发明创造名称：形成模板的衬底以及检测方法
外观设计名称：
决定号：180240
决定日：2019-06-03
委内编号：1F243107
优先权日：2011-02-10
申请（专利）号：201210088083.5
申请日：2012-02-10
复审请求人：信越化学工业株式会社
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：单英敏
合议组组长：李珍珍
参审员：申红胜
国际分类号：G03F7/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件之间存在两个区别技术特征，其中一个区别技术特征是在另一篇对比文件给出的启示下结合本领域常规技术手段容易想到的，而另一个区别技术特征属于本领域的常规技术手段，则该项权利要求相对于上述两篇对比文件以及本领域常规技术手段的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201210088083.5，名称为“形成模板的衬底以及检测方法”的发明专利申请（下称本申请），申请人为信越化学工业株式会社，其申请日为2012年02月10日，公开日为2012年08月15日。
国家知识产权局专利实质审查部门依法对本申请进行了实质审查，于2017年10月09日以本申请权利要求1-8不符合专利法第22条第3款的规定为理由作出驳回决定，同时在其他说明部分指出权利要求9-11不符合专利法第22条第3款的规定。驳回决定所依据的文本为申请人于2017年4月19日提交的权利要求书第1-11项、申请日2012年02月10日提交的说明书第1-57段、说明书附图图1A-1B,2A-2C、说明书摘要。
驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种圆形的形成模板的衬底，具有：
内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心；
其中所述圆形的形成模板的衬底具有125mm至300mm的直径；
其中圆形模板作用区域是能够形成拓扑图案的区域；
其中圆形模板作用区域具有至多125mm的直径，
其中圆形模板作用区域的厚度变化为至多2μm,
其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层；和
其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。
2. 权利要求1的衬底，其中衬底在整个表面上具有不超过10μm的厚度变化。
3. 权利要求1的衬底，其中衬底厚度T和E满足0.4μm≥T-E≥0.3μm。
4. 权利要求1或2的衬底，为石英玻璃衬底。
5. 经涂覆的衬底，其为如权利要求4所述的衬底，在其上具有用于形成转移图案的金属薄膜或抗蚀膜。
6. 如权利要求1或2所述的衬底，其中在具有125mm的直径的圆内，任何表面缺陷具有0.5μm以下的尺寸。
7. 权利要求1或2所述的衬底用于纳米压印光刻的用途。
8. 一种用于检测形成模板的衬底的方法，包括检查衬底以确定其是否符合权利要求1或2的要求用以由此判断衬底合格或不合格。
9. 制造形成模板的衬底的方法，包括通过对中间晶片进行粗抛光和精抛光而制备衬底并根据权利要求8进行检测。
10. 根据权利要求9的方法，其中加工判断为合格的那些形成模板的衬底以形成具有所述拓扑图案的模板。
11. 根据权利要求10的方法，其中用来形成模板的加工包括在衬底上形成金属薄膜或抗蚀膜，且将所述膜图案化。”
驳回决定中引用了如下2篇对比文件：
对比文件1：CN1219754A，公开日为1999年06月16日
对比文件2：CN1755519A，公开日为2006年04月05日。
驳回决定主要认为：权利要求1要求保护的圆形的形成模板的衬底与对比文件1公开的掩模半成品相比，区别在于：（1）衬底包括内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，两个区域与衬底同心，其中圆形模板作用区域是能够形成拓扑图案的区域，其具有至多125mm的直径，并且其厚度变化为至多2μm；（2）圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E和0.6μm≥T-E≥0.3μm，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层。上述区别技术特征是本领域技术人员在对比文件2给出的启示下结合本领域的惯用手段容易想到的，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域惯用手段的结合不具备创造性。权利要求2-6的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件1或对比文件2公开内容的基础上结合本领域的惯用手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-6也不具备创造性。权利要求7要求保护衬底用于纳米压印光刻的用途，其引用权利要求1或2，将衬底用于纳米压印光刻的用途是本领域的常用技术手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求7也不具备创造性。权利要求8要求保护的用于检测形成模板的衬底的方法引用权利要求1或2，其进一步限定的技术特征属于本领域的惯用手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求8也不具备创造性。权利要求9要求保护的制造形成模板的衬底的方法引用权利要求8，其进一步限定的技术特征属于本领域的惯用手段，由于权利要求8不具备创造性，因此，权利要求9也不具备创造性。从属权利要求10-11的附加技术特征或者是本领域的常规技术手段或者是本领域技术人员在对比文件1的教导下结合本领域的惯用手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求10-11也不具备创造性。
申请人（下称复审请求人）不服上述驳回决定，于2018年01月24日向国家知识产权局提出复审请求，其中在权利要求1中增加技术特征“该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距”，形成修改后的权利要求1。修改后的权利要求书共11项权利要求，其中权利要求1内容如下：
“1. 一种圆形的形成模板的衬底，具有：
内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心；
其中所述圆形的形成模板的衬底具有125mm至300mm的直径；
其中圆形模板作用区域是能够形成拓扑图案的区域；
其中圆形模板作用区域具有至多125mm的直径；
其中圆形模板作用区域的厚度变化为至多2μm,该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；
其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层；和 其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。”
复审请求人认为：（1）对比文件2中的平整度不同于本申请中的厚度变化的概念。从对比文件2的平整度的教导，本领域技术人员不能得出任何与厚度变化相关的技术启示。（2）权利要求1的定义足以限定纳米压印光刻技术。由于与本申请相比，在对比文件1和对比文件2中以非常不同的方式引入失准或图案，本申请的技术方案完全不同于对比文件1和／或对比文件2。本申请与这些现有技术完全涉及不同的技术问题，涉及不同的申请构思。据此认为本申请全部权利要求具备创造性。
经形式审查合格，国家知识产权局依法受理了该复审请求，于2018年02月02日向复审请求人发出了复审请求受理通知书，并将案卷转送至原专利实质审查部门进行前置审查。
原专利实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局依法成立合议组对本案进行审理。
本案合议组于2018年08月15日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1要求保护的圆形的形成模板的衬底与对比文件1公开的掩模半成品相比，区别技术特征在于：（1）衬底具有内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心，圆形掩模板作用区域具有至多125mm的直径，圆形掩膜板作用区域的厚度变化为至多2μm，该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；（2）其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层；和其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。上述区别技术特征（1）是本领域技术人员在对比文件2给出将光刻掩模基板的主表面划分为外部外围端部区域和平面测量区域，并通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误的启示下，结合本领域的常规技术手段容易想到的；上述区别技术特征（2）仅能够限定具有不平坦、高低起伏表面形状的衬底结构。本领域技术人员在对比文件2给出的启示下，可以任意选择具有合适平整度的不平坦、高低起伏表面形状，因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备创造性。权利要求2-6的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件1或对比文件2公开内容的基础上结合本领域的常规技术手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-6也不具备创造性。权利要求7要求保护衬底用于纳米压印光刻的用途，其引用权利要求1或2，将衬底用于纳米压印光刻的用途是本领域的常用技术手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求7也不具备创造性。权利要求8要求保护的用于检测形成模板的衬底的方法引用权利要求1或2，其进一步限定的技术特征属于本领域的常规技术手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求8也不具备创造性。权利要求9要求保护的制造形成模板的衬底的方法引用权利要求8，在对比文件2给出通过对基础部件的基板进行多个打磨/抛光处理而制备掩模基板启示下，本领域技术人员可以采用该方法制备掩模衬底，由于权利要求8不具备创造性，因此，权利要求9也不具备创造性。从属权利要求10-11的附加技术特征或者是本领域的常规技术手段或者是本领域技术人员在对比文件1的教导下结合本领域的常规技术手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求10-11也不具备创造性。
复审请求人于2018年11月26日提交了意见陈述书和并提交了权利要求书全文的修改替换页，其中在权利要求1中增加技术特征“由此，待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域”，形成修改后的权利要求1。修改后的权利要求1具体如下：
“1. 一种圆形的形成模板的衬底，具有：
内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心；
其中所述圆形的形成模板的衬底具有125mm至300mm的直径；
其中圆形模板作用区域是能够形成拓扑图案的区域；
其中圆形模板作用区域具有至多125mm的直径；
其中圆形模板作用区域的厚度变化为至多2μm,该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；
其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层，由此，待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域；和
其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。”
复审请求人认为：（1）在本发明中，只要是满足“T≥C≥E的形状，就能够实现本发明的作用和效果。本发明涉及的模具用基板减小了中心区域的板厚变化，取得了对比文件1和2不能得到的技术效果。权利要求1的定义足以限定纳米压印光刻技术。基于对比文件1和／或2的教导，本领域技术人员没有任何动机使气泡逃逸出形成图案的区域以消除失准或图案错误。（2）对比文件2中的平整度完全不同于本申请中的厚度变化的概念。从对比文件2的平整度的教导，本领域技术人员不能得出任何与厚度变化相关的技术启示。
本案合议组于2019年02月02日再次向复审请求人发出复审通知书（下称第二次复审通知书），指出：权利要求1要求保护的圆形的形成模板的衬底与对比文件1公开的掩模半成品相比，区别技术特征在于：（1）衬底具有内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心，圆形掩模板作用区域具有至多125mm的直径，圆形掩膜板作用区域的厚度变化为至多2μm，该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；（2）其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层，由此，待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域；和其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。对于上述区别技术特征（1），压印模板是本领域常规的掩模板，本领域技术人员可以将对比文件1的掩膜板衬底用于制造压印模板。本领域技术人员已知压印掩膜板上高低起伏的变化会引起被压印树脂形成的图案的厚度不均匀，进而导致后续图形转印的失准，因而需要控制掩膜板表面的高低起伏变化。在对比文件2的启示下并结合压印领域的常规知识，本领域技术人员容易想到在将对比文件1的掩膜板衬底用于制造压印掩模时，在掩模板衬底上也设置外部外围端部区域和平面测量区域，并通过控制厚度变化来控制平面测量区域的高低起伏变化；上述区别技术特征（2）是本领域的常规技术手段，并引用参考文献1-3作为佐证；因此权利要求1相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备创造性。权利要求2-6的附加技术特征是本领域技术人员在对比文件1或对比文件2公开内容的基础上结合本领域的常规技术手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2-6也不具备创造性。权利要求7要求保护衬底用于纳米压印光刻的用途，其引用权利要求1或2，将衬底用于纳米压印光刻的用途是本领域的常用技术手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求7也不具备创造性。权利要求8要求保护的用于检测形成模板的衬底的方法引用权利要求1或2，其进一步限定的特征属于本领域的常规技术手段，由于权利要求1或2不具备创造性，因此，权利要求8也不具备创造性。权利要求9要求保护的制造形成模板的衬底的方法引用权利要求8，在对比文件2给出通过对基础部件的基板进行多个打磨/抛光处理而制备掩模基板启示下，本领域技术人员可以采用该方法制备掩模衬底，由于权利要求8不具备创造性，因此，权利要求9也不具备创造性。从属权利要求10-11的附加技术特征或者是本领域的常规技术手段或者是本领域技术人员在对比文件1的教导下结合本领域的常规技术手段容易想到的，因此，在所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求10-11也不具备创造性。
复审请求人于2019年05月17日针对上述复审通知书提交了意见陈述书，并提交了权利要求书全文的修改替换页。其中在权利要求1中增加技术特征“所述衬底为用于纳米压印光刻的石英玻璃衬底”，形成修改后的权利要求1，并删除了权利要求4、7。修改后的权利要求书具体如下：
“1. 一种圆形的形成模板的衬底，具有：
内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心；
其中所述圆形的形成模板的衬底具有125mm至300mm的直径，所述衬底为用于纳米压印光刻的石英玻璃衬底；
其中圆形模板作用区域是能够形成拓扑图案的区域；
其中圆形模板作用区域具有至多125mm的直径；
其中圆形模板作用区域的厚度变化为至多2μm,该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；
其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层，由此，待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域；和
其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。
2. 权利要求1的衬底，其中衬底在整个表面上具有不超过10μm的厚度变化。
3. 权利要求1的衬底，其中衬底厚度T和E满足0.4μm≥T-E≥0.3μm。
4. 经涂覆的衬底，其为如权利要求1所述的衬底，在其上具有用于形成转移图案的金属薄膜或抗蚀膜。
5. 如权利要求1或2所述的衬底，其中在具有125mm的直径的圆内，任何表面缺陷具有0.5μm以下的尺寸。
6. 一种用于检测形成模板的衬底的方法，包括检查衬底以确定其是否符合权利要求1或2的要求用以由此判断衬底合格或不合格。
7. 制造形成模板的衬底的方法，包括通过对中间晶片进行粗抛光和精抛光而制备衬底并根据权利要求6进行检测。
8. 根据权利要求7的方法，其中加工判断为合格的那些形成模板的衬底以形成具有所述拓扑图案的模板。
9. 根据权利要求8的方法，其中用来形成模板的加工包括在衬底上形成金属薄膜或抗蚀膜，且将所述膜图案化。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，现依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）关于审查文本
在复审程序中，复审请求人于2019年05月17日提交了权利要求书的最终修改替换页，该修改符合专利法第33条及专利法实施细则第61条第1款的规定，因此，本审查决定以复审请求人于2019年05月17日提交的权利要求书第1-9项、申请日2012年02月10日提交的说明书第1-57段、说明书附图图1A-1B,2A-2C、说明书摘要为基础作出。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近的现有技术的对比文件之间存在两个区别技术特征，其中一个区别技术特征是在另一篇对比文件给出的启示下结合本领域常规技术手段容易想到的，而另一个区别技术特征属于本领域的常规技术手段，则该项权利要求相对于上述两篇对比文件以及本领域常规技术手段的结合不具备创造性。
具体到本案：
1、权利要求1要求保护一种圆形的形成模板的衬底，对比文件1公开了一种掩模半成品（参见对比文件1说明书第3页第1-4行，附图1-2），在该掩模半成品11上，在圆形衬底12的一侧整个表面上形成具有遮光性的遮光膜13，衬底12例如由厚度6.3mm，直径200mm的具有透光性的石英构成。
对比文件1公开的上述技术内容中，掩模半成品11的圆形衬底12即为圆形的形成模板的衬底，其直径200nm落入权利要求1中圆形的形成模板的衬底的直径范围，其材质为具有透光性的石英，即其为石英玻璃衬底。由于对比文件1中的掩模半成品用于形成光刻掩模，即后续在遮光膜13上会形成掩模图形，因此，对比文件1的圆形衬底12也具有能够形成拓扑图案的圆形模板作用区域。
由此可见，权利要求1请求保护的技术方案与对比文件1公开的内容相比，区别技术特征在于：（1）衬底用于纳米压印光刻，衬底具有内部圆形模板作用区域和包围该内部圆形模板作用区域的外部环形区域，所述两个区域与衬底同心，圆形掩模板作用区域具有至多125mm的直径，圆形掩膜板作用区域的厚度变化为至多2μm，该厚度变化为最大厚度与最小厚度之间的差距；（2）其中圆形的形成模板的衬底满足关系：T≥C≥E，其中T为在具有125mm的直径的圆内的最厚的点t处的厚度，C为在其中心c处的厚度，且E为在线t-c的延伸与该圆交叉的远离t的点e处的厚度，其中点t首先接触接受衬底上的树脂层，点e最后接触接受衬底上的树脂层，由此，待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域；和其中圆形的形成模板的衬底满足关系0.6μm≥T-E≥0.3μm。
基于上述区别技术特征，可以确定本发明实际解决的技术问题是：如何降低纳米压印光刻掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误。
对于上述区别技术特征（1），对比文件2公开了一种光刻掩模基板（参见对比文件2说明书第1-3页，附图1、8-20），在其主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或更小；其中平面测量区域，包括一个图案区域，用于形成掩模图案；该掩模基板在定位准确性和聚焦束方面良好；为了在半导体装置基板上形成令人满意的线宽和图案尺寸65nm节点的精度的电路图案，在曝光系统一侧被吸附的掩膜台需要满足下面条件（1）和（2），（1）除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，平面测量区域的平整度为0.6μm或更少；（2）平面测量区域的四个角部分中的至少三个具有朝向外部外围边缘上升的形状。由此可见，对比文件2给出了将光刻掩模基板的主表面划分为外部外围端部区域和平面测量区域，并通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而提高掩模板定位准确性、获得令人满意的精度的图案（即降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误）的启示。虽然对比文件1和对比文件2涉及的是光学光刻掩膜板，但由于纳米压印光刻技术是本领域的常规技术，压印模板也是本领域常规的掩模板，制造光学掩膜板和压印模板的衬底具有类似的结构，因此，本领域技术人员完全可以将对比文件1中同样由石英构成的用于制造光学掩膜板的衬底用作制造纳米压印光刻模板的石英玻璃衬底。虽然对比文件2中公开的通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误是基于光学光刻的作用原理，但由于在纳米压印光刻领域，掩膜板的平整性同样会对压印工艺的图案对位和精度产生影响，因而压印模板同样需要实现定位准确以获得精确图案的技术效果；且本领域技术人员已知，由于压印掩膜板要与基底树脂接触并挤压基底树脂，因此，压印掩膜板衬底上高低起伏的变化也会引起被压印树脂形成的图案的厚度不均匀，进而导致后续图形转印的失准，因而需要控制掩膜板衬底表面的高低起伏变化。因此，在对比文件2给出通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误的启示下，本领域技术人员结合上述压印领域的常规知识，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造纳米压印光刻掩模的石英玻璃衬底时，容易想到为了降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误，在对比文件1的掩模板石英衬底上也设置外部外围端部区域和平面测量区域，并控制平面测量区域的平整度在一定范围内。而在光刻领域中，由于掩模板上的图案通常形成于衬底的中心周围，且图案区域也可以根据实际需要不完全覆盖掩膜板衬底表面，因此在对比文件2的上述启示下，本领域技术人员也容易想到将上述平面测量区域设置为能够形成掩模拓扑图案的作用区域，将上述外部外围区域设置为与作用区域同心的外部环形区域。而作用区域的直径也是本领域技术人员根据实际需要可以合理设定的。虽然对比文件2中平整度的测量方式不同于权利要求1中厚度变化（最大厚度与最小厚度之间的差距）的测量方式，但由于平整度的定义是指加工或者生产某些产品时，表面并不会绝对平整，所述不平与绝对水平之间所差的数据为平整度。且对比文件2公开了平整度可以在主平面中表面形状的最高点和最低点之间的基板的前主平面的边上随意确定（参见对比文件2说明书第2页第18-22行）。由此可见，平整度与厚度变化都与表面不同位置处相对厚度之间的差异相关，两者只是通过不同的测量方式对平面的高低起伏变化做出表征。因此，在对比文件2给出通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误的启示下，本领域技术人员结合上述压印领域的常规知识，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造压印掩模的石英玻璃衬底时，容易想到可以通过控制与平整度同样能够表征平面高低起伏变化的其他参数来控制平面测量区域的高低起伏变化，如通过控制厚度变化这一参数。而具体的厚度变化的范围也是本领域技术人员在对比文件2给出控制平整度在0.6μm以下的基础上，结合压印领域的常规知识，通过常规技术手段可以合理确定的，技术效果也可预期。
对于上述区别技术特征（2），虽然对比文件1和2中没有公开具体的t、c、e点处的厚度，以及T、C、E之间的关系。但是，由于压印模板是本领域常规的掩模板，本领域技术人员完全可以将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造纳米压印光刻模板的石英玻璃衬底。且在压印工艺中，由于气泡、外来颗粒导致转印过程中的图案错误是本领域中普遍存在的技术问题，为了使图案转移中树脂层的气泡或外来颗粒容易从形成图案的区域排出，防止气泡或外来颗粒引起缺陷和失准导致的图案错误，本领域中通常采取多种方式来排除气泡或外来颗粒等。比如通过抽真空的方式排除气泡和外来颗粒；或者通过使掩膜板图案区的一侧/一点先与树脂层接触，然后再使掩膜板上其他顺序临近的点依次与树脂层接触，直到掩膜板图案区端侧的点最后与树脂层接触，从而使气泡、外来颗粒等逃逸出掩膜板的图案区，这些都是本领域的常规技术手段。对于上述使掩膜板从其一侧/一点逐渐接触树脂层以排除气泡等的方法，本领域技术人员可以通过常规的方式来实现，比如将掩模版上与树脂层接触的表面设计成由厚度最高点平缓的向位于掩膜板边缘的厚度最低点变化的形貌，或者通过使平面的掩膜板的一侧先接触树脂层，然后通过加压装置使掩膜板表面顺序依次接触树脂层，直至掩膜板的另一端侧最后接触树脂层的方式，这些都是本领域的常规技术手段，其在本领域的多篇现有技术中均有记载。例如参考文献1（CN101394989A，申请人：日本先锋公司，公开日：2009年03月25日）公开了一种压印用模具，具体的在图2所示的实施方案1中，使模具1形成由中央部分向半径方向外侧弯曲的凸状曲面，因此，模具1的弯曲面的最顶部首先与被转印层5接触，然后向周边方向依次接触，由此可以防止转印面中混入气泡；在图6所示的实施方案2中，使软模具1的一端朝下方隆起，形成一端向另一端缓慢倾斜的形状，在该状态下，将软模具1由垂直方向向上方与被转印层接触，软模具1由一端开始逐渐接触被转印层，由此可以在防止气泡混入的情况下进行压印；参考文献2（JP特开2006-35573 A，申请人：名机械制造株式会社，公开日：2006年02月09日），公开了用于压印模塑树脂的设备（参见说明书摘要，附图1-2），其使图案转印版11翘曲，使其突出以与树脂层接触，压力机构4用于通过在转印版11和树脂版A之间至少在接触开始时将转印版11压靠树脂板A来对树脂板A进行传递模塑，从而去除空气并实现良好图案转移。参考文献3（KR10-20070036264A，申请人：HWAJIN IND INC，公开日：2007年04月03日）公开了一种纳米压印设备，用于有效地抑制和去除使用加压单元在压印期间产生的细小气泡，其中图4示出使用压印设备中的加压装置按压压印模板的示例图，当压印模板210与基板220接触时，使用按压装置240从基板220的一端向基板220施加压力，同时不接触整个区域，当使用该压印方法时，由于在一个方向上的接触顺序地进行，因此可以从根本上防止由于同时接触产生的气泡。因此，本领域技术人员根据上述压印工艺中排出图案转移中气泡或外来颗粒的常规技术手段，完全可以合理设置掩膜板衬底上t、c、e点处的厚度，T、C、E之间的关系以及T-E的数值范围，从而使待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域，进而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误。
因此，在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域的常规技术手段而得到权利要求1请求保护的技术方案对本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1请求保护的技术方案不具有突出的实质性特点和显著的进步，从而不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
复审请求人在答复第二次复审通知书时提出以下意见：
（1）本申请提供用于纳米压印光刻的衬底而对比文件1提供用于光刻的掩模半成品。在对比文件1中，在晶片上形成的图案是通过具有遮光膜的衬底。在本申请中获得的图案直接由形成模板的衬底本身即石英玻璃形成，而不是通过带有遮光膜的衬底将图案转印来形成。当UV固化时，具有遮光膜的衬底防止UV光透射，图案不能被固化。当热固化时，由于石英玻璃具有与Cr遮光膜不同的热膨胀系数，不能防止在形成模板的衬底上形成图案的步骤与转印步骤之间出现图案错位或图案误差。因此，在纳米压印光刻的UV固化和热固化中，对比文件1的掩模板衬底都不能用作形成模板的衬底。由于模板被反复压到树脂层，有时需要清洁模板，如果模板有遮光膜，它将被剥离。本领域技术人员不会将对比文件1的掩模板衬底用于纳米压印光刻。
（2）对比文件1的发明目的在于提供能够防止抗蚀剂膜厚的不均匀性，能够提高图形尺寸精度的掩模半成品。在不涉及压制步骤的对比文件1中不存在本申请中的在压制模板期间发生由气泡或外来颗粒引起的缺陷问题。由于在本申请中在衬底本身上形成图案，考虑到将衬底压到接受衬底上的给定厚度的树脂层，不仅模具上的拓扑图案的精度是重要的，就连圆形模板作用区域中的厚度变化也是重要的。与此相对，厚度变化对对比文件1并不重要。根据与对比文件1相同的理由，对比文件2的掩模基板不能用于本申请。
对比文件1和对比文件2与本申请的技术构思完全不同，本领域技术人员难以根据其想到本申请，本发明相对于现有技术是非显而易见的。
对于复审请求人的上述意见，合议组经审查后认为：
（1）关于形成掩膜板的衬底，对比文件1中公开的形成掩膜板的衬底是圆形衬底12（衬底12例如由厚度6.3mm，直径200mm的具有透光性的石英构成），而并非是在其上形成有遮光膜的掩膜板半成品11。与此相对应，本申请中的形成模板的衬底为例如石英玻璃衬底；且本申请在该形成模板的衬底上，优选在使用EB描绘工具在形成模板的衬底上形成图案之前，将金属薄膜或抗蚀膜沉积在形成模板的衬底上（本申请说明书第0030段-0031段）。也即本申请和对比文件1的衬底为相同材料，且二者后续也均在衬底上沉积其他材料。虽然对比文件1中的圆形衬底12用于形成光学光刻掩模半成品11（通过在该衬底上形成遮光膜的方式），而没有用于形成纳米压印光刻掩模板，然而在光刻领域中，光学光刻和纳米压印光刻均是已经广泛应用的光刻技术，两者所通常使用的光学光刻掩模板和纳米压印光刻掩模板的材质和结构也均为本领域技术人员所熟知。石英玻璃材质的衬底是这两种掩膜板常规使用的衬底，因而，本领域技术人员既可以将石英玻璃材质的衬底用作制作光学光刻掩模，也可以将其用作制作纳米压印光刻掩模，继而根据具体选择的用途来选择在衬底上后续涂覆的薄膜的种类，如用于制造光学光刻掩模时，基于遮光性的考虑，可以在衬底上涂覆后续制造常规所需的Cr等金属遮光膜；如用于制造纳米压印掩模时，基于热压印或UV压印的具体用途，可以在衬底上涂覆后续制造常规所需的金属膜或抗蚀剂膜。因而虽然在石英衬底上涂覆遮光膜后形成的掩模可能不适用于UV固化或热固化压印技术，但这并不影响本领域技术人员将石英衬底本身通过上述其他后续加工方式应用于制作UV固化或热固化压印中使用的掩膜板。因而，本领域技术人员可以将对比文件1中同样由石英构成的用于制造光学掩膜板的衬底用作制造纳米压印光刻模板的石英玻璃衬底。
（2）虽然对比文件1中不存在在压制模板期间发生由气泡或外来颗粒引起的缺陷问题，但如前对权利要求1的评述，由于压印模板是本领域常规的掩模板，本领域技术人员可以将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造纳米压印光刻模板的石英玻璃衬底，在此基础上，本领域技术人员自然会考虑压印工艺中普遍存在的由于气泡、外来颗粒导致转印过程中的图案错误的技术问题，进而通过上述本领域的常规技术手段来解决上述技术问题。此外，虽然对比文件1中没有涉及控制衬底厚度变化的内容，对比文件2中公开的通过控制平面测量区域的平整度在一定范围内从而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误是基于光学光刻的作用原理。然而，在纳米压印光刻领域中，基于压印的基本原理，本领域技术人员已知，由于压印掩膜板要与基底树脂接触并挤压基底树脂，因此，压印掩膜板衬底上高低起伏的变化会引起被压印树脂形成的图案的厚度不均匀，进而导致后续图形转印的失准，对压印工艺的图案对位和精度产生影响，因而需要控制掩膜板衬底表面的高低起伏变化。因而本领域技术人员结合上述压印领域的常规知识，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造纳米压印光刻掩模的石英玻璃衬底时，容易想到为了降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误，应控制平面测量区域的厚度变化在一定范围内。
2、从属权利要求2对权利要求1做了进一步限定，但在对比文件2公开（参见对比文件2说明书第1-3页）在掩膜板基板主表面上除了从外部外围端部表面向内2mm的区域，矩形平面测量区域的平整度为0.6μm或更小，从而提高掩模板定位准确性、获得令人满意的精度的图案（即降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误）的启示下，本领域技术人员结合压印领域的常规知识，为了进一步降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用做制造压印掩模的石英玻璃衬底时，容易想到同时控制衬底在整个表面上的平整性，比如通过控制衬底在整个表面上的厚度变化来达到上述效果，而具体的厚度变化的范围是本领域技术人员根据实际情况通过合乎逻辑的分析、推理并借助有限的实验可以合理确定的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求2也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
3、从属权利要求3对权利要求1做了进一步限定，如前对权利要求1的评述，在压印工艺中，由于气泡、外来颗粒导致转印过程中的图案错误是本领域中常遇到的问题，为了使图案转移中树脂层的气泡或外来颗粒容易从形成图案的区域排出，防止气泡或外来颗粒引起缺陷和失准导致的图案错误，将掩模版上与树脂层接触的表面设计成由厚度最高点平缓的向位于掩膜板边缘的厚度最低点变化的形貌是本领域的常规技术手段。因此，本领域技术人员根据压印工艺中排出图案转移中气泡或外来颗粒的常规技术手段，完全可以合理设置 T-E的数值范围，从而使待被转移的树脂层中的气泡或外来颗粒逃逸出形成图案的区域，进而降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误，并不需要付出创造性的劳动。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求3也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
4、权利要求4引用权利要求1，对比文件1公开在圆形衬底12的一侧整个表面上形成例如由铬和氧化铬的迭层膜组成的具有遮光性的遮光膜（即用于形成转移图案的薄膜），在遮光膜上涂覆抗蚀剂14（即抗蚀膜）（参见对比文件1说明书第1页第3页第1-12行）。在压印领域中，压印模板衬底上也通常可通过涂覆金属薄膜或抗蚀膜以用于形成转移图案，因而，本领域技术人员结合压印领域的常规知识，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造压印掩模的石英玻璃衬底时，容易想到在石英玻璃衬底上形成用于形成压印转移图案的金属薄膜或抗蚀膜。因此在其所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求4也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
5、从属权利要求5对权利要求1或2做了进一步限定，而为了降低掩模板制造和转移期间失准导致的图案错误，将掩模衬底上的表面缺陷尺寸控制在一定范围内以避免在掩膜板制造以及图形转移期间导致的图案错误是本领域的常规技术手段，而具体的表面缺陷的尺寸上限是本领域技术人员根据实际情况，通过合乎逻辑的分析、推理并借助有限的实验可以合理确定的。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求5也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
6、权利要求6请求保护一种用于检测形成模板的衬底的方法，在衬底制造完成后对其进行检查以确定其是否符合预先设计的要求，从而判断其是否合格是本领域的常规技术手段。权利要求6的技术方案中限定了判断衬底是否满足权利要求1或2的要求，如前所述，权利要求1或2相对于对比文件1、对比文件2和本领域常规技术手段的结合不具备创造性，因此，权利要求6也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
7、权利要求7请求保护一种制造形成模版衬底的方法，对比文件2公开了制造光刻掩模基板的方法，作为光刻掩模基板10的基础部件的基板是第一个准备的，然后是对这个基板实施预先打磨/抛光，预先打磨/抛光可以包括多个例如打磨，一次抛光、二次抛光等等打磨/抛光处理；打磨处理的目的是提高基板的表面平整度和磨掉基板表面的裂纹，初次抛光和第二次抛光是依次减少基板表面的粗糙度的处理；测量抛光的基板的平整度和选择适合与最后获得满意产品的制造基板（参见对比文件2说明书第3-12行）。由此可见，对比文件2公开了通过对基础部件的基板（对应中间晶片）进行多个例如打磨，一次抛光、二次抛光等等打磨/抛光处理（即包括了粗抛光和精抛光）而制备掩模基板的方法。本领域技术人员在对比文件2公开的上述内容的启示下，完全可以采用上述方法制备掩模衬底。权利要求7还采用了权利要求6的方法进行检测，但如前评述，权利要求6不具备创造性，因此权利要求7也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
8、从属权利要求8-9分别直接或间接对权利要求7做了进一步限定，但在本领域中，选择判断为合格的形成掩模板的衬底进行加工，以最终形成具有拓扑图案的掩膜板是本领域的常规技术手段；对比文件1公开在圆形衬底12的一侧整个表面上形成例如由铬和氧化铬的迭层膜组成的具有遮光性的遮光膜（即用于形成转移图案的薄膜），衬底由具有透光性的石英构成，在遮光膜上涂覆抗蚀剂14（即抗蚀膜）（参见对比文件1说明书第1页第3页第1-12行）。在压印领域中，压印模板衬底上也通常可通过涂覆金属薄膜或抗蚀膜以用于形成转移图案，因而，本领域技术人员结合压印领域的常规知识，在将对比文件1的掩膜板石英衬底用作制造压印掩模的石英玻璃衬底时，容易想到在石英玻璃衬底上形成用于形成压印转移图案的金属薄膜或抗蚀膜。而进一步将抗蚀剂膜和金属薄膜图案化以制造形成具有拓扑图案的掩模板是本领域的常规技术手段。因此，在其所引用的权利要求不具备创造性的基础上，权利要求8-9也不具备创造性，不符合专利法第22条第3款的规定。
综上所述，本申请权利要求1-9不符合专利法第22条第3款的规定。
根据上述事实和理由，本案合议组依法作出以下审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年10月09日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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