发明创造名称：互联结构及其形成方法
外观设计名称：
决定号：180650
决定日：2019-06-03
委内编号：1F257972
优先权日：
申请（专利）号：201310754014.8
申请日：2013-12-31
复审请求人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：树奇
合议组组长：武建刚
参审员：刘永欣
国际分类号：H01L21/768，H01L23/532
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征已被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201310754014.8，名称为“互联结构及其形成方法”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，申请日为2013年12月31日，公开日为2015年07月01日。
经实质审查，国家知识产权局实质审查部门于2018年04月24日发出驳回决定，以权利要求1-15不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为：2018年01月04日提交的权利要求第1-15项，申请日2013年12月31日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-5页、说明书摘要及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书的内容如下：
“1. 一种互联结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成层间介质层；
在所述层间介质层中形成开口；
在所述开口内表面形成碳氮材料层；
去除开口底部的碳氮材料层，在所述开口内形成扩散阻挡层；
在所述开口内形成互联层；
在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤包括：在所述开口内表面形成碳化硅层，再在碳化硅层上形成碳氮化硅层，所述碳化硅层和碳氮化硅层构成碳氮材料层。
2. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述开口包括沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方。
3. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，在所述衬底中形成导电插塞；
在所述层间介质层中形成开口的步骤包括：所述开口露出所述导电插塞。
4. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的步骤包括：所述层间介质层的材料为超低K介质。
5. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤中，采用化学气相沉积法形成所述碳化硅层及碳氮化硅层。
6. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤中，所述碳氮材料层的总厚度在30纳米到50纳米的范围内。
7. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除开口底部的碳氮材料层的步骤包括：采用氩离子轰击开口底部，以去除开口底部的碳氮材料层。
8. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内形成扩散阻挡层的步骤包括：在所述开口内采用原子层沉积法形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，所述锰铜层作为扩散阻挡层。
9. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内形成互联层的步骤包括：在所述开口内填充导电材料层并进行化学机械研磨，以形成 互联层。
10. 如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内填充导电材料层的步骤包括：采用化学电镀法在所述开口内填充铜。
11. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成互联层以后，所述形成方法还包括：对所述互联层进行退火和紫外光照工艺。
12. 一种互联结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底上的层间介质层；
形成于所述层间介质层中的开口；
覆盖于所述开口侧壁的碳氮材料层；
位于所述开口底部以及侧壁上的扩散阻挡层；
位于所述开口内的互联层；
所述碳氮材料层包括自下而上的碳化硅层和碳氮化硅层。
13. 如权利要求12所述的互联结构，其特征在于，所述开口包括沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方。
14. 如权利要求12所述的互联结构，其特征在于，所述扩散阻挡层为锰铜层。
15. 如权利要求12所述的互联结构，其特征在于，所述碳氮材料层的总厚度在30纳米到50纳米的范围内。”
驳回决定中引用了如下对比文件：
对比文件1：CN102832199A，公开日为2012年12月19日；
对比文件2：CN102468266A，公开日为2012年05月23日。
驳回决定指出：（1）权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：碳氮材料层还包括碳化硅层，其形成步骤还包括：先在开口内表面形成碳化硅层。然而，上述区别技术特征属于本领域的公知常识。（2）权利要求8请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征还包括：①扩散阻挡层材料为锰铜层；②形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使氮化铜层形成锰铜层。上述区别技术特征①被对比文件2公开，并且所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同；上述区别技术特征②属于本领域的公知常识。（3）权利要求12请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：碳氮材料层还包括位于碳氮化硅层下方的碳化硅层。然而，上述区别技术特征属于本领域的公知常识。（4）权利要求2-7、9-11、13-15的附加技术特征或属于本领域的公知常识，或被对比文件1公开，或被对比文件2公开。因此，权利要求1-15不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年08月09日向国家知识产权局提出了复审请求，未修改申请文件。复审请求人认为：（1）对比文件1中是利用了“氧化层”通常的抗氧化性的特性以用于防止被氧化，而本申请利用的是“碳氮材料层”的黏着力较强的特性，并且碳氮材料层能够释放一部分层间介质层的应力的特性。对于本领域技术人员来说，在仅公开利用结构抗氧化性特定的内容的基础上，根本想不到要利用结构的黏着力以及能够释放层间介质层的应力的特点，因此，在对比文件1的基础上并不容易想到利用本申请的技术特征来解决本申请的技术问题。（2）对比文件1中没有公开采用在层间介质层围成的开口侧壁与扩散阻挡层之间形成碳氮材料层以解决“双镶嵌工艺中互联层与超低K介质之间的分层问题”技术问题的内容，在此基础上，就更不可能想到在形成碳氮材料层时会存在“上方碳氮化层的氮元素渗透影响下方导电插塞性能的问题”，也不会想到在开口内表面先形成一阻挡层的技术特征。因此，本申请全部权利要求具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年08月15日依法受理了该复审请求，并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年01月11日向复审请求人发出复审通知书，指出：（1）权利要求1-15不具备专利法第22条第3款规定的创造性，通知书中引用的对比文件与驳回决定中所引用的对比文件相同。（2）关于复审请求人的复审请求意见，合议组认为：①对比文件1公开了氧化层202材料为SiCN，位于铜金属204（相当于互联层）与低介电常数介质层201（相当于层间介质层）之间，也就是说，虽然对比文件1文字部分记载的氧化层202的作用与本申请文字部分记载的碳氮材料层中SiCN层的作用不同，但对比文件1公开的上述氧化层202所处位置、材料均与本申请碳氮材料层中SiCN所处位置、材料相同，因此，基于相同的位置及材料，结合SiCN的固有属性，对比文件1中的SiCN氧化层202客观上起到了增强铜金属204（相当于互联层）与低介电常数介质层201（相当于层间介质层）粘着力及释放低介电常数介质层201应力的作用，也达到了不容易发生分层、互联结构更稳固的效果。②在形成碳氮化硅层时，氮元素容易渗透进铜金属，从而影响铜的导电性能，这属于本领域的公知常识。则在对比文件1已经公开了铜互联中设置了上方碳氮化硅层、下方铜导电层的基本结构时，本领域技术人员容易想到在两者之间设置一阻挡层以防止氮元素渗透至导电层，而碳化硅是本领域常用的阻挡层材料，选择它，对于本领域技术人员来说，是容易想到的。
复审请求人于2019年02月25日提交了意见陈述书，同时提交了权利要求书的全文修改替换页。所作的修改为：将从属权利要求2和8的附加技术特征并入独立权利要求1和12中，删除原权利要求2、8和13，适应性修改权利要求的序号及引用关系，从而形成新的权利要求第1-12项。修改后的权利要求书的内容如下：
“1. 一种互联结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
在所述衬底上形成层间介质层；
在所述层间介质层中形成开口；
在所述开口内表面形成碳氮材料层；
去除开口底部的碳氮材料层，在所述开口内形成扩散阻挡层；
在所述开口内形成互联层；
在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤包括：在所述开口内表面形成碳化硅层，再在碳化硅层上形成碳氮化硅层，所述碳化硅层和碳氮化硅层构成碳氮材料层；
其中，所述开口包括沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方；
在所述开口内形成扩散阻挡层的步骤包括：在所述开口内采用原子层沉积法形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，所述锰铜层作为扩散阻挡层。
2. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底的步骤中，在所述衬底中形成导电插塞；
在所述层间介质层中形成开口的步骤包括：所述开口露出所述导电插塞。
3. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述层间介质层的步骤包括：所述层间介质层的材料为超低K介质。
4. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤中，采用化学气相沉积法形成所述碳化硅层及碳氮化硅层。
5. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内表面形成碳氮材料层的步骤中，所述碳氮材料层的总厚度在30纳米到50纳米的范围内。
6. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除开口底部的碳氮材料层的步骤包括：采用氩离子轰击开口底部，以去除开口底部的碳氮材料层。
7. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内形成互联层的步骤包括：在所述开口内填充导电材料层并进行化学机械研磨，以形成互联层。
8. 如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在所述开口内填充导电材料层的步骤包括：采用化学电镀法在所述开口内填充铜。
9. 如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成互联层以后，所述形成方法还包括：对所述互联层进行退火和紫外光照工艺。
10. 一种互联结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于衬底上的层间介质层；
形成于所述层间介质层中的开口；
覆盖于所述开口侧壁的碳氮材料层；
位于所述开口底部以及侧壁上的扩散阻挡层；
位于所述开口内的互联层；
所述碳氮材料层包括自下而上的碳化硅层和碳氮化硅层；其中，所述开口包括沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方；
在所述开口内形成扩散阻挡层的步骤包括：在所述开口内采用原子层沉积法形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，所述锰铜层作为扩散阻挡层。
11. 如权利要求10所述的互联结构，其特征在于，所述扩散阻挡层为锰铜层。
12. 如权利要求10所述的互联结构，其特征在于，所述碳氮材料层的总厚度在30纳米到50纳米的范围内。”
复审请求人认为：（1）本申请中明确了开口包括沟槽和通孔，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方，而对比文件1中在低介电常数介质层201中形成一个通孔，两者开口的结构不同。另外，对比文件2中开口的结构也与本申请中开口的结构不同。（2）对比文件2给出的关于扩散阻挡层的技术启示是采用氮化硅或碳化硅或掺氮的碳化硅等材料作为扩散阻挡层，对比文件1中扩散阻挡层包括SiCN。明显地，现有技术中公开的都是采用SiCN作为扩散阻挡层，本领域技术人员不能想到将对比文件1中扩散阻挡层的材料设置为铜锰合金，更不能想到本申请中上述形成扩散阻挡层的内容。因此，本申请具备创造性。
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
决定的理由
1、审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书的全文修改替换页，包括12项权利要求。经审查，所作的修改符合专利法实施细则第61条第1款及专利法第33条的规定。本复审请求审查决定依据的文本为：2019年02月25日提交的权利要求第1-12项，申请日2013年12月31日提交的说明书第1-12页、说明书附图第1-5页、说明书摘要及摘要附图。
2、关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果部分区别技术特征已被其它对比文件公开且作用相同，其余区别技术特征属于本领域的公知常识，则该权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定及复审通知书中引用的对比文件相同，即：
对比文件1：CN102832199A，公开日为2012年12月19日；
对比文件2：CN102468266A，公开日为2012年05月23日。
2-1、权利要求1请求保护一种互联结构的形成方法。对比文件1公开了一种互联结构的形成方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0010]，[0020]-[0030]段、附图2-8）：所述方法包括以下步骤：提供衬底200；在所述衬底200上形成低介电常数介质层201（相当于层间介质层）（参见说明书附图3）；在所述介电常数介质层201中形成开口，所述开口包括通孔（参见说明书附图4）；在所述开口内表面形成氧化层202，所述氧化层202可为SiCN（相当于碳氮材料层）（参见说明书附图5）；去除开口底部的氧化层202（参见说明书附图6），在所述开口内采用原子层淀积的方法形成金属层203，所述金属层203可为Co、Ru、Ta、W、Mo、Ti等金属单质，也可以为TaN、TiN或者MoN等金属氮化物，其对铜具有抗扩散能力（由此可知，所述金属层203相当于扩散阻挡层）（参见说明书第[0010]段）；在所述开口内电镀铜金属204（相当于互联层）（参见说明书附图8）。
权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述碳氮材料层还包括形成在开口内表面位于碳氮化硅层下方的碳化硅层；（2）所述开口还包括沟槽，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方；（3）在所述开口内形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，所述锰铜层作为扩散阻挡层。基于上述区别技术特征，权利要求1实际解决的技术问题是：如何防止碳氮化硅层中的氮直接与下方互联层相接触而影响互联结构的性能；提供可替换的开口结构；以及提高碳氮材料层与扩散阻挡层之间的粘附性以更好地防止铜的扩散。
对于上述区别技术特征（1），在形成碳氮化硅层时，氮元素容易渗透进铜金属，从而影响铜的导电性能，这属于本领域的公知常识。则在对比文件1已经公开了铜互联中设置了上方碳氮化硅层、下方铜导电层的基本结构时，本领域技术人员容易想到在两者之间设置一阻挡层以防止氮元素渗透至导电层，而碳化硅是本领域常用的阻挡层材料，选择它，对于本领域技术人员来说，是容易想到的。
对于上述区别技术特征（2），其是本领域技术人员根据被连接的上、下导电层的具体结构和位置而采用的常规技术手段，属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（3），对比文件2公开了一种半导体器件及其制造方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0028]-[0036]段）：在开口内形成铜合金层250，铜合金层的材料为铜锰合金，铜锰合金层250整体与扩散阻挡层240的粘附性较好，并且所述铜合金层250的存在可防止铜原子沿铜合金层250与扩散阻挡层240的边界进行扩散和电迁移，进而防止铜布线层230中出现空洞，提高了半导体器件的性能。其中所述扩散阻挡层240的材料为掺氮的碳化硅。即对比文件2中给出了“掺氮的碳化硅与铜锰合金层之间粘附性好，并且能够更好地防止铜的扩散”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，容易想到将对比文件1中的金属层203的材料设置为铜锰合金。至于铜锰合金层的形成方式，先原子层沉积法形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，属于本领域的常用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求1请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-2、权利要求2引用权利要求1。对比文件1中还公开了（参见说明书第[0021]段）：所述半导体衬底200中还可以形成金属的互联结构，如铜的通孔或互连线（相当于导电插塞）。而为了实现互连，在低介电常数介质层201形成开口时露出所述导电插塞，属于本领域的常用技术手段。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求2也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求3引用权利要求1。对比文件1中还公开（参见说明书第[0022]段）：所述低介电常数介质层201可以为超低介电常数介质。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求3也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-4、权利要求4引用权利要求1。对比文件1中还公开了（参见说明书第[0025]段）：用等离子体化学气相沉积方法形成SiCN层。则在此基础上，为了工艺的简便，使用同样的PECVD法形成碳化硅层，属于本领域的常用技术手段。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求4也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-5、权利要求5引用权利要求1。本领域技术人员在制作互联结构时，出于对碳氮材料层的粘着性以及互联层空间的大小的综合考虑，将碳氮材料层的厚度设定为30nm至50nm范围内，是可以通过有限的试验实现的。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求5也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-6、权利要求6引用权利要求1。对比文件1中还公开了（参见说明书第[0024]段）：采用反应离子刻蚀的方法对氧化层202进行回刻，刻蚀掉位于互连通孔底壁上的氧化层202。而采用氩离子进行轰击，其属于本领域技术人员根据刻蚀材料进行的常规选择。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求6也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-7、权利要求7引用权利要求1。对比文件1中还公开了（参见说明书第[0028]-[0029]段）：在互连通孔中电镀铜金属204；对铜金属进行化学机械抛光，以去除多余的铜金属（相当于进行化学机械研磨，以形成互联层）。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求7也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-8、权利要求8引用权利要求7。对比文件1中还公开了（参见说明书第[0028]段）：在互连通孔中电镀铜金属204。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求8也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-9、权利要求9引用权利要求1。对互联层进行退火和紫外光照射以去除水分，属于本领域的公知常识。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求9也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-10、权利要求10请求保护一种互联结构。对比文件1公开了一种互联结构，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0017]-[0030]段、附图1-8）：所述互联结构包括衬底200；位于衬底200上的低介电常数介质层201（参见说明书附图3）；形成于所述介质层201中的开口，所述开口包括通孔（参见说明书附图4）；覆盖于所述开口侧壁的氧化层202，所述氧化层202可为SiCN（相当于碳氮材料层）（参见说明书附图5）；位于所述开口底部以及侧壁上的采用原子层淀积的方法形成的金属层203，所述金属层203可为Co、Ru、Ta、W、Mo、Ti等金属单质，也可以为TaN、TiN或者MoN等金属氮化物，其对铜具有抗扩散能力（由此可知，所述金属层203相当于扩散阻挡层）（参见说明书第[0010]段）；位于所述开口内的铜金属204（相当于互联层）（参见说明书附图8）。
权利要求10请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征为：（1）所述碳氮材料层还包括位于碳氮化硅层下方的碳化硅层；（2）所述开口还包括沟槽，所述沟槽与通孔连通，所述沟槽位于通孔上方；（3）在所述开口内形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，所述锰铜层作为扩散阻挡层。基于上述区别技术特征，权利要求10实际解决的技术问题是：如何防止碳氮化硅层中的氮直接与下方互联层相接触而影响互联结构的性能；提供可替换的开口结构；以及提高碳氮材料层与扩散阻挡层之间的粘附性以更好地防止铜的扩散。
对于上述区别技术特征（1），在形成碳氮化硅层时，氮元素容易渗透进铜金属，从而影响铜的导电性能，这属于本领域的公知常识。则在对比文件1已经公开了铜互联中设置了上方碳氮化硅层、下方铜导电层的基本结构时，本领域技术人员容易想到在两者之间设置一阻挡层以防止氮元素渗透至导电层，而碳化硅是本领域常用的阻挡层材料，选择它，对于本领域技术人员来说，是容易想到的。
对于上述区别技术特征（2），其是本领域技术人员根据被连接的上、下导电层的具体结构和位置而采用的常规技术手段，属于本领域的公知常识。
对于上述区别技术特征（3），对比文件2公开了一种半导体器件及其制造方法，并具体公开了以下技术内容（参见说明书第[0028]-[0036]段）：在开口内形成铜合金层250，铜合金层的材料为铜锰合金，铜锰合金层250整体与扩散阻挡层240的粘附性较好，并且所述铜合金层250的存在可防止铜原子沿铜合金层250与扩散阻挡层240的边界进行扩散和电迁移，进而防止铜布线层230中出现空洞，提高了半导体器件的性能。其中所述扩散阻挡层240的材料为掺氮的碳化硅。即对比文件2中给出了“掺氮的碳化硅与铜锰合金层之间粘附性好，并且能够更好地防止铜的扩散”的技术启示，则本领域技术人员在对比文件2的技术启示下，容易想到将对比文件1中的金属层203的材料设置为铜锰合金。至于铜锰合金层的形成方式，先原子层沉积法形成掺杂锰元素的氮化铜层，再通入氢气使所述氮化铜层形成锰铜层，属于本领域的常用技术手段。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2以及本领域的公知常识得到权利要求10请求保护的技术方案，对于本领域技术人员来说是显而易见的，权利要求10请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点，因而不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-11、权利要求11引用权利要求10。参见对权利要求10的评述可知，其附加技术特征已被对比文件2公开，并且所起的作用与其在本申请中为解决其技术问题所起的作用相同。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求11也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-12、权利要求12引用权利要求10。本领域技术人员在制作互联结构时，出于对碳氮材料层的粘着性以及互联层空间的大小的综合考虑，将碳氮材料层的厚度设定为30nm至50nm范围内，是可以通过有限的试验实现的。因此，当其引用的权利要求不具有创造性时，该权利要求12也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
3、关于复审请求人相关意见的评述
对于复审请求人在答复复审通知书中所陈述的权利要求具备创造性的理由，合议组认为：（1）本申请说明书第[0074]段明确指出：本申请对所述开口的具体结构不做限制，在其他实施例中，所述开口可以只包括沟槽或只包括通孔，或者通孔位于沟槽的上方。可见，开口的具体结构形式是本领域技术人员根据被连接的上、下导电层的具体结构和位置而进行的常规设置，属于本领域的公知常识。换句话说，无论是本申请所记载的包括沟槽和通孔的开口，或是对比文件中所公开的包括通孔的开口，均属于本领域技术人员根据需要所进行的常规设置。（2）对比文件2中给出了“掺氮的碳化硅与铜锰合金层之间粘附性好，并且能够更好地防止铜的扩散”的技术启示，在对比文件1公开了碳氮化硅和金属层（相当于本申请中的扩散阻挡层）的结构形式的基础上，为了更好地防止铜的扩散，本领域技术人员容易想到使用对比文件2中的铜锰合金层来取代对比文件1中的金属层，即使用所述铜锰合金层来构成扩散阻挡层。综上，复审请求人的意见陈述合议组不予以接受。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年04月24日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本复审请求审查决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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