一种半导体器件及其制造方法-复审决定


发明创造名称:一种半导体器件及其制造方法
外观设计名称:
决定号:180119
决定日:2019-05-31
委内编号:1F258568
优先权日:
申请(专利)号:201310326647.9
申请日:2013-07-30
复审请求人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
无效请求人:
授权公告日:
审定公告日:
专利权人:
主审员:罗慧晶
合议组组长:树奇
参审员:王光军
国际分类号:H01L21/8234,H01L21/28,H01L27/088,H01L29/51
外观设计分类号:
法律依据:专利法第22条第3款
决定要点:如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比,存在区别技术特征,但所述区别技术特征的一部分被其他对比文件公开且作用相同,所述区别技术特征的其他部分属于本领域的公知常识,则该项权利要求不具备创造性。
全文:
本复审请求涉及申请号为201310326647.9,名称为“一种半导体器件及其制造方法”的发明专利申请(下称本申请)。本申请的申请人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,申请日为2013年07月30日,公开日为2015年02月11日。
经实质审查,国家知识产权局实质审查部门于2018年05月14日发出驳回决定,以权利要求1-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性为由驳回了本申请。驳回决定所依据的文本为:2018年03月02日提交的权利要求第1-16项,申请日2013年07月30日提交的说明书第1-14页、说明书附图第1-10页、说明书摘要和摘要附图。
驳回决定所针对的权利要求书内容如下:
“1. 一种半导体器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:
步骤S101:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成核心器件的伪栅极界面层和伪栅极以及IO器件的栅极界面层和伪栅极;
步骤S102:去除所述核心器件的所述伪栅极和所述IO器件的所述伪栅极;
步骤S103:去除所述核心器件的所述伪栅极界面层,在所述核心器件的所述伪栅极界面层原来的位置形成所述核心器件的栅极界面层;
步骤S104:在所述核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层之上分别形成所述核心器件的高k介电层和所述IO器件的高k介电层;
其中,所述方法还包括:在所述步骤S103和所述步骤S104之间对所述半导体衬底进行高压氟退火处理以在所述核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层中引入氟离子的步骤,或,在所述步骤S103和所述步骤S104之间对所述半导体衬底进行高压氟退火处理以及在所述步骤S104之后对所述半导体衬底进行高压氟退火处理以在所述核心器件的所述栅极界面层和所述高k介电层以及所述IO器件的所述栅极界面层和所述高k介电层中引入氟离子的步骤。
2. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S101中,所述IO器件的所述栅极界面层为氧化物层,并且所述氧化物层通过对所述半导体衬底氧化而形成。
3. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S101中,所述核心器件的所述伪栅极与所述IO器件的所述伪栅极的材料为多晶硅。
4. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S101中,所述核心器件的所述伪栅极界面层与所述IO器件的所述栅极界面层在同一工艺中形成,所述核心器件的所述伪栅极与所述IO器件的所述伪栅极在同一工艺中形成。
5. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于, 在所述步骤S102中,去除所述核心器件的所述伪栅极和所述IO器件的所述伪栅极的方法为湿法刻蚀或先干法刻蚀后湿法刻蚀。
6. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S103中,去除所述核心器件的所述伪栅极界面层的方法为干法刻蚀或湿法刻蚀。
7. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S103中,形成所述核心器件的栅极界面层的方法为化学氧化法或者热氧化法。
8. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S103中,在去除所述核心器件的所述伪栅极界面层之前,形成覆盖所述IO器件的所述栅极界面层的保护层;在形成所述核心器件的所述栅极界面层之后,去除所述保护层。
9. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述高压氟退火处理的温度为350℃-500℃。
10. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述高压氟退火处理的退火时间大于等于5分钟。
11. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,所述高压氟退火处理的压强为大于等于1个标准大气压小于等于25个标准大气压。
12. 如权利要求1所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S104中,所述核心器件的所述高k介电层和所述IO器件的所述高k介电层的横截面均呈U型。
13. 如权利要求10所述的半导体器件的制造方法,其特征在于,在所述步骤S104之后还包括步骤S105:
在所述核心器件的所述高k介电层和所述IO器件的所述高k介电层之上分别形成所述核心器件的功函数层和金属栅极以及所述IO器件的功函数层和金属栅极。
14. 一种半导体器件,包括半导体衬底和位于所述半导体衬底上的核心器件和IO器件,其特征在于,所述半导体器件采用如权利要求1-13任意一项所述的方法制造,所述核心器件包括位于所述半导体衬底上的所述核心器件的栅极界面层以及位于所述核心器件的所述栅极界面层之上的所述核心器件的高k介电层,所述IO器件包括位于所述半导体衬底上的所述IO器件的栅极界面层以及位于所述IO器件的所述栅极界面层之上的所述IO器件的高k介电层,
其中,所述核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层掺杂有氟离子;或,所述核心器件的所述栅极界面层和所述高k介电层以及所述IO器件的所述栅极界面层和所述高k介电层掺杂有氟离子。
15. 如权利要求14所述的半导体器件,其特征在于,所述核心器件的所述高k介电层和所述IO器件的所述高k介电层的横截面均呈U型。
16. 如权利要求14所述的半导体器件,其特征在于,所述半导体器件还包括位于所述核心器件的所述高k介电层之上的所述核心器件的功函数层和金属栅极以位于所述IO器件的所述高k介电层之上的所述IO器件的功函数层和金属栅极。”
驳回决定引用了如下对比文件:
对比文件1:US2013020630A1,公开日:2013年01月24日;
对比文件2:JP2006114747A,公开日:2006年04月27日。
驳回决定指出:权利要求1-16相对于对比文件1-2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
申请人(下称复审请求人)对上述驳回决定不服,于2018年08月16日向国家知识产权局提出了复审请求,未修改申请文件。复审请求人认为:(1)对比文件1没有公开在去除核心器件伪栅极界面层之后,形成核心器件的栅极界面层,存在区别技术特征认定的错误;(2)对比文件1第一器件区域的第一栅介电层302和第二器件区域的第二栅介电层402以及第三器件区域的介电层是作为栅介电层堆叠结构的一部分,而非作为界面材料,其不同于本申请权利要求中的栅极界面层。对比文件1也没有公开进行高压氟退火工艺,也没有给出任何技术启示;(3)对比文件2的技术方案是在形成高K介电层之后在含氟的气氛中对半导体衬底进行热退火以在高K介电层和界面形成膜22中引入氟,其不同于本申请权利要求中在形成栅极界面层之后对半导体衬底进行高压的含氟气氛中进行退火以在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层中引入氟离子,具体理由:①对比文件2仅在栅极形成高K介电层之后执行一次退火,本申请在形成栅极界面层之后执行一次或者在形成栅极界面层之后和高K介电层之后各执行一次;②对比文件2引入氟离子主要针对高K介电层;③本申请权利要求1的方案采用“高压”。因此,独立权利要求1,14具备创造性。
经形式审查合格,国家知识产权局于2018年08月22日依法受理了该复审请求,并将其转送至实质审查部门进行前置审查。
实质审查部门在前置审查意见书中坚持驳回决定。
随后,国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019 年01 月15 日向复审请求人发出复审通知书,指出:(1)权利要求1-16相对于对比文件1-2和本领域公知常识的结合不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。(2)关于复审请求人的意见陈述,合议组认为:第一,对比文件1公开了在去除核心器件伪栅极界面层之后,形成核心器件的栅极界面层,具体参见权利要求1的评述部分。第二,对比文件1第二器件区域上的第二栅介电层402可以为栅极界面层(说明书第[0018]段),第三器件区域的介电层在114步骤中形成,可以为先将106步骤中形成的第二绝缘层去除,然后在第三器件区域形成栅极界面层(说明书第[0028]-[0031]段),即对比文件1已经明确公开了本申请的核心区域的栅极界面层。对于第一器件区域的栅介电层,对比文件1没有明确公开其包括栅极界面层,本领域技术人员为了获得更好的器件性能,使其包括栅极界面层属于本领域常用的技术手段。第三,对比文件2公开了(参见说明书第20段):在形成高k介电层21和SiO2界面层22后,对半导体衬底进行氟退火处理以在高k介电层21、SiO2界面层22、特别是硅衬底11和SiO2界面层22的界面附近引入氟离子。可见,对比文件2在高k介电层21和SiO2界面层22和硅衬底11和SiO2界面层22的界面附近都引入氟离子,提高了器件性能。虽然对比文件2没有公开氟退火为高压,且氟退火引入的时机与本申请有所不同,但以上区别都属于本领域常用的技术手段,属于本领域的公知常识。
复审请求人于2019 年02 月20 日提交了意见陈述书,未修改申请文件。复审请求人认为:(1)对比文件1在第一栅介电层302和第二栅介电层402上形成了硬掩膜502,因而第二栅介电层402,最终起到的作用不同于权利要求1中的栅极界面层,不能对应于权利要求1中的伪栅极界面层和栅极界面层;
(2)对比文件2的技术方案是在形成高k介电层之后在含氟的气氛中对半导体衬底进行热退火以在高k介电层21和界面形成膜22中引入F,其是为了制造在高k介电层中引入F之后的高性能晶体管;对比文件2在说明书第[0020]段公开了通过其技术方案中的氟退火处理过程实现了在高K薄膜21、SiO2界面形成膜22中、硅基板11的界面附近实现了高浓度F元素的分布(参看附图11),其仍然针对的是在高k介电层引入氟元素,显然不同于本申请针对栅极界面层引入氟元素;
(3)对比文件2对半导体衬底进行氟退火以在高k介电层中掺氟的工艺不同于与本申请权利要求1的半导体衬底进行高温氟退火以在栅极界面层中引入氟离子的步骤,若强行将对比文件2对半导体衬底进行氟退火的技术手段应用到对比文件1中,显然由于上述硬掩膜层502的存在而无法对位于其下方的膜层进行氟掺杂,进而也无法得到本申请权利要求的技术方案。
在上述程序的基础上,合议组认为本案事实已经清楚,可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在复审程序中未修改申请文件,本复审请求审查决定所依据的文本与驳回决定和复审通知书所依据的文本相同,即:复审请求人于2018年03月02日提交的权利要求第1-16项,申请日2013年07月30日提交的说明书第1-14页、说明书附图第1-10页、说明书摘要和摘要附图。
关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定:创造性,是指与现有技术相比,该发明具有突出的实质性特点和显著的进步,
该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比,存在区别技术特征,但所述区别技术特征的一部分被其他对比文件公开且作用相同,所述区别技术特征的其他部分属于本领域的公知常识,则该项权利要求不具备创造性。
本复审请求审查决定引用的对比文件与驳回决定以及复审通知书中引用的对比文件相同,即:
对比文件1:US2013020630A1,公开日:2013年01月24日;
对比文件2:JP2006114747A,公开日:2006年04月27日。
2-1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种半导体器件的制造方法,对比文件1公开了一种半导体器件的制造方法,并公开了以下内容(参见说明书第[0013]-[0046]段,附图2-11):提供半导体衬底202,在半导体衬底202上形成核心器件208的第二介电层402(即伪栅极界面层)和伪栅极702以及IO器件204的第一栅介电层302和伪栅极702;去除核心器件208的伪栅极702和IO器件204的伪栅极702;去除核心器件208的第二介电层402,在核心器件208的第二介电层402原来的位置形成核心器件208的介电层804(说明书第[0031]段);在第三器件区域(即核心区域)形成界面介电层之前要先去除步骤106中形成的第二介电层(说明书第[0028]段),步骤114中在第三器件区域(即核心区域)形成了界面介电层(说明书第[0028]段);由于对比文件1说明书的第[0031]段所公开的内容是对说明书第[0028]段进一步的示例,因而,介电层804可以认定为界面介电层,即对比文件1公开了在去除核心器件208区域的伪栅极界面层402之后,在层402原来的位置形成栅极界面层804;在核心器件208的介电层804和IO器件204的第一栅介电层302之上分别形成核心器件208的高k栅介电层902和IO器件204的高k栅介电层902。
权利要求1与对比文件1之间的区别技术特征为:(1)在形成核心区的栅极界面层之后,形成核心区以及IO区域的高K介电层之前对半导体衬底进行高压氟退火处理以在核心器件的所述栅极界面层和所述IO器件的所述栅极界面层中引入氟离子的步骤;或,在形成核心区的栅极界面层之后,形成核心区以及IO区域的高K介电层之前、以及在形成核心区以及IO区域的高K介电层之后,对半导体衬底进行高压氟退火处理,以在核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层中引入氟离子的步骤;(2)在IO区域形成的是栅极界面层而不是栅极介电层。
基于上述区别技术特征,权利要求1实际要解决的技术问题是:如何改善栅极界面层、高K介电层的质量以及IO区域半导体与栅介质层之间的界面质量,进而提高半导体器件的性能。
对于区别技术特征(1),对比文件2公开了一种半导体器件的制造方法,并具体披露了以下技术特征(参见说明书第[0011]-[0029]段,附图1-8):在形成高k介电层21和SiO2界面层22后,对半导体衬底进行氟退火处理以在高k介电层21中、SiO2界面层22中以及SiO2界面层22与硅基板11之间的界面附近引入氟离子。至此,对比文件2公开了区别技术特征(1)的大部分,且作用相同,都是改善栅极界面层的质量,即对比文件2给出了将相应技术特征结合到对比文件1的技术启示;关于引入氟离子的时机,本领域技术人员可以根据实际需要进行选择,可以在形成栅极界面层之后,也可以既在栅极界面层之后又在高K界面层形成之后,这都是本领域常用的技术手段;关于氟退火处理的压强,本领域公知,高压的氟退火处理会得到更好的效果,因而,采用高压的氟退火对相应的膜层进行处理,属于本领域常用的技术手段。
对于区别技术特征(2),为了得到更好的IO区域器件质量,在对比文件1公开的在核心区域高K介电层下方形成栅极界面层可提高器件质量的基础上容易想到在IO区的高K介电层下方形成栅极界面层以修复膜层的缺氧缺陷。
综上,在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域常用的技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案是显而易见的,权利要求1不具有突出的实质性特点,权利要求1不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2-2、权利要求2-13不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0017]段)还公开了:IO器件204的第一栅介电层302为热生长二氧化硅;本领域技术人员为了更好的器件质量,可以将栅介电层形成的尽量薄,以形成栅极界面层,这属于本领域的常用技术手段。因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求3引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0022]-[0023]段)还公开了:核心器件208的伪栅极702与IO器件204的伪栅极702的材料为多晶硅602。至此,该权利要求的附加技术特征已经被对比文件1公开,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0022]-[0023]段):还公开了核心器件208的伪栅极702与IO器件204的伪栅极702在同一工艺中形成。此外,在同一工艺中形成核心器件的伪栅极界面层与IO器件的栅极界面层是本领域的常用技术手段;因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0027]段)还公开了:去除核心器件208的伪栅极702和IO器件204的伪栅极702的方法为湿法刻蚀或干法刻蚀。本领域中,先干法刻蚀后湿法刻蚀是本领域去除伪栅极的常用技术手段,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6引用权利要求1,本领域中,采用干法刻蚀或湿法刻蚀去除核心器件的伪栅极界面是常用技术手段,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求7引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0031]段)还公开了:形成核心器件208的介电层804的方法为热氧化法。此外,本领域中,化学氧化法是本领域中形成栅极界面层的常用技术手段,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求8引用权利要求1,对比文件1(参见说明书第[0028]段)已经公开了单独去除核心器件208的第二介电层402,然后原位形成介电层804,该过程保留了IO器件204的第一栅介电层302。在此基础上,在该过程中选择使用保护层覆盖IO器件的第一栅介电层302、最后去除保护层是本领域的常用技术手段。因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求9引用权利要求1,对比文件2(参见说明书第[0020]段)还公开了氟退火处理的温度为100℃-400℃(与350℃-500℃有重叠部分)。因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10引用权利要求1,对比文件2(参见说明书第[0020]段)还公开了氟退火处理的退火时间为1至10分钟(公开了大于等于5分钟)。因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求11引用权利要求1,本领域中,选择高压进行氟退火工艺是常用的技术手段,在此基础上,具体将高压选择为压强为大于等于1个标准大气压小于等于25个标准大气压这也是本领域的常用技术手段。因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求12引用权利要求1,对比文件1(参见附图10)还公开了:核心器件208的高k栅介电层902和IO器件204的高k栅介电层902的横截面均呈U型。可见该权利要求的附加技术特征也已经被公开,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求13引用权利要求10,对比文件1(参见说明书第[0035]-[0038]段)还公开了:形成高k栅介电层902之后,在核心器件208的高k栅介电层902和IO器件204的高k栅介电层902之上分别形成核心器件208的功函数层904和金属栅极1002以及IO器件204的功函数层904和金属栅极1002。可见该权利要求的附加技术特征也已经被公开,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2-3、权利要求14不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求14请求保护一种半导体器件。对比文件1公开了一种半导体器件,并公开了以下内容(参见说明书第[0013]-[0046]段,附图2-11):包括半导体衬底202和位于半导体衬底202上的核心器件208和IO器件204,核心器件208包括位于半导体衬底202上的核心器件208的介电层804(相当于栅极界面层)(具体参见权利要求1相关评述)以及位于核心器件208的介电层804之上的核心器件208的高k栅介电层902,IO器件204包括位于半导体衬底202上的IO器件204的第一栅介电层302以及位于IO器件204的第一栅介电层302之上的IO器件204的高k栅介电层902。
权利要求14的非引用部分的技术特征与对比文件1进一步区别在于:(1)核心器件的栅极界面层和IO器件的栅极界面层掺杂有氟离子;或,核心器件的栅极界面层和高K介电层以及IO器件的栅极界面层和高K介电层掺有氟离子;(2)在IO区域形成的是栅极界面层而不是栅极介电层。
基于上述区别技术特征,权利要求实际解决的技术问题是:如何改善栅极界面层、高K介电层的质量以及IO区域半导体与栅介质层之间的界面质量,进而提高半导体器件的性能。
对于区别技术特征(1),对比文件2公开了一种半导体器件的制造方法,并公开了以下内容(参见说明书第[0011]-[0029]段,附图1-8):在形成高k介电层21和SiO2界面层22(相当于栅极界面层)后,对半导体衬底进行氟退火处理以在高k介电层21和SiO2界面层22、以及SiO2界面层22与硅基板11之间的界面附近中引入氟离子。至此,区别技术特征(1)已被对比文件2公开,且作用相同,都是改善栅极界面层的质量,即对比文件2给出了将相应技术特征结合到对比文件1的技术启示。
对于区别技术特征(2),为了得到更好的IO区域器件质量,在对比文件1公开的在核心区域高K介电层下方形成栅极界面层可提高器件质量的基础上容易想到在IO区的高K介电层下方形成栅极界面层以修复膜层的缺氧缺陷。
综上,在权利要求1-13不具备创造性的情况下,在对比文件1的基础上结合对比文件2和本领域常用的技术手段得到权利要求14请求保护的技术方案是显而易见的,权利要求14不具有突出的实质性特点,权利要求14不具备专利法第22条第3款所规定的创造性。
2-4、权利要求15-16不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15引用权利要求14,对比文件1(参见附图10)还公开了:核心器件208的高k栅介电层902和IO器件204的高k栅介电层902的横截面均呈U型。至此,该权利要求的附加技术特征已经被公开,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求16引用权利要求14,对比文件1(参见说明书第[0035]-[0038]段)公开了:半导体器件还包括位于核心器件208的高k栅介电层902之上的核心器件208的功函数层904和金属栅极1002以及位于IO器件204的高k栅介电层902之上的IO器件204的功函数层904和金属栅极1002。至此,该权利要求的附加技术特征已经被公开,因此,在其引用的权利要求不具备创造性的情况下,该权利要求也不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
关于复审请求人的意见陈述
对于复审请求人的意见陈述,合议组认为:第一,对比文件1说明书第[0032]段明确记载了第二介电层402为栅极界面层;对于界面层804,说明书第[0028]段明确记载:在第三器件区域(即核心区域)形成界面介电层之前要先去除步骤106中形成的第二介电层,步骤114中在第三器件区域形成了界面介电层(参见说明书第[0028]段),说明书第[0031]段明确记载:在核心器件208的第二介电层402原来的位置形成核心器件208的介电层804;由于对比文件1说明书第[0031]段所公开的内容是对说明书第[0028]段进一步的示例,因而,介电层804可以认定为界面介电层;依据对比文件1所公开的上述明确记载的技术内容,对比文件1中的介电层402以及介电层804与本申请中的相应的层不构成区别,请求人所陈述的栅极界面层的相应作用,在相关权利要求中并没有通过结构和/或组成的特征来进一步的限定,因而,完全被记载的相同的技术特征在客观上所具有的作用是相同的。
第二,对比文件2公开了(参见说明书第20段):在形成高k介电层21和SiO2界面层22后,对半导体衬底进行氟退火处理以在高k介电层21、SiO2界面层22、特别是硅衬底11和SiO2界面层22的界面附近引入氟离子。可见,对比文件2在高k介电层21和SiO2界面层22和硅衬底11和SiO2界面层22的界面附近都引入氟离子,提高了器件性能,本领域技术人员在上述对比文件的启示下,有动机在相应界面处引入氟离子以改善界面状态。虽然对比文件2没有公开氟退火为高压,且氟退火引入的时机与本申请有所不同,但以上区别都属于本领域常用的技术手段,属于本领域的公知常识。
第三,硬掩膜的材料为SiN,其质地较SiO2以及高K介电层都更为疏松,而且厚度仅为5-30埃(0.5-3nm),在对比文件2已经公开了在形成高K介电层之后引入氟离子,可以在高k介电层21、SiO2界面层22、特别是硅衬底11和SiO2界面层22的界面附近引入氟离子的基础上,本领域技术人员能够意识到即使存在硬掩膜的区别,硬掩膜层也不会影响氟离子的掺杂。
综上,复审请求人的意见没有说服力,合议组不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018 年05 月14 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服,根据专利法第41条第2款的规定,复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。


郑重声明:本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时间联系我们修改或删除,多谢。

留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码: