上述技术启示，本领域的技术人员很容易想到，对于多个阳极的情况下，为同时覆盖各个阳极的上面及侧面，而将包覆层覆盖整个衬底，以防止漏电短路，进而省略用于定义特定发光区域的凹凸结构，并且也未产生预料不到的技术效果。因此权利要求不具备创造性。
复审请求人于2019年05月27日提交了意见陈述书和修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-12项，其中将从属权利要求4的附加技术特征补入独立权利要求1、9中。复审请求人认为：对比文件1并未公开介电层整层设置来包覆阳极边缘。对比文件2为OLED照明领域，而本申请为OLED显示领域，在对比文件2公开的有机半导体层相当于OLED显示领域的有机发光层、空穴注入层和电子传输层的情况下，对比文件2中有机半导体层的厚度与本申请半导体层的厚度也不可能相同。对比文件1和对比文件2均未公开本申请的通过控制半导体层制作时沉积的膜层的厚度来形成均一的膜层。而本申请的技术方案可以起到包覆阳极边缘、防止阴极和阳极短路的作用，能够省去现有技术的像素定义层，增加像素发光区域；并且能够使薄膜晶体管开启时，流经半导体层的电流大于显示面板点亮时需要的电流值，即便存在导电颗粒使得阴极与半导体层相连，也能使流经短路区的电流与常态时一致。半导体层制作时沉积的膜厚度为500 ?到1000 ?，该厚度下的半导体能够形成更加均一的膜层，能够更好地起到包覆阳极边缘的作用。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种有机电致发光显示面板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的阳极和阴极，以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机发光层，其特征在于，还包括覆盖整个所述衬底基板的半导体层；其中：
所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间；或，
所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间；
流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值；
所述半导体层的厚度为500?到1000?。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述半导体层为有机化合物半导体层，或为非晶态半导体层，或为氧化物半导体层。
3. 根据权利要求2所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述非晶态半导体层为非晶硅半导体层。
4. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，所述阳极的材料为金属材料或透明导电材料；
所述阴极的材料为金属材料或透明导电材料。
5. 根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，当所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阳极和所述半导体层之间的空穴注入层；或，位于所述半导体层和所述有机发光层之间的空穴注入层；
当所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阳极和所述有机发光层之间的空穴注入层。
6. 根据权利要求1或5所述的有机电致发光显示面板，其特征在于，当 所述半导体层位于所述阳极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述有机发光层和所述阴极之间的电子传输层；
当所述半导体层位于所述阴极和所述有机发光层之间，还包括：位于所述阴极和所述半导体层之间的电子传输层；或，位于所述半导体层和所述有机发光层之间的电子传输层。
7. 一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的有机电致发光显示面板。
8. 一种有机电致发光显示面板的制作方法，包括在衬底基板上制作阳极、有机发光层和阴极的方法，其特征在于，该方法还包括：
在所述阳极上制作一层半导体层，该半导体层覆盖整个衬底基板；或，
在所述阴极上制作一层半导体层，该半导体层覆盖整个衬底基板；
所述在衬底基板上制作阳极或阴极之前包括：在所述衬底基板上制作若干阵列排列的薄膜晶体管阵列电路；
流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为所述薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值；
所述半导体层的厚度为500?到1000?。
9. 根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述在所述阳极上制作一层半导体层，包括：
在所述阳极上通过化学气相沉积的方法沉积一层半导体层；
所述在所述阴极上制作一层半导体层，包括：
在所述阴极上通过化学气相沉积的方法沉积一层半导体层。
10. 根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述半导体层为有机化合物半导体层，或为非晶态半导体层，或为氧化物半导体层。
11. 根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，当在所述阳极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阳极和所述半导体层之间制作空穴注入层；或，在所述半导体层和 所述有机发光层之间制作空穴注入层；
当在所述阴极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阳极和所述有机发光层之间制作空穴注入层。
12. 根据权利要求8或11所述的制作方法，其特征在于，当在所述阳极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述有机发光层和所述阴极之间制作电子传输层；
当在所述阴极上制作一层半导体层，该方法还包括：
在所述阴极和所述半导体层之间制作电子传输层；或，在所述半导体层和所述有机发光层之间制作电子传输层。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在2019年05月27日针对复审通知书提交了意见陈述书和修改后的权利要求书全文替换页，包括权利要求第1-12项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此，本复审请求审查决定所依据的文本是：申请日2016年12月23日提交的说明书摘要、说明书第1-89段、说明书附图图1-9b、摘要附图；2019年05月27日提交的权利要求第1-12项。
（二）具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征中的一部分是本领域的公知常识，其余部分是本领域的技术人员在其他对比文件的技术启示下容易想到和通过有限的试验能够获得的，在作为最接近现有技术的对比文件的基础上结合其他对比文件以及本领域的公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
在本复审请求审查决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102439197A，公开日为2012年05月02日；
对比文件2：CN103915572A，公开日为2014年07月09日。
1、独立权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种有机电致发光显示面板。对比文件1公开了一种光电子元件，可以是有机发光二极管元件，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0003-0059段、第0065-0077段，附图1-4C）：包括衬底1、位于衬底1上的阳极层2和阴极10，以及位于阳极层2和阴极10之间的有机发射层6，阳极层2和有机发射层6之间设置有介电层3，该介电层可以是金属氧化物等，例如可由氧化铝组成，说明书第0011段还公开了：具有介电层的光电子器件，其可以明显减少短路的频率（即介电层相当于半导体层）。
由此可见，权利要求1要求保护的“半导体层位于阳极和有机发光层之间”的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：（1）半导体层覆盖整个衬底基板；半导体层的厚度为500?到1000?；（2）流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值。基于上述区别技术特征，权利要求1要求保护的上述技术方案实际要解决的技术问题是：如何更好的包覆阳极边缘，省去像素定义层并提高开口率，以及如何点亮显示面板。
针对区别技术特征（1），对比文件2公开了（参见说明书第0002-0013段、第0022-0029段，附图2-4B）：有机半导体层覆盖于整个图案化阳极层的上表面，并包覆阳极边缘，避免可能的边缘漏电问题，以省略用于定义特定发光区域的凹凸结构并提高开口率。上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用相同，都是通过包覆阳极边缘，省去像素定义层并提高开口率。也就是说，对比文件2给出了采用覆盖并包覆阳极的方式以防止漏电短路，进而省略用于定义特定发光区域的凹凸结构的技术启示。因此在对比文件1公开了介电层覆盖阳极以减少短路的技术方案的基础上，结合对比文件2给出的上述技术启示，本领域的技术人员很容易想到，对于多个阳极的情况下，为同时覆盖各个阳极的上面及侧面，而将包覆层覆盖整个衬底，并且也未产生预料不到的技术效果。为了实现更好地包覆以取得理想的防短路效果，半导体层的具体厚度是本领域的技术人员可以通过有限的试验得到的，其技术效果是可以合理预期的。
针对区别技术特征（2），为了实现有机电致发光面板的正常发光，确保流经半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值，以及流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值等，这些都是本领域技术人员的惯用技术手段，并且也未产生预料不到的技术效果。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到上述权利要求要求保护的上述技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，上述权利要求要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
另外，对于“半导体层位于阴极和有机发光层之间”的技术方案，本领域的技术人员知晓，将阴极设置在衬底上也是常用的OLED结构，这是本领域的公知常识。在此情况下，为了实现阴极和阳极的防短路效果并省略像素定义层，在对比文件1和对比文件2公开的技术方案的启示下，本领域的技术人员容易想到在阴极上设置半导体层，以实现防止阴极和阳极短路并省略像素定义层的技术效果。这是本领域的技术人员很容易想到的，是不需要付出创造性劳动的。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到上述权利要求要求保护的上述技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，上述权利要求要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
2、独立权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8要求保护一种有机电致发光显示面板的制作方法。对比文件1公开了一种光电子元件，尤其是有机发光二极管元件的制作方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第0003-0059段、第0065-0077段，附图1-4C）：在衬底1上制作阳极层2、有机发射层6、阴极10，还包括在阳极层2上制作介电层3，该介电层可以是金属氧化物等，例如可由氧化铝组成，说明书第0011段还公开了：具有介电层的光电子器件，其可以明显减少短路的频率（即介电层相当于半导体层）。
由此可见，权利要求8要求保护的“在阳极上制作一层半导体层”的技术方案与对比文件1公开的技术方案相比，区别技术特征为：（1）半导体层覆盖整个衬底基板；半导体层的厚度为500?到1000?；（2）流经所述半导体层的电流值大于有机电致发光显示面板点亮时需要的电流值；所述流经所述半导体层的电流值为当有机电致发光显示面板包括的薄膜晶体管阵列电路中的薄膜晶体管开启时，薄膜晶体管的开启电压对应的电流值；（3）所述在衬底基板上制作阳极或阴极之前包括：在所述衬底基板上制作若干阵列排列的薄膜晶体管阵列电路。基于上述区别技术特征，权利要求8要求保护的上述技术方案实际要解决的技术问题是：如何更好的包覆阳极边缘，省去像素定义层并提高开口率，以及如何点亮显示面板并形成控制电路。
针对区别技术特征（1）、（2），与上述在权利要求1中已陈述的理由相同。
针对区别技术特征（3），对于本领域技术人员来说，在制作阳极或阴极之前，在衬底基板上制作若干阵列排列的薄膜晶体管阵列电路用于控制电路，这是本领域的惯用技术手段，属于公知常识。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到上述权利要求要求保护的上述技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，上述权利要求要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
另外，对于“在阴极上制作一层半导体层”的技术方案，基于与权利要求1相同的理由，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到上述权利要求要求保护的上述技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的，上述权利要求要求保护的上述技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备创造性。
3、从属权利要求2、10不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1还公开了（参见说明书第0006段）：该介电层为非晶介电层，其包含有金属氧化物。而有机化合物半导体层也是本领域常见的防短路半导体层的材质，是本领域的常规选择，属于本领域的公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
4、从属权利要求3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
具体选择非晶硅半导体作为非晶态半导体层是本领域的惯用技术手段，属于公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，上述权利要求也不具备创造性。
5、从属权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1还公开了（参见说明书第0055段）：第一电极和/或第二电极可以是透明的，例如TCO，还可以含有金属。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
6、从属权利要求5、11不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1还公开了（参见说明书第0067段，附图1）：介电层3位于阳极层2和有机发射层6之间，空穴注入层4位于介电层3和有机发射层6之间。而将空穴注入层设置于阳极和半导体层之间，也是本领域的惯用技术手段，属于本领域公知常识。
另外，当所述半导体层位于阴极和有机发光层之间时，为了促进空穴的注入，在阳极和有机发光层之间设置空穴注入层，也是本领域的惯用技术手段，属于本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
7、从属权利要求6、12不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
为了促进电子的传输，在有机发光层和阴极之间设置电子传输层是本领域的惯用技术手段，属于本领域公知常识。另外，当所述半导体层位于阴极和有机发光层之间时，为了促进电子的传输，阴极和半导体层之间或者半导体层和有机发光层之间设置电子传输层，是本领域的惯用技术手段，属于本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
8、独立权利要求7不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7要求保护一种显示装置，其包括权利要求1-6任一项的有机电致发光显示面板。显示装置包括显示面板属于本领域的公知常识，因此在权利要求1-6的有机电致发光显示面板不具备创造性的情况下，权利要求7所要求保护的显示装置也不具备创造性。
9、从属权利要求9不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于本领域技术人员来说，采用化学气相沉积法沉积半导体层是本领域的惯用技术手段，属于本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的情况下，该权利要求也不具备创造性。
（三）对复审请求人相关意见的评述
复审请求人认为：对比文件1并未公开介电层整层设置来包覆阳极边缘。对比文件2为OLED照明领域，而本申请为OLED显示领域，在对比文件2公开的有机半导体层相当于OLED显示领域的有机发光层、空穴注入层和电子传输层的情况下，对比文件2中有机半导体层的厚度与本申请半导体层的厚度也不可能相同。对比文件1和对比文件2均未公开本申请的通过控制半导体层制作时沉积的膜层的厚度来形成均一的膜层。而本申请的技术方案可以起到包覆阳极边缘、防止阴极和阳极短路的作用，能够省去现有技术的像素定义层，增加像素发光区域；并且能够使薄膜晶体管开启时，流经半导体层的电流大于显示面板点亮时需要的电流值，即便存在导电颗粒使得阴极与半导体层相连，也能使流经短路区的电流与常态时一致。半导体层制作时沉积的膜厚度为500 ?到1000 ?，该厚度下的半导体能够形成更加均一的膜层，能够更好地起到包覆阳极边缘的作用。
对此，合议组认为：（1）尽管对比文件1未明确公开如本申请的介电层整层设置来包覆阳极边缘，但是对比文件1公开了采用介电层的光电子器件，其可以明显减少短路的频率，这和本申请“介电层整层设置来包覆阳极边缘”以防止阴极和阳极短路的目的一致。（2）本领域技术人员知晓，OLED照明和OLED显示都是利用有机半导体材料的电致发光原理，并且在防短路漏电以及增加开口率等方面具有诸多相似之处（也可参见对比文件2说明书第0002-0003段）。更重要的是，对比文件2公开了（说明书第0002-0013段、第0022-0029段，附图2-4B）有机半导体层覆盖于整个图案化阳极层的上表面，并包覆阳极边缘，避免可能的边缘漏电问题，以省略用于定义特定发光区域的凹凸结构并提高开口率，上述技术特征在对比文件2中的作用与其在本申请中的作用是相同的，也就是说，对比文件2给出的技术启示是：采用一种材料层来覆盖并包覆阳极的方式以防止漏电短路，进而省略用于定义特定发光区域的凹凸结构。而且，本领域技术员人能够理解，对比文件2只不过是将有源层等的功能和防短路的包覆层的功能都集中在有机半导体层上而已，根据不同的需求，实际上也可以通过两部分膜层来分别实现上述两个功能。因此，正如复审通知书中所述，在实现覆盖和包覆这一功能、解决省略凹凸结构这一技术问题时，对比文件2的有机半导体层相当于本申请中的半导体层，而并非要必然对应本申请的有机发光层等。因此，在对比文件1已经公开了介电层覆盖阳极以减少短路的技术方案的基础上，结合对比文件2给出的上述技术启示，本领域的技术人员很容易想到，对于多个阳极的情况下，为同时覆盖各个阳极的上面及侧面，而将包覆层覆盖整个衬底，以防止漏电短路，进而省略用于定义特定发光区域的凹凸结构，并且也未产生预料不到的技术效果。此外，为了实现更好地包覆以取得理想的防短路效果，半导体层的具体厚度需要能够足以覆盖阳极表面及侧面边缘以形成较为均一的膜层，膜层太薄可能依然存在漏电可能，膜层太厚可能会影响器件的整体性能，因此其厚度必然要介于一定范围内，而这是本领域的技术人员通过有限的试验能够获得的，其技术效果是可以合理预期的。综上，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识，得到本申请权利要求要求保护的技术方案，对于本领域的技术人员而言是显而易见的（具体参见前述具体理由的阐述），并且也能够获得相应的技术效果。
因此，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年09月07日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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