发明创造名称：阵列基板的制作方法及制得的阵列基板
外观设计名称：
决定号：181013
决定日：2019-05-17
委内编号：1F263944
优先权日：
申请（专利）号：201610115744.7
申请日：2016-03-01
复审请求人：深圳市华星光电技术有限公司
无效请求人：
授权公告日：
审定公告日：
专利权人：
主审员：罗崇举
合议组组长：杨丽丽
参审员：徐小岭
国际分类号：H01L21/77,H01L27/12,G02F1/1362
外观设计分类号：
法律依据：专利法第22条第3款
决定要点
：一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征是本领域技术人员在该对比文件基础上进行的常规改进，在该对比文件的基础上结合本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
全文：
本复审请求涉及申请号为201610115744.7，发明名称为“阵列基板的制作方法及制得的阵列基板”的发明专利申请（下称本申请）。本申请的申请人为深圳市华星光电技术有限公司，申请日为2016年03月01日，公开日为2016年05月18日。
经实质审查，国家知识产权局原审查部门于2018年08月03日发出驳回决定，以本申请权利要求1-6不符合专利法第22条第3款的规定为由驳回了本申请，其具体理由是：（1）独立权利要求1请求保护一种阵列基板的制作方法，其与对比文件1（CN103003743A，公开日为2013年03月27日）的区别在于：形成公共电极而不是电容电极；第三通孔的尺寸小于所述第一通孔与第二通孔的尺寸，第一通孔、第二通孔、及第三通孔均为圆形孔，所述第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，所述第三通孔的直径为3-5μm。上述区别技术特征属于本领域的常规技术手段，因此权利要求1相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-4的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域常规技术手段，因此均不具备创造性。（3）独立权利要求5请求保护一种阵列基板，其与对比文件1的区别在于：形成公共电极而不是电容电极；第三通孔的尺寸小于所述第一通孔与第二通孔的尺寸，第一通孔、第二通孔、及第三通孔均为圆形孔，所述第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，所述第三通孔的直径为3-5μm。上述区别技术特征属于本领域的常规技术手段，因此权利要求5相对于对比文件1和本领域常规技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求6的附加技术特征属于本领域常规技术手段，因此不具备创造性。
驳回决定所依据的文本为：申请人于2018年07月05日提交的权利要求第1-6项；于申请日2016年03月01日提交的说明书第0001-0083段、说明书附图图1-7、说明书摘要、摘要附图。
驳回决定针对的权利要求书如下：
“1. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成栅极(15)、栅极绝缘层(20)、有源层(25)、及源/漏极(30)；
步骤2、在所述源/漏极(30)及栅极绝缘层(20)上形成第一钝化层(40)，在所述第一钝化层(40)上形成平坦层(50)，对所述平坦层(50)进行图形化处理，得到对应于源/漏极(30)上方的第一通孔(51)；
步骤3、以所述平坦层(50)为掩模，对所述第一钝化层(40)进行蚀刻，形成对应于所述第一通孔(51)的第二通孔(41)；
步骤4、在所述平坦层(50)上沉积第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图形化处理，形成公共电极(60)、以及与所述公共电极(60)间隔设置的导电连接层(65)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
步骤5、在所述公共电极(60)、平坦层(50)上形成第二钝化层(70)，对所述第二钝化层(70)上位于第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分进行开孔处理，得到位于第二钝化层(70)上的第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；
步骤6、在所述第二钝化层(70)上沉积第二透明导电层，并对所述第二透明导电层进行图形化处理，形成像素电极(80)，所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm。
2. 如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2还包括：在所述平坦层(50)上形成第一通孔(51)后，对所述平坦层(50)进行退火处理。
3. 如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4还包括：对所述公共电极(60)与导电连接层(65)进行退火处理；所述步骤6还包括：对所述像素电极(80)进行退火处理。
4. 如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)的膜厚为1500-2500?。
5. 一种阵列基板，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的栅极(15)、设于所述栅极(15)及基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的有源层(25)、设于所述有源层(25)及栅极绝缘层(20)上的源/漏极(30)、设于所述源/漏极(30)、有源层(25)、及栅极绝缘层(20)上的第一钝化层(40)、设于所述第一钝化层(40)上的平坦层(50)、设于所述平坦层(50)上且间隔设置的公共电极(60)与导电连接层(65)、设于所述公共电极(60)、导电连接层(65)、及平坦层(50)上的第二钝化层(70)、及设于所述第二钝化层(70)上的像素电极(80)；
所述平坦层(50)与第一钝化层(40)上分别设有对应于源/漏极(30)上方且相贯通的第一通孔(51)与第二通孔(41)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
所述第二钝化层(70)上位于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分上设有第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；
所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm。
6. 如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层(40)与 第二钝化层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层；所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)的膜厚为1500-2500?。”
申请人（下称复审请求人）对上述驳回决定不服，于2018年10月25日向国家知识产权局提出复审请求，同时提交了权利要求书修改替换页，其中将原从属权利要求2的附加技术特征补入独立权利要求1，将独立权利要求4（原独立权利要求5）修改为引用权利要求1-3。同时陈述意见认为：权利要求1与对比文件1相比具有多个区别特征，其中包括：步骤2还包括，在平坦层上形成第一通孔后，对平坦层进行退火处理。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人于2018年10月25日提交的修改后的独立权利要求1和4为：
“1. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成栅极(15)、栅极绝缘层(20)、有源层(25)、及源/漏极(30)；
步骤2、在所述源/漏极(30)及栅极绝缘层(20)上形成第一钝化层(40)，在所述第一钝化层(40)上形成平坦层(50)，对所述平坦层(50)进行图形化处理，得到对应于源/漏极(30)上方的第一通孔(51)；
步骤3、以所述平坦层(50)为掩模，对所述第一钝化层(40)进行蚀刻，形成对应于所述第一通孔(51)的第二通孔(41)；
步骤4、在所述平坦层(50)上沉积第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图形化处理，形成公共电极(60)、以及与所述公共电极(60)间隔设置的导电连接层(65)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
步骤5、在所述公共电极(60)、平坦层(50)上形成第二钝化层(70)，对所述第二钝化层(70)上位于第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分进行开孔处理，得到位于第二钝化层(70)上的第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；
步骤6、在所述第二钝化层(70)上沉积第二透明导电层，并对所述第二透明导电层进行图形化处理，形成像素电极(80)，所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm；
所述步骤2还包括：在所述平坦层(50)上形成第一通孔(51)后，对所述平坦层(50)进行退火处理。”
“4. 一种如权利要求1-3任一项所述的阵列基板的制作方法制得的阵列基板，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的栅极(15)、设于所述栅极(15)及基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的有源层(25)、设于所述有源层(25)及栅极绝缘层(20)上的源/漏极(30)、设于所述源/漏极(30)、有源层(25)、及栅极绝缘层(20)上的第一钝化层(40)、设于所述第一钝化层(40)上的平坦层(50)、设于所述平坦层(50)上且间隔设置的公共电极(60)与导电连接层(65)、设于所述公共电极(60)、导电连接层(65)、及平坦层(50)上的第二钝化层(70)、及设于所述第二钝化层(70)上的像素电极(80)；
所述平坦层(50)与第一钝化层(40)上分别设有对应于源/漏极(30)上方且相贯通的第一通孔(51)与第二通孔(41)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
所述第二钝化层(70)上位于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分上设有第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；
所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm。”
经形式审查合格，国家知识产权局于2018年11月07日依法受理了该复审请求，并将其转送至原审查部门进行前置审查。
原审查部门在前置审查意见书中认为：对比文件1公开了（参见说明书第0111段，附图12（c））：在形成有无机绝缘膜18的整个基板，例如利用旋涂法或狭缝涂布法涂布透明的感光性树脂膜（即平坦层），之后，通过对该感光性树脂膜进行曝光、显影（即形成过孔）和烧制，如图9（c）所示那样，形成上层保护绝缘膜19a。对比文件1中对感光性树脂膜进行烧制，即为对其加热固化，其必然还包括加热后的冷却。可见，对比文件1中对感光性树脂膜进行烧制即相当于权利要求1中的对平坦层进行退火处理，因此权利要求1中新增加的技术特征“在所述平坦层上形成第一通孔后，对所述平坦层进行退火处理”被对比文件1公开。因此，修改后的权利要求仍不具备创造性，因而坚持驳回决定。
随后，国家知识产权局成立合议组对本案进行审理。
合议组于2019年02月28日发出复审通知书，引用与驳回决定相同的对比文件，指出权利要求1-5不符合专利法第22条第3款的规定。具体理由为：（1）独立权利要求1相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（2）从属权利要求2-3对独立权利要求1进一步限定，其附加技术特征属于本领域的常用技术手段，因此均不具备创造性。（3）独立权利要求4相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备专利法第22条第3款规定的创造性。（4）从属权利要求5对独立权利要求4进一步限定，其附加技术特征属于本领域的常用技术手段，因此不具备创造性。
针对上述复审通知书，复审请求人于2019年03月13日提交了复审程序意见陈述书，同时提交了权利要求书修改替换页，其中将从属权利要求3和5的部分附加技术特征“所述第一钝化层（40）与第二钝化层（70）的膜厚为1500-2500?”分别补入独立权利要求1和4。同时陈述意见认为：（1）对比文件1中透明电极21a与电容线11a相连，其用于形成辅助电容；本申请中公共电极的作用是与像素电极配合控制液晶，不是为了形成辅助电容；对比文件1不能给出在形成公共电极的同时形成导电连接层的技术启示；（2）对比文件1对孔22aca、孔20aca的大小没有文字描述，本申请中第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔，第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm，可以确保公共电极与像素电极不短路，提升产品品质，并非常规技术手段；（3）对比文件1没有公开第一钝化层与第二钝化层的膜厚为1500-2500?，该特征也不是本领域常用技术手段。权利要求1由于包括上述技术特征，可以避免源/漏极与平坦层裸露于环境中，消除二者反应的可能。因此权利要求1具备创造性。
复审请求人于2019年03月13日提交的权利要求1-5为：
“1. 一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次形成栅极(15)、栅极绝缘层(20)、有源层(25)、及源/漏极(30)；
步骤2、在所述源/漏极(30)及栅极绝缘层(20)上形成第一钝化层(40)，在所述第一钝化层(40)上形成平坦层(50)，对所述平坦层(50)进行图形化处理，得到对应于源/漏极(30)上方的第一通孔(51)；
步骤3、以所述平坦层(50)为掩模，对所述第一钝化层(40)进行蚀刻，形成对应于所述第一通孔(51)的第二通孔(41)；
步骤4、在所述平坦层(50)上沉积第一透明导电层，并对所述第一透明导电层进行图形化处理，形成公共电极(60)、以及与所述公共电极(60)间隔设置的导电连接层(65)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
步骤5、在所述公共电极(60)、平坦层(50)上形成第二钝化层(70)，对所述第二钝化层(70)上位于第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分进行开孔处理，得到位于第二钝化层(70)上的第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；
步骤6、在所述第二钝化层(70)上沉积第二透明导电层，并对所述第二透明导电层进行图形化处理，形成像素电极(80)，所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm；
所述步骤2还包括：在所述平坦层(50)上形成第一通孔(51)后，对所述平坦层(50)进行退火处理；
所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)的膜厚为1500-2500?。
2. 如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述步骤4还包括：对所述公共电极(60)与导电连接层(65)进行退火处理；所述步骤6还包括：对所述像素电极(80)进行退火处理。
3. 如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。
4. 一种如权利要求1-3任一项所述的阵列基板的制作方法制得的阵列基板，其特征在于，包括基板(10)、设于所述基板(10)上的栅极(15)、设于所述栅极(15)及基板(10)上的栅极绝缘层(20)、设于所述栅极绝缘层(20)上的有源层(25)、设于所述有源层(25)及栅极绝缘层(20)上的源/漏极(30)、设于所述源/漏极(30)、有源层(25)、及栅极绝缘层(20)上的第一钝化层(40)、设于所述第一钝化层(40)上的平坦层(50)、设于所述平坦层(50)上且间隔设置的公共电极(60)与导电连接层(65)、设于所述公共电极(60)、导电连接层(65)、及平坦层(50)上的第二钝化层(70)、及设于所述第二钝化层(70)上的像素电极(80)；
所述平坦层(50)与第一钝化层(40)上分别设有对应于源/漏极(30)上方且相贯通的第一通孔(51)与第二通孔(41)，所述导电连接层(65)包覆所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的孔壁、以及暴露于第二通孔(41)处的源/漏极(30)；
所述第二钝化层(70)上位于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)内的部分上设有第三通孔(71)，所述第三通孔(71)暴露出部分导电连接层(65)；所述像素电极(80)经由第三通孔(71)与导电连接层(65)相接触，由于导电连接层(65)与源/漏极(30)相接触，从而实现像素电极(80)与源/漏极(30)的导通；
所述第三通孔(71)的尺寸小于所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的尺寸；
所述第一通孔(51)、第二通孔(41)、及第三通孔(71)均为圆形孔，所述第一通孔(51)与第二通孔(41)的直径为7-12μm，所述第三通孔(71)的直径为3-5μm；
所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)的膜厚为1500-2500?。
5. 如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层(40)与第二钝化层(70)为氧化硅层、氮化硅层、或者由氧化硅层与氮化硅层叠加构成的复合层。”
在上述程序的基础上，合议组认为本案事实已经清楚，可以依法作出审查决定。
二、决定的理由
（一）审查文本的认定
复审请求人在答复复审通知书时提交了权利要求书修改替换页（共包括权利要求第1-5项），经审查，其修改符合专利法第33条和专利法实施细则第61条第1款的规定。因此本复审决定依据的审查文本为：复审请求人于2019年03月13日提交的权利要求第1-5项；于申请日2016年03月01日提交的说明书第0001-0083段、说明书附图图1-7、说明书摘要及摘要附图。
（二）关于专利法第22条第3款
专利法第22条第3款规定：创造性，是指与现有技术相比，该发明具有突出的实质性特点和显著的进步，该实用新型具有实质性特点和进步。
一项权利要求请求保护的技术方案与作为最接近现有技术的对比文件相比存在区别技术特征，如果该区别技术特征是本领域技术人员在该对比文件基础上进行的常规改进，在该对比文件的基础上结合本领域常用技术手段得到该权利要求的技术方案对本领域技术人员而言是显而易见的，则该权利要求不具备创造性。
本复审决定引用与驳回决定和复审通知书相同的对比文件，为：
对比文件1：公开号为CN103003743A，公开日为2013年03月27日。
1、权利要求1不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求1请求保护一种阵列基板的制作方法，对比文件1公开了一种有源矩阵基板的制造方法，并具体公开了（参见说明书第0078-0100段、图8-11）如下技术特征：
在绝缘基板10上形成栅极线11a、栅极电极11aa和电容线11b；形成栅极绝缘膜12；形成半导体层13；形成源极线17a、源极电极17aa和漏极电极17b（相当于提供一基板，在基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、有源层、及源/漏极）；
在整个基板上形成无机绝缘膜18；涂布透明的感光性树脂膜，之后对该感光性树脂膜进行曝光、显影和烧制，形成上层保护绝缘膜19a（相当于在源/漏极及栅极绝缘层上形成第一钝化层，在所述第一钝化层上形成平坦层，对所述平坦层进行图形化处理，得到对应于源/漏极上方的第一通孔；形成第一通孔后，对平坦层进行退火处理）；
通过对上层保护绝缘膜19a露出的无机绝缘膜18进行湿蚀刻或干蚀刻，形成接触孔20aca（相当于以平坦层为掩模，对第一钝化层进行蚀刻，形成对应于所述第一通孔的第二通孔）；
在整个基板上形成第一透明导电膜，对该第一透明导电膜进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成透明电极21a以及透明导电层21c（相当于在平坦层上沉积第一透明导电层，并对第一透明导电层进行图形化处理，形成电极以及与电极间隔设置的导电连接层）；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定透明导电层21c包覆无机绝缘膜18和上层保护绝缘膜19a中通孔的孔壁以及暴露于其通孔内的源/漏极电极（相当于导电连接层包覆第一通孔与第二通孔的孔壁以及暴露于第二通孔处的源/漏极）；
在整个基板上形成无机绝缘膜22，通过对其进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成接触孔22aca（相当于在平坦层上形成第二钝化层，对第二钝化层上位于第一通孔与第二通孔内的部分进行开孔处理，得到位于第二钝化层上的第三通孔）；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定无机绝缘膜22所包围的通孔暴露出部分透明导电层21c（相当于第三通孔暴露出部分导电连接层）；
在整个基板上形成第二透明导电膜23，对其进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成像素电极23a（相当于在第二钝化层上沉积第二透明导电层，并对第二透明导电层进行图形化处理，形成像素电极）；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定像素电极23a经过接触孔22aca与透明导电层21c接触，从而与源/漏极电极导通（相当于像素电极经由第三通孔与导电连接层相接触，由于导电连接层与源/漏极相接触，从而实现像素电极与源/漏极的导通）。
由上述对比可知，权利要求1与对比文件1相比其区别技术特征为：（1）第一透明导电层图形化处理后的一部分是公共电极；（2）第三通孔的尺寸小于第一通孔与第二通孔的尺寸；第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔，第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm；（3）第一钝化层与第二钝化层的膜厚为1500-2500?。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：（1）设置公共电极；（2）设定通孔具体参数；（3）设定钝化层的具体厚度。
对于区别技术特征（1），首先公共电极是阵列基板中常见结构部件，其次将阵列基板中第一透明导电层图形化后的一部分作为公共电极是本领域的常见技术手段，因此该区别技术特征属于本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征（2），对第一钝化层和平坦层图形化后形成的在前两个通孔，其表面上再形成一层第二透明导电膜后才形成在后通孔，在后通孔的尺寸通常小于在前通孔；圆形孔是本领域常见的通孔形状；可见，第三通孔的尺寸小于第一通孔与第二通孔的尺寸，第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔均属于本领域的常规技术手段。而第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm是本领域技术人员根据器件尺寸和实际需要，采用常规实验手段，通过有限次试验可以得到的，并可以预期其技术效果。
对于区别技术特征（3），对比文件1还公开了（参见说明书第0085、0091段）：形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜18，厚度为50-500nm左右；形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜22，厚度为50-500nm左右。可见，对比文件1公开了第一钝化层、第二钝化层的厚度500-5000 ?。而第一钝化层和第二钝化层的厚度为1500-2500 ?是本领域技术人员在对比文件1公开的上述厚度范围基础上根据器件需要采用常规实验手段，通过有限次试验可以得到的，不需要付出创造性劳动。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域常用技术手段得到权利要求1请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求1不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
2、权利要求2-3不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求2-3对权利要求1进一步限定。对比文件1还公开了（参见说明书第0135-0137段）：第一透明导电膜21和第二透明导电膜23包含ITO膜；对使用ITO膜作为透明导电膜通过退火处理实现结晶化（相当于对导电连接层、对像素电极进行退火处理）。在此基础上，对公共电极进行退火处理是本领域技术人员容易想到的。对比文件1还公开了（参见说明书第0085、0091段）：形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜18；形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜22（相当于第一钝化层、第二钝化层为氧化硅层或氮化硅层）。可见，上述权利要求的附加技术特征或被对比文件1公开，或属于本领域的常规技术手段，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，上述权利要求也均不具备创造性。
3、权利要求4不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求4请求保护一种如权利要求1-3任一项阵列基板的制作方法制得的阵列基板，对比文件1公开了一种有源矩阵基板的制造方法，并公开了通过该方法制得的阵列基板，其中具体公开了（参见说明书第0063-0100段、图1-11）如下技术特征：
在绝缘基板10上形成栅极线11a、栅极电极11aa和电容线11b；形成栅极绝缘膜12；形成半导体层13；形成源极线17a、源极电极17aa和漏极电极17b（相当于包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述栅极及基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的有源层、设于所述有源层及栅极绝缘层上的源/漏极）；在整个基板上形成无机绝缘膜18；涂布透明的感光性树脂膜，之后对该感光性树脂膜进行曝光、显影和烧制，形成上层保护绝缘膜19a（相当于设于所述源/漏极、有源层、及栅极绝缘层上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的平坦层）；
通过对上层保护绝缘膜19a露出的无机绝缘膜18进行湿蚀刻或干蚀刻，形成接触孔20aca（相当于所述平坦层与第一钝化层上分别设有对应于源/漏极上方且相贯通的第一通孔与第二通孔）；
在整个基板上形成第一透明导电膜，对该第一透明导电膜进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成透明电极21a以及透明导电层21c（相当于设于所述平坦层上且间隔设置的电极与导电连接层）；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定透明导电层21c包覆无机绝缘膜18和上层保护绝缘膜19a中通孔的孔壁以及暴露于其通孔内的源/漏极电极（相当于导电连接层包覆所述第一通孔与第二通孔的孔壁、以及暴露于第二通孔处的源/漏极）；
在整个基板上形成无机绝缘膜22（相当于设于所述电极、导电连接层及平坦层上的第二钝化层），通过对其进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成接触孔22aca；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定无机绝缘膜22所包围的通孔暴露出部分透明导电层21c（相当于所述第二钝化层上位于所述第一通孔与第二通孔内的部分上设有第三通孔，所述第三通孔暴露出部分导电连接层）；
在整个基板上形成第二透明导电膜23，对其进行光刻、湿蚀刻或干蚀刻以及抗蚀剂的剥离清洗，形成像素电极23a（相当于设于所述第二钝化层上的像素电极）；本领域技术人员可以直接地、毫无疑义地确定像素电极23a经过接触孔22aca与透明导电层21c接触，从而与源/漏极电极导通（相当于所述像素电极经由第三通孔与导电连接层相接触，由于导电连接层与源/漏极相接触，从而实现像素电极与源/漏极的导通）。
由上述对比可知，权利要求4与对比文件1相比其区别技术特征为：（1）设于平坦层上与导电连接处间隔设置的是公共电极；（2）第三通孔的尺寸小于第一通孔与第二通孔的尺寸；第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔，第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm；（3）第一钝化层与第二钝化层的膜厚为1500-2500?。基于上述区别技术特征可以确定该权利要求实际要解决的技术问题是：（1）设置公共电极；（2）设定通孔具体参数；（3）设定钝化层的具体厚度。
对于区别技术特征（1），首先公共电极是阵列基板中常见结构部件，其次将阵列基板中第一透明导电层图形化后的一部分作为公共电极，其位于平坦层上与导电连接层间隔设置是本领域的常见技术手段，因此该区别技术特征属于本领域的常用技术手段。
对于区别技术特征（2），对第一钝化层和平坦层图形化后形成的在前两个通孔，其表面上再形成一层第二透明导电膜后才形成在后通孔，在后通孔的尺寸通常小于在前通孔；圆形孔是本领域常见的通孔形状；可见，第三通孔的尺寸小于第一通孔与第二通孔的尺寸，第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔均属于本领域的常规技术手段。而第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm是本领域技术人员根据器件尺寸和实际需要，采用常规实验手段，通过有限次试验可以得到的，并可以预期其技术效果。
对于区别技术特征（3），对比文件1还公开了（参见说明书第0085、0091段）：形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜18，厚度为50-500nm左右；形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜22，厚度为50-500nm左右。可见，对比文件1公开了第一钝化层、第二钝化层的厚度500-5000 ?。而第一钝化层和第二钝化层的厚度为1500-2500 ?是本领域技术人员在对比文件1公开的上述厚度范围基础上根据器件需要采用常规实验手段，通过有限次试验可以得到的，不需要付出创造性劳动。
因此，在对比文件1的基础上结合本领域常用技术手段得到该权利要求请求保护的技术方案对于本领域技术人员来说是显而易见的，因此权利要求4不具有突出的实质性特点和显著的进步，不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
4、权利要求5不具备专利法第22条第3款规定的创造性。
权利要求5对权利要求4进一步限定。对比文件1还公开了（参见说明书第0085、0091段）：形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜18；形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜22（相当于第一钝化层、第二钝化层为氧化硅层或氮化硅层）。可见，该权利要求的附加技术特征被对比文件1公开，因此在其引用的权利要求不具备创造性时，该权利要求也不具备创造性。
三、关于复审请求人的意见陈述
针对复审请求人在答复复审通知书时陈述的意见，合议组认为：
对比文件1公开了：在形成栅极、栅绝缘层、有源层、源/漏电极的基板上形成无机绝缘膜18（相当于形成第一钝化层，不进行蚀刻）；涂布透明的感光性树脂膜，之后对该感光性树脂膜进行曝光、显影（相当于形成平坦层，对其进行曝光显影得到第一通孔）和烧制（相当于进行退火），形成上层保护绝缘膜19a。可见，对比文件1公开了在平坦层上形成第一通孔后对平坦层进行退火处理的技术手段，同时对比文件1也公开了在形成第一钝化层后不进行蚀刻，继续形成平坦层，随后对平坦层进行曝光、显影处理得到第一通孔后再进行退火处理的技术方案。对比文件1公开的上述技术方案也可以达到防止平坦层和源/漏极发生反应以及节约一道光罩的技术效果。可见，对比文件1公开了包含本申请主要技术构思的技术方案，该技术方案也可以解决与平坦层在退火处理时与源/漏极材料发生反应生成不导电络合物，导致阻隔像素电极与源/漏电极导通的技术问题，达到防止平坦层和源/漏极发生反应以及节约一道光罩的技术效果。因此，本申请的发明构思已被对比文件1公开。
针对权利要求1要求保护的技术方案与对比文件1的三个区别技术特征而言，
关于公共电极：首先，公共电极是阵列基板中常见结构部件；其次，将阵列基板中第一透明导电层图形化后的一部分作为公共电极，其位于平坦层上与导电连接层间隔设置是本领域的常见技术手段，因此透明电极21a用作辅助电容是由于其功能带来的区别，在该位置形成的透明电极21a也通常作为公共电极，可见，关于公共电极的区别技术特征属于本领域的常用技术手段。
关于通孔的形状和尺寸：对第一钝化层和平坦层图形化后形成的在前两个通孔，其表面上再形成一层第二透明导电膜后才形成在后通孔，在后通孔的尺寸通常小于在前通孔；圆形孔是本领域常见的通孔形状；可见，第三通孔的尺寸小于第一通孔与第二通孔的尺寸，第一通孔、第二通孔及第三通孔均为圆形孔均属于本领域的常规技术手段。而第一通孔与第二通孔的直径为7-12μm，第三通孔的直径为3-5μm是本领域技术人员根据器件尺寸和实际需要，采用常规实验手段，通过有限次试验可以得到的，并可以预期其技术效果；权利要求1中第一通孔、第二通孔和第三通孔的直径范围也没有实现预料不到的技术效果。
关于钝化层的厚度：对比文件1公开了（参见说明书第0085、0091段）形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜18，厚度为50-500nm左右；形成氧化硅膜或氮化硅膜等无机绝缘膜22，厚度为50-500nm左右。可见，对比文件1公开了第一钝化层、第二钝化层的厚度500-5000 ?，本领域技术人员在此基础上采用常规实验手段，通过有限次试验选择第一钝化层和第二钝化层的厚度为1500-2500 ?是显而易见的，不需要付出创造性劳动，也可以预期其技术效果；权利要去1中限定的包含在对比文件1中公开的数值范围内的第一钝化层和第二钝化层的上述厚度范围也没有实现预料不到的技术效果。
综上可见，权利要求1相对于对比文件1和本领域常用技术手段的结合不具备创造性。因此，复审请求人陈述的理由相对于现有证据不具有说服力，合议组不予支持。
基于上述理由，合议组依法作出以下复审请求审查决定。
三、决定
维持国家知识产权局于2018年08月03日针对本申请作出的驳回决定。
根据专利法第41条第2款的规定，如对本复审请求审查决定不服，复审请求人可以自收到本决定之日起三个月内向北京知识产权法院起诉。
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