发明创造名称：优化可变阻抗存储器单元格
外观设计名称：
决定号：180037
决定日：2019-05-30
委内编号：1F248415
优先权日：2013-02-08
申请（专利）号：201410045412.7
申请日：2014-02-07
复审请求人：希捷科技有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张颖
合议组组长：黄丹萍
参审员：郑伟伟
国际分类号：G11C13/00
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件对比，其区别是本领域公知常识，则该权利要求相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201410045412.7，名称为“优化可变阻抗存储器单元格”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为希捷科技有限公司。本申请的申请日为2014年02月07日，优先权日为2013年02月08日，公开日为2014年08月13日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2017年12月21日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-9、17-20不具备专利法第22条第3款规定的创造性，具体为：权利要求1要求保护一种包括至少一个可变阻抗存储器单元格的装置。其与对比文件1（CN1682312A，公开日为2005年10月12日）的区别在于：本申请针对的是可变阻抗存储器单元格，而对比文件1则针对的是铁电存储器。而这种转换是本领域公知常识，因此权利要求1相对于对比文件1和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-9的附加技术特征或是公知常识或被对比文件1公开，因此，权利要求2-9也不具备创造性。权利要求17要求保护一种方法，其与对比文件1的区别在于：本申请针对的是可变阻抗存储器单元格。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是选择何种存储装置。而选择存储装置是本领域公知常识，因此，权利要求17相对于对比文件1和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求18-20的附加技术特征或是本领域公知常识或被对比文件1公开，因此，权利要求18-20不具备创造性。在其他说明部分，评述了权利要求10-16不具备创造性。权利要求10请求保护一种方法， 权利要求10与对比文件1的区别在于：本申请针对的是可变阻抗存储器单元格，对比文件1则针对的是铁电存储器。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是选择何种存储装置。存储装置的选择是本领域公知常识，因此，权利要求10相对于对比文件1和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求11-16的附加技术特征是或是公知常识或被对比文件1公开，因此，从属权利要求11-16也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为2017年10月18日提交的权利要求第1-20项，申请日2014年02月07日提交的说明书第1-72段，说明书附图图1-10，说明书摘要以及摘要附图。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种包括至少一个可变阻抗存储器单元格的装置，所述至少一个可变阻抗存储器单元格连接至优化电路和控制器，所述优化电路被配置成用如所述控制器指示的非工厂操作参数来设置所述至少一个可变阻抗存储器单元格，在所述至少一个可变阻抗存储器单元格中，响应于与预定阈值的所识别差异而分配所述非工厂操作参数，其中所述非出厂参数不需要更改每个工厂操作参数，并且其中能改变仅一个操作特性以满足与单元格优化相关的定制。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，在存储用户数据之前，所述非工厂操作参数不同于和所述至少一个可变阻抗存储器单元格相关联的工厂操作参数。
3. 如权利要求1所述的装置，其中，所述工厂操作参数存在于第一类型的可变阻抗存储器单元格中，以及所述非工厂操作参数存在于第二类型的可变阻抗存储器单元格中。
4. 如权利要求3所述的装置，其中，第一类型的可变阻抗存储器单元格包括可编程金属化元件。
5. 如权利要求4所述的装置，其中，第二类型的可变阻抗存储器单元格包括相变随机存取存储器单元格。
6. 如权利要求5所述的装置，其中，第三种类型的可变阻抗存储器单元格包括阻抗随机存取存储器单元格。
7. 如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器包括评估引擎，所述评估引擎经配置以同时分析多个不同的存储器单元格的操作条件，以被动识别与所述预定阈值的差异。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述评估引擎使用数据提供模型生成器，以主动识别与所述预定阈值的差异。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，与所述预定阈值所识别差异对应于遵守预定阈值的至少一个可变阻抗存储器单元格。
10. 一种方法，包括识别在至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并且响应于与预定阈值的所识别差异，使用控制器的优化引擎部分向 所述至少一个可变阻抗存储器单元格分配非工厂操作参数，其中所述非出厂参数不需要更改每个工厂操作参数，并且其中能改变仅一个操作特性以满足与单元格优化相关的定制。
11. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数是编程电压和读取电压。
12. 如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎主动地生成非工厂操作参数。
13. 如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎被动地生成非工厂操作参数。
14. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数根据预测传输函数修改工厂操作参数。
15. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数相关于所观察比特率修改工厂操作参数。
16. 如权利要求10所述的方法，其中所述优化引擎扫描通过所述至少一个可变阻抗存储器单元格的多个不同参考电压，以产生所述非工厂操作参数。
17. 一种方法，包括：识别在第一可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并响应于与预定阈值的所识别差异，使用连接至控制器的优化电路向所述第一可变阻抗存储器单元格分配第一非工厂操作参数，其中所述非出厂参数不需要更改每个工厂操作参数，并且其中能改变仅一个操作特性以满足与单元格优化相关的定制。
18. 如权利要求17所述的方法，其中所述第一可变阻抗存储器单元格在功能上由恢复电流改变，以及所述第一非工厂操作参数对应于改变的存储器单元格的功能。
19. 如权利要求18所述的方法，其中，所述第一可变阻抗存储器单元具有改变的数据编程电压，作为恢复电流的结果。
20. 如权利要求18所述的方法，其中第二可变阻抗存储器单元格由恢复电流改变以具有不同于所述第一非工厂操作参数的第二非工厂操作参数，所述第二可变阻抗存储器单元格物理上邻近所述第一可变阻抗存储器单元格并与所述预定阈值没有变化。”
申请人（下称“复审请求人”）对上述驳回决定不服,于2018年04月08日向国家知识产权局提出了复审请求，同时修改了权利要求书，对权利要求1、2、10、17和20进行了修改。复审请求人认为：对比文件1仅仅公开或教导了“响应于由于铁电或驻极体存储器中的环境影响、寻址历史和各种应力引起的存储器单元中的改变或漂移，调节选定的协议参数的一个或多个参数值”这样的被动优化过程，并未公开或教导响应于存储装置中包含的多个存储器单元中的“至少一个存储器单元偏离阈值”对于所述多个存储器单元进行设置，也未公开或教导“以不同的非工厂操作参数”来设置所述多个存储器单元。因此，对比文件1从未公开或教导修改后的权利要求中的“响应于在所述多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的所识别差异而分配所述不同的非工厂操作参数，以设置所述多个可变阻抗存储器单元格”的技术特征，没有任何证据表明这样的区别技术特征属于本领域公知常识或惯用技术手段。复审请求时新修改的权利要求1、2、10、17和20如下：
“1. 一种包括多个可变阻抗存储器单元格的装置，所述多个可变阻抗存储器单元格连接至优化电路和控制器，所述优化电路被配置成用如所述控制器指示的不同的非工厂操作参数来设置所述多个可变阻抗存储器单元格，其中，响应于在所述多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的所识别差异而分配所述不同的非工厂操作参数。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，所述非工厂操作参数不同于在存储用户数据之前和所述至少一个可变阻抗存储器单元格相关联的工厂操作参数。
10. 一种方法，包括识别在多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并且响应于与预定阈值的所识别差异，使用控制器的优化引擎部分向所述多个可变阻抗存储器单元格分配不同的非工厂操作参数。
17. 一种方法，包括：识别在多个可变阻抗存储器单元格中的第一可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并响应于与预定阈值的所识别差异，使用连接至控制器的优化电路向所述第一可变阻抗存储器单元格分配第一非工厂操作参数，并向所述多个可变阻抗存储器单元格中的第二可变阻抗存储器单元格分配第二非工厂操作参数，所述第二非工厂操作参数与所述第一非工厂操作参数不同。
20. 如权利要求18所述的方法，其中所述第二可变阻抗存储器单元格由恢复电流改变以具有不同于所述第一非工厂操作参数的所述第二非工厂操作参数，所述第二可变阻抗存储器单元格物理上邻近所述第一可变阻抗存储器单元格并与所述预定阈值没有变化。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2017年03月24日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1）针对“响应于在所述多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的所识别差异而分配所述不同的非工厂操作参数，以设置所述多个可变阻抗存储器单元格”，对比文件1公开了如下内容（参考说明书第16页第1-3段）：参考单元420A、420B和位线BL1、BL2连接，并和其它存储单元420同样的方式构成存储矩阵的一部分。可以在每一个字线WL上以类似的方式提供一对参考电压。在读操作中，通过读出放大器组306检测结果并输出到用于确定切换速度的单元900，切换速度被输出至校准存储器702，校准存储器702将存储测量的参考值，可能也存储用于同样的参考寻址和之前执行的参考操作的历史向量（这类参考值相当于阈值），而得出用于脉冲长度、脉冲间隔、或脉冲幅度（该参数即为非工厂操作参数）的校准值。在这种情况下，每一个字线上存储单元中读出的数据通常均是不同的，那么其得到的脉冲长度、幅度、间隔等校准值也极有可能是不同的，因此，对比文件1已然公开了“以不同的非工厂操作参数”来设置所述多个存储器单元这一特征；复审请求人认为的，本申请中除了被动优化，对于未偏离阈值的单元格同样进行优化，首先，该点内容并不能从权利要求中得出。其次，对比文件1和本申请均公开了“当存储单元偏离阈值时调整非工厂参数”这一手段，对于未偏离阈值的存储单元，是否对其非工厂参数进行调整，并不会影响这些存储单元的数据访问正确性，因此，是否对这些存储单元的非工厂参数进行调整，是本领域的技术人员根据“存储操作耗能”等情况间的平衡而设定的，其属于本领域的公知常识。因此坚持原驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年12月29日向复审请求人发出复审通知书，指出：修改后的权利要求1-20相对于对比文件1和公知常识的结合不具备创造性。针对复审请求人的意见陈述，合议组认为：对比文件1说明书第16页第1-3段公开了参考单元420A、420B和位线BL1、BL2连接，并和其它存储单元420同样的方式构成存储矩阵的一部分。可以在每一个字线WL上以类似的方式提供一对参考电压。在读操作中，通过读出放大器组306检测结果并输出到用于确定切换速度的单元900，切换速度被输出至校准存储器702，校准存储器702将存储测量的参考值，可能也存储用于同样的参考寻址和之前执行的参考操作的历史向量（这类参考值相当于阈值），而得出用于脉冲长度、脉冲间隔、或脉冲幅度（该参数即为非工厂操作参数）的校准值。在这种情况下，每一个字线上存储单元中读出的数据通常均是不同的，那么其得到的脉冲长度、幅度、间隔等校准值也极有可能是不同的，因此，对比文件1已然公开了“以不同的非工厂操作参数”来设置所述多个存储器单元这一特征；对于复审请求人声称的本申请中除了被动优化，对于未偏离阈值的单元格同样进行优化，首先该点内容并不能从权利要求中得出。其次，对比文件1公开了“当存储单元偏离阈值时调整非工厂参数”这一手段，对于未偏离阈值的存储单元，是否对其非工厂参数进行调整，并不会影响这些存储单元的数据访问正确性，因此，是否对这些存储单元的非工厂参数进行调整，是本领域的技术人员根据“存储操作耗能”等情况间的平衡而设定的，其属于本领域的公知常识。
复审请求人于2019年02月13日提交了意见陈述书，并根据说明书和说明书附图修改了权利要求书，复审请求人认为：对比文件1从未公开或教导，响应于存储装置中包含的多个存储器单元中的“至少一个存储器单元偏离阈值”，对于多个存储器单元中的至少一个存储器单元（即，偏离阈值的存储器单元）和未偏离预定操作参数的存储器单元均进行设置非工厂操作参数。
修改后的权利要求书为：
“1. 一种包括多个可变阻抗存储器单元格的装置，所述多个可变阻抗存储器单元格连接至优化电路和控制器，所述优化电路被配置成用如所述控制器指示的不同的非工厂操作参数来设置所述多个可变阻抗存储器单元格，其中，响应于在所述多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的所识别差异而分配所述不同的非工厂操作参数，包括用所述不同的非工厂操作参数来设置所述多个可变阻抗存储器单元格中的所述至少一个可变阻抗存储器单元格和未偏离预定操作参数的至少另一个可变阻抗存储器单元格。
2. 如权利要求1所述的装置，其中，所述非工厂操作参数不同于在存储用户数据之前和所述至少一个可变阻抗存储器单元格相关联的工厂操作参数。
3. 如权利要求1所述的装置，其中，所述工厂操作参数存在于第一类型的可变阻抗存储器单元格中，以及所述非工厂操作参数存在于第二类型的可变阻抗存储器单元格中。
4. 如权利要求3所述的装置，其中，第一类型的可变阻抗存储器单元格包括可编程金属化元件。
5. 如权利要求4所述的装置，其中，第二类型的可变阻抗存储器单元格包括相变随机存取存储器单元格。
6. 如权利要求5所述的装置，其中，第三种类型的可变阻抗存储器单元格包括阻抗随机存取存储器单元格。
7. 如权利要求1所述的装置，其中，所述控制器包括评估引擎，所述评估引擎经配置以同时分析多个不同的存储器单元格的操作条件，以被动识别与所述预定阈值的差异。
8. 如权利要求7所述的装置，其中，所述评估引擎使用数据提供模型生成器，以主动识别与所述预定阈值的差异。
9. 如权利要求8所述的装置，其中，与所述预定阈值所识别差异对应于遵守预定阈值的至少一个可变阻抗存储器单元格。
10. 一种方法，包括识别在多个可变阻抗存储器单元格中的至少一个可变 阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并且响应于与预定阈值的所识别差异，使用控制器的优化引擎部分向所述多个可变阻抗存储器单元格分配不同的非工厂操作参数，包括向所述多个可变阻抗存储器单元格中的所述至少一个可变阻抗存储器单元格和未偏离预定操作参数的至少另一个可变阻抗存储器单元格分配所述不同的非工厂操作参数。
11. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数是编程电压和读取电压。
12. 如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎主动地生成非工厂操作参数。
13. 如权利要求10所述的方法，其中，所述优化引擎被动地生成非工厂操作参数。
14. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数根据预测传输函数修改工厂操作参数。
15. 如权利要求10所述的方法，其中所述非工厂操作参数相关于所观察比特率修改工厂操作参数。
16. 如权利要求10所述的方法，其中所述优化引擎扫描通过所述至少一个可变阻抗存储器单元格的多个不同参考电压，以产生所述非工厂操作参数。
17. 一种方法，包括：识别在多个可变阻抗存储器单元格中的第一可变阻抗存储器单元格中与预定阈值的差异，并响应于与预定阈值的所识别差异，使用连接至控制器的优化电路向所述第一可变阻抗存储器单元格分配第一非工厂操作参数，并向所述多个可变阻抗存储器单元格中的第二可变阻抗存储器单元格分配第二非工厂操作参数，所述第二非工厂操作参数与所述第一非工厂操作参数不同，
其中所述第一可变阻抗存储器单元格在功能上由恢复电流改变，以及所述第一非工厂操作参数对应于改变的存储器单元格的功能，以及
其中所述第二可变阻抗存储器单元格由所述恢复电流改变以具有不同于所述第一非工厂操作参数的所述第二非工厂操作参数，所述第二可变阻抗存储器单元格物理上邻近所述第一可变阻抗存储器单元格并与所述预定阈值没有变化。
18. 如权利要求17所述的方法，其中，所述第一可变阻抗存储器单元具有改变的数据编程电压，作为恢复电流的结果。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时修改了权利要求书，修改符合专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：复审请求人于2019年02月13日提交的权利要求第1-18项，申请日2014年02月07日提交的说明书第1-72段、说明书附图图1-10、说明书摘要以及摘要附图。
具体理由的阐述
创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件对比，其区别是本领域公知常识，则该权利要求相对于上述对比文件和本领域公知常识的结合不具备创造性。
在本复审决定中引用原审查部门在驳回决定中引用的对比文件1作为现有技术，即：
对比文件1：CN1682312A，公开日为2005年10月12日。
（1）权利要求17不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求17请求保护一种方法。对比文件1公开了一种用于操作铁电存储器的方法及装置，并公开了如下内容（说明书第11-14、30、48、89-103段，附图3、8、9）：用于操作铁电或驻极体存储器的方法及此类装置，本申请的主要目的是提供一种用于消除或减少由磁滞曲线、矫顽电压、和关于铁电或驻极体存储器中寻址操作的切换速度的变化造成的问题的方法（相当于，一种方法）。因此，该主要目的通常旨在消除在存储单元（相当于，多个存储器单元格）响应中的变化或偏差，其中变化或偏差是由环境影响、寻址历史和在铁电或驻极体存储器的操作中引起的各种应力引起的，无论该应力是电的、机械的、化学的或热特性、或它们的组合。在于包括用于确定表示存储单元中响应施加的电压差变化的至少一个参数的装置，与所述装置的输出连接的校准存储器，所述装置用于确定基于表示存储单元中响应变化的所述参数的至少一个校准因数，以及与校准存储器的输出连接的一个或多个控制电路，校准存储器用于施加至少一个电压脉冲协议参数中一个或多个参数值的调整（相当于，识别在第一存储器单元格中与预定阈值的差异）。参考图3，存储宏310包括存储阵列300、行译码器和列译码器32；302、读出放大器306、数据锁存器308、及冗余字线和 位线304。当通过读出放大器306执行读出时，行译码器和列译码器32；302译码存储单元的地址。数据锁存器308保存数据直到部分或所有的数据传递到存储控制逻辑320。从存储宏310读取的数据将具有一定的比特误码率(BER)，比特误码率可以通过用冗余字线和位线304；34替换存储阵列300中有缺陷的位线和字线来减小。为了执行误差检测，存储宏310可以具有包括误差校正码(ECC)信息的数据区。图8示出了用于铁电存储器的工作温度的间接测定系统。两个存储单元420A；420B用作参考单元。这些参考单元可以位于存储阵列300中或被提供到独立的参考存储阵列上。其中一个单元被设为逻辑“0”，另一个单元被设为逻辑“1”。在操作期间，两个参考单元都被读出。电平检测器800持续从“0”参考单元的电荷密度中减去“1”参考单元的电荷密度。校准存储器702将存储测量的参考值，可能也存储用于同样的参考寻址和之前执行的参考操作的历史向量，而且将得出用于脉冲长度、或脉冲间隔、或脉冲幅度的校准值，当是这种情况时，所述值被输入到脉冲长度控制器903或脉冲幅度控制器904。利用某个数量±δt调整脉冲长度，同时类似地利用数量±δV调整脉冲幅度。应当理解，如脉冲发生器将输入具有如驱动器控制单元330确定的确定幅度和/或长度的脉冲并控制来源于脉冲长度控制器903的参数，脉冲幅度控制器904直接施加到脉冲发生器用于施加实际控制值给幅度或脉冲长度或两者，明显地，当控制单元903、904同步操作时，可以执行同时调整脉冲幅度和脉冲长度（相当于，响应于与预定阈值的所识别差异，使用连接至控制器的优化电路向所述第一存储器单元格分配非工厂操作参数）。取决于存储单元响应中变化的电压脉冲协议的调整将用来在寻址操作期间减小到非寻址存储单元的干扰电压。校准存储器702将存储测量的参考值，可能也存储用于同样的参考寻址和之前执行的参考操作的历史向量，而且将得出用于脉冲长度、或脉冲间隔、或脉冲幅度的校准值，当是这种情况时，所述值被输入到脉冲长度控制器903或脉冲幅度控制器904。利用某个数量±δt调整脉冲长度，同时类似地利用数量±δV调整脉冲幅度。应当理解，如脉冲发生器将输入具有如驱动器控制单元330确定的确定幅度和/或长度的脉冲并控制来源于脉冲长度控制器903的参数，脉冲幅度控制器904直接施加到脉冲发生器用于施加实际控制值给幅度或脉冲长度或两者，明显地，当控制单元903、904同步操作时，可以执行同时调整脉冲幅度和脉冲长度（相当于，其中所述第一存储器单元格在功能上由恢复电流改变，以及所述第一非工厂操作参数对应于改变的存储器单元格的功能；所述第二存储器单元格由恢复电流改变以具有不同于所述第一非工厂操作参数的第二非工厂操作参数，所述第二存储器单元格物理上邻近所述第一存储器单元格并与所述预定阈值没有变化）。
权利要求17请求保护的技术方案与对比文件1相比，其区别技术特征在于：1）本申请针对的是可变阻抗存储器单元格，而对比文件1则针对的是铁电存储器。2）向所述多个可变阻抗存储器单元格中的第二可变阻抗存储器单元格分配第二非工厂操作参数，所述第二非工厂操作参数与所述第一非工厂操作参数不同。基于该区别技术特征，权利要求17实际解决的技术问题在于：1）选择何种存储装置；2）再次分配非工厂操作参数。
然而，对比文件1的铁电存储器存在由于环境影响、寻址历史和在铁电或驻极体存储器的操作中引起的各种应力变化，而导致铁电存储单元出现极化方向转变进而导致存储器中存储数据发生改变的情况，而在阻变存储器中，同样存在由于外部环境的变化而导致阻抗漂移进而使得存储数据发生改变的情况，上述内容属于本领域的公知常识。而在此公知常识的启示下，本领域的技术人员容易想到，将对比文件1中公开的这种调整操作参数的方式应用于阻变存储器中，以正确读取存储单元中存储的数据。在一次分配的基础上，分配第二非工厂参数对本领域技术人员来说是不用付出创造性劳动很容易做到的，因此，权利要求17不具备突出的实质性特点和显著的进步，不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
（2）权利要求18不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件1进一步公开了权利要求18的附加技术特征，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求18也不具备创造性。
（3）针对复审请求人的意见陈述
鉴于权利要求1-16的方案事实发生了变化，且修改超出了原说明书和权利要求记载的范围，不符合专利法第33条的规定，因此合议组未对其创造性予以评述，不过这并不代表合议组认可其具备创造性。
三、决定
维持国家知识产权局于2017年12月21日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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