发明创造名称：在晶片级封装(WLP)中实现的高品质因数电感器
外观设计名称：
决定号：181436
决定日：2019-06-06
委内编号：1F255897
优先权日：2013-03-01、2013-03-06
申请（专利）号：201480011292.7
申请日：2014-02-21
复审请求人：高通股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：黄万国
合议组组长：刘振玲
参审员：张跃
国际分类号：H01L23/64,H01L23/522,H01L25/07,H01L25/11,H01L25/065
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，上述区别技术特征属于本领域的公知常识，则该技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201480011292.7，名称为“在晶片级封装(WLP)中实现的高品质因数电感器”的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为高通股份有限公司，申请日为2014年02月21日，优先权日为2013年03月01日、2013年03月06日，进入中国国家阶段日为2015年08月28日，公开日为2015年10月28日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年03月28日发出驳回决定，以权利要求1-63不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：进入中国国家阶段日2015年08月28日提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-18页、说明书附图第1-13页、说明书摘要及摘要附图，2016年09月13日提交的权利要求第1-63项。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下：
“1.一种半导体器件，包括：
包括第一金属层的印刷电路板(PCB)；
耦合到所述PCB的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述PCB的管芯，所述管芯包括第二金属层和第三金属层，
其中所述PCB的第一金属层、所述一组焊球、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB还包括第四金属层。
3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一和第四金属层、所述一组焊球、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一金属层、所述一组焊球、所述管芯的第二和第三金属层被配置成提供所述半导体器件中的电感器的绕组，所述绕组具有N匝，其中N为1或更多。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯还包括钝化层，所述钝化层位于所述第二金属层和所述第三金属层之间。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层位于所述钝化层和所述一组焊球之间。
7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层是后钝化层。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一金属层是迹线。
9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
11.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的印刷电路板(PCB)；
耦合到所述PCB的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述PCB的管芯，所述管芯包括第二金属层和第三金属层，
其中所述PCB的第一金属层、所述互联装置、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB还包括第四金属层。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一和第四金属层、所述互联装置、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
14.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一金属层、所述互联装置、所述管芯中的第二和第三金属层被配置成提供所述半导体器件中的电感器的绕组，所述绕组具有N匝，其中N为1或更多。
15.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述管芯还包括钝化层，所述钝化层位于所述第二金属层和所述第三金属层之间。
16.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层位于所述钝化层和所述互联装置之间。
17.如权利要求15所述的半导体器件，其特征在于，所述第二金属层是后钝化层。
18.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述PCB的第一金属层是迹线。
19.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
20.如权利要求19所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
21.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一管芯；
耦合到所述第一管芯的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述第一管芯的第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，
其中所述第一管芯的第一金属层、所述一组焊球、所述第二管芯的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
22.如权利要求21所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯还包括第三金属层并且所述第二管芯还包括第四金属层。
23.如权利要求22所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯的第一和第三金属层、所述一组焊球、所述第二管芯的第二和第四金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
24.如权利要求21所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯还包括第一钝化层并且所述第二管芯还包括第二钝化层。
25.如权利要求24所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层位于所述第一钝化层和所述一组焊球之间，并且所述第二金属层位于所述第二钝化层和所述一组焊球之间。
26.如权利要求21所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
27.如权利要求26所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
28.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一管芯；
耦合到所述第一管芯的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述第一管芯的第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，
其中所述第一管芯的第一金属层、所述互联装置、所述第二管芯的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
29.如权利要求28所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯还包括第三金属层并且所述第二管芯还包括第四金属层。
30.如权利要求29所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯的第一和第三金属层、所述互联装置、所述第二管芯的第二和第四金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
31.如权利要求28所述的半导体器件，其特征在于，所述第一管芯还包括第一钝化层并且所述第二管芯还包括第二钝化层。
32.如权利要求31所述的半导体器件，其特征在于，所述第一金属层位于所述第一钝化层和所述互联装置之间，并且所述第二金属层位于所述第二钝化层和所述一组焊球之间。
33.如权利要求28所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
34.如权利要求33所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
35.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一封装基板；
耦合到所述第一封装基板的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述第一封装基板的第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，
其中所述第一封装基板的第一金属层、所述一组焊球、所述第二封装基板的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
36.如权利要求35所述的半导体器件，其特征在于，所述第一封装基板还包括第三金属层并且所述第二封装基板还包括第四金属层。
37.如权利要求36所述的半导体器件，其特征在于，所述第一封装基板的第一和第三金属层、所述一组焊球、所述第二封装基板的第二和第四金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
38.如权利要求35所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
39.如权利要求38所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
40.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一封装基板；
耦合到所述第一封装基板的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述第一封装基板的第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，
其中所述第一封装基板的第一金属层、所述互联装置、所述第二封装基板的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
41.如权利要求40所述的半导体器件，其特征在于，所述第一封装基板还包括第三金属层并且所述第二封装基板还包括第四金属层。
42.如权利要求41所述的半导体器件，其特征在于，所述第一封装基板的第一和第三金属层、所述互联装置、所述第二封装基板的第二和第四金属层被配置成作为所述半导体器件中的电感器来工作。
43.如权利要求40所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
44.如权利要求43所述的半导体器件，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
45.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层和第二金属层的管芯；
将一组焊球耦合到所述管芯；以及
通过所述一组焊球将所述管芯耦合到印刷电路板(PCB)，所述PCB包括第三金属层，其中将所述管芯耦合到PCB形成所述半导体器件中的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述第二金属层、所述一组焊球、以及所述第三金属层来定义。
46.如权利要求45所述的方法，其特征在于，所述PCB还包括第四金属层。
47.如权利要求46所述的方法，其特征在于，所述电感器由所述第一金属层、所述第二金属层、所述一组焊球、所述第三金属层以及所述第四金属层来定义。
48.如权利要求45所述的方法，其特征在于，所述管芯还包括钝化层，所述钝化层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间。
49.如权利要求48所述的方法，其特征在于，所述第一金属层位于所述钝化层和所述一组焊球之间。
50.如权利要求45所述的方法，其特征在于，还包括将所述半导体器件纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
51.如权利要求50所述的方法，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
52.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层的第一管芯；
将一组焊球耦合到所述第一管芯；以及
通过所述一组焊球将所述第一管芯耦合到第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，其中将所述第一管芯耦合到所述第二管芯形成所述半导体器件中的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。
53.如权利要求52所述的方法，其特征在于，所述第一管芯还包括第三金属层。
54.如权利要求53所述的方法，其特征在于，所述电感器由所述第一金属层、所述第三金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。
55.如权利要求52所述的方法，其特征在于，所述第一管芯还包括钝化层，所述第一金属层位于所述钝化层和所述一组焊球之间。
56.如权利要求52所述的方法，其特征在于，还包括将所述半导体器件纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
57.如权利要求56所述的方法，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。
58.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层的第一封装基板；
将一组焊球耦合到所述第一封装基板；以及
通过所述一组焊球将所述第一封装基板耦合到第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，其中将所述第一封装基板耦合到所述第二封装基板形成所述半导体器件中的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。
59.如权利要求58所述的方法，其特征在于，所述第一封装基板还包括第三金属层。
60.如权利要求59所述的方法，其特征在于，所述电感器由所述第一金属层、所述第三金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。
61.如权利要求58所述的方法，其特征在于，所述第一封装基板还包括钝化层，所述第一金属层位于所述钝化层和所述一组焊球之间。
62.如权利要求58所述的方法，其特征在于，还包括将所述半导体器件纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
63.如权利要求62所述的方法，其特征在于，所述通信设备包括移动电话以及智能电话。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件2：CN101202151A，公开日为2008年06月18日。
驳回决定的具体理由是：1、权利要求1、11、21、28、35、40、45、52、58请求保护的技术方案与对比文件2的区别技术特征是：没有具体公开上下半导体结构类型是管芯、PCB或封装基板。然而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-10、12-20、22-27、29-34、36-39、41-44、46-51、53-57、59-63的附加技术特征或者被对比文件2公开，或者属于本领域的公知常识，因此上述权利要求同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年07月12日向国家知识产权局提出了复审请求，未对申请文件进行修改。
复审请求人认为：首先，对比文件2与本申请解决的技术问题不同。而对比文件2虽然看上去像是电感器也具有位于两侧的两个部分并且通过焊球连接，但是对比文件2从未公开或暗示这两个部分能够是管芯和PCB；恰恰相反，对比文件2中的电感器作为一个整体被视为是一个使用于被包含在集成无源器件（IPD）中的紧凑器件，当IPD被耦合到PCB时，连接IPD和PCB的焊球仍然会导致上述问题。其次，尽管管芯和PCB本身是半导体领域的公知特征，但是像对比文件2所教示的在管芯内提供这一电感器结构和本申请的在管芯和PCB之间形成电感器是相当不同的。像本申请所提供的在管芯和PCB之间形成一个器件（电感器）这样的方式并不是本领域惯用的技术手段，也不是容易想到的。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年07月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中认为：复审请求人提复审时未对申请文件进行修改。对比文件2与本申请发明构思基本相同，解决了同一技术问题并达到相同的技术效果。将对比文件2中的结构及方法应用于管芯、PCB等半导体结构中不存在技术壁垒或技术障碍，对于本领域技术人员来说也无需付出创造性的劳动。因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月17日向复审请求人发出复审通知书。该复审通知书中指出：权利要求1-63不具备专利法第22条第3款规定的创造性。具体理由为：1、权利要求1、11与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为印刷电路板(PCB)，包括第二金属层和第三金属层的为管芯。权利要求45与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层和第二金属层的为管芯，包括第三金属层的为印刷电路板(PCB)。权利要求21、28、52与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为第一管芯，包括第二金属层的为第二管芯。权利要求35、40、58与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为第一封装基板，包括第二金属层的为第二封装基板。然而上述区别技术特征属于本领域的公知常识，因此，上述权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。2、从属权利要求2-10、12-20、22-27、29-34、36-39、41-44、46-51、53-57、59-63的附加技术特征或者被对比文件2公开，或者属于本领域的公知常识，因此上述权利要求同样不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年03月01日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页，具体修改内容如下：将各独立权利要求1、11、21、28、35、40、45、52、58中的“电感器”修改为“在晶片级封装中实现的电感器”。
复审请求人于2019年03月01日提交的权利要求1、11、21、28、35、40、45、52、58的内容如下：
“1.一种半导体器件，包括：
包括第一金属层的印刷电路板(PCB)；
耦合到所述PCB的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述PCB的管芯，所述管芯包括第二金属层和第三金属层，
其中所述PCB的第一金属层、所述一组焊球、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“11.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的印刷电路板(PCB)；
耦合到所述PCB的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述PCB的管芯，所述管芯包括第二金属层和第三金属层，
其中所述PCB的第一金属层、所述互联装置、所述管芯的第二和第三金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“21.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一管芯；
耦合到所述第一管芯的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述第一管芯的第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，
其中所述第一管芯的第一金属层、所述一组焊球、所述第二管芯的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“28.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一管芯；
耦合到所述第一管芯的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述第一管芯的第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，
其中所述第一管芯的第一金属层、所述互联装置、所述第二管芯的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“35.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一封装基板；
耦合到所述第一封装基板的一组焊球；以及
通过所述一组焊球耦合到所述第一封装基板的第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，
其中所述第一封装基板的第一金属层、所述一组焊球、所述第二封装基板的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“40.一种半导体器件，包括：
含第一金属层的第一封装基板；
耦合到所述第一封装基板的互联装置；以及
通过所述互联装置耦合到所述第一封装基板的第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，
其中所述第一封装基板的第一金属层、所述互联装置、所述第二封装基板的第二金属层被配置成作为所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器来工作。”
“45.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层和第二金属层的管芯；
将一组焊球耦合到所述管芯；以及
通过所述一组焊球将所述管芯耦合到印刷电路板(PCB)，所述PCB包括第三金属层，其中将所述管芯耦合到PCB形成所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述第二金属层、所述一组焊球、以及所述第三金属层来定义。”
“52.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层的第一管芯；
将一组焊球耦合到所述第一管芯；以及
通过所述一组焊球将所述第一管芯耦合到第二管芯，所述第二管芯包括第二金属层，其中将所述第一管芯耦合到所述第二管芯形成所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。”
“58.一种用于提供半导体器件中的电感器的方法，包括：
提供包括第一金属层的第一封装基板；
将一组焊球耦合到所述第一封装基板；以及
通过所述一组焊球将所述第一封装基板耦合到第二封装基板，所述第二封装基板包括第二金属层，其中将所述第一封装基板耦合到所述第二封装基板形成所述半导体器件中的在晶片级封装中实现的电感器，所述电感器由所述第一金属层、所述一组焊球、以及所述第二金属层来定义。”
复审请求人认为：首先，本申请的图1中电感器108是被实现在管芯100和基板102两侧，而对比文件2采用的就是这么一种结构，因此，对比文件2并没有带来任何新的结构。其次，作为IPD，使用基板来整合各个组件是半导体制造领域的普遍共识，因此，从描述IPD的对比文件2中，本领域技术人员不可能得出省略IPD中的基板的技术启示。第三，本申请是先想到了第一种实施例，即管芯 PCB，随后扩展到了管芯 管芯、封装基板 封装基板的实施例；在管芯 PCB的实施例中，要想到利用PCB来形成电感器的一部分，从而既节省了封装基板，又避免了封装基板和PCB之间的焊球影响电感器的问题，这是需要创造性的。由于对比文件2仅仅只公开了在IPD内部形成电感器，因而无法创造性地想到第一实施例，更无法联想到后两个实施例。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年03月01日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：进入中国国家阶段日2015年08月28日提交的国际申请文件的中文译文的说明书第1-18页、说明书附图第1-13页、说明书摘要及摘要附图，2019年03月01日提交的权利要求第1-63项。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与最接近的现有技术相比存在区别技术特征，上述区别技术特征属于本领域的公知常识，则该技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定在评价创造性时所引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件2：CN101202151A，公开日为2008年06月18日。
2.1、权利要求1、11请求保护一种半导体器件。对比文件2公开了具有高Q电感器的集成无源器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：提供包括电感器体41（相当于第一金属层）的基体衬底11；将一组焊球（相当于互联装置）耦合到基体衬底11；通过上述焊球将覆盖衬底21耦合到基体衬底11，所述覆盖衬底21包括电感器体42（相当于第二金属层）和电感器体91（相当于第三金属层）；其中，基体衬底11的电感器体41、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。
权利要求1、11与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为印刷电路板(PCB)，包括第二金属层和第三金属层的为管芯；电感器为在晶片级封装中实现的电感器。基于上述区别技术特征，上述权利要求实际要解决的技术问题是：扩大两部分电感器的应用范围。
然而，在半导体领域，管芯、PCB与IPD中的衬底都是常见的半导体结构，是常见的用于安置芯片、电感器等元件的安装部件和支撑部件。此外，对比文件2还公开了如下技术特征：“基体衬底和覆盖衬底中的一个或两个都在该衬底上具有附加电路。该附加电路可以包括其它IPD元件如电容器和电阻器以及有源器件如晶体管”（参见说明书第3页倒数第2段）。本领域熟知的是，集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路；而管芯是指在集成电路中制造集成块所用的芯片。对比文件2虽然未公开其中的衬底可以是管芯或PCB，但是对比文件2公开了其中的集成无源器件IPD可以包括附加电路、电容、电阻等器件，其实际上与管芯或PCB的集成作用类似。在管芯与PCB之间采用焊球连接的应用场景中，本领域技术人员有动机采用管芯和PCB来作为对比文件2中的具有附加电路的覆盖衬底和基体衬底的具体实施方式，并采用PCB中的第一金属层、管芯中的第二和第三金属层与焊球一起形成半导体器件中的电感器，即为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。此外，半导体技术发展至今，晶片级封装已经是非常成熟的技术，为了减小芯片封装后的尺寸并提高数据传输的速度与稳定性等性能而使用晶片级封装技术是本领域的公知常识，而将两部分电感器应用于晶片级封装中以扩大两部分电感器的应用范围对本领域技术人员来说是显而易见的。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求1、11请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1、11请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.2、权利要求45请求保护一种用于提供半导体器件中的电感器的方法。对比文件2公开了具有高Q电感器的集成无源器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：提供包括电感器体41（相当于第三金属层）的基体衬底11；将一组焊球（相当于互联装置）耦合到基体衬底11；通过上述焊球将覆盖衬底21耦合到基体衬底11，所述覆盖衬底21包括电感器体42（相当于第一金属层）和电感器体91（相当于第二金属层）；其中，基体衬底11的电感器体41、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。
权利要求45与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层和第二金属层的为管芯，包括第三金属层的为印刷电路板(PCB)；电感器为在晶片级封装中实现的电感器。基于上述区别技术特征，上述权利要求实际要解决的技术问题是：扩大两部分电感器的应用范围。
然而，在半导体领域，管芯、PCB与IPD中的衬底都是常见的半导体结构，是常见的用于安置芯片、电感器等元件的安装部件和支撑部件。此外，对比文件2还公开了如下技术特征：“基体衬底和覆盖衬底中的一个或两个都在该衬底上具有附加电路。该附加电路可以包括其它IPD元件如电容器和电阻器以及有源器件如晶体管”（参见说明书第3页倒数第2段）。本领域熟知的是，集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路；而管芯是指在集成电路中制造集成块所用的芯片。对比文件2虽然未公开其中的衬底可以是管芯或PCB，但是对比文件2公开了其中的集成无源器件IPD可以包括附加电路、电容、电阻等器件，其实际上与管芯或PCB的集成作用类似。在管芯与PCB之间采用焊球连接的应用场景中，本领域技术人员有动机采用管芯和PCB来作为对比文件2中的具有附加电路的覆盖衬底和基体衬底的具体实施方式，并采用管芯中的第一金属层和第二金属层、印刷电路板(PCB)中的第三金属层与焊球一起形成半导体器件中的电感器，即为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。此外，半导体技术发展至今，晶片级封装已经是非常成熟的技术，为了减小芯片封装后的尺寸并提高数据传输的速度与稳定性等性能而使用晶片级封装技术是本领域的公知常识，而将两部分电感器应用于晶片级封装中以扩大两部分电感器的应用范围对本领域技术人员来说是显而易见的。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求45请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求45请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.3、权利要求21、28请求保护一种半导体器件，权利要求52请求保护一种用于提供半导体器件中的电感器的方法。对比文件2公开了具有高Q电感器的集成无源器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：提供包括电感器体41（相当于第一金属层）的基体衬底11；将一组焊球（相当于互联装置）耦合到基体衬底11；通过上述焊球将覆盖衬底21耦合到基体衬底11，所述覆盖衬底21包括电感器体42（相当于第二金属层）和电感器体91；其中，基体衬底11的电感器体41、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。
权利要求21、28、52与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为第一管芯，包括第二金属层的为第二管芯；电感器为在晶片级封装中实现的电感器。基于上述区别技术特征，该些权利要求实际要解决的技术问题是：扩大两部分电感器的应用范围。
然而，在半导体领域，管芯与IPD中的衬底都是常见的半导体结构。此外，对比文件2还公开了如下技术特征：“基体衬底和覆盖衬底中的一个或两个都在该衬底上具有附加电路。该附加电路可以包括其它IPD元件如电容器和电阻器以及有源器件如晶体管”（参见说明书第3页倒数第2段）。本领域熟知的是，集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路；而管芯是指在集成电路中制造集成块所用的芯片。对比文件2虽然未公开其中的衬底可以是管芯，但是对比文件2公开了其中的集成无源器件IPD可以包括附加电路、电容、电阻等器件，其实际上与管芯的集成作用类似。在管芯与管芯连接的应用场景中，本领域技术人员有动机采用第一管芯和第二管芯来作为对比文件2中具有附加电路的覆盖衬底和基体衬底的具体实施方式，并采用第一管芯中的第一金属层、第二管芯中的第二金属层与焊球一起形成半导体器件中的电感器，即为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与管芯连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。此外，半导体技术发展至今，晶片级封装已经是非常成熟的技术，为了减小芯片封装后的尺寸并提高数据传输的速度与稳定性等性能而使用晶片级封装技术是本领域的公知常识，而将两部分电感器应用于晶片级封装中以扩大两部分电感器的应用范围对本领域技术人员来说是显而易见的。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求21、28、52请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求21、28、52请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.4、权利要求35、40请求保护一种半导体器件，权利要求58请求保护一种用于提供半导体器件中的电感器的方法。对比文件2公开了具有高Q电感器的集成无源器件及其制造方法，并具体公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：提供包括电感器体41（相当于第一金属层）的基体衬底11；将一组焊球（相当于互联装置）耦合到基体衬底11；通过上述焊球将覆盖衬底21耦合到基体衬底11，所述覆盖衬底21包括电感器体42（相当于第二金属层）和电感器体91；其中，基体衬底11的电感器体41、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。
权利要求35、40、58与对比文件2公开的技术内容相比，区别技术特征是：本申请包括第一金属层的为第一封装基板，包括第二金属层的为第二封装基板；电感器为在晶片级封装中实现的电感器。基于上述区别技术特征，该些权利要求实际要解决的技术问题是：扩大两部分电感器的应用范围。
然而，在半导体领域，封装基板与IPD中的衬底都是常见的半导体结构，是常见的用于安置芯片、电感器等元件的安装部件和支撑部件。此外，对比文件2还公开了如下技术特征：“基体衬底和覆盖衬底中的一个或两个都在该衬底上具有附加电路。该附加电路可以包括其它IPD元件如电容器和电阻器以及有源器件如晶体管”（参见说明书第3页倒数第2段）。本领域熟知的是，集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路；而管芯是指在集成电路中制造集成块所用的芯片。对比文件2虽然未公开其中的衬底可以是封装基板，但是对比文件2公开了其中的集成无源器件IPD可以包括附加电路、电容、电阻等器件，其实际上与封装基板为芯片提供的电连接、保护、支撑等作用类似。在封装基板与封装基板连接的应用场景中，本领域技术人员有动机采用第一封装基板和第二封装基板来作为对比文件2中的具有附加电路的覆盖衬底和基体衬底的具体实施方式，并采用第一封装基板中的第一金属层、第二封装基板中的第二金属层与焊球一起形成半导体器件中的电感器，即为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到封装基板与封装基板连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。此外，半导体技术发展至今，晶片级封装已经是非常成熟的技术，为了减小芯片封装后的尺寸并提高数据传输的速度与稳定性等性能而使用晶片级封装技术是本领域的公知常识，而将两部分电感器应用于晶片级封装中以扩大两部分电感器的应用范围对本领域技术人员来说是显而易见的。
因此，在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识得到权利要求35、40、58请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求35、40、58请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.5、权利要求2、12、46分别引用权利要求1、11、45，权利要求3、13、47分别引用权利要求2、12、46。对比文件2还公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：基体衬底11还包括电感器体96（相当于第四金属层），基体衬底11的电感器体41和电感器体96、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。此外，为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求2、3、12、13、46、47也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.6、权利要求4、14分别引用权利要求1、11。对比文件2还公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：基体衬底11的电感器体41、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成提供半导体器件中的电感器的绕组，由图1可以看出，绕组具有2匝。此外，为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求4、14也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.7、权利要求5、15、48分别引用权利要求1、11、45，权利要求6、16、49分别引用权利要求5、15、48。对比文件2还公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：覆盖衬底21还包括层间电介质92（相当于钝化层），层间电介质92位于电感器体42和电感器体91之间；电感器体42位于层间电介质92和一组焊球之间。此外，为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求5、6、15、16、48、49也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.8、权利要求7、17分别引用权利要求5、15，权利要求8、18分别引用权利要求1、11。后钝化层是常用的金属层，而迹线是PCB中的常见金属层，采用迹线作为电感器的第一金属层对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求7、8、17、18也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.9、权利要求9、19、26、33、38、43、50、56、62分别引用权利要求1、11、21、28、35、40、45、52、58，权利要求10、20、27、34、39、44、51、57、63分别引用权利要求9、19、26、33、38、43、50、56、62。音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备（包括移动电话以及智能电话）、移动设备、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机是常见的半导体设备，将对比文件2中的两部分电感器应用到上述半导体设备中以提高其中的电感器的Q值对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求9、10、19、20、26、27、33、34、38、39、43、44、50、51、56、57、62、63也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.10、权利要求22、29、36、41、53、59分别引用权利要求21、28、35、40、52、58，权利要求23、30、37、42、54、60分别引用权利要求22、29、36、41、53、59。对比文件2还公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：基体衬底11还包括电感器体96（相当于第三金属层），覆盖衬底21包括电感器体91（相当于第四金属层），基体衬底11的电感器体41和电感器体96、一组焊球、覆盖衬底21的电感器体42和电感器体91被配置成作为集成无源器件中的电感器来工作。此外，为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与管芯连接的应用场景或封装基板与封装基板连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求22、23、29、30、36、37、41、42、53、54、59、60也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2.11、权利要求24、31、55、61分别引用权利要求21、28、52、58，权利要求25、32分别引用权利要求24、31。对比文件2还公开了如下技术特征（参见说明书第3页倒数第3段至第7页第1段，附图1-10）：基体衬底11还包括层间电介质94（相当于第一钝化层），覆盖衬底21还包括层间电介质92（相当于第二钝化层），层间电介质94位于电感器体41和电感器体96之间，层间电介质92位于电感器体42和电感器体91之间；电感器体41位于层间电介质94和一组焊球之间，电感器体42位于层间电介质92和一组焊球之间。此外，为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与管芯连接的应用场景或封装基板与封装基板连接的的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求24、25、31、32、55、61也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
首先，本申请对图1的描述包括“电感器108被界定在并位于管芯100中”（参见说明书第[0007]段），即本申请图1中电感器仅位于管芯100中，而不是被实现在管芯100和基板102两侧；而对比文件2公开了由在覆盖衬底中的电感器体42和电感器体91、焊料块72、在基体衬底中的电感器体41和电感器体96组成IPD中的倒装结合双衬底电感器。由此可见，对比文件2与本申请图1的描述完全不同，对比文件2实际上公开了本申请将电感器设置成包括在焊球两侧分布的两个部分的发明构思。
其次，在半导体领域，管芯、PCB和封装基板与IPD中的衬底都是常见的半导体结构。对比文件2还公开了如下技术特征：“基体衬底和覆盖衬底中的一个或两个都在该衬底上具有附加电路。该附加电路可以包括其它IPD元件如电容器和电阻器以及有源器件如晶体管”（参见说明书第3页倒数第2段）。本领域熟知的是，集成电路，就是把一定数量的常用电子元件，如电阻、电容、晶体管等，以及这些元件之间的连线，通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路；而管芯是指在集成电路中制造集成块所用的芯片。对比文件2虽然未公开其中的衬底是管芯、PCB或封装基板，但是对比文件2公开了其中的集成无源器件IPD可以包括附加电路、电容、电阻等器件，其实际上与管芯、PCB或封装基板的集成作用类似。在管芯与PCB连接、管芯与管芯连接、封装基板与封装基板连接的应用场景中，本领域技术人员有动机采用管芯和PCB、管芯和管芯、封装基板和封装基板来实施对比文件2中上位概括的具有附加电路的覆盖衬底和基体衬底，并采用管芯或封装基板中的金属层，PCB、管芯或封装基板中的金属层与焊球一起形成半导体器件中的电感器，即为了扩大两部分电感器的应用范围而将对比文件2中的两部分电感器应用到管芯与PCB连接、管芯与管芯连接、封装基板与封装基板连接的应用场景中对本领域技术人员来说是显而易见的。在对比文件2的基础上得到本申请请求保护的技术方案后，上述技术方案必然可以解决本申请所要解决的上述技术问题，并达到本申请声称的上述技术效果。
第三，由本申请第一实施例到第三实施例的构思过程可以看出，管芯、PCB和封装基板都是常见的半导体衬底，本领域技术人员有动机去尝试将电感的两个部分分别设置在焊球两侧的各种板状物中。而对本领域技术人员来说，IPD中的衬底与管芯、PCB和封装基板一样都是常见的半导体结构，在对比文件2公开将电感的两个部分分别设置在焊球两侧的衬底的情况下，本领域技术人员有动机将对比文件2中的这种技术手段应用到管芯、PCB和封装基板的各种组合中去，这属于本领域惯用技术手段的常规应用，并不需要付出创造性劳动，因此得到本申请的各种实施例对本领域技术人员来说是显而易见的。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年03月28日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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