发明创造名称：IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板
外观设计名称：
决定号：180575
决定日：2019-06-06
委内编号：1F264623
优先权日：
申请（专利）号：201610015472.3
申请日：2016-01-11
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：杨丽丽
合议组组长：罗崇举
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L21/77，H01L27/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是部分区别技术特征是本领域公知常识，部分区别技术特征是本领域技术人员结合另一篇对比文件和本领域公知常识容易得到的，则在最接近的现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610015472.3，名称为“IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT-LCD阵列基板”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电技术有限公司，申请日为2016年01月11日，公开日为2016年04月20日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月14日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定所依据的文本为：申请人于申请日2016年01月11日提交的说明书第1-61段，说明书附图1-7，说明书摘要，摘要附图；于2018年05月16日提交的权利要求第1-5项。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅极扫描线(30)；
步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；
步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；
步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；
步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触；
所述步骤4中通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层(17)，所沉积的绝缘保护层(17)为膜厚为2000-5000?的，所述的绝缘保护层(17)为氮化硅层，对所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离。
2. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中通过物理气相沉积法沉积栅极金属层，所沉积的栅极金属层的膜厚为3000-6000?所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。
3. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述步骤2中通过化学气相沉积法沉积栅极绝缘层(12)和非晶硅层，所沉积的栅极绝缘层(12)的膜厚为2000-5000?所沉积的非晶硅层的膜厚为1500-3000?所述栅极绝缘层(12)为氮化硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光显影、干法蚀刻、及光阻剥离。
4. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层，所沉积的源漏极金属层的膜厚为3000-6000?所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，对所述源漏极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。
5. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤5中通过物理气相沉积法沉积透明导电层，所沉积透明导电层的膜厚为400-1000?所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种；对所述透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。”
驳回决定指出：（1）独立权利要求1相对于对比文件3（US2009/0091678A1，公开日为2009年04月09日）的区别在于“步骤二中对非晶硅进行的为N型掺杂；该制备方法还包括步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层，并对绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理，在所述绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔；步骤5、在所述绝缘保护层上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极，所述公共电极通过过孔与公共电极走线相接触；所述步骤4中通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层，所沉积的绝缘保护层为膜厚为2000-5000?的，所述的绝缘保护层为氮化硅层，对所述绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离”，其中对比文件4（CN104122713A，公开日为2014年10月29日）公开了“在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极11、公共电极走线12、及栅极扫描线；在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层18，并对绝缘保护层及栅极绝缘层13进行图案化处理，在所述绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于所述公共电极走线上方的过孔；在所述绝缘保护层上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极19，所述公共电极通过过孔与公共电极走线相接触；所述的绝缘保护层可以为氮化硅层”，此外，制作TFT有源层时对非晶硅进行N型掺杂以及绝缘保护层的具体沉积方法、其膜厚、其材料、对其图案化处理的具体步骤属于本领域的惯用技术手段，因此，独立权利要求1相对于对比文件3和对比文件4以及本领域惯用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）在其他说明中指出，从属权利要求2-5的附加技术特征部分被对比文件3或对比文件4公开，部分属于本领域的惯用技术手段，因此，从属权利要求2-5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年11月02日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文替换页（包括权利要求第1-4项）。具体修改如下：将从属权利要求5的附加技术特征加入独立权利要求1中，删除从属权利要求5。复审请求人认为：对比文件3中的公共电极与公共电极线为同一膜层，对比文件4给出在公共电极走线上方的钝化层与栅极绝缘层形成过孔并将公共电极通过过孔与公共电极线相连接的技术启示相对于对比文件3的技术方案并不适应，对比文件3中的阵列基板结构与对比文件4所公开的结构截然不同，在对比文件3的基础上结合对比文件4无法得到本申请的技术方案；本申请中形成公共电极以及过孔的方法与对比文件4不相同；对比文件3和对比文件4均未公开绝缘保护层的厚度，该特征并非本领域的常用技术手段；本申请所要解决的技术问题与对比文件3和4均不相同，对比文件3中其像素电极和公共电极分别与栅极和源极同时形成，两者均为不透光的金属材料，这会导致像素的开口率极低，光线的利用率非常差，本领域技术人员难以知晓对比文件3这样设置的优势，本领域技术人员不会从对比文件3或对比文件4中寻求解决本申请的技术问题的方法。
复审请求时新修改的权利要求1如下：
“1. 一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅极扫描线(30)；
步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；
步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；
步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；
步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触；
所述步骤4中通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层(17)，所沉积的绝缘保护层(17)为膜厚为2000-5000?的，所述的绝缘保护层(17)为氮化硅层，对所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离；
所述步骤5中通过物理气相沉积法沉积透明导电层，所沉积透明导电层的膜厚为400-1000?所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种；对所述透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月16日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：首先，本申请的实质在于，通过像素电极和漏极的采用同层金属制得减少像素电极和漏极之间的接触阻抗，公共电极通过过孔与公共电极线结合，提升像素电极的充电效率，该构思已被对比文件3和对比文件4公开，以对比文件3作为最接近的现有技术，对比文件3和本申请的不同在于公共电极和公共电极线是否为同层设置，而在本领域，公共电极和公共电极线是否为同层设置，均是比较常规的设置，对比文件4公开的公共电极线和公共电极的设置在对比文件4中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，因此对比文件4给出了将其披露的技术内容用于对比文件3的技术启示；其次，没有任何证据表明对比文件4的过孔为两个过孔层叠而成，对比文件4采用透明导电膜作为掩膜，其目的在于控制形成孔位置的精准，而采用光刻胶作为掩膜进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离的成孔工艺属于常规工艺，在没有对比文件4对过孔的位置精度的高要求下，采用光刻胶作为掩膜的常规工艺属于本领域的常规做法，至于绝缘保护层的膜厚，属于本领域的常规选择，本申请原始说明书也未记载该膜厚带来的特殊技术效果。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年03月26日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）独立权利要求1相对于对比文件3和对比文件4以及本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；（2）从属权利要求2-4的附加技术特征部分被对比文件3和/或对比文件4公开，部分属于本领域公知常识，因此，从属权利要求2-4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
复审请求人于2019年04月17日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文替换页（包括权利要求第1-4项）。具体修改如下：将从属权利要求3中的部分技术特征“栅极绝缘层的膜厚为2000-5000?”加入独立权利要求1中，并删除从属权利要求3中的相应特征。复审请求人认为：对比文件3未公开光刻中采用光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离，对比文件4是利用用于对透明导电层进行图案化的掩膜以及透明导电层共同作为掩膜对钝化层和栅极绝缘层进行图案化，在图案化后需要将价格昂贵的透明导电层移除，这会导致生产成本大大增加，对比文件4也未公开光刻中采用光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离，而本申请采用的光刻技术手段生产成本低、产品品质较好，光刻中采用的光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离也不是本领域公知常识；对比文件3和对比文件4均未公开绝缘保护层和栅极绝缘层的厚度，而本申请设置的绝缘保护层和栅极绝缘层的厚度是综合考虑了绝缘保护层及栅极绝缘层的绝缘性以及公共电极与公共电极走线连接可靠性后而做出的最优取值，不是本领域技术人员容易选择的。
复审请求人本次提交的权利要求书如下：
“1. 一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)、公共电极走线(20)、及栅极扫描线(30)；
步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，在所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于栅极(11)上方的半导体层(13)；
步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、像素电极(16)、及数据线，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；
步骤4、在所述源漏极金属层上沉积绝缘保护层(17)，并对绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)上形成对应于所述公共电极走线(20)上方的过孔(201)；
步骤5、在所述绝缘保护层(17)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到公共电极(21)，所述公共电极(21)通过过孔(201)与公共电极走线(20)相接触；
所述步骤4中通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层(17)，所沉积的绝缘保护层(17)为膜厚为2000-5000?的，所述的绝缘保护层(17)为氮化硅层，对所述绝缘保护层(17)及栅极绝缘层(12)进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻、及光阻剥离；
所述步骤5中通过物理气相沉积法沉积透明导电层，所沉积透明导电层的膜厚为400-1000?所述透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种；对所述透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离；
栅极绝缘层(12)的膜厚为2000-5000?
2. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中通过物理气相沉积法沉积栅极金属层，所沉积的栅极金属层的膜厚为3000-6000?所述栅极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合；对所述栅极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。
3. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中通过化学气相沉积法沉积栅极绝缘层(12)和非晶硅层，所沉积的非晶硅层的膜厚为1500-3000?所述栅极绝缘层(12)为氮化硅层，对所述非晶硅层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光显影、干法蚀刻、及光阻剥离。
4. 如权利要求1所述的IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过物理气相沉积法沉积源漏极金属层，所沉积的源漏极金属层的膜厚为3000-6000?所述源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合，对所述源漏极金属层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻、及光阻剥离。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时，提交了权利要求书的全文替换页，包括权利要求第1-4项。经审查，上述修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。
本复审决定依据的文本是：复审请求人于2019年04月17日提交的权利要求第1-4项；于申请日2016年01月11提交的说明书第1-61段，说明书附图1-7，说明书摘要，摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在多个区别技术特征，但是部分区别技术特征是本领域公知常识，部分区别技术特征是本领域技术人员结合另一篇对比文件和本领域公知常识容易得到的，则在最接近的现有技术的基础上结合另一篇对比文件和本领域公知常识得到该权利要求所要求保护的技术方案是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定中引用的对比文件与驳回决定和复审通知书中所引用的对比文件相同，即：
对比文件3：US2009/0091678A1，公开日为2009年04月09日；
对比文件4：CN104122713A，公开日为2014年10月29日。
（1）、独立权利要求1要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
独立权利要求1要求保护一种IPS型TFT-LCD阵列基板的制作方法。对比文件3公开了一种IPS LCD器件的阵列基板的制造方法（见说明书第[0068]-[0078]段，图10-11C），包括：提供基板200，在基板200上沉积金属（相当于栅极金属层），对金属进行图案化处理，形成栅极204、公共电极线206a（相当于公共电极走线）、公共电极206b及栅极扫描线；在包括栅极204和公共电极206b的基板200的整个表面沉积无机材料形成栅极绝缘层208，在栅极绝缘层208上依序沉积非掺杂非晶硅和杂质掺杂非晶硅，并图案化，形成对应于栅极204上方的有源层210和欧姆接触层212（相当于半导体层）；在欧姆接触层212及栅极绝缘层208上沉积金属材料（相当于源漏金属层），对金属材料进行图案化处理，形成源极214、漏极216、像素电极220b、数据线218，源极214、漏极216分别与欧姆接触层212和有源层210的两端相接触。
独立权利要求1所要求保护的技术方案与对比文件3公开的内容相比，区别技术特征是：①对非晶硅层进行N型掺杂；②栅极绝缘层的厚度为2000-5000?；步骤4、在源漏极金属层上沉积绝缘保护层，对绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理，在绝缘保护层及栅极绝缘层上形成对应于公共电极走线上方的过孔，通过化学气相沉积法沉积绝缘保护层，绝缘保护层膜厚为2000-5000?，绝缘保护层为氮化硅层，对绝缘保护层及栅极绝缘层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、干法蚀刻及光阻剥离；步骤5、在绝缘保护层上沉积一层透明导电层，对透明导电层进行图案化处理，得到公共电极，公共电极通过过孔与公共电极走线相接触，通过物理气相沉积法沉积透明导电层，透明导电层的膜厚为400-1000?，透明导电层的材料为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种，对透明导电层进行图案化处理的步骤包括依次进行的光阻涂布、曝光、显影、湿法蚀刻及光阻剥离。由上述区别技术特征可以确定该权利要求要解决的技术问题是获得横向电场。
对于区别技术特征①，在使用非晶硅作为TFT的有源层时，对非晶硅层进行N型掺杂是本领域的常用技术手段，是本领域公知常识。
对于区别技术特征②，对比文件4公开了一种IPS型液晶显示器阵列基板的制造方法（见说明书第[0013]-[0029]段，图1-8），包括：提供基板10，在基板10上形成栅极11、栅极线（相当于栅极扫描线）和公共电极线12（相当于公共电极走线）；形成栅极绝缘层13，覆盖基板10、栅极11、栅极线和公共电极线12；形成通道层15，通道层15可为非晶硅；形成像素电极14；在通道层15上方形成源极16a、漏极16b以及数据线，源极16a和漏极16b分别与通道层15的两端相接触；形成钝化层18（相当于绝缘保护层）覆盖整个基板，钝化层18可为氮化硅，对钝化层18和栅极绝缘层13图案化，以定义通孔18a（相当于过孔），通孔18a贯穿部分钝化层18和部分栅极绝缘层13，以暴露出部分公共电电极线12；在钝化层上方形成公共电极19，公共电极19可为氧化铟锡、氧化铟锌，公共电极19包括多个平行排列的狭缝19a，公共电极19覆盖通孔18a的内表面并与公共电极线12连接。可见，将公共电极与公共电极线隔着钝化层和栅极绝缘层设置并通过贯穿钝化层和栅极绝缘层的过孔使得公共电极连接至公共电极线的技术特征已被对比文件4公开，并且该特征在对比文件4中所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同，都是获得横向电场，本领域技术人员在面对上述问题时，有动机将对比文件4中公开的横向电场获得方式，即公共电极与公共电极线隔着钝化层和栅极绝缘层设置并通过贯穿钝化层和栅极绝缘层的过孔使得公共电极连接至公共电极线应用到对比文件3所公开的IPS型TFT-LCD中，从而将对比文件3中的横向电场获得方式替换为对比文件4中所述的方式。而在设置绝缘保护层和透明导电层时，通过化学气相沉积法形成绝缘保护层、通过物理气相沉积法形成透明导电层以及在进行图案化时使用光刻和蚀刻，这些都是本领域的常用技术手段，而光刻中采用的光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离是本领域公知常识，使用干法蚀刻去除部分绝缘层以及湿法蚀刻去除透明导电层也是本领域的常用技术手段，在设置绝缘保护层和透明导电层时，本领域技术人员可根据需要选择将栅极绝缘层的厚度设置为2000-5000?、将保护层的厚度设置为2000-5000?、将透明导电层的厚度设置为400-1000?，而选用铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物作为透明导电层是本领域的公知常识。
由此可见，在对比文件3的基础上结合对比文件4和本领域公知常识获得独立权利要求1所要求保护的技术方案，对本领域技术人员来说是显而易见的，因此，独立权利要求1所要求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
（2）、从属权利要求2-4要求保护的技术方案不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
从属权利要求2-4分别对栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层、源漏极金属层的形成方法、厚度、材质、图案化方法进行了具体限定。
对比文件3还公开了如下技术特征：沉积Al等金属形成栅极204、公共电极线206a、公共电极206b及栅极扫描线；栅极绝缘层208可为氮化硅；沉积钼、钛、铜等金属形成源极214、漏极216、像素电极220b、数据线218（见说明书第[0068]-[0078]段，图10-11C）。
对比文件4还公开了如下技术特征：栅极11、栅极线和公共电极线12的材质为金属铝、钼、铜等；源极16a、漏极16b和数据线的材料为金属铝、铜、钼等（见说明书第[0013]-[0029]段，图1-8）。
可见，栅极金属层的材料为钼、铝、铜的技术特征已被对比文件3和4公开，源漏极金属层的材料为钼、钛、铝、铜的技术特征已被对比文件3和4公开，栅极绝缘层为氮化硅的技术特征已被对比文件3公开。而在设置栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层、源漏极金属层时，通过物理气相沉积法形成栅极金属层和源漏极金属层、通过化学气相沉积法形成栅极绝缘层和非晶硅层以及在进行图案化时使用光刻和蚀刻，这些都是本领域的常用技术手段，而光刻中采用的光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离是本领域公知常识，使用干法蚀刻去除部分非晶硅层以及湿法蚀刻去除部分金属层也是本领域的常用技术手段，在设置栅极金属层、栅极绝缘层、非晶硅层、源漏极金属层时，本领域技术人员可根据需要选择将栅极金属层和源漏金属层的厚度设置为3000-6000?、将非晶硅层的厚度设置为1500-3000?，而选用钛作为栅极金属层是本领域的公知常识。
因此，在从属权利要求2-4引用的独立权利要求1不具备创造性的情况下，从属权利要求2-4所要求保护的技术方案也不具有突出的实质性特点和显著的进步，也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人在答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：
虽然对比文件3和对比文件4均未公开采用光刻进行图案化以及光刻工艺包括光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离，但是，在半导体制造领域，使用光刻进行图案化是本领域的常用技术手段，光刻工艺中包括的光阻涂布、曝光、显影以及光阻剥离是本领域公知常识；
虽然对比文件3和对比文件4均未公开绝缘保护层和栅极绝缘层的厚度，但是本领域技术人员可根据器件要求选择设置绝缘保护层和栅极绝缘层的厚度，并且绝缘保护层的厚度范围值2000-5000?以及栅极绝缘层的厚度范围值2000-5000?是本领域常见的厚度范围值。
综上所述，合议组对于复审请求人所陈述的理由不予支持。
基于以上理由，合议组依法作出如下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月14日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
郑重声明：本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的，如作者信息标记有误，请第一时间联系我们修改或删除，多谢。
