发明创造名称：片状电容器、电路组件以及电子设备
外观设计名称：
决定号：180111
决定日：2019-05-29
委内编号：1F254845
优先权日：2012-11-02，2013-09-04
申请（专利）号：201380056899.2
申请日：2013-10-25
复审请求人：罗姆股份有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：张颖
合议组组长：黄丹萍
参审员：王志宇
国际分类号：H01G4/40，H01G4/12
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件进行对比，其一部分区别技术特征被其它对比文件公开，另一部分区别技术特征是本领域的公知常识，且本领域技术人员从中能够得到技术启示将上述区别技术特征结合到最接近的现有技术中实现权利要求的技术方案，则该权利要求相对于上述对比文件及本领域的公知常识的结合不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201380056899.2、名称为“片状电容器、电路组件以及电子设备”的发明专利申请（下称“本申请”）。申请人为罗姆股份有限公司。本申请的申请日为2013年10月25日，优先权日为2012年11月02日和2013年09月04日，2015年04月29日进入中国国家阶段，公开日为2015年07月08日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年03月15日发出驳回决定，驳回了本申请，其理由是：权利要求1-22不符合专利法第22条第3款规定的创造性。驳回决定引用的对比文件如下：对比文件1：CN1346138A，公开日为2002年04月24日；对比文件2：JP特开5-13201A，公开日1993年01月22日；对比文件3：JP特开9-55625A，公开日为1997年02月25日。驳回的具体理由为：权利要求1要求保护一种片状电容器，对比文件1为最接近的现有技术，权利要求1与对比文件1相比，区别技术特征为：1）半导体基板是第一导电型的基板，下部电极即第二导电型的第一杂质扩散层形成在第一导电型的基板内，双向二极管中第一导电类型的区域由第一导电型的基板来构成；2）第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域在所述半导体基板的背面露出，在该背面未形成电极；3）半导体基板的侧面被绝缘膜覆盖，绝缘膜在所述半导体基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部。基于上述区别技术特征，本申请技术解决的技术问题是：如何优化器件结构。上述区别技术特征都或是在对比文件1公开的技术内容的基础上结合公知常识很容易得到的，或是本领域惯用技术手段，因此，权利要求1相对于对比文件1与公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求2-8的附加技术特征或为本领域惯用技术手段，或在对比文件1的基础上很容易得到，因此，也不具备创造性。从属权利要求9和10的附加技术特征一部分被对比文件2公开，一部分是本领域公知常识，因此，权利要求9和10也不具备创造性。独立权利要求11要求保护一种片状电容器，其与对比文件1的区别技术特征部分被对比文件2公开，部分在对比文件1的基础上很容易想到，因此，权利要求11相对于对比文件1、对比文件2和公知常识的结合不具备创造性。从属权利要求12-19的附加技术特征或被对比文件1公开，或被对比文件2公开，或被对比文件3公开，或为公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求12-19也不具备创造性。权利要求20、21和22分别要求保护一种电路组件、和电子设备，其其它特征为公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求20-22也不具备创造性。驳回决定所依据的文本为：2015年04月29日进入中国国家阶段时提交的说明书第1-620段，说明书附图图1A-48，说明书摘要以及摘要附图，2018年01月29日提交的权利要求第1-22项。驳回决定所针对的权利要求书如下：
“1. 一种片状电容器，包含：
第一导电型的半导体基板；
一对外部电极，其形成在所述第一导电型的半导体基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；
双向二极管，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述第一导电型的半导体基板的侧面，
所述电容器元件包含由形成在所述第一导电型的半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散层构成的下部电极，且该下部电极为与所述一对外部电极的一个外部电极电连接的下部电极，
所述双向二极管由所述第一杂质扩散层、与所述第一杂质扩散层空开间隔地形成在所述第一导电型的半导体基板内并与所述一对外部电极的另一个外部电极电连接的第二导电型的第二杂质扩散层、和夹在所述第一杂质扩散层和所述第二杂质扩散层之间的所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域构成，
所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域在所述半导体基板的背面露出，在该背面未形成电极，
所述半导体基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述半导体基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部。
2. 根据权利要求1所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述第一导电型的半导体基板内的杂质扩散层。
3. 根据权利要求2所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含由形成在所述第一导电型的半导体基板内的杂质扩散层构成的下部电极。
4. 根据权利要求1～3中任一项所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述外部电极的正下方的区域的部分。
5. 根据权利要求1～3中任一项所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管的全部形成在所述外部电极的正下方的区域。
6. 根据权利要求1所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述第一导电型的基板上的多晶硅膜。
7. 根据权利要求1～3中任一项所述的片状电容器，其中，
所述片状电容器还包含与所述电容器元件连接的第1焊垫部、和与所述双向二极管连接的第2焊垫部，
所述一对外部电极的一个外部电极跨所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部地形成，并将该第1焊垫部以及该第2焊垫部电连接。
8. 根据权利要求7所述的片状电容器，其中，
所述片状电容器还包含：
绝缘层，其配置于所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部之间，将所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部分离，
所述外部电极跨越所述绝缘层来与所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部双方相接合。
9. 根据权利要求1～3中任一项所述的片状电容器，其中，
各外部电极跨所述第一导电型的基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分。
10. 根据权利要求9所述的片状电容器，其中，
所述基板在俯视下是矩形形状，
所述外部电极形成为覆盖所述基板的三个侧面的所述表面侧的边缘部。
11. 一种片状电容器，包含：
基板；
一对外部电极，其形成在所述基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述基板的侧面，
各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分，
所述基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部。
12. 根据权利要求11所述的片状电容器，其中，
所述基板在俯视下是矩形形状，
所述外部电极形成为覆盖所述基板的三个侧面的所述表面侧的边缘部。
13. 根据权利要求1～3、11、12中任一项所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含：
下部电极，其形成在所述基板上或者所述基板内，与所述一对外部电极的一个外部电极连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接。
14. 根据权利要求13所述的片状电容器，其中，
在所述基板形成具有与该基板的主面相交叉的侧壁面的沟槽，所述电容膜沿着所述沟槽的侧壁面形成。
15. 根据权利要求14所述的片状电容器，其中，
所述上部电极包含埋入到所述沟槽中的多晶硅膜。
16. 根据权利要求1～3、11、12中任一项所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：
多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接。
17. 根据权利要求1～3、11、12中任一项所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含并联连接在所述一对外部电极之间的多个电容器要素，
所述多个电容器要素包含：
基本电容元件；和
多个调整电容元件，
所述多个调整电容元件经由多个熔丝分别与所述外部电极连接。
18. 根据权利要求17所述的片状电容器，其中，
所述多个调整电容元件具有相互平行的条带形状，在所述一对外部电极的一侧将一端对齐，并按照长度的顺序来进行排列，
所述基本电容元件包含：
连接部，其与所述多个调整电容元件之中长度最短的调整电容元件邻接且与所述一个外部电极连接；和
主要部，其与所述连接部一体地避开所述多个调整电容元件来形成，并随着朝向所述一对外部电极的另一个外部电极接近而变宽。
19. 根据权利要求1～3、11、12中任一项所述的片状电容器，其中，
所述片状电容器包含：
电阻元件，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间。
20. 一种电路组件，包含：
权利要求1～19中任一项所述的片状电容器；和
安装基板，其在与所述基板的表面相对置的安装面具有以焊料与所述外部电极相接合的焊盘。
21. 根据权利要求20所述的电路组件，其中，
所述片状电容器是权利要求9～12中任一项所述的片状电容器，
所述焊料形成为覆盖所述外部电极的所述表面部分以及所述侧面部分。
22. 一种电子设备，包含：
权利要求20或者21所述的电路组件；和
容纳有所述电路组件的框体。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年06月28日向专利复审委员会提出了复审请求，同时修改了权利要求书，根据权利要求13-15、说明书第[0211]段、附图3、附图7修改了原权利要求1和11，对原权利要求7进行了适应性修改，删除了原权利要求3、13至15，对权利要求书进行了重新编号，并相应修改了从属权利要求的引用关系。复审请求人认为：（1）本申请的技术方案，由于上部电极包含的多晶硅膜形成为将多个沟槽一并覆盖，因此多晶硅能够以良好的埋入性埋入到细微的沟槽内，因此，能够使多晶硅膜紧贴沿着沟槽的侧壁面形成的电容膜，由此，能够实现电容器元件的进一步大容量化。对比文件1图4的导电材料404仅埋入在沟槽406中，并未覆盖沟槽406，可见，对比文件1中埋入沟槽中的导电材料的设置方式与本申请中的多晶硅膜不同。（2）对比文件1没有公开本申请中的布线膜，且未给出任何教导或启示。修改后的权利要求书如下：
“1. 一种片状电容器，包含：
第一导电型的半导体基板；
一对外部电极，其形成在所述第一导电型的半导体基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；
双向二极管，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述第一导电型的半导体基板的侧面，
所述电容器元件包含：
下部电极，其由形成在所述第一导电型的半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散层构成，与所述一对外部电极的一个外部电极电连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
所述双向二极管由所述第一杂质扩散层、与所述第一杂质扩散层空开间隔地形成在所述第一导电型的半导体基板内并与所述一对外部电极的另一个外部电极电连接的第二导电型的第二杂质扩散层、和夹在所述第一杂质扩散层和所述第二杂质扩散层之间的所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域构成，
所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域在所述半导体基板的背面露出，在该背面未形成电极，
所述半导体基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述半导体基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
在所述半导体基板形成有具有与该半导体基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜，
还包含与所述金属膜形成于同一层且与所述第二杂质扩散层连接的 布线膜，
所述一对外部电极的另一个外部电极跨所述金属膜以及所述布线膜地形成，并将该金属膜以及该布线膜电连接。
2. 根据权利要求1所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述第一导电型的半导体基板内的杂质扩散层。
3. 根据权利要求1或2所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述外部电极的正下方的区域的部分。
4. 根据权利要求1或2所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管的全部形成在所述外部电极的正下方的区域。
5. 根据权利要求1所述的片状电容器，其中，
所述双向二极管包含形成在所述第一导电型的基板上的多晶硅膜。
6. 根据权利要求1或2所述的片状电容器，其中，
所述金属膜包含第1焊垫部，所述布线膜包含第2焊垫部，
所述一对外部电极的另一个外部电极跨所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部地形成，并将该第1焊垫部以及该第2焊垫部电连接。
7. 根据权利要求6所述的片状电容器，其中，
所述片状电容器还包含：
绝缘层，其配置于所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部之间，将所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部分离，
所述外部电极跨越所述绝缘层来与所述第1焊垫部以及所述第2焊垫部双方相接合。
8. 根据权利要求1或2所述的片状电容器，其中，
各外部电极跨所述第一导电型的基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分。
9. 根据权利要求8所述的片状电容器，其中，
所述基板在俯视下是矩形形状，
所述外部电极形成为覆盖所述基板的三个侧面的所述表面侧的边缘部。
10. 一种片状电容器，包含：
基板；
一对外部电极，其形成在所述基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述基板的侧面，
各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分，
所述基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
所述电容器元件包含：
下部电极，其形成在所述基板上或者所述基板内，与所述一对外部电极的一个外部电极连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
在所述基板形成有具有与该基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜。
11. 根据权利要求10所述的片状电容器，其中，
所述基板在俯视下是矩形形状，
所述外部电极形成为覆盖所述基板的三个侧面的所述表面侧的边缘部。
12. 根据权利要求1、2、10、11中任一项所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：
多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接。
13. 根据权利要求1、2、10、11中任一项所述的片状电容器，其中，
所述电容器元件包含并联连接在所述一对外部电极之间的多个电容器要素，
所述多个电容器要素包含：
基本电容元件；和
多个调整电容元件，
所述多个调整电容元件经由多个熔丝分别与所述外部电极连接。
14. 根据权利要求13所述的片状电容器，其中，
所述多个调整电容元件具有相互平行的条带形状，在所述一对外部电极的一侧将一端对齐，并按照长度的顺序来进行排列，
所述基本电容元件包含：
连接部，其与所述多个调整电容元件之中长度最短的调整电容元件邻接且与所述一个外部电极连接；和
主要部，其与所述连接部一体地避开所述多个调整电容元件来形成，并随着朝向所述一对外部电极的另一个外部电极接近而变宽。
15. 根据权利要求1、2、10、11中任一项所述的片状电容器，其中，
所述片状电容器包含：
电阻元件，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间。
16. 一种电路组件，包含：
权利要求1～15中任一项所述的片状电容器；和
安装基板，其在与所述基板的表面相对置的安装面具有以焊料与所述外部电极相接合的焊盘。
17. 根据权利要求16所述的电路组件，其中，
所述片状电容器是权利要求8～11中任一项所述的片状电容器，
所述焊料形成为覆盖所述外部电极的所述表面部分以及所述侧面部分。
18. 一种电子设备，包含：
权利要求16或者17所述的电路组件；和
容纳有所述电路组件的框体。 ”
经形式审查合格，专利复审委员会于2018年05月28日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：1）对比文件1中公开了（图4）在沟槽306中填充多晶硅404，其与电极304和306电连接，其目的是为了增加电容器极板和介电层之间的有效面积，该目的与本申请相同，都是利用沟槽的侧壁面形成更多的电容器极板从而提高电容量，并且对比文件1图4中可以看出，未被多晶硅层覆盖的沟槽部分即沟槽的顶面实际上是与电极304和306接触的，而电极与多晶硅也是电连接的，即沟槽顶面部分的面积也是电容的有效面积，其起到的技术效果与本申请也是相同的；至于多晶硅是否覆盖沟槽，可以根据多晶硅的填充厚度和填充时采用的掩膜版图形进行选择。2）对于电容器上层的布线，对比文件1公开了NPN双向二极管与电容器并联从而保护电容器免于静电放电的破坏，由图9中可以看出NPN双向二极管中一个N 区与电容器下电极102连接，并通过通孔互联引出到外部电极，为了使双向二极管与电容器并联，则另一个N 区需要与上电极金属层106电连接，在半导体互联领域，通过通孔和布线层实现位于不同层的材料互联属于公知常识，并且可以根据需要互联和/或绝缘的区域所在位置，选择布线层的形状和层数。
随后，专利复审委员会成立合议组对本案进行审理。
合议组于2018年10月18日向复审请求人发出复审通知书，指出：权利要求1-18不具备专利法第22条第3款规定的创造性。对比文件1中填充沟槽的是多晶硅导电材料，覆盖在沟槽上表面的还有电极306，电极306与多晶硅404均为导电材料，是电导通的，其合起来起到上电极的作用，最终电容的有效面积是沟槽侧壁和底面相加的面积，与本申请的是相同的。布线膜就是一层金属膜，为了增强电极导电性设置的，是本领域常见部件。
复审请求人于2018年11月30日提交了意见陈述书，同时根据权利要求12、说明书第[0135]、[0139]-[0140]段、附图2A修改了原权利要求1和10，对原权利要求14进行了适应性修改，删除了原权利要求12，对权利要求书进行了重新编号。复审请求人认为：修改后的权利要求1要求保护的片状电容器包含多个熔丝，能够分别将多个电容器要素断开，通过选择一个或多个熔丝进行切断，能够将一个或多个电容器要素选择性地与外部电极断开，能够容易且快速地与多个种类的电容值对应，即通过组合多个电容器要素，能够以共同的设计来实现各种电容值的片状电容器。此外，片状电容器中，上部电极被分割成分别与多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，这些电极膜部分形成为条带形状，并从熔丝向一对外部电极中与下部电极连接的外部电极延伸为带状，并且多个沟槽成为在与多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状，能够提供一种有利于大容量化且静电破坏耐量大的片状电容器。对比文件1中，焊球处并未设置如熔丝这样的结构，而且电极作为整体与对应的焊球连接，并未分割成多个电极膜部分，因此也没有给出设置熔丝来调整电容值的启示。
修改后的权利要求1和10如下：
“1. 一种片状电容器，包含：
第一导电型的半导体基板；
一对外部电极，其形成在所述第一导电型的半导体基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；
双向二极管，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述第一导电型的半导体基板的侧面，
所述电容器元件包含：
下部电极，其由形成在所述第一导电型的半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散层构成，与所述一对外部电极的一个外部电极电连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
所述双向二极管由所述第一杂质扩散层、与所述第一杂质扩散层空开间隔地形成在所述第一导电型的半导体基板内并与所述一对外部电极的另一个外部电极电连接的第二导电型的第二杂质扩散层、和夹在所述第一杂质扩散层和所述第二杂质扩散层之间的所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域构成，
所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域在所述半导体基板的背面露出，在该背面未形成电极，
所述半导体基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述半导体基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
在所述半导体基板形成有具有与该半导体基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜，
还包含与所述金属膜形成于同一层且与所述第二杂质扩散层连接的 布线膜，
所述一对外部电极的另一个外部电极跨所述金属膜以及所述布线膜地形成，并将该金属膜以及该布线膜电连接，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接，
所述上部电极被分割成分别与所述多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，
所述多个电极膜部分形成为条带形状，并从所述熔丝向所述一对外部电极中与所述下部电极连接的外部电极延伸为带状，
所述多个沟槽形成为在与所述多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状。
10. 一种片状电容器，包含：
基板；
一对外部电极，其形成在所述基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述基板的侧面，
各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分，
所述基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
所述电容器元件包含：
下部电极，其形成在所述基板上或者所述基板内，与所述一对外部电极的一个外部电极连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
在所述基板形成有具有与该基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接，
所述上部电极被分割成分别与所述多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，
所述多个电极膜部分形成为条带形状，并从所述熔丝向所述一对外部电极中与所述下部电极连接的外部电极延伸为带状，
所述多个沟槽形成为在与所述多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状。”
合议组于2019年03月18日再次发出复审通知书，指出权利要求1-17不具备创造性。且对比文件3公开了电容器包含多个电容要素的技术特征，对比文件3通过激光断开个别电极来改变电容值，本申请是通过熔丝熔断来实现电容值的改变，而熔丝熔断是本领域惯用技术手段。对比文件3附图也公开了多个电极片各个为长条状的技术特征。
复审请求人于2019年04月30日提交了意见陈述书，同时根据说明书的内容修改了权利要求1和10，在权利要求1和10分别增加了“所述熔丝、所述金属膜和所述布线膜在同一层由同一金属材料形成”以及“所述熔丝和所述金属膜在同一层由同一金属材料形成”的技术特征。复审请求人认为：（1）对比文件1和2制造的都是具有给定电容值的电容器，并未涉及切断电容器的一部分来调整电容器的内容，进而自然也未公开本申请中基于熔丝的电容器切断方式。对比文件3也未公开基于熔丝的电容器断开方式，并且未就此给出任何教导或启示。（2）本申请的区别技术特征中“所述熔丝、所述金属膜和所述布线膜在同一层由同一金属材料形成”在各对比文件中均为给出任何教导或启示。修改后的权利要求1具有“通过组合多个电容器要素，能够以共同的设计来实现各种电容值的片状电容器；能够对共同的金属膜进行图案形成来同时形成熔丝、金属膜和布线膜，所以制造工序被简化”的有益效果。
修改后的权利要求1和10如下：“
1. 一种片状电容器，包含：
第一导电型的半导体基板；
一对外部电极，其形成在所述第一导电型的半导体基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；
双向二极管，其与所述电容器元件并联连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述第一导电型的半导体基板的侧面，
所述电容器元件包含：
下部电极，其由形成在所述第一导电型的半导体基板内的第二导电型的第一杂质扩散层构成，与所述一对外部电极的一个外部电极电连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
所述双向二极管由所述第一杂质扩散层、与所述第一杂质扩散层空开间隔地形成在所述第一导电型的半导体基板内并与所述一对外部电极的另一个外部电极电连接的第二导电型的第二杂质扩散层、和夹在所述第一杂质扩散层和所述第二杂质扩散层之间的所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域构成，
所述第一导电型的半导体基板的第一导电型的区域在所述半导体基板的背面露出，在该背面未形成电极，
所述半导体基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述半导体基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
在所述半导体基板形成有具有与该半导体基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜，
还包含与所述第二杂质扩散层连接的布线膜，
所述一对外部电极的另一个外部电极跨所述金属膜以及所述布线膜地形成，并将该金属膜以及该布线膜电连接，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接，
所述上部电极被分割成分别与所述多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，
所述多个电极膜部分形成为条带形状，并从所述熔丝向所述一对外部电极中与所述下部电极连接的外部电极延伸为带状，
所述多个沟槽形成为在与所述多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状，
所述熔丝、所述金属膜和所述布线膜在同一层由同一金属材料形成。
10. 一种片状电容器，包含：
基板；
一对外部电极，其形成在所述基板上；
电容器元件，其连接在所述一对外部电极之间；和
绝缘膜，其覆盖所述基板的侧面，
各外部电极跨所述基板的表面以及侧面地形成，并一体地具有覆盖所述表面的表面部分以及覆盖所述侧面的侧面部分，
所述基板的背面是研磨面，
所述绝缘膜在所述基板的背面侧具有与所述研磨面齐平的端部，
所述电容器元件包含：
下部电极，其形成在所述基板上或者所述基板内，与所述一对外部电极的一个外部电极连接；
电容膜，其层叠于所述下部电极；和
上部电极，其层叠于所述电容膜，夹着所述电容膜与所述下部电极相对置，并与所述一对外部电极的另一个外部电极连接，
在所述基板形成有具有与该基板的主面相交叉的侧壁面的多个沟槽，所述电容膜沿着所述多个沟槽的侧壁面形成，
所述上部电极包含：埋设所述多个沟槽且形成为将所述多个沟槽一并覆盖的多晶硅膜；和形成在所述多晶硅膜上的金属膜，
所述电容器元件包含多个电容器要素，
所述片状电容器还包含：多个熔丝，该多个熔丝设置在所述基板上，以能够分别将所述多个电容器要素断开的方式与所述外部电极连接，
所述上部电极被分割成分别与所述多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，
所述多个电极膜部分形成为条带形状，并从所述熔丝向所述一对外部电极中与所述下部电极连接的外部电极延伸为带状，
所述多个沟槽形成为在与所述多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状，
所述熔丝和所述金属膜在同一层由同一金属材料形成。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以作出审查决定。
二、决定的理由
1.审查文本的认定
复审请求人在2019年04月30日提交意见陈述书时提交了修改后的权利要求书，经审查，该修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。本复审决定所依据的文本为：2015年04月29日进入中国国家阶段时提交的说明书第1-620段，说明书附图图1A-48，说明书摘要以及摘要附图，2019年04月30日提交的权利要求第1-17项。
2.具体理由的阐述
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
如果一项权利要求的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件进行对比，其一部分区别技术特征被其它对比文件公开，另一部分区别技术特征是本领域的公知常识，且本领域技术人员从中能够得到技术启示将上述区别技术特征结合到最接近的现有技术中实现权利要求的技术方案，则该权利要求相对于上述对比文件及本领域的公知常识的结合不具备创造性。
在本复审决定引用原审查部门在驳回决定和复审通知书中引用的对比文件1-3作为现有技术，即：
对比文件1：CN1346138A 公开日：2002年04月24日；
对比文件2：JP特开5-13201A 公开日：1993年01月22日；
对比文件3：JP特开9-55625A 公开日：1997年02月25日。
1.权利要求1不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1要求保护一种片状电容器，对比文件1（参见说明书第3页第2-24行，第5页第14行-第7页第12行，图1-9）公开了一种高频电容器，包括焊球312和310（相当于权利要求1的一对形成在基板上的外部电极），电极304和306（相当于权利要求1的上部电极），介电层402（相当于权利要求1的电容膜）深入沟槽，顺着沟槽壁设置，沟槽被充以导电材料，例如多晶硅，增加了电容器极板和介电层之间的界面的有效面积。N 衬底102（相当于下部电极）可以通过研磨其背面而变薄（相当于权利要求1中半导体基板的背面是研磨面）。保护二极管和电容器并联连接一对反向连接的齐纳二极管D1，D2，保护二极管可以在衬底本身形成，在衬底102内在电极106的下方形成N 区域902，P区域904和N 区域906。具有代表一个二极管的在N 区域902和P区域904之间的第一个PN结和代表另一个二极管的在P区域904和N 区域906之间的第二个PN结。权利要求1与对比文件1的区别在于：（1）绝缘膜，覆盖第一导电型半导体基板侧面，绝缘膜在半导体基板的背面具有与研磨面齐平的端部；（2）下部电极，由形成在第一导电型半导体基板内的第二导电型第一杂质扩散层构成，与一对外部电极的一个外部电极电连接；（3）双向二极管由第一杂质扩散层、与第一杂质扩散层空开间隔地形成在第一导电型半导体基板内并与一对外部电极的另一个外部电极电连接的第二导电型的第二杂质扩散层、和夹在第一杂质扩散层和第二杂质扩散层之间的第一导电型半导体基板的第一导电型的区域构成；（4）形成在多晶硅膜上的金属膜，与第二杂质扩散层连接的布线膜，一对外部电极的另一个外部电极跨所述金属膜以及布线膜形成，将金属膜以及布线膜电连接。（5）电容器元件包含多个电容器要素，片状电容器还包含：多个熔丝，多个熔丝设置在基板上，以能够分别将多个电容器要素断开的方式与外部电极连接。上部电极被分割成分别与多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，多个电极膜部分形成为条带形状，并从熔丝向一对外部电极中与下部电极连接的外部电极延伸为带状，多个沟槽形成为在多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状。（6）熔丝、金属膜和布线膜在同一层由同一金属材料形成。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：优化电容器器件结构。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了在电容器构建表面设置钝化层保护电容器结构，本领域技术人员很容易由这一特征获得技术启示，而在半导体基板侧面设置绝缘膜，且绝缘膜在半导体基板背面设置与研磨面齐平的端部。
对于区别技术特征（2），由在第一导电型半导体基板内的第二导电型第一杂质扩散层构成下部电极，并与一对外部电极的一个外部电极电连接，对于本领域技术人员来说是很容易想到的。
对于区别技术特征（3），对比文件1公开了在衬底本身形成与电容器并联的用于保护电容器的两个齐纳二极管，只是二极管结构与权利要求1要求保护的二极管略有不同，但这种结构都是本领域常见的二极管结构，属于公知常识。
对于区别技术特征（4），金属膜和布线膜都是为了增强器件的导电性而设置的，是本领域惯用技术手段，属于公知常识。
对于区别技术特征（5），对比文件3公开了一种可变电容器（参见说明书第[0003]段，附图2,7），如图7C，在介质层的表面与内电极相对设置具有不同面积的多个表面电极（相当于电容器元件包含多个电容器要素），通过激光或其他方式来切断表面电极的连接，从而实现电容值的调整。上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中作用相同，即通过断开部分电极表面，改变电容容量。多个表面电极可以是条带状，电极间沟槽与电极部分的长边方向正交的方向延伸，也为条状。设置多个熔丝为电容器要素断开方式是本领域惯用技术手段，属于公知常识。
对于区别技术特征（6）熔丝、金属膜和布线膜都是导电的，且互不干扰，本领域技术人员为简化制造工艺很容易想到将其形成在同一层，使用相同的材料，以便一起形成。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件3和公知常识得到权利要求1要求保护的技术方案是显而易见的，因此，权利要求1不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
2.权利要求2-5不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-5的附加技术特征均为形成在半导体衬底内的双向二极管的常规结构，属于公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求2-5也不具备创造性。
3.权利要求6和7不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求6和7的附加技术特征均是本领域技术人员在对比文件1的基础上很容易想到的，无需付出创造性劳动。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求6和7也不具备创造性。
4.权利要求8不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2（参见说明书第[0005]-[0016]段，图1）公开了一种贴片电阻器，为解决侧面安装时电极与PCB板接触面积小，导致焊接面积小使得安装强度不足的问题，贴片电阻器的三个侧面和表面都设置外部电极。上述特征在对比文件2中作用与区别技术特征在本申请中作用相同，本领域技术人员可以从对比文件2获得技术启示将该特征应用于对比文件1。为了加工方便，将侧面和表面的外部电极设置为一体是本领域技术人员很容易想到的。由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2和公知常识得到权利要求8要求保护的技术方案是显而易见的，因此，权利要求8不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
5.权利要求9不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2公开了（参见权利要求9）在贴片电阻器的三个侧面和表面都设置外部电极（相当于外部电极覆盖基板三个侧面的表面侧的边缘部）。基板的形状是本领域技术人员可以根据需要选择的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求9也不具备创造性。
6.权利要求10不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求10要求保护一种片状电容器，对比文件1（参见说明书第3页第2-24行，第5页第14行-第7页第12行，图1-9）公开了一种高频电容器，包括焊球312和310（相当于权利要求1的一对形成在基板上的外部电极），电极304和306（相当于权利要求1的上部电极），介电层402（相当于权利要求1的电容膜）深入沟槽，顺着沟槽壁设置，沟槽被充以导电材料，例如多晶硅，增加了电容器极板和介电层之间的界面的有效面积。N 衬底102（相当于下部电极）可以通过研磨其背面而变薄（相当于权利要求1中半导体基板的背面是研磨面）。权利要求10与对比文件1的区别在于：（1）绝缘膜，覆盖基板侧面，绝缘膜在半导体基板的背面具有与研磨面齐平的端部；（2）下部电极，形成在基板上或基板内。（3）各外部电极跨基板的表面以及侧面形成，一体地覆盖表面的表面部分以及侧面的侧面部分；（4）上部电极包含形成在多晶硅膜上的金属膜。（5）电容器元件包含多个电容器要素，片状电容器还包含：多个熔丝，多个熔丝设置在基板上，以能够分别将多个电容器要素断开的方式与外部电极连接。上部电极被分割成分别与多个电容器要素相对应的多个电极膜部分，多个电极膜部分形成为条带形状，并从熔丝向一对外部电极中与下部电极连接的外部电极延伸为带状，多个沟槽形成为在多个电极膜部分的长边方向正交的方向上延伸的条状。（6）熔丝和金属膜在同一层由同一金属材料形成。基于上述区别技术特征，本申请实际解决的技术问题是：优化电容器器件结构。
对于区别技术特征（1），对比文件1公开了在电容器构建表面设置钝化层保护电容器结构，本领域技术人员很容易由这一特征获得技术启示，而在半导体基板侧面设置绝缘膜，且绝缘膜在半导体基板背面设置与研磨面齐平的端部。
对于区别技术特征（2），对比文件1中直接使用N 衬底为下电极，在N 衬底表面上或衬底里的部分区域进行掺杂作为电极是本领域常见的，属于公知常识。
对于区别技术特征（3），对比文件2公开了一种贴片电阻器，为解决侧面安装时电极与PCB板接触面积小，导致焊接面积小使得安装强度不足的问题，贴片电阻器的三个侧面和表面都设置外部电极。上述特征在对比文件2中作用与区别技术特征在本申请中作用相同，本领域技术人员可以从对比文件2获得技术启示将该特征应用于对比文件1。为了加工方便，将侧面和表面的外部电极设置为一体是本领域技术人员很容易想到的。
对于区别技术特征（4），金属膜是为了增强器件的导电性而设置的，是本领域惯用技术手段，属于公知常识。
对于区别技术特征（5），对比文件3公开了一种可变电容器（参见说明书第[0003]段，附图2,7），如图7C，在介质层的表面与内电极相对设置具有不同面积的多个表面电极（相当于电容器元件包含多个电容器要素），通过激光或其他方式来切断表面电极的连接，从而实现电容值的调整。上述技术特征在对比文件3中所起的作用与其在本申请中作用相同，即通过断开部分电极表面，改变电容容量。多个表面电极可以是条带状，电极间沟槽与电极部分的长边方向正交的方向延伸，也为条状。设置多个熔丝为电容器要素断开方式是本领域惯用技术手段，属于公知常识。
对于区别技术特征（6）熔丝、金属膜都是导电的，且互不干扰，本领域技术人员为简化制造工艺很容易想到将其形成在同一层，使用相同的材料，以便一起形成。
由此可见，在对比文件1的基础上结合对比文件2、对比文件3和公知常识得到权利要求10要求保护的技术方案是显而易见的，因此，权利要求10要求保护的技术方案不具备突出的实质性特点和显著的进步，因而不具备创造性。
7.权利要求11不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
对比文件2公开了（参见权利要求9）在贴片电阻器的三个侧面和表面都设置外部电极（相当于外部电极覆盖基板三个侧面的表面侧的边缘部）。基板的形状是本领域技术人员可以根据需要选择的。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求11也不具备创造性。
8.权利要求12不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
将对比文件3中的多个电容器要素分为一个基本电容元件和多个调整电容元件，调整电容元件经由多个熔丝分别与外部电极连接是本领域惯用手段，属于公知常识。由此可见，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求12也不具备创造性。
9.权利要求13不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
调整电容元件具有相互平行的条带形状，在一对外部电极一侧将端部对其，按长度调整顺序，设置电容元件包含连接部和主要部都是本领域惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求13也不具备创造性。
10.权利要求14不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
为实现所需电路功能，将电阻元件与电容元件并立案在一对外部电极之间，是本领域惯用技术手段，属于公知常识，因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求14也不具备创造性。
11.权利要求15不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求15要求保护一种电路组件，其引用的权利要求1-15的片状电容器均不具备创造性。在与基板表面相对置的安置面设有焊料与外部电极相结合的焊盘的安装基板是本领域常用部件，属于公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求15也不具备创造性。
12.权利要求16不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
为增强安装强度，焊料覆盖外部电极的表面部分和侧面部分是本领域惯用技术手段。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求16也不具备创造性。
13.权利要求17不符合专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求17要求保护一种电子设备，其引用的权利要求15或16的电路组件都不具备创造性。电子设备容纳电路组件框体是本领域公知常识。因此，在其引用的权利要求不具备创造性的前提下，权利要求17也不具备创造性。
14.对复审请求人相关意见的评述
合议组认为：（1）虽然对比文件1和2都是固定电容值的电容器，但对比文件3公开了一种可变电容器，具有不同面积的多个表面电极（相当于电容器元件包含多个电容器要素），通过激光或其他方式来切断表面电极的连接，从而实现电容值的调整。而熔丝切断是本领域常用的切断方式。因此，本领域技术人员在对比文件3公开内容的启示下，很容易想到将其与对比文件1结合。（2）对比文件虽然没有公开熔丝、金属膜和布线膜在同一层且由同一材料形成，但熔丝、金属膜和布线膜都是导电的，对材料没有特殊要求，且不会互相干扰，本领域技术人员为了节约成本、简化工艺将所需的导电材料使用同一种材料，且将熔丝、金属膜和布线膜形成在同一层以便同时形成是很容易想到且不存在技术障碍的。
综上，合议组对复审请求人的意见陈述不予支持。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年03月15 日对本申请作出的驳回决定。
如对本复审请求审查决定不服，根据专利法第41条第2款的规定，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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