发明创造名称：具有改进性能的光发射器封装件、系统及方法
外观设计名称：
决定号：180646
决定日：2019-06-05
委内编号：1F257399
优先权日：2012-05-31，2012-06-27，2012-07-10
申请（专利）号：201380029004.6
申请日：2013-05-31
复审请求人：克利公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：裴亚芳
合议组组长：陈冬冰
参审员：杨燕
国际分类号：H01L33/62，H01L33/48
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点：如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，而该区别技术特征可在其他对比文件的教导下结合本领域的公知常识得到，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380029004.6，发明名称为“具有改进性能的光发射器封装件、系统及方法” 的PCT发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为克利公司，申请日为2013年05月31日，优先权日为2012年05月31日，2012年06月27日和2012年07月10日，进入国家阶段日为2014年12月01日，公开日为2015年02月04日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年04月18日发出驳回决定，以权利要求44-58、88-95不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：申请人于2014年12月01日进入国家阶段时提交的国际申请的中文译文的说明书第1-23页、说明书附图第1-8页、说明书摘要及摘要附图；2017年12月18日提交的权利要求第1-95项。驳回决定所针对的权利要求书中的独立权利要求内容如下：
“1. 一种光发射器封装件，包括：基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上并且被焊线至所述阳极的至少一部分。”
“24. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括设置在所述基台的至少一部分上的阳极和阴极，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间的是连续的并且是未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
透镜，所述透镜设置在所述基台上，其中，所述透镜包括透镜基座；
其中，所述阳极和所述阴极的在所述透镜基座外部的部分被设置于在所述透镜基座外部的基本上整个所述基台上，并且
其中，焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内。”
“44. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括第一电迹线、第二电迹线以及设置在所述第一电迹线与所述第二电迹线之间的单个间隙，其中，所述间隙在所述基台的相对边缘之间的连续的和未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述间隙内。”
“59. 一种光发射器封装件，包括：
基台；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；
阳极和阴极，所述阳极和所述阴极设置在所述基台的第一部分和第二部分上；以及
焊接掩模，所述焊接掩模仅设置在所述基台的第三部分上；
其中，所述基台的所述第三部分包括将所述阳极与所述阴极隔开的单个间隙，以及
其中，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的。”
“70. 一种光发射器系统，包括：
至少一个光发射器封装件，每个封装件均包括：
基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极的一部分上并且被焊线至所述阳极的一部分；以及
基座，所述基座用于连接至电插座。”
“77. 一种提供光发射器封装件的方法，所述方法包括：
提供包括阳极和阴极的至少一个光发射器封装件，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在基台的相对边缘之间是连续的；
将光发射器芯片整体安装在所述阴极上；
将焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内；以及
将所述光发射器芯片焊线至所述阳极的至少一部分。”
“88. 一种光发射器封装件，包括基台和单个光发射器，其中，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的，其中，焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙中，并且其中，所述光发射器封装件被配置为在350mA下交付约200流明每瓦(LPW)或者更多。”
驳回决定引用以下对比文件：
对比文件2：CN102484190A，公开日2012年05月30日；
对比文件3：JP特开2003-258310A，公开日2003年09月12日；
对比文件5：CN1860620A，公开日2006年11月08日。
驳回决定的具体理由是：i）权利要求44与对比文件2的区别技术特征在于：焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述间隙内。权利要求88与对比文件2的区别技术特征在于：1）焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的间隙中；2）所述光发射器封装件被配置为在350mA下交付约200流明每瓦(LPW)或者更多。权利要求44的区别技术特征以及权利要求88的区别技术特征1）是本领域技术人员在对比文件5的教导下结合本领域的公知常识容易获得的，权利要求88的区别技术特征2）是本领域的惯用手段。因此，权利要求44、88不具备专利法第22条第3款规定的创造性。ii）从属权利要求45-58、89-95的附加技术特征或被对比文件2、3、5公开或属于本领域的公知常识，因此，该些从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定的其他说明部分指出：i）权利要求24与对比文件2的区别技术特征在于：1）焊接掩模材料，仅设置在所述阳极和所述阴极之间的单个间隙内；2）阳极和阴极的在所述透镜基座外部的部分被设置为在透镜基座外部的基本整个基台上。权利要求59与对比文件2的区别技术特征在于：焊接掩模，所述焊接掩模仅设置在所述基台的第三部分上。权利要求24的区别技术特征1）以及权利要求59的所述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件5的教导下结合本领域的公知常识容易得到的，权利要求24的区别技术特征2）是本领域技术人员在对比文件2的基础上结合本领域的公知常识容易获得的。因此，权利要求24、59不具备专利法第22条第3款规定的创造性。ii）从属权利要求25、27-43、60-65、67-69的附加技术特征或被对比文件2、3公开或属于本领域的公知常识，因此该些从属权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月01日向国家知识产权局提出了复审请求，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-93项），具体修改如下：将独立权利要求1、24、44、59、70、77、88中的“焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内”、“所述焊接掩模材料仅设置在所述间隙内”、“所述焊接掩模仅设置在所述基台的第三部分上”、“将焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内”中的“仅”删除；在独立权利要求44、88中分别补入“其中，所述第一电迹线是阴极，并且其中所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上”、“其中，所述单个光发射器整体设置在所述阴极上并被焊线至所述阳极”；将从属权利要求26、66的附加技术特征补入到独立权利要求24、59中，删除从属权利要求26、66，并适应性修改权利要求的序号和引用关系。复审请求人认为：将原权利要求26、66的附加技术特征补入到独立权利要求24、59中，由于原权利要求26、66具备创造性，因而修改后的独立权利要求24、58具备创造性；对权利要求44作了类似于权利要求24的修改，对权利要求88进行了类似于权利要求1的修改，基于和权利要求1、24类似的理由，修改后的权利要求43、86具备创造性。修改后的权利要求1、24、43、58、68、75、86的内容如下：
“1. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上并且被焊线至所述阳极的至少一部分。”
“24. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括设置在所述基台的至少一部分上的阳极和阴极，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间的是连续的并且是未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
透镜，所述透镜设置在所述基台上，其中，所述透镜包括透镜基座；
其中，所述阳极和所述阴极的在所述透镜基座外部的部分被设置于在所述透镜基座外部的基本上整个所述基台上，
其中，焊接掩模材料设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，并且
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“43. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括第一电迹线、第二电迹线以及设置在所述第一电迹线与所述第二电迹线之间的单个间隙，其中，所述间隙在所述基台的相对边缘之间的连续的和未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料设置在所述间隙内，
其中，所述第一电迹线是阴极，并且
其中所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“58. 一种光发射器封装件，包括：
基台；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；
阳极和阴极，所述阳极和所述阴极设置在所述基台的第一部分和第二部分上；以及
焊接掩模，所述焊接掩模设置在所述基台的第三部分上；
其中，所述基台的所述第三部分包括将所述阳极与所述阴极隔开的单个间隙，
其中，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的，并且
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“68. 一种光发射器系统，包括：
至少一个光发射器封装件，每个封装件均包括：
基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极的一部分上并且被焊线至所述阳极的一部分；以及
基座，所述基座用于连接至电插座。”
“75. 一种提供光发射器封装件的方法，所述方法包括：
提供包括阳极和阴极的至少一个光发射器封装件，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在基台的相对边缘之间是连续的；
将光发射器芯片整体安装在所述阴极上；
将焊接掩模材料设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内；以及
将所述光发射器芯片焊线至所述阳极的至少一部分。”
“86. 一种光发射器封装件，包括基台和单个光发射器，其中，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的，其中，焊接掩模材料设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙中，其中，所述单个光发射器整体设置在所述阴极上并被焊线至所述阳极，并且其中，所述光发射器封装件被配置为在350mA下交付约200流明每瓦(LPW)或者更多。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定，具体理由如下：1)对比文件2说明书第[0038]段公开了“LED芯片34可为顶面为p型的LED”，并且，从附图可以看出，顶面通过打线电连接到第二接触垫片46。由于LED正常工作时，P型侧连接阳极，因此可以直接地毫无疑义地确定，LED芯片34接触接触垫片42的是阴极侧，即安装在阴极电极上。2）由于焊料掩模不再限定“仅设置”在阳极和阴极之间的单个间隙，而对比文件2已经公开了具有焊料掩模的特征（参见说明书第[0096]段）。对比文件2公开了垂直LED可安装在接触垫片42上，LED可为p型材料作为顶层或n型材料作为顶层。当p型材料作为顶层时，接触垫片42为阴极，当n型材料为顶层时，接触垫片为如附图6所示的阳极。因此，修改后的权利要求43、58不具备专利法第22条第2款规定的新颖性，权利要求24、86不具备专利法第22条第3款规定的创造性。基于类似的理由，修改后的权利要求1不具备专利法第22条第2款规定的新颖性；权利要求68不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月15日向复审请求人发出复审通知书，复审通知书引用了驳回决定所引用的对比文件2-3、5以及实质审查阶段引用过的对比文件4，即：
对比文件2：CN102484190A，公开日2012年05月30日；
对比文件3：JP特开2003-258310A，公开日2003年09月12日；
对比文件4：CN102149960A，公开日为2011年08月10日；
对比文件5：CN1860620A，公开日2006年11月08日。
复审通知书指出：独立权利要求58及其从属权利要求65、67相对于对比文件2不具备专利法第22条第2款的新颖性；独立权利要求1、24、43相对于对比文件2、5的结合不具备专利法第22条第3款的创造性；独立权利要求68相对于对比文件2、4、5的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性；独立权利要求75、86相对于对比文件2、5和本领域公知常识的的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。从属权利要求2-23、25-42、44-57、59-64、66、69-74、76-85、87-93的附加技术特征或被对比文件2-5公开，或属于本领域的公知常识，因此，该些从属权利要求不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
对于复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件2公开了LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2）。由于设置在发光二极管p型侧的电极为正极，LED芯片34的顶面为p型侧时，LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因此，第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极，即“光发射器芯片整体设置在阴极上”已经被对比文件2公开，权利要求58、65、67不具备专利法第22条第2款的新颖性，权利要求1-57、59-64、66、68-93不具备专利法第22条第3款的创造性。
复审请求人于2019年02月26日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页（包括权利要求第1-93项），对独立权利要求1、24、43、58、68、75、86进行了修改，将2018年08月01日提交的权利要求书中独立权利要求所删除的“仅”再次补入。修改后的权利要求1、24、43、58、68、75、86内容如下：
“1. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上并且被焊线至所述阳极的至少一部分。”
“24. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括设置在所述基台的至少一部分上的阳极和阴极，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间的是连续的并且是未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
透镜，所述透镜设置在所述基台上，其中，所述透镜包括透镜基座；
其中，所述阳极和所述阴极的在所述透镜基座外部的部分被设置于在所述透镜基座外部的基本上整个所述基台上，
其中，焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，并且
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“43. 一种光发射器封装件，包括：
基台，所述基台包括第一电迹线、第二电迹线以及设置在所述第一电迹线与所述第二电迹线之间的单个间隙，其中，所述间隙在所述基台的相对边缘之间的连续的和未分开的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述间隙内，
其中，所述第一电迹线是阴极，并且
其中所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“58. 一种光发射器封装件，包括：
基台；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；
阳极和阴极，所述阳极和所述阴极设置在所述基台的第一部分和第二部分上；以及
焊接掩模，所述焊接掩模仅设置在所述基台的第三部分上；
其中，所述基台的所述第三部分包括将所述阳极与所述阴极隔开的单个间隙，
其中，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的，并且
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极上。”
“68. 一种光发射器系统，包括：
至少一个光发射器封装件，每个封装件均包括：
基台，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的；
光发射器芯片，所述光发射器芯片设置在所述基台上；以及
焊接掩模材料，所述焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内，
其中，所述光发射器芯片整体设置在所述阴极的一部分上并且被焊线至所述阳极的一部分；以及
基座，所述基座用于连接至电插座。”
“75. 一种提供光发射器封装件的方法，所述方法包括：
提供包括阳极和阴极的至少一个光发射器封装件，其中，所述阳极和所述阴极由单个间隙隔开，所述单个间隙在基台的相对边缘之间是连续的；
将光发射器芯片整体安装在所述阴极上；
将焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙内；以及
将所述光发射器芯片焊线至所述阳极的至少一部分。”
“86. 一种光发射器封装件，包括基台和单个光发射器，其中，所述基台包括由单个间隙隔开的阳极和阴极，所述单个间隙在所述基台的相对边缘之间是连续的，其中，焊接掩模材料仅设置在所述阳极和所述阴极之间的所述单个间隙中，其中，所述单个光发射器整体设置在所述阴极上并被焊线至所述阳极，并且其中，所述光发射器封装件被配置为在350mA下交付约200流明每瓦(LPW)或者更多。”
复审请求人认为：1）对比文件2中焊料掩模用作绝缘保护膜，用以避免后续工艺步骤中的焊料或其它材料沉积在非期望区域内，明确表明焊料掩模设置在间隙外是有利的，明确教导了不能将焊料掩模58仅形成在阳极和阴极之间的间隙中而减少焊料掩模材料的覆盖区域；2）对比文件5中，附图5B示出焊料掩模18具有在间隙上方垂直延伸并在侧向上超过间隙的侧向部分，即焊料掩模18并不是仅设置在间隙中。由于对比文件2明确教导了不能将焊料掩模58仅形成于间隙中而减少焊料掩模材料的覆盖区域，本领域技术人员没有动机修改对比文件5中焊料掩模的设置方式而将其仅设置于阴极和阳极之间的间隙内。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在2019年02月26日提交了权利要求书的全文修改替换页，经审查，所做的修改符合专利法实施细则第61条第1款以及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定所依据的审查文本为：2019年02月26日提交的权利要求第1-93项，2014年12月01日进入国家阶段时提交的国际申请的中文译文的说明书第1-23页、说明书附图第1-8页、说明书摘要和摘要附图。
2、关于创造性
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件之间存在区别技术特征，而该区别技术特征可在其他对比文件的教导下结合本领域的公知常识得到，则该权利要求的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件2：CN102484190A，公开日2012年05月30日；
对比文件3：JP特开2003-258310A，公开日2003年09月12日；
对比文件4：CN102149960A，公开日2011年08月10日；
对比文件5：CN1860620A，公开日2006年11月08日。
权利要求1-93不具备专利法第22条第3款的创造性。
2-1、权利要求1请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台），包括设置于其上的管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的（参见附图6）；LED芯片34设置在基底32上；焊接掩模材料58，至少部分地覆盖间隙48；其中，LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片34内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：焊接掩模材料仅设置在阳极和阴极之间的单个间隙内。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度。
对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置在间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17 以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，故将白色保护膜18仅设置于间隙17内属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求24请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台），包括设置于其上的管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的并且是未分开的（参见附图6）；LED芯片34可设置在基底32上；透镜70，设置在基底32上的大致中央处，其中，透镜70包括扁平部分70a(相当于透镜基座)和其上的圆顶部分70b，管芯附接垫片42、第一接触垫片44与第二接触垫片46延伸到基底32的边缘（参见说明书第[0047]-[0048]、[0098]段，附图4、6、8），即管芯附接垫片42、第一接触垫片44与第二接触垫片46具有设置在透镜70扁平部分70a之外的部分，该部分设置在透镜70扁平部分70a外部的基本上整个基底32上；焊接掩模材料58，至少部分地覆盖间隙48；其中，LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：焊接掩模材料仅设置在阳极和阴极之间的单个间隙内。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度。
对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应于阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求43请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台），包括设置于其上的管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44（构成第一电迹线）、第二接触垫片46（构成第二电迹线），管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的并且是未分开的（参见附图6）；LED芯片34可设置在基底32上；焊接掩模材料58，至少部分地覆盖间隙48；其中，LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：焊接掩模材料仅设置在间隙内。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度。
对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求58请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台）；LED芯片34可设置在基底32上；管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46，分别设置在基底32的第一部分和第二部分上，二者之间通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的（参见附图6）；焊接掩模58，布置于基底32的顶面，至少部分地覆盖管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46、以及二者之间的间隙48（相当于本申请的基台的第三部分，即对比文件2公开了焊接掩模58设置在基底的第三部分上）；其中，LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：焊接掩模材料仅设置在基台的第三部分。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度。
对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台）；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由单个间隙17隔开的两个金属膜14设置在氮化铝基板11的第一部分和第二部分上，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17（相当于第三部分）内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5、权利要求68请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台），包括管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46由单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的（参见附图6）；LED芯片34可设置在基底32上；焊接掩模材料58，至少部分地覆盖间隙48；其中，LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：1）焊接掩模材料仅设置在阳极和阴极之间的单个间隙内；2）光发射系统，包括至少一个光发射器封装件；基座，用于连接至电插座。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：1）提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度；2）经由光发射器封装件构造光发射系统。
对于区别技术特征1），对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
对于区别技术特征2），对比文件4公开了一种集成LED基照明器（即光发射器系统），并公开了以下技术特征（参见说明书第[0053]-[0056]段及附图1A、1B、2）：螺丝底座110（相当于基座）配置成螺旋到标准照明灯座（相当于电插座）内，用于供应交流功率给照明器100；LED模块150（相当于光发射器封装件）安装在底座110之上。由此可见，上述区别技术特征2）在对比文件4中已经公开，且其在对比文件4中的作用与其在本申请中的作用相同，都是经由光发射器封装件构造光发射系统，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机将对比文件2的LED模块光发射器封装件构造成光发射系统。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件4、5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6、权利要求75请求保护一种提供光发射器封装件的方法。对比文件2公开了一种提供光发射器封装件的方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：提供包括管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46的基底32（相当于基台），管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的（参见附图6）；将焊接掩模材料58布置于基底32的顶面，至少部分地覆盖管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46、以及二者之间的间隙48，焊接掩模材料58包括将LED 芯片34安装至管芯附接垫片42以及以用于将线结合65附接至第二接触垫片46的开口；将LED芯片34整体安装在管芯附接垫片42上，并焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：将光发射器芯片整体安装在阴极上之后，再将焊接掩模材料仅设置在阳极和阴极之间的单个间隙内。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：如何设置焊接掩模材料，以提高发光强度。
对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。此外，将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内后，再将LED 芯片34整体安装于管芯附接垫片42，属于本领域技术人员的常规选择。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-7、权利要求86请求保护一种光发射器封装件。对比文件2公开了一种光发射器封装件，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0035]-[0102]段，附图2-8），包括：基底32（相当于基台）和单个LED 芯片34；基底32包括管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46通过单个间隙48隔开，该单个间隙48在基底32的相对边缘之间是连续的（参见附图6）；焊接掩模材料58，至少部分地覆盖间隙48；其中，单个LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，并且被焊线至第二接触垫片46，第一接触垫片44上的电信号经过管芯附接垫片42直接输送到LED芯片34中，来自第二接触垫片46的信号通过线接合65送入LED芯片内；其中，LED 芯片34顶面上包括传导性电流扩散结构36以及在其顶面上用于线接合的接触件38，电信号通过线接合65施加至接触件38，并经由电流扩散结构36的指部37 和顶面扩散到LED芯片34，电流扩散结构36经常在顶面为p型的LED 中使用（参见说明书第[0038]段，附图2），而设置在发光二极管p型侧的电极为正极，即LED芯片34的正极经由线接合65打线至第二接触垫片46，负极电连接至管芯附接垫片42，因而第二接触垫片46被用作阳极，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44用作阴极；其中，光发射器封装件被配置为在350mA下交付约160流明每瓦(LPW)或者更多（参见说明书第[0055]段）。
该权利要求请求保护的技术方案与对比文件2所公开的内容相比，区别技术特征在于：1）焊接掩模材料仅设置在阳极和阴极之间的单个间隙内；2）光发射器封装件被配置为在350mA下交付约200流明每瓦(LPW)或者更多。基于该些区别技术特征，可以确定该权利要求相对于对比文件2实际解决的技术问题是：1）提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，以提高发光强度；2）改善发光效率以获得更明亮的光。
对于区别技术特征1），对比文件5公开了一种发光装置（参见说明书第6页倒数第3行到第11页第12行，附图5A-5B），包括：氮化铝基板11（相当于基台），包括由单个间隙17隔开的两个金属膜14，两个金属膜14必定分别对应阳极、阴极，单个间隙17在氮化铝基板11的相对边缘之间是连续的；LED芯片12，设置在氮化铝基板11上；由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料），设置在金属膜14之间的间隙17内，对氮化铝基板11的暴露表面进行覆盖，由于白色保护层18的反射和掩蔽作用，有效地阻止了光向氮化铝基板11背面消散，提高了发光强度。由此可见，对比文件5公开了将白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙17吸收光而提高发光强度，与本申请焊接掩模材料的作用相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，本领域技术人员有动机采用对比文件 5中的方式来设置焊接掩模材料，即将焊接掩模材料设置于阳极和阴极之间的单个间隙内。尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17内以反射光从而阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。
对于区别技术特征2），对比文件2中公开了：光发射器封装件被配置为在350mA下交付约160流明每瓦(LPW)或者更多（参见说明书第[0055]段）。改善发光效率以使得消耗更少的功率而获得更为明亮的光，是本领域的普遍需求，本领域技术人员经由优化光发射器封装件的设置（这句话没明白），使得光发射器封装件在350mA下交付200流明每瓦(LPW)或者更多，是本领域技术人员容易获得的。
因此，在对比文件2的基础上结合对比文件5和本领域公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-8、从属权利要求2-6、25、44、60-64作了进一步的限定。对比文件2中公开了：光发射器封装件被配置为在350mA下交付约160流明每瓦(LPW)或者更多(参见说明书第[0055]段)。对于本领域技术人员来说，封装件被配置为在350mA和85℃下交付高达至151或者更多的流明每瓦(LPW)以及在冷白色温度的350mA和25℃下交付165或者更多的LPW，在350mA和85℃下交付高达至133或者更多的流明每瓦 (LPW)以及在暖白色温度的350mA和25℃下交付高达至145或者更多的LPW，在350mA下交付200或者更多的流明每瓦(LPW)，为本领域的常规需求，是本领域技术人员容易获得的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求2-6、25、44、60-64不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-9、从属权利要求7、26、45、59、80作了进一步的限定。对比文件2中公开了：LED可以涂有一个或多个磷光体（参见说明书第[0039]段）；对比文件3公开了一种发光二极管封装结构（参见说明书第[0014]段，附图1），包括：配线基板51（相当于基台），包括设置于其表面的电极52、53和芯片安装垫片；LED芯片54的正负电极通过焊线55分别连接到电极52和53；荧光物质57（即光转换材料，并包括至少一种荧光体），直接涂敷于LED芯片54表面以及电极52、53及芯片安装垫片的部分表面（即直接设置在阳极和阴极的部分上）、芯片安装垫片与电极52、53之间的间隙。由此可见，对比文件3公开了采用荧光材料进行波长转换，且给出了如何设置荧光材料的技术启示。基于该技术启示，本领技术人员有动机将对比文件2中涂敷于LED的磷光体进一步直接涂敷于第一接触垫片44、第二接触垫片46的部分上以及间隙48内的焊接掩模的上。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3、5和本领域的公知常识得到权利要求7、26、45、59、80请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该些权利要求不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-10、从属权利要求8作了进一步的限定。对比文件2公开了：LED可以涂有一个或多个磷光体（参见说明书第[0039]段）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求8不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-11、从属权利要求9、74作了进一步的限定。封装件配置为交付2700K至7000K的色温，属于本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求9、74不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-12、从属权利要求10-20、29-38、40、47-52、65-66、76-79、81-84、87-90、92-93作了进一步的限定。对比文件2中公开了：提供基底32，LED芯片34（光发射器）设置在基底32上，透镜70在LED芯片34上方被形成在基底32顶面以提供环境保护和/或机械保护，透镜70设置在基底32上的大致中央处，其中，透镜70可以是半球形，包括扁平部分70a(相当于透镜基座)和其上的圆顶部分70b，可以确定扁平部分70a是圆形的；可以包括3.45mm见方（3.45mm×3.45mm）的基底32和直径为2.55mm的透镜70；对于5mm见方（5mm×5mm，面积25mm2）的基底，可以容纳1.75mm见方、2mm见方、3mm见方（面积9mm2）的LED芯片，直径4.52mm（半径2.26mm，面积约16mm2）的模制透镜70被设置在LED 芯片34上方；更大或更小透镜、基底和LED芯片都是可行的；基底32涉及的是表示正方向的尺寸，基底还可以具有圆形或矩形（参见说明书第[0047]-[0054]段，附图4）。根据需要，将透镜的半径设置为1.53mm、2.25mm、或者3.75mm以上，基底长度和宽度设为7mm、9.1mm，基底面积设置成45mm2或者更大，透镜基座面积设置成30mm2或者更大，LED芯片的长度和宽度设置成2.5mm、2.75mm、或者850μm以上，以及将矩形基底的长度设置成与圆形透镜的直径相似，属于本领域的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求10-20、29-38、40、47-52、65-66、76-79、81-84、87-90、92-93不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-13、从属权利要求21、39、53、67、85、91作了进一步的限定。对比文件2公开了：基底材料具有约30W/m·K或更高的导热率（参见说明书第[0041]段）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求21、39、53、67、85、91不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-14、从属权利要求22-23、41-42、56、72-73作了进一步的限定。封装件符合能源之星?和经过UL?认证，属于本领域的常规需求。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求22-23、41-42、56、72-73不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-15、从属权利要求27-28作了进一步的限定。对比文件2中公开了：管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46包括金属，如电镀沉积的铜，在电镀过程中，相继将钛粘附层和铜籽晶层溅射在基板上，然后电镀铜（参见说明书第[0087]段），管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46进一步包含银，属于本领域制作电极的常规手段。当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求27-28不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-16、从属权利要求46作了进一步的限定。对比文件5中公开了：由白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（参见说明书第10页倒数第4-8行）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求46不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-17、从属权利要求54作了进一步的限定。对比文件2中公开：管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46包括金属（参见说明书第[0087]段）；管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46比LED 芯片34更多的覆盖基底32的表面，从LED 芯片34的边缘向基底32的边缘延伸，可以延伸到基底32的边缘（参见说明书第[0098]段，附图4、6、8）；透镜70设置在基底32上的大致中央处，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46露出到透镜70外（参见说明书第[0047]段、附图4）。由此可见，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44、第二接触垫片46包括外露的金属层。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求54不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-18、从属权利要求55作了进一步的限定。对比文件2中公开了：LED可以涂有一个或多个磷光体（参见说明书第[0039]段）。对比文件3公开了一种发光二极管封装结构（参见说明书第[0014]段，附图1），包括：配线基板51（相当于基台），包括设置于其表面的电极52、53和芯片安装垫片；LED芯片54的正负电极通过焊线55分别连接到电极52和53；荧光物质57（即光转换材料，并包括至少一种荧光体），直接涂敷于LED芯片54表面以及电极52、53及芯片安装垫片的部分上（即直接设置在阳极和阴极的部分上）、芯片安装垫片与电极52、53之间的间隙部分上。由此可见，对比文件3公开了采用荧光材料进行波长转换，且给出了如何设置荧光材料的技术启示。基于该技术启示，本领技术人员有动机将对比文件2中涂敷于LED芯片34的磷光体进一步直接涂敷于第一接触垫片44、第二接触垫片46的部分以及间隙48内的焊接掩模部分。光转换材料进一步覆盖于每个外露的第一接触垫片44、第二接触垫片46，属于本领域技术人员的常规技术选择，其技术效果本领域技术人员可以合理预期，并未取得任何预料之外的技术效果。因此，在对比文件2的基础上结合对比文件3、5和本领域的公知常识得到该权利要求请求保护的技术方案，对本领域的技术人员来说是显而易见的，该权利要求不具有突出的实质性特点，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-19、从属权利要求57作了进一步的限定。对比文件2中公开了：LED芯片34整体设置在管芯附接垫片42上，管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44可用作阴极（参见说明书第[0038]段，附图2，并参见对独立权利要求43的评述）或者用作阳极（参见说明书第[0094]段、附图6）。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求57不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-20、从属权利要求69-71作了进一步的限定。对比文件4中公开了：LED基照明器100形成为具有抛物面镀铝反射(PAR)灯（参见说明书摘要）；LED模块150被附接至抛物面镀铝反射(PAR)灯，落入在集成LED基照明器内（参见说明书第[0056]、[0063]段，附图2、5）。封装件被附接至抛物面镀铝反射灯以用于将发光当量升至90W，属于本领域技术人员容易获得的。因此，当其引用的权利要求不具备创造性时，从属权利要求69-71不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、对复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人答复复审通知书时提出的意见，合议组认为：1）判断要求保护的发明是否显而易见时，如果区别特征为另一份对比文件中披露的相关技术手段，该技术手段在该对比文件中所起的作用与该区别特征在要求保护的发明中为解决重新确定的技术问题所起的作用相同，则认为现有技术中存在技术启示，发明是显而易见的。本申请说明书中记载了反射元件或者焊接掩模材料26可以填充间隙20，减少空隙20吸收的光量，改进光发射器的亮度和整体光学性能（参见说明书第[0041]段）。由此可见，焊接掩模材料26填充于间隙20内充当反射元件反射入射到间隙20处的光，其目的是提升光发射器亮度。对比文件2设置了焊接掩模材料58，焊接掩模材料58至少部分地覆盖管芯附接垫片42以及整合的第一接触垫片44与第二接触垫片46，并且至少部分地覆盖间隙48，焊接掩模材料58在随后的处理步骤如LED34安装至附接垫片42以及线结合步骤中用作绝缘和保护材料以避免焊料或其它材料沉积在非期望区域内，导致这些区域损坏或者短路（参见说明书第[0093]段）。由此可见，对比文件2中的焊接掩模材料用作绝缘和保护材料而覆盖间隙外的其它区域，与本申请的焊接掩模材料的作用并不相同，本申请的焊接掩模材料的位置设置构成了相对于对比文件2的区别技术特征，基于该区别技术特征，本申请实际要解决的技术问题是提供焊接掩模材料的一种可替换的设置方式，减少间隙吸收光而提高发光强度。对比文件5公开了将白色阻焊油墨形成的白色保护膜18（相当于焊接掩模材料）设置间隙17内以减少间隙吸收光而提高发光强度，其中在间隙内的白色保护膜18与本申请的焊接掩模材料作用完全相同，给出了将其应用到对比文件2中的技术启示。基于该技术启示，当本领域技术人员面临如何减少间隙对光的吸收以提高发光强度的技术问题时，容易想到仅在间隙内设置焊料掩模以反射光，达到避免间隙吸收光的目的即可。2）尽管对比文件5中白色保护膜18除了设置于间隙17内，还部分延伸到金属膜14表面，然而，白色保护膜18的作用在于覆盖氮化铝基板11的暴露表面即间隙17 以阻止光经由间隙17向氮化铝基板11背面消散，将其仅设置于间隙17内，即可起到避免间隙吸收光而导致发光强度下降的作用，如此还能够节省焊接掩模材料的使用量而降低成本，这为本领域技术人员所明了，将白色保护膜18仅设置于间隙17内，属于本领域技术人员根据制作需要而作出的常规技术选择。对比文件2虽表明焊接掩模材料58设置于间隙外是有利的，然而，这是从后续处理步骤中保护间隙外的区域的角度考虑，而本申请是从间隙吸收光导致发光强度下降的角度考虑，其中焊接掩模材料的作用在于减少间隙吸收光以提高发光强度，当本领域技术人员面对减少间隙吸收光以提高发光强度的技术问题而从现有技术中寻求技术手段时，能够从对比文件5得到相应的技术启示。
综上所述，复审请求人的意见陈述不具有说服力，合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年04月18日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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