发明创造名称：使用双极晶体管阵列的PUF方法和含双极晶体管阵列的电路
外观设计名称：
决定号：180499
决定日：2019-06-06
委内编号：1F256082
优先权日：2013-07-29
申请（专利）号：201410360445.0
申请日：2014-07-25
复审请求人：恩智浦有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张颖
合议组组长：王志宇
参审员：黄丹萍
国际分类号：H03K19/082
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征已被另一对比文件公开，并且该另一对比文件也给出了将该区别特征应用到上述作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410360445.0，名称为“使用双极晶体管阵列的PUF方法和含双极晶体管阵列的电路”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为恩智浦有限公司。本申请的申请日为2014年07月25日，优先权日为2013年07月29日，公开日为2015年02月11日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年04月16日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-8不具备专利法第22条第3款的创造性。具体为：权利要求1要求保护一种通过对挑战的响应来标识组件的方法，其与对比文件1（Experimental Proof of Current Bifurcation and Mutual Heating in Bipolar Transistor Arrays”, T. Vanhoucke et al, 《Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》，公开日为2018年12月31日）的区别在于：（1）所述方法为通过对挑战的响应来标识组件；（2）所述响应包括热不稳定性的各次发生时的公共发射极接触部电流的序列或集合；（3）其中供应所述总发射极接触部电流包括以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别。基于上述区别，本申请实际解决的技术问题是：如何标识组件。对比文件2（US2011/0317829A1，公开日为2011年12月29日）公开了区别（1），区别（2）是本领域常用技术手段，区别（3）是本领域技术人员在对比文件1的基础上很容易想到的。因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-5的附加技术特征或被对比文件1公开或被对比文件2公开，因此都不具备创造性。权利要求6要求保护一种物理防克隆功能电路。其与对比文件1的区别在于：（1）电路为物理防克隆功能电路；（2）响应包括热不稳定性的各次发生时的公共发射极接触部电流的序列或集合；（3）所述激励器包括电流控制器，电流控制器被配置为通过以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别来供应所述总发射极接触部电流。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何实现物理防克隆功能电路。对比文件2公开了区别（1），区别技术特征（2）和（3）是本领域常用技术手段，因此，权利要求6相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求7和8的附加技术特征都被对比文件1公开，权利要求7和8也不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为2018年01月08日提交的权利要求第1-8项、申请日2014年07月25日提交的说明书第1-88段、说明书附图图1-图11、说明书摘要以及摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种通过对挑战的响应来标识组件的方法，所述组件包括双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管可并联连接或已并联连接，以便具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部，
所述方法包括：
接收所述挑战；
响应于所述挑战，通过将供应给公共发射极接触部的电流从第一级别增加到第二级别来向公共发射极接触部供应总发射极接触部电流；
检测所述晶体管中一组晶体管的每一个晶体管中的电热不稳定性；以及
根据所述组确定所述响应，
其中，所述响应包括与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列或热不稳定性的各次发生时的公共发射极接触部电流的序列或集合，
其中供应所述总发射极接触部电流包括以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述挑战包括表示所述总集电极电流的值。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述组件包括多个双极晶体管，其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，所述挑战还包括使得能够选择所述阵列的信息，并且所述方法还包括从所述多个双极晶体管中选择所述阵列。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测来自相应晶体管的光发射。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测相应晶体管的所述发射极接触部电流超过电流阈值。
6. 一种物理防克隆功能电路，包括：
双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每 个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管可并联连接或已并联连接，以便具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部；
激励器，用于根据挑战向所述阵列提供激励；
检测器，用于检测所述双极结型晶体管中一组晶体管的每一个晶体管响应于所述挑战的电热不稳定性的发生；以及
响应生成器，用于根据所述组生成所述响应，
其中所述激励包括总发射极接触部电流，
其中，所述响应包括与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列或热不稳定性的各次发生时的公共发射极接触部电流的序列或集合，
其中所述激励器包括电流控制器，该电流控制器被配置为通过以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别来供应所述总发射极接触部电流。
7. 根据权利要求6所述的电路，所述电路包括多个双极晶体管，其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，且所述挑战包括使得能够从所述多个双极晶体管中选择所述阵列的信息。
8. 根据权利要求6所述的电路，其中所述检测器包括以下中的至少一个：光学检测器，被配置为检测来自所述晶体管的组中每一个晶体管的光发射；以及电流检测器，被配置为针对所述晶体管的组中的每一个晶体管检测发射极接触部电流超过电流阈值。”
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服，于2018年07月16日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书。复审请求人认为：对比文件1涉及双极晶体管中电流二异性和互热功能的实验验证，并不涉及使用双极晶体管阵列实现物理不可克隆功能的内容。对比文件2涉及一种通过阈值电压比较而实现物理不可克隆功能，利用晶体管的阈值电压的输出实现物理不可克隆功能电路。对比文件1与对比文件2相去甚远，不具彼此参考意义。复审请求时新修改的权利要求书如下：
“1. 一种通过组件的对于电子挑战输入的电子电路响应来标识组件的方法，所述组件包括双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管配置为并联连接以具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部，
所述方法包括：
接收所述电子挑战输入；
响应于所述电子挑战输入、且通过双极晶体管的阵列并联连接，通过将供应给公共主接触部之一的电流从第一级别增加到第二级别来向相应的公共主接触部供应总主接触部电流；
检测所述双极晶体管的阵列中一组双极晶体管的至少一个晶体管中的不稳定性；
根据所述组和所检测的不稳定性而确定所述电子电路响应；以及
基于所述电子电路响应而认证所述组件；
其中所述不稳定性是电热不稳定性的发生，以及其中认证所述组件是通过：
从所述组中的多个晶体管中识别响应所述电子挑战输入的所述阵列中的双极晶体管；
使用确定的电子电路响应来确定所述阵列中所识别的双极晶体管的不稳定性的发生的模式；以及
使用所确定的模式来对能够响应于用于电子挑战输入的模式的组件进行认证。
2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述电子挑战输入包括表示所述总集电极电流的值。
3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述组件包括多个双极晶体管，其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，所述挑战还包括使得能够选择所述阵列的信息，并且所述方法还包括从所述多个双极晶体管中选择所述阵列。
4. 根据权利要求1所述的方法，其中供应所述总主接触部电流包括以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别。
5. 根据权利要求1所述的方法，其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测来自相应晶体管的光发射。
6. 根据权利要求1所述的方法，其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测相应晶体管的所述主接触部电流超过电流阈值。
7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述响应包括与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列。
8. 根据权利要求1所述的方法，其中所述响应包括所述组。
9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述响应包括热不稳定性的各次发生时的公共主接触部电流的序列或集合。
10. 一种物理防克隆功能电路，包括：
双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管配置为并联连接以具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部；
激励器，用于根据电子挑战输入而向所述阵列提供电子激励；
检测器，用于检测所述双极结型晶体管阵列中一组晶体管的每一个晶体管响应于所述电子挑战输入的不稳定性的发生；
响应生成器，与所述检测器配置为用于根据所述组和所检测的不稳定性而生成电子电路响应输出，所述响应能表示所述物理防克隆功能电路的认证；
其中所述激励包括总主接触部电流；
加热电路，配置为局部加热双极晶体管的至少一个；其中
所述检测器配置为检测由局部加热和所述提供给双极晶体管的电流引致的不稳定性；以及
响应生成器配置为基于所检测的不稳定性而提供电路响应输出，电路响应输出能够表示电路的已知特点，其包括将双极晶体管阵列与其克隆区分开来。
11. 根据权利要求10所述的电路，所述电路包括多个双极晶体管， 其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，且所述挑战包括使得能够从所述多个双极晶体管中选择所述阵列的信息。
12. 根据权利要求10所述的电路，其中所述激励器包括电流控制器，该电流控制器被配置为通过以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别来供应所述总主接触部电流。
13. 根据权利要求10所述的电路，其中所述检测器包括以下中的至少一个：光学检测器，被配置为检测来自所述晶体管的组中每一个晶体管的光发射；以及电流检测器，被配置为针对所述晶体管的组中的每一个晶体管检测相应主接触部电流超过电流阈值。
14. 根据权利要求10所述的电路，其中所述响应包括由以下各项构成的组中之一：(a)与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列；(b)所述组；以及(c)热不稳定性的各次发生时的公共主接触部电流的有序序列。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年07月20日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为，首先，对比文件2的技术方案虽然是采集MOSFET的漏极电压作为响应信号，然而，根据对比文件2所公开的PUF电路可以清楚得知，该电路的实质响应信号实际上是漏极电流，也就是说对比文件2的技术方案同样采用的是电流响应方法，而电压信号仅仅属于表征信号和处理信号。其次，对比文件2的技术方案同样如本申请所记载的，采用了晶体管阵列实现物理不可克隆功能，也就是说，至少对比文件2已经明确公开了采用晶体管阵列实现物理不可克隆功能电路的技术启示，以及晶体管阵列基于电子挑战输入所需要表现出的信号表征特性。另一方面，对比文件1完整地公开了与本申请完全相同的双极型晶体管阵列及其物理和输入输出特性，虽然对比文件1没有直接记载将该双极型晶体管阵列应用于PUF电路，然而，基于本申请技术人员对PUF电路的基本认识，无论是根据对比文件1所公开的双极型晶体管阵列的物理及输入输出特性，还是对比文件2所公开的上述技术内容和启示，都可以当然获得将对比文件1中的双极型晶体管阵列应用于PUF的动机，即对比文件1-2之间具有相当的关联性，对比文件2为对比文件1的应用方式提供了参考和启示。因而坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年01月29日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-14相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对比文件1完整地公开了与本申请完全相同的双极型晶体管阵列及其物理和输入输出特性，只是没有直接记载将该双极型晶体管阵列应用于PUF电路。对比文件2公开了PUF电路，且该电路的实质响应信号实际上是漏极电流。基于本领域技术人员对PUF电路的基本认识，无论是根据对比文件1公开的双极型晶体管阵列的物理及输入输出特性，还是对比文件2公开的内容都可以获得将对比文件1中双极型晶体管阵列应用于PUF的动机，对比文件2为对比文件1的应用方式提供了技术启示。
复审请求人于2019年03月12日提交了意见陈述书，同时修改了权利要求书，将原权利要求5和6并入权利要求1中，将原权利要求13并入原权利要求10中，并对权利要求的编号进行适应性修改。复审请求人认为：修改后的权利要求更加突出而明显地在强调与披露关于响应于电子挑战而致的电热不稳定性在技术方案中的重要主导作用，其与对比文件2中利用晶体管的阈值电压以及具有不同阈值电压的晶体管对于电子挑战的输出来实现物理不可克隆功能有着显而易见的原生的不同。
新修改的独立权利要求1和8如下：“
1. 一种通过组件的对于电子挑战输入的电子电路响应来标识组件的方法，所述组件包括双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管配置为并联连接以具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部，
所述方法包括：
接收所述电子挑战输入；
响应于所述电子挑战输入、且通过双极晶体管的阵列并联连接，通过将供应给公共主接触部之一的电流从第一级别增加到第二级别来向相应的公共主接触部供应总主接触部电流；
检测所述双极晶体管的阵列中一组双极晶体管的至少一个晶体管中的不稳定性；
根据所述组和所检测的不稳定性而确定所述电子电路响应；以及
基于所述电子电路响应而认证所述组件；
其中所述不稳定性是电热不稳定性的发生，其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测来自相应晶体管的光发射，检测所述电热不稳定性的发生还包括检测相应晶体管的所述主接触部电流超过电流阈值，以及其中认证所述组件是通过：
从所述组中的多个晶体管中识别响应所述电子挑战输入的所述阵列中的双极晶体管；
使用确定的电子电路响应来确定所述阵列中所识别的双极晶体管的不稳定性的发生的模式；以及
使用所确定的模式来对能够响应于用于电子挑战输入的模式的组件进行认证。
8. 一种物理防克隆功能电路，包括：
双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管具有基极接触部，以及每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部，并且所述双极晶体管配置为并联连接以具有公共集电极接触部、公共发射极接触部和公共基极接触部；
激励器，用于根据电子挑战输入而向所述阵列提供电子激励；
检测器，用于检测所述双极结型晶体管阵列中一组晶体管的每一个晶体管响应于所述电子挑战输入的不稳定性的发生；
响应生成器，与所述检测器配置为用于根据所述组和所检测的不稳定性而生成电子电路响应输出，所述响应能表示所述物理防克隆功能电路的认证；
其中所述激励包括总主接触部电流；
加热电路，配置为局部加热双极晶体管的至少一个；其中
所述检测器配置为检测由局部加热和所述提供给双极晶体管的电流引致的不稳定性，其中，所述检测器包括以下中的至少一个：光学检测器，被配置为检测来自所述晶体管的组中每一个晶体管的光发射；以及电流检测器，被配置为针对所述晶体管的组中的每一个晶体管检测相应主接触部电流超过电流阈值；以及
响应生成器配置为基于所检测的不稳定性而提供电路响应输出，电路响应输出能够表示电路的已知特点，其包括将双极晶体管阵列与其克隆区分开来。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1.审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时修改了权利要求书，经过审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：复审请求人于2019年03月12日提交的权利要求第1-11项，申请日2014年07月26日提交的说明书第1-88段、说明书附图图1-图11，说明书摘要以及摘要附图。
2.具体理由的阐述
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求要求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，该区别技术特征已被另一对比文件公开，并且该另一对比文件也给出了将该区别特征应用到上述作为最接近的现有技术的对比文件以解决其存在的技术问题的启示，那么该权利要求所要求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因而不具备创造性。
在本复审请求审查决定书中引用驳回决定以及复审通知书中引用的对比文件1和2作为现有技术，即：
对比文件1: “Experimental Proof of Current Bifurcation and Mutual Heating in Bipolar Transistor Arrays”, T. Vanhoucke et al, 《Proceedings of the Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting》 公开日为2008年12月31日；
对比文件2： US2011/0317829A1 公开日为2011年12月29日。
(1)权利要求1不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求1请求保护一种通过组件的对于电子挑战输入的电子电路响应来标识组件的方法，对比文件1（参见第141页第2栏第2-3段，第142页第2栏第2段-143页第1栏第1段，第144页第1栏第1段，图1-5）公开了一种对挑战的响应方法，包括双极晶体管的阵列（相当于组件），其中每个双极晶体管都具有基极（即基极接触部），以及集电极和发射极（相当于每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部）；每个双极晶体管都并联连接（即所述双极晶体管可并联连接或已并联连接），并具有公共集电极（相当于公共集电极接触部）、公共发射极（相当于公共发射极接触部）和公共基极（即公共基极接触部）；增大双极晶体管阵列公共集电极电流IC（相当于响应于所述挑战，通过将供应给公共主接触部之一的电流从第一级别增加到第二级别来向相应的公共主接触部供应总主接触部电流），检测基极-发射极电压VBE并同时检测光发射图案或每个双极晶体管的集电极电流IC1-N（相当于检测所述晶体管中一组晶体管的每一个晶体管中的不稳定性），并以此确定双极晶体管阵列的响应（相当于根据所述组确定所述响应）。不稳定性是电热不稳定性。对比文件1还公开了检测双极晶体管由于电热不稳定性产生的光发射图案（相当于其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测来自相应晶体管的光发射）以及各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N是否达到或超过其临界值（相当于其中检测所述电热不稳定性的发生包括检测相应晶体管的所述主接触部电流超过电流阈值）。权利要求1与对比文件1相比，其区别技术特征在于：所述方法为通过组件的对于电子挑战输入的电子电路响应来标识组件的方法。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：如何标识组件。
对比文件2（参见说明书第1页第[0004]段，第2页第[0016]段，第[0019]段，第5页第[0039]段，第6页第[0042]段，图1，图4-5）公开了一种标识组件的方法，包括将双极晶体管阵列（相当于组件）对挑战的响应作为双极晶体管阵列的标识。上述技术特征在对比文件2中作用与本申请中作用相同，都是通过对挑战的响应来标识双极晶体管阵列，本领域技术人员在面对如何标识晶体管阵列的技术问题时，可以从对比文件2得到技术启示将其应用到对比文件1中。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2得到权利要求1要求保护的技术方案是显而易见的，因此，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
（2）权利要求2-7不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求2引用权利要求1所述的方法，进一步限定了其中所述挑战包括表示所述总集电极电流的值。对于上述附加技术特征，对比文件1已经公开了响应的条件（相当于电子挑战）为增加公共集电极的电流IC（相当于所述挑战包括表示所述总集电极电流的值）。由此，在其所引用的权利要求1不具备创造性的情况下，权利要求2也不具备创造性。
权利要求3引用权利要求1所述的方法，进一步限定了其中所述组件包括多个双极晶体管，其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，所述挑战还包括使得能够选择所述阵列的信息，并且所述方法还包括从所述多个双极晶体管中选择所述阵列。对于上述附加技术特征，对比文件1已经公开了包括多个双极晶体管的阵列（相当于所述组件包括多个双极晶体管）。此外，对比文件2公开了多个双极晶体管中的一对或多对组成阵列产生对挑战的响应（相当于所述阵列是所述多个双极晶体管的子集）；响应于包括选择位组合信息的挑战信号（相当于所述挑战还包括使得能够选择所述阵列的信息），选择多个双极晶体管中的一对或多对（相当于从所述多个双极晶体管中选择所述阵列）。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的情况下，权利要求3也不具备创造性。
权利要求4引用权利要求1所述的方法，进一步限定了其中供应所述总主接触部电流包括以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别。对于上述附加技术特征，对比文件11进一步公开了双极晶体管阵列对于公共集电极电流IC的增加的响应为阶段性响应，其响应曲线对于增加到特定水平的公共集电极电流IC产生分支。在此基础上，为了能够使双极晶体管阵列对公共集电极电流IC的变化充分地响应并更好地检测该响应，本领域技术人员很容易想到对公共集电极电流IC的增加速率进行控制，属于本领域的常用技术手段。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的常用技术手段得出权利要求5的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求4不具备创造性。
权利要求5进一步限定了其中所述响应包括与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列。对于上述附加技术特征，对比文件1公开了不同阶段双极晶体管由于电热不稳定性产生的顺序光发射响应（相当于其中所述响应包括与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列）。由此可见，对比文件1进一步公开了权利要求5的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求5也不具备创造性。
权利要求6进一步限定了其中所述响应包括所述组。对于上述附加技术特征，对比文件1公开的双极晶体管阵列及其响应为一组双极晶体管及其响应（相当于其中所述响应包括所述组）。由此可见，对比文件1进一步公开了权利要求6的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求6也不具备创造性。
权利要求7引用前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步限定了其中所述响应包括电热不稳定性的各次发生时的公共主接触部电流的序列或集合。对于上述附加技术特征，对比文件1公开了双极晶体管阵列的响应包括各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N达到其临界值时（相当于电热不稳定性的各次发生时）的电流值以及此时各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N之和（相当于公共主接触部电流），且上述响应顺序发生（相当于其中所述响应包括电热不稳定性的各次发生时的公共主接触部电流的序列或集合）。由此可见，对比文件1进一步公开了权利要求7的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求7也不具备创造性。
（3）权利要求8不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求8为独立权利要求，其请求保护一种物理防克隆功能电路。对比文件1（参见第141页第2栏第2-3段，第142页第2栏第2段-143页第1栏第1段，第144页第1栏第1段，图1-5，2008.12.31）公开了一种双极晶体管阵列电路，包括双极晶体管的阵列，其中每个双极晶体管都具有基极（即基极接触部），以及集电极和发射极（相当于每个双极晶体管具有主接触部，所述主接触部是集电极接触部和发射极接触部）；每个双极晶体管都并联连接（即并且所述双极晶体管可并联连接或已并联连接），并具有公共集电极（相当于公共集电极接触部）、公共发射极（相当于公共发射极接触部）和公共基极（即公共基极接触部）；还包括电流源（相当于激励器），用于向双极晶体管阵列提供电流（相当于用于根据挑战向所述阵列提供激励）；检测基极-发射极电压VBE并同时检测光发射图案或每个双极晶体管的集电极电流IC1-N（相当于检测器（隐含公开），用于检测所述双极结型晶体管中一组晶体管的每一个晶体管响应于所述挑战的不稳定性的发生），并以此确定双极晶体管阵列的响应（相当于响应生成器（隐含公开），用于根据所述组生成所述响应）；其中，双极晶体管阵列响应于增大电流源提供的双极晶体管阵列公共集电极电流IC（相当于其中所述激励包括总主接触部电流）。不稳定性是电热不稳定性。对比文件1还公开了检测双极晶体管由于电热不稳定性产生的光发射图案（相当于光学检测器（隐含公开），被配置为检测来自所述晶体管的组中每一个晶体管的光发射）以及各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N是否达到或超过其临界值（相当于电流检测器（隐含公开），被配置为针对所述晶体管的组中的每一个晶体管检测相应主接触部电流超过电流阈值）。权利要求8与对比文件1相比，其区别技术特征在于：所述电路为物理防克隆功能电路。基于上述区别技术特征可以确定，权利要求8相对于对比文件1实际要解决的技术问题是：如何实现物理防克隆功能电路。
对于上述区别技术特征，对比文件2（参见说明书第1页第[0004]段，第2页第[0016]段，第[0019]段，第5页第[0039]段，第6页第[0042]段，图1，图4-5）公开了一种物理防克隆功能（PUF）电路，包括双极晶体管阵列及其对电子挑战的响应（即一种物理防克隆功能电路）。上述技术特征在对比文件2中所起的作用与其在本申请中所起的作用相同，都是通过双极晶体管阵列及其对挑战的响应来构建物理防克隆功能电路，本领域技术人员在面对如何构建物理防克隆功能电路的技术问题时，会有目的地将对比文件2中通过双极晶体管阵列及其对挑战的响应来构建物理防克隆功能电路的技术特征应用到对比文件1中以解决如何构建物理防克隆功能电路的技术问题，也就是说对比文件2给出了将该技术特征用于对比文件1以解决其问题的启示。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2得出权利要求8的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的。因此，权利要求8不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
（4）权利要求9-11不符合专利法第22条第3款的规定。
权利要求9引用权利要求8所述的电路，进一步限定了所述电路包括多个双极晶体管，其中所述阵列是所述多个双极晶体管的子集，且所述挑战包括使得能够从所述多个双极晶体管中选择所述阵列的信息。对于上述附加技术特征，对比文件1已经公开了包括多个双极晶体管的阵列（相当于所述电路包括多个双极晶体管）。此外，对比文件2（参见说明书第1页第[0004]段，第2页第[0016]段，第[0019]段，第5页第[0039]段，第6页第[0042]段，图1，图4-5）公开了多个双极晶体管中的一对或多对组成阵列产生对挑战的响应（相当于所述阵列是所述多个双极晶体管的子集）；响应于包括选择位组合信息的挑战信号选择多个双极晶体管中的一对或多对（相当于所述挑战包括使得能够从所述多个双极晶体管中选择所述阵列的信息）。由此可见，对比文件1和2进一步公开了权利要求9的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求9也不具备创造性。
权利要求10进一步限定了其中所述激励器包括电流控制器，该电流控制器被配置为通过以受控速率将所供应的电流从第一级别增加到第二级别来供应所述总主接触部电流。对于上述附加技术特征，对比文件1公开了双极晶体管阵列对于公共集电极电流IC的增加的响应为阶段性响应，其响应曲线对于增加到特定水平的公共集电极电流IC产生分支。在此基础上，为了能够使双极晶体管阵列对公共集电极电流IC的变化充分地响应并更好地检测该响应，本领域技术人员很容易想到使用可控电流源（相当于电流控制器）对公共集电极电流IC的增加速率进行控制，属于本领域的常用技术手段。因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和公知常识得到权利要求10要求保护的技术方案是显而易见的，因此，权利要求10不具有突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
权利要求11进一步限定了其中所述响应的技术特征。对于权利要求14的附加技术特征，对比文件1公开了双极晶体管阵列的响应包括不同阶段双极晶体管由于电热不稳定性产生的顺序光发射响应（相当于与所述组中的晶体管发生电热不稳定性的顺序相对应的序列）；双极晶体管阵列及其响应为一组双极晶体管及其响应（相当于所述组）；双极晶体管阵列的响应包括各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N达到其临界值时（相当于电热不稳定性的各次发生时）的电流值以及此时各双极晶体管的集电极电流IC1, ... , N之和（相当于公共主接触部电流），且上述响应顺序发生（相当于电热不稳定性的各次发生时的公共主接触部电流的有序序列）。由此可见，对比文件1进一步公开了权利要求11的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求11也不具备创造性。
3.对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：对比文件1公开了不稳定性为电热不稳定性的技术特征，原从属权利要求5和6的附加技术特征也被对比文件1公开 ，即对比文件1公开了与本申请相同的双极型晶体管阵列及其物理和输入输出特性，而将其应用于PUF电路对本领域技术人员来说是没有技术障碍的。
基于上述理由，合议组依法作出如下决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月16日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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